KR20010099168A - 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게가열하는 수직형 화학기상증착 반응기 - Google Patents

Abstract

본 발명은 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기에 관한 것이다.

본 발명은 이를 위해 제1가스 주입구를 통해 유입된 가스가 공급핀을 통하여 유입된 후 하부로 분출되도록 한 제1가스실(10), 상기 제1가스실의 하단에 구비되며, 제2가스주입구를 통해 유입된 가스를 공급핀을 통하여 분출시키는 제2가스실(20); 제1가스와 제2가스를 별도의 경로를 통하여 분출되도록 구비되되; 상기 제2가스실의 하단에 냉각실(30)이 구비되고, 상기 제1가스실, 제2가스실, 냉각실, 공급핀(50)으로 구성된 샤워헤드(100); 상기 샤워헤드의 하단, 서셉터지지대의 상부에 구비되어 선택적으로 회전하는 서셉터(70); 상기 서셉터의 하부 근접위치에 구비되어 서셉터를 가열하되, 받침대에 일정 간격으로 다수의 유도코일지지대(81)가 구비되고 이의 각 상부에 위치한 유도코일(80);로 구비되어 구성된다.

상기와 같이 구성된 본 발명은 두 종류의 반응가스가 샤워헤드(Shower Head)의 별도의 경로를 통하여 균일하게 분사될 수 있도록 한 것이고, 서셉터(Suscpetor) 상부의 온도를 균일하게 가열하여 다수의 반도체 기판(Wafer)위에 층류(Laminar Flow)로 흐르는 제1가스와 제2가스가 반응하여 균일한 박막층(Epi-Layer)을 얻을 수 있도록 한 것으로 이로 인해 반도체 소자의 성능과수율을 가일층 높일 수 있도록 한 것이다.

Description

균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기{VERTICAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF HEATING SUSCPETOR AND SHOWER HEAD JET}

본 발명은 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 두 종류의 반응가스가 샤워헤드(Shower Head)의 별도의 경로를 통하여 균일하게 분사될 수 있도록 한 것과 다수의 가스 공급핀의 개수를 종래의 방식보다 75%줄여서 제작이 용이하게 하였으며, 서셉터(Suscpetor) 상부의 온도를 균일하게 가열하여 다수의 반도체 기판(Wafer)위에 층류(Laminar Flow)로 흐르는 반응가스에 의하여 균일한 박막층(Epi-Layer)을 얻을 수 있도록 한 것으로 이로 인해 반도체 소자의 성능과 수율을 가일층 높일 수 있도록 한 것이다.

주지하다시피 CVD는 화학기상증착 반응기(Chemical Vapor Deposition)를 일컫는 말로, 반응기에 주입된 기체들이 가열된 기판위에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는 공정으로, 이때 특히 MO-CVD는 유기금속화합물의 열분해를 이용한 박막형성법으로 성장층의 조성, 특성의 정밀제어가 가능하도록 한 것이다.

상기한 종래의 화학기상증착 반응기는 일반적으로 공지된 것으로 이하 본 명세서에서는 구조에 대하여 더 이상 설명하지 않는다.

종래 서셉터(700)를 가열하는 방법으로는 도 1 의 (a)에 도시된 바와 같이 저항가열방식이 많이 사용되고 있다.

즉, 진공반응기 내에서는 복사를 통하여 대부분의 열전달이 이루어지는 것으로, 서셉터(700)를 가열하는 메커니즘은 저항가열 히터에서 복사를 통하여 서셉터(700)에 열이 전달되어 서셉터(700)가 가열되고 온도 균일도를 향상시키기 위하여 서셉터(700)를 회전시킨다.

그러나 상기한 종래의 기술은 직접 서셉터(700)를 가열하는 방식보다 효율이 떨어지고 저항가열기 자체도 고가인 문제점이 있었다. 또한 이러한 저항가열방식은 저항코일의 수명에 한계가 있어서 유지 관리가 어렵다는 문제점과 아울러 저온(700℃)과 고온(1200℃) 사이에서 온도 분포가 다르게 나타나는 문제점이 있고, 더 나아가서 저온과 고온에서 각각 박막을 성장하여야 하는 공정에서 저온 또는 고온 한쪽 온도구간에서는 균일도가 나쁜 상태의 박막이 얻어지는 문제점이 발생되었다.

또한 종래의 나선형 유도코일 가열방식은 도 1 의 (b)에 도시된 바와 같이 사용되는 것으로, 이러한 방식은 직경이 작은 서셉터(700)를 가열할 경우 편리한 방법이나, 직경이 큰 서셉터를 가열할 경우에는 서셉터 상면의 모서리부 온도가 중앙부분보다 높게 나타나는 문제점이 있었다.

따라서 이러한 온도편차를 줄이기 위해 서셉터의 두께를 충분히 두껍게 하여 가열된 부분으로부터 열전도로 서셉터(700) 표면을 가열시키는 방식을 채용하여야 한다.

