KR20010113462A - Lead frame and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
반도체 소자가 탑재되는 탑재면이 저면에 형성된 凹부로서, 통상의 드로잉으로는 형성 곤란할 정도로 깊은 凹부를 드로잉에 의해서 방열판에 용이하게 형성할 수 있고, 또한 방열판과 봉지 수지와의 박리를 효과적으로 방지할 수 있는 리드 프레임. 4각형상의 반도체 소자(12)가 탑재되는 방열판(18)과, 방열판(18)에 탑재된 반도체 소자(12)와 와이어(32) 등에 의해서 전기적으로 접속되는 이너 리드(24, 24····)를 구비하는 리드 프레임(10)에 있어서, 이 방열판(18)의 반도체 소자(12)가 탑재되는 탑재면이 드로잉에 의해서 형성된 4각형상의 凹부(16)의 저면(14)에 형성되고, 또한 凹부(16)의 각 각부를 형성하는 골절 부분이 뚫려나가서 관통 구멍(26)을 형성하고 있다.The recessed surface on which the semiconductor element is mounted is a recessed portion formed on the bottom surface, and the recessed portion deep enough to be difficult to be formed in a normal drawing can be easily formed on the heat sink by drawing, and the peeling between the heat sink and the encapsulating resin can be effectively prevented. Lead frame. Inner leads 24 and 24 electrically connected by heat dissipation plate 18 on which quadrangular semiconductor elements 12 are mounted, and by semiconductor element 12 mounted on heat dissipation plate 18 and wires 32, etc. In the lead frame 10 provided with), the mounting surface on which the semiconductor element 12 of this heat sink 18 is mounted is formed on the bottom face 14 of the quadrilateral jaw portion 16 formed by drawing, Moreover, the fracture part which forms each part of the ear | edge part 16 penetrates, and the through-hole 26 is formed.
Description
본 발명의 리드 프레임 및 반도체 장치에 관한 것이며, 더 상세하게는 4각형상의 반도체 소자가 탑재되는 방열판과, 상기 방열판에 탑재된 반도체 소자와 와이어 등에 의해서 전기적으로 접속되는 이너 리드를 구비한 리드 프레임 및 반도체 장치에 관한 것이다.The lead frame and the semiconductor device of the present invention, and more particularly, a lead frame having a heat sink mounted on a quadrangular semiconductor element, and an inner lead electrically connected to the semiconductor element mounted on the heat sink by a wire or the like; A semiconductor device.
반도체 장치에는 도7a, b에 나타낸 반도체 장치가 있다. 도7a에 나타낸 반도체 장치는 방열판(102)에 탑재된 반도체 소자(100)와 방열판(102)에 접착 테이프(106)에 의해서 접착된 이너 리드(104, 104···)가, 와이어(108, 108···)에 의해서 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 반도체 소자(100) 및 방열판(102) 등이 봉지 수지에 의해서 봉지되어 있다.The semiconductor device includes the semiconductor device shown in Figs. 7A and 7B. In the semiconductor device shown in FIG. 7A, the inner lead 104, 104... Adhered to the semiconductor element 100 mounted on the heat sink 102 and the heat dissipation plate 102 by the adhesive tape 106 is connected to the wire 108. 108 ... electrically connected, and the semiconductor element 100, the heat sink 102, etc. are sealed by sealing resin.
또 도7b에 나타낸 반도체 장치는 도7a에 나타낸 반도체 장치와 같이 방열판(110)이 일면에 탑재된 반도체 소자(100)와, 방열판(110)에 접착 테이프(106)에 의해서 접착된 이너 리드(104, 104···)가 와이어(108, 108···)에 의해서 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 반도체 소자(100)가 봉지 수지에 의해서 봉지되어 있으나, 방열판(110)이 다른 면(반도체 소자(100)의 탑재면에 대하여 반대면)이 봉지 수지의 표면에서 노출되어 있다.In addition, the semiconductor device shown in FIG. 7B is similar to the semiconductor device shown in FIG. 7A, and the semiconductor element 100 having the heat sink 110 mounted on one surface thereof, and the inner lead 104 bonded to the heat sink 110 by an adhesive tape 106. , 104... Are electrically connected by wires 108, 108 .. while the semiconductor element 100 is encapsulated with an encapsulating resin, the heat sink 110 has a different surface (semiconductor element ( The surface opposite to the mounting surface of 100) is exposed on the surface of the sealing resin.
이와 같이 도7b에 나타낸 반도체 장치는 방열판(110)이 다른 면이 봉지 수지의 표면에서 노출되어 있기 때문에, 방열판 (102)의 전면이 봉지 수지에 의해서 봉지되어 있는 도7a에 나타낸 반도체 장치보다 방열성이 양호하다.As described above, the semiconductor device shown in FIG. 7B has a different heat dissipation surface than that of the semiconductor device shown in FIG. 7A in which the other surface of the heat sink 110 is exposed from the surface of the encapsulating resin. Good.
그러나 다른 면이 봉지 수지의 표면에서 노출하는 방열판(110)은 봉지 수지에 의해서 전면이 봉지되는 방열판(102)보다 두껍게 형성되어 있기 때문에 각각 소정 형상으로 형성되기를 요한다. 또 조립시에도 방열판(110)을 각각 위치 맞춤하기를 요한다. 따라서 방열판(110)의 가공 시간 및 조립 시간이 방열판(102)의 가공 시간 및 조립 시간에 비해서 길고, 도7b에 나타낸 반도체 장치의 생산성은 도7a에 나타낸 반도체 장치보다 뒤떨어진다.However, since the heat dissipation plate 110 whose other side is exposed from the surface of the encapsulation resin is formed thicker than the heat dissipation plate 102 whose front surface is sealed by the encapsulation resin, the heat dissipation plate 110 is required to be formed in a predetermined shape. In addition, it is required to align the heat sink 110, respectively when assembling. Therefore, the processing time and the assembly time of the heat sink 110 are longer than the processing time and the assembly time of the heat sink 102, and the productivity of the semiconductor device shown in FIG. 7B is inferior to that of the semiconductor device shown in FIG. 7A.
이 때문에, 본 발명자는 도7b에 나타낸 반도체 장치보다 양호한 생산성을 얻을 수 있는 도7a에 나타낸 반도체 장치의 방열성을 개량하기 위해 도8에 나타낸 반도체 장치의 시작(試作)을 시도하였다.For this reason, the present inventor tried to start the semiconductor device shown in FIG. 8 in order to improve the heat dissipation of the semiconductor device shown in FIG. 7A which can obtain better productivity than the semiconductor device shown in FIG. 7B.
도8에 나타낸 반도체 장치는 방열판(200)에 드로잉(drawing)을 실시하여 형성한 凹부의 저면에 반도체 소자(100)를 탑재하는 동시에, 그 凹부의 저면에 대응하는 방열판(200)의 표면을 봉지 수지의 표면에서 노출하는 것이다. 이와 같은 방열판(200)의 凹부(202)의 저면은 도9에 나타낸 것과 같이, 탑재되는 4각형의 반도체 소자(100)와 상사형(相似形)의 4각형이기 때문에, 凹부(200)에는 각부(A)가 4개소에 형성된다.The semiconductor device shown in FIG. 8 mounts the semiconductor element 100 on the bottom of the recess formed by drawing the heat sink 200, and seals the surface of the heat sink 200 corresponding to the bottom of the recess. It exposes on the surface of resin. As shown in FIG. 9, the bottom surface of the recess 202 of the heat sink 200 is a quadrilateral of the quadrangular semiconductor element 100 to be mounted and a quadrilateral similar to that of the heat sink 200. The corner parts A are formed in four places.
그런데 凹부(202)가 얕을 경우에는, 드로잉에 의해서 용이하게 凹부(202)를 형성할 수 있으나, 도8에 나타낸 것과 같이 凹부(202)의 저면에 대응하는 방열판(200)의 표면을 봉지 수지의 표면에서 노출하려면, 깊은 凹부(202)를 형성할 필요가 있다.By the way, when the recess 202 is shallow, the recess 202 can be easily formed by drawing, but as shown in FIG. 8, the surface of the heat sink 200 corresponding to the bottom of the recess 202 is shown. To expose the surface of the encapsulating resin, it is necessary to form the deep convex portion 202.
그러나 방열판(200)의 표면이 봉지 수지의 표면에서 노출되는 깊은 凹부(202)를 드로잉에 의해서 형성하기는 극히 곤란하다.However, it is extremely difficult to form, by drawing, a deep convex portion 202 whose surface of the heat sink 200 is exposed on the surface of the encapsulating resin.
또 방열판(200)의 표면을 봉지 수지의 표면에서 노출하기 때문에, 방열판(200)과 봉지 수지를 형성하는 봉지 수지와의 밀착정도가 저하되어, 방열판(200)과 봉지 수지가 박리되기 쉽게 된다.In addition, since the surface of the heat sink 200 is exposed from the surface of the sealing resin, the degree of adhesion between the heat sink 200 and the encapsulation resin forming the encapsulation resin decreases, so that the heat sink 200 and the encapsulation resin are easily peeled off.
그래서 본 발명의 과제는 반도체 소자가 탑재되는 탑재면이 저면에 형성된 凹부로서, 통상의 드로잉으로는 형성 곤란할 정도로 깊은 凹부를 드로잉에 의해서 방열판에 용이하게 형성할 수 있고, 또한 방열판과 봉지 수지와의 박리를 효과적으로 방지할 수 있는 리드 프레임 및 반도체 장치를 제공하는 데에 있다.Therefore, a problem of the present invention is that the mounting surface on which the semiconductor element is mounted is formed on the bottom surface, and the recessed portion deep enough to be difficult to be formed in the normal drawing can be easily formed on the heat sink by drawing, and the heat sink and the encapsulating resin An object of the present invention is to provide a lead frame and a semiconductor device that can effectively prevent peeling.
도1은 본 발명에 의한 리드 프레임의 일례를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing an example of a lead frame according to the present invention.
도2는 도1에 나타낸 리드 프레임에 장착된 방열판의 정면도.FIG. 2 is a front view of the heat sink mounted to the lead frame shown in FIG. 1; FIG.
도3은 방열판의 凹부에 형성되는 관통 구멍의 형상을 나타낸 부분 확대 정면도 및 부분 확대 단면도.3 is a partially enlarged front view and a partially enlarged cross-sectional view showing the shape of a through hole formed in the concave portion of the heat sink;
도4는 방열판의 凹부에 형성되는 관통 구멍의 다른 형상을 나타낸 부분 확대 정면도 및 부분 확대 단면도.4 is a partially enlarged front view and a partially enlarged cross-sectional view showing another shape of the through hole formed in the concave portion of the heat sink;
도5는 본 발명에 의한 반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device according to the present invention.
도6은 본 발명에 의한 반도체 장치의 다른 일례를 나타낸 단면도.6 is a cross-sectional view showing another example of the semiconductor device according to the present invention.
도7은 종래의 반도체 장치를 나타낸 단면도.7 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor device.
도8은 종래의 반도체 장치를 개량한 반도체 장치의 단면도.8 is a cross-sectional view of a semiconductor device in which the conventional semiconductor device is improved.
도9는 도8에 낸 반도체 장치에 사용한 방열판의 정면도.Fig. 9 is a front view of the heat sink used for the semiconductor device shown in Fig. 8;
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※※ Explanation of code about main part of drawing ※
10…리드 프레임10... Lead frame
12…반도체 소자12... Semiconductor device
14…저면14... Bottom
16…凹부16...凹 부
18…방열판18... Heatsink
20…둘레의 가장자리부20... Perimeter
22…접착 테이프22... Adhesive tape
24…이너 리드24... Inner lead
26, 28…관통 구멍26, 28... Through hole
28a…슬릿28a... Slit
30…돌출부30... projection part
32…와이어32... wire
34…표면34... surface
36…봉지 수지36.. Bag resin
본 발명자는 상기 과제를 해결하게 위해서 검토한 결과, 사전에 凹부(202)의 각부(A)에 형성되는 부분을 뚫어낸 방열판용 판체에 드로잉을 실시함으로써, 소망하는 깊이의 凹부를 형성할 수 있는 것을 터득하여 본 발명에 도달하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of this, in order to solve the said subject, as a result of drawing, the drawing of the heat sink board body which cut out the part formed in each part A of the fin part 202 previously can be formed, and it can form the recess part of desired depth. The present invention was reached by learning what is there.
즉 본 발명은 4각형상의 반도체 소자가 탑재되는 방열판과 상기 방열판에 탑재된 반도체 소자와 와이어 등에 의해서 전기적으로 접속되는 이너 리드를 구비하는 리드 프레임에 있어서, 이 방열판의 반도체 소자가 탑재되는 탑재면이, 드로잉에 의해서 형성된 4각형상의 凹부의 저면에 형성되고, 또한 상기 凹부의 각 각부(角部)를 형성하는 벤딩 부분이 뚫려나가서 (blanking) 관통 구멍을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임에 있다.That is, the present invention provides a lead frame including a heat sink on which a quadrangular semiconductor element is mounted, and an inner lead electrically connected to the semiconductor element mounted on the heat sink by a wire or the like. And a bending portion formed on the bottom surface of the quadrilateral concave portion formed by drawing, and forming a through hole blanking through a bending portion forming the concave portion of the concave portion. .
또 본 발명은 4각형상의 반도체 소자가 탑재된 방열판과 상기 방열판에 탑재된 반도체 소자와 와이어 등에 의해서 전기적으로 접속된 이너 리드가, 봉지 수지에 의해서 봉지된 반도체 장치에 있어서, 이 방열판의 반도체 소자가 드로잉에 의해서 형성된 4각형상의 凹부의 저면에 탑재되고, 또한 상기 凹부의 각 각부를 형성하는 벤딩 부분이 뚫려나가서 관통 구멍을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에 있다.In addition, the present invention is a semiconductor device in which a heat dissipation plate on which a quadrangular semiconductor element is mounted and an inner lead electrically connected by a semiconductor element and a wire mounted on the heat dissipation plate are sealed with an encapsulating resin, wherein the semiconductor element of the heat dissipation plate is The semiconductor device is characterized in that it is mounted on the bottom face of a quadrilateral concave portion formed by drawing, and a bending portion that forms each of the concave portions of the concave portion is formed to form a through hole.
본 발명에 있어서, 凹부의 저면 윤곽의 직선부를 형성하는 벤딩 부분을 부분적으로 뚫어내서 관통 구멍 또는 슬릿을 형성함으로써 깊은 凹부를 드로잉에 의해서 더 용이하게 형성할 수 있고, 방열판과 봉지 수지와의 박리를 더욱 방지할 수 있다.In the present invention, the deep groove can be more easily formed by drawing by partially drilling the bending portion forming the straight portion of the bottom contour of the recess to form a through hole or a slit, and peeling of the heat sink and the encapsulating resin can be achieved. It can be further prevented.
또 凹부의 저면에 대응하는 방열판의 표면을 봉지 수지의 표면에서 노출함으로써, 반도체 장치의 방열성을 향상시킬 수 있다.Moreover, the heat dissipation property of a semiconductor device can be improved by exposing the surface of the heat sink corresponding to the bottom face of a fin part from the surface of sealing resin.
또 4각형상의 반도체 소자가 탑재되는 방열판을 이너 리드와 별개로 형성한 방열판으로서, 상기 방열판과 이너 리드의 선단부를 접착 테이프 등의 접착 부재에 의해서 접착하여 일체화함으로써, 이너 리드 등의 제조와는 별개로 방열판의 제조를 행할 수 있어, 양자를 효율적으로 제조할 수 있다.A heat sink in which a heat sink on which a quadrangular semiconductor element is mounted is formed separately from an inner lead, wherein the front end portion of the heat sink and the inner lead are integrally bonded by an adhesive member such as an adhesive tape to separate the inner lead. The heat sink can be manufactured, and both can be manufactured efficiently.
일반적으로 드로잉에 의해서 형성된 4각형상의 凹부의 내벽부는 그 면이 경사면으로 형성되어 있다. 이 때문에 깊은 凹부를 드로잉에 의해서 형성하는 경우에는, 凹부의 내벽부를 가급적 직각에 접근시킬 필요가 있다.Generally, the inner wall part of the quadrilateral convex part formed by drawing is formed in the inclined surface. For this reason, when forming a deep groove by drawing, it is necessary to make the inner wall part of a groove close to a right angle as much as possible.
이 점, 본 발명에서는 4각형상의 凹부의 각 각부를 형성하는 벤딩 부분을 뚫어내어 관통 구멍을 형성함으로써, 드로잉시에 凹부의 내벽부를 가급적 직각으로 벤딩할 수 있다.In this respect, in the present invention, the inner wall portion of the convex portion can be bent at a right angle as possible by drawing a through hole by drilling a bending portion forming each corner portion of the concave convex portion.
그 결과 종래, 드로잉으로는 형성 곤란한 깊은 凹부를 드로잉에 의해서 형성 가능하도록 되었다. 이 때문에 탑재된 반도체 소자 등을 봉지하는 봉지 수지의 표면에서 凹부의 저면에 대응하는 방열판의 표면이 노출할 정도의 깊은 凹부를 드로잉에 의해서 방열판을 형성할 수 있다.As a result, it has become possible to form deep grooves which are difficult to form by drawing conventionally by drawing. For this reason, a heat sink can be formed by drawing a deep groove such that the surface of the heat sink corresponding to the bottom surface of the groove is exposed from the surface of the encapsulating resin encapsulating the mounted semiconductor element or the like.
또 이 凹부에 형성된 관통 구멍을 통해서 방열판의 상하면이 봉지 수지가 연결되어, 방열판과 봉지 수지와의 박리를 방지할 수 있다.Moreover, sealing resin is connected to the upper and lower surfaces of a heat sink through the through hole formed in this recess part, and peeling of a heat sink and sealing resin can be prevented.
실시예Example
본 발명에 의한 리드 프레임의 일례를 도1에 나타낸다. 도1에 나타낸 리드프레임(10)은 반도체 소자(12)가 탑재되는 방열판(18)과 방열판(18)의 둘레의 가장자리부(20)의 평탄면에 접착 테이프(22)에 의해서 선단부가 접착된 이너 리드(24, 24···)로 구성된다.An example of the lead frame according to the present invention is shown in FIG. The lead frame 10 shown in FIG. 1 has the front end portion bonded to the flat surface of the heat dissipation plate 18 on which the semiconductor element 12 is mounted and the edge portion 20 around the heat dissipation plate 18 by an adhesive tape 22. It consists of inner leads 24 and 24...
이 같은 방열판(18)의 대략 중앙부에는 4각형상의 凹부(16)가 형성되어 있고, 凹부(16)의 저면(14)에 반도체 소자(12)가 탑재된다. 이 凹부(16)에는 도2에 나타낸 것과 같이, 凹부(16)의 각 각부를 형성하는 벤딩 부분이 뚫려나가서 관통 구멍(26, 26, 26, 26)을 형성하고 있다.A quadrangular convex portion 16 is formed in the substantially center portion of the heat sink 18, and the semiconductor element 12 is mounted on the bottom face 14 of the concave portion 16. As shown in FIG. 2, the bending part which forms each part of the shaping | molding part 16 is drilled in this shaping | molding part 16, and the through-hole 26, 26, 26, 26 is formed.
이와 같이 凹부(16)의 각 각부에 관통 구멍(26, 26···)을 형성함으로써 드로잉에 의해서 깊은 凹부(16)를 용이하게 형성할 수 있다.Thus, by forming the through-holes 26 and 26 in each of the concave portions 16, the deep concave portion 16 can be easily formed by drawing.
즉 통상 4각형상의 凹부(16)를 드로잉에 의해서 형성할 때에는 凹부(16)의 내벽부의 면이 경사면에 형성되나, 凹부(16)의 각 각부를 형성하는 벤딩 부분을 뚫어내고 관통 구멍(26)을 형성함으로써, 드로잉에 의해 凹부(16)의 내벽부를 가급적 직각으로 형성할 수 있다.In other words, when the rectangular concave portion 16 is formed by drawing, a surface of the inner wall portion of the concave portion 16 is formed on an inclined surface, but a through hole is formed by drilling a bending portion that forms each corner portion of the concave portion 16. By forming (26), the inner wall of the concave portion 16 can be formed at right angles as possible by drawing.
도1 및 도2에 나타낸 凹부(16)의 저면 윤곽의 직선부를 형성하는 벤딩 부분에도 관통 구멍(28, 28···)이 형성되어 있다. 이 때문에 凹부(16)를 형성하는 드로잉시에 凹부(16)의 직선부의 내벽을 더 한층 직각으로 형성하기 쉽게 되어 더욱 깊은 凹부(16)를 형성할 수 있다. 凹부(16)에 형성된 관통 구멍(26, 28)은 도3a, b에 나타낸 것과 같이, 凹부(16)의 저면(14)과 둘레의 가장자리부(20) 사이의 벤딩 부분을 뚫어내고(blanking) 형성되어 있다.Through holes 28 and 28 are also formed in the bending portion forming the straight portion of the bottom face contour of the recess portion 16 shown in FIGS. 1 and 2. For this reason, it is easy to form the inner wall of the straight part of the convex part 16 at a right angle at the time of drawing which forms the convex part 16, and can form deeper convex part 16. FIG. The through holes 26 and 28 formed in the concave portion 16 drill the bending portions between the bottom face 14 of the convex portion 16 and the circumferential edge portion 20, as shown in Figs. 3a and b ( blanking).
관통 구멍(26, 28)의 형상은 도4a, b에 나타낸 형상이라도 좋다. 도4a, b에나타낸 관통 구멍(26, 28) 내에는 凹부(16)의 저부의 일부가 돌출된 돌출부(30에 형성되어 있다. 이와 같은 돌출부(30)는 후술하는 바와 같이, 관통구멍(26, 28)을 통해서 방열판 (18)의 상하면의 봉지 수지에 파고드는 앵커(anchor)효과가 있기 때문에, 방열판(18)과 봉지 수지와의 밀착성을 더욱 향상시킬 수 있다.The shape of the through holes 26 and 28 may be the shape shown in Figs. 4A and 4B. In the through holes 26 and 28 shown in Figs. 4A and 4B, a part of the bottom of the convex part 16 is formed in the protruding portion 30. The protruding portion 30 is a through hole (as described later). Since there is an anchor effect that penetrates into the encapsulation resin on the upper and lower surfaces of the heat sink 18 through the 26 and 28, the adhesion between the heat sink 18 and the encapsulation resin can be further improved.
또 도2에 나타낸 것과 같이, 凹부(16)의 저면 윤곽의 직선부를 형성하는 벤딩 부분이 부분적으로 슬릿상으로 뚫고 슬릿(28)을 형성하고 있어 좋다.As shown in Fig. 2, a bending portion forming a straight portion of the bottom contour of the concave portion 16 may be partially drilled into a slit to form a slit 28.
이와 같은 관통구멍(26, 28)이 형성된 凹부(16)를 방열판용 판체에 드로잉에 의해서 형성하려면, 먼저 방열판용 판체의 凹부 (16)의 각부 및 직선부의 벤딩 부분이 형성되는 부분을 뚫어내고 관통구멍(26, 28)을 형성한 후에, 이 방열판용 판체에 드로잉을 실시하여 소정 깊이의 凹부(16)를 형성한다.In order to form the recessed part 16 in which such through-holes 26 and 28 were formed by drawing on the heat sink plate body, the part where the bending part of each part and the linear part of the recess part 16 of the heat sink plate body is formed is formed first. After the through holes 26 and 28 are formed, the heat sink plate body is drawn to form the recesses 16 having a predetermined depth.
이 때 복수개의 방열용 판체를 시트상으로 연결한 시트상체에 관통 구멍(26, 28)을 형성한 후, 각 방열판용 판체에 드로잉을 실시하여 凹부(16)를 형성하는 것이 바람직하다. 방열판용 판체의 각각에 드로잉을 실시한 후에 핀 가이드 등에 의해서 시트상의 위치 맞춤을 함으로써, 방열판용 판체의 각각의 위치 맞춤을 용이하게 할 수 있기 때문이다.At this time, the through holes 26 and 28 are formed in the sheet-like body in which the plurality of heat-dissipating plate bodies are connected in a sheet form, and then, each of the heat-dissipating plate bodies is preferably drawn to form the concave portion 16. This is because, after drawing each of the heat sink plate bodies, the alignment of the sheets on the heat sink plate body can be facilitated by aligning the sheet shape with a pin guide or the like.
凹부(16)의 소정 개소에 관통구멍(26, 28)이 형성된 도2에 나타낸 방열판(18)에는 그 둘레의 가장자리부(20)의 평탄면에, 방열판(18)과 별개로 형성된 이너 리드(24, 24···)의 선단부를 접착시트(22)에 의해서 접착함으로써, 도1에 나타낸 리드 프레임(10)을 얻을 수 있다.On the heat sink 18 shown in Fig. 2, in which the through holes 26 and 28 are formed at predetermined portions of the concave portion 16, an inner lead formed separately from the heat sink 18 on the flat surface of the peripheral edge portion 20 thereof. The lead frame 10 shown in FIG. 1 can be obtained by adhering the tip portions of (24, 24 ...) with the adhesive sheet 22. As shown in FIG.
얻어진 리드 프레임(10)의 방열판(18)에 형성된 凹부(16)의 저면(14)에 반도체 소자(12)를 탑재한 후, 도1에 나타낸 것과 같이, 반도체 소자(12)와 이너 리드(24, 24···)의 각 선단부를 와이어(32, 32···)에 의해서 전기적으로 접속한다.After mounting the semiconductor element 12 on the bottom surface 14 of the recessed part 16 formed in the heat sink 18 of the obtained lead frame 10, as shown in FIG. 1, the semiconductor element 12 and an inner lead ( Each tip of 24, 24 ... is electrically connected by wires 32, 32 ....
그 후 반도체 소자(12) 및 와이어(32, 32···) 등을 수지 몰드함으로써 도5에 나타낸 반도체 장치를 얻을 수 있다.Then, the semiconductor device shown in FIG. 5 can be obtained by resin-molding the semiconductor element 12, the wires 32, 32 ... etc., and the like.
도5에 나타낸 반도체 장치에서는 凹부(16)의 저면(14)에 대응하는 방열판(18)의 표면(34)이 반도체 소자(12) 등을 봉지하는 봉지 수지로 되는 봉지 수지(36)의 표면에서 노출되어 있다.In the semiconductor device shown in Fig. 5, the surface of the encapsulating resin 36 made of the encapsulating resin for encapsulating the semiconductor element 12 or the like on the surface 34 of the heat sink 18 corresponding to the bottom surface 14 of the concave portion 16 is formed. Exposed from
이와 같이 방열판(18)의 일부가 봉지 수지(36)의 표면에서 노출됨으로써 방열판(18)의 방열성을 향상시킬 수 있다. 도5에 나타낸 반도체 장치에서는 반도체 소자(12)가 탑재되어 있는 凹부(16)의 저면(14)에 대응하는 방열판(18)의 표면(34)이 봉지 수지 (36)의 표면에서 노출되어 있다. 이 때문에 반도체 소자(12)에 발생한 열을 신속하게 방열할 수 있어, 반도체 소자(12)의 오동작을 작게 할 수 있다. 또 봉지 수지(36)의 표면에서 노출하는 방열판(18)의 외면(34)에 방열핀 등의 방열 부재를 장착하여, 도5에 나타낸 반도체 장치의 방열성을 더욱 향상시 킬 수도 있다.Thus, part of the heat sink 18 is exposed on the surface of the sealing resin 36, and the heat dissipation of the heat sink 18 can be improved. In the semiconductor device shown in FIG. 5, the surface 34 of the heat sink 18 corresponding to the bottom face 14 of the recessed portion 16 on which the semiconductor element 12 is mounted is exposed on the surface of the encapsulating resin 36. . For this reason, the heat which generate | occur | produced in the semiconductor element 12 can be quickly dissipated, and the malfunction of the semiconductor element 12 can be made small. In addition, a heat dissipation member such as a heat dissipation fin may be attached to the outer surface 34 of the heat dissipation plate 18 exposed from the surface of the encapsulation resin 36 to further improve heat dissipation of the semiconductor device shown in FIG.
또 봉지 수지(36)로는 방열판(18)의 凹부(16)에 형성된 관통 구멍(26, 28)을 통해서 방열판(18)의 일면측의 봉지 수지와 다른 면측의 봉지 수지가 연결되어 있기 때문에, 방열판(18)과 봉지 수지와의 박리를 방지할 수 있다.In addition, since the sealing resin 36 on one side of the heat sink 18 and the sealing resin on the other side are connected to the sealing resin 36 through the through holes 26 and 28 formed in the concave portion 16 of the heat sink 18, Peeling of the heat sink 18 and sealing resin can be prevented.
도5에 나타낸 반도체 장치에서는, 凹부(16)의 저면(14)에 대응한 방열판(18)의 표면(34)이 봉지 수지(36)의 표면에서 노출되어 있으나, 도6에 나타낸 반도체 장치와 같이 凹부(16)의 저면(14)에 대응하는 방열판(18)의 표면(34)이 봉지 수지(36) 내에 봉지되어 있어도 좋다.In the semiconductor device shown in FIG. 5, the surface 34 of the heat sink 18 corresponding to the bottom face 14 of the recess portion 16 is exposed from the surface of the encapsulating resin 36. Similarly, the surface 34 of the heat dissipation plate 18 corresponding to the bottom face 14 of the concave portion 16 may be sealed in the encapsulating resin 36.
도6에 나타낸 반도체 장치에서는 도5에 나타낸 반도체 장치에 비해서 방열성은 저하되나, 凹부(16)의 저면(14)에 대응하는 방열판(18)의 표면(34)을 덮는 봉지 수지의 두께는 도7a에 나타낸 반도체 장치에 비해서 얇기 때문에, 도7a에 나타낸 반도체 장치보다 방열성은 양호하다.In the semiconductor device shown in Fig. 6, the heat dissipation property is lower than that of the semiconductor device shown in Fig. 5, but the thickness of the encapsulating resin covering the surface 34 of the heat sink 18 corresponding to the bottom face 14 of the fin portion 16 is shown in Figs. Since it is thinner than the semiconductor device shown in FIG. 7A, heat dissipation is better than the semiconductor device shown in FIG. 7A.
또 도1∼도6에 나타낸 리드 프레임(10) 또는 반도체 장치에서는 방열판(18)을 이너 리드(24, 24···)와 별개로 형성한 후, 양자를 조립하지만, 방열판(18)을 서포트 바아 등으로 프레임에 지지하고, 이너 리드(24, 24···)와 일체로 형성하여도 좋다.In the lead frame 10 or the semiconductor device shown in Figs. 1 to 6, the heat sink 18 is formed separately from the inner leads 24 and 24, and both are assembled, but the heat sink 18 is supported. It may be supported by the frame by a bar or the like, and may be formed integrally with the inner leads 24 and 24.
본 발명에 의하면, 반도체 소자가 탑재되는 탑재면이 저면에 형성되고, 통상의 드로잉으로는 형성이 곤란할 정도로 깊은 凹부를 드로잉에 의해서 방열판에 용이하게 형성할 수 있다. 이 때문에 이 방열판이 장착된 리드 프레임은 양호한 생산성을 얻을 수 있어, 리드 프레임의 생산 코스트, 또는 반도체 장치의 생산 코스트의 저감을 도모할 수 있다.According to the present invention, the mounting surface on which the semiconductor element is mounted is formed on the bottom surface, and the recessed portion deep enough to be difficult to be formed in the normal drawing can be easily formed on the heat sink by drawing. For this reason, the lead frame with this heat sink can obtain favorable productivity, and can reduce the production cost of a lead frame, or the production cost of a semiconductor device.
또 이 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자 등을 수지 봉지하여 얻어진 반도체 장치에서는 凹부의 저면에 대응하는 방열판의 표면을 봉지 수지의 표면에서 노출할 수 있어 방열성을 향상시킬 수 있다.Moreover, in the semiconductor device obtained by resin-sealing the semiconductor element etc. mounted in this lead frame, the surface of the heat sink corresponding to the bottom surface of a recess can be exposed at the surface of sealing resin, and heat dissipation can be improved.
또 봉지 수지와 방열판과의 박리도 효과적으로 방지할 수 있기 때문에 방열성의 향상과 더불어 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Moreover, since peeling of sealing resin and a heat sink can also be prevented effectively, the heat radiation property can be improved and the reliability of a semiconductor device can be improved.
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