그러나 상기한 방식은 서셉터(700)의 두께를 두껍게 제작하여야 하고, 이렇게 두꺼운 서셉터(700)는 가열시간과 냉각시간이 길어져서 빠른 온도변화가 요구되는 공정중의 박막성장에는 나쁜 영향을 미치게 되는 문제점이 발생되었다. 또한 서셉터(700)의 가열부분과 상부 사이의 효과적인 열전달과 두꺼워진 두께로 인하여서셉터(700)의 가열부분의 온도는 서셉터(700) 위쪽면의 온도보다 많이 높아야 하며 이러한 온도에서 서셉터(700)가 사용되기 때문에 수명은 급격히 나빠지고 많은 부피의 가열로 인하여 가열효율 역시 나빠지며 반응기 전체의 냉각효율도 감소하는 문제점이 발생되었다.

상기한 문제점을 해소하기 위해 종래에는 도 1 의 (c)에 도시된 바와 같이 접시형 유도코일을 사용하여 원반형태의 서셉터(700)를 회전시키고 아래쪽에 유도코일을 설치하여 가열하는 방식을 많이 사용하였다.

그러나 상기 종래의 기술은 서셉터(700)와 유도코일의 간격이 같을 경우 코일에서 유도된 전기장에 의하여 서셉터(700)에 유도전류가 흐르지만 서셉터(700)의 바깥쪽으로 전류가 밀리는 현상이 발생하므로 서셉터의 바깥쪽에 전류가 가장 많이 흐르게되는 문제점이 발생되었다.

이러한 현상을 최소화 하기 위하여 종래에는 도 1 의 (d)에 도시된 바와 같이 중심부에 있는 코일과 서셉터(700)의 간격은 최소화하고 바깥쪽부에 있는 코일의 간격은 넓게 하여 온도 균일도를 개선하는 방법을 사용하였다.

그러나 이러한 방식은 코일의 간격이 넓어지면서 효율이 급격히 감소하고 유도코일이 반응기의 벽을 가열시키는 현상이 발생되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 개선하기 위하여 안출한 것으로, 두 종류의 반응가스가 샤워헤드(Shower Head)의 별도의 경로를 통하여 균일하게 분사될 수 있도록 함을 제1목적으로 하는 것이고, 제2목적은서셉터(Suscpetor) 상부의 온도를 균일하게 가열하여 다수의 반도체 기판(Wafer)위에 층류(Laminar Flow)의 가스흐름으로 균일한 박막층(Epi-Layer)을 얻을 수 있도록 한 것이며, 제3목적은 높이조절나사를 정·역회전시킴에 따라 유도코일과 서셉터와의 간격이 변하여 미세한 온도 균일도를 편리하게 조절할 수 있도록 한 것이고, 제4목적은 이로 인해 반도체 소자의 성능과 수율을 가일층 높일 수 있도록 한 것임은 물론 제품의 품질과 신뢰성을 대폭 향상시킬 수 있도록 한 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기를 제공한다.

이러한 목적 달성을 위하여 본 발명은 수직형 화학기상증착 반응기에 있어서, 제1가스주입구를 통해 유입된 가스가 제1가스분배기를 통하여 유입된 후 가스공급핀 하부로 분출되도록 제1가스실; 상기 하우징의 하단에 구비되며, 제2가스주입구를 통해 유입된 가스가 제2가스분배기를 통하여 유입된 후 하부로 분출되도록 한 제2가스실; 상기 제1가스와 제2가스를 별도의 경로를 통하여 챔버 내부로 분출되도록하고 제2가스실 내에서 바깥쪽과 중심부의 압력차를 줄이기 위하여 가스공급핀의 좌우에 홈을 만들고, 냉각실의 냉각수의 흐름을 극대화하기 위하여 4개소에 제작한 홈과 제작의 편리함을 위하여 1개의 가스공급핀에 다수의 가스 분출구멍을 제작한 가스공급핀; 상기 샤워헤드의 하단에 구비되어 진공과 반응 분위기를 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 구비되며, 서셉터지지대의 상부에 구비되어 선택적으로 회전하는 서셉터; 상기 서셉터의 하부 근접위치에 구비되어 서셉터를 가열하되, 받침대에 일정 간격으로 다수의 유도코일지지대가 구비되고 이의 각 상부에 위치한 유도코일;로 구비됨을 특징으로 하는 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기를 제공한다.

이하에서는 이러한 목적 달성을 위한 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1 의 (a)는 종래 저항가열방식의 개략 구성도이고,

(b)는 종래 나선형 유도코일가열방식의 개략 구성도이며,

(c)는 종래 접시형 유도코일가열방식의 개략 구성도이고,

(d)는 종래 접시형 유도코일가열방식의 다른 실시예의 개략 구성도

이다.

도 2 는 본 발명에 적용된 수직형 화학기상증착 반응기를 나타낸 단면도.

도 3 은 본 발명에 적용된 샤워헤드 부분 사시도.

도 4 는 본 발명에 적용된 샤워헤드의 가스공급핀.

도 5 는 본 발명에 적용된 유도코일지지대의 확대 구성도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10: 제1가스실 20: 제2가스실

30: 냉각실 50: 가스공급핀

70, 700: 서셉터 80: 유도코일

90: 챔버외형

본 발명에 적용된 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드(100)와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기는 도 2 에 도시된 바와 같이 구성된다.

하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.

그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 생산자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.

먼저, 본 발명에 적용된 수직형 화학기상증착 반응기의 주요 기술적 구성에는 제1가스주입구(11)를 통해 유입된 가스가 제1가스분배기(12)를 통하여 유입된 후 제1,2가스유입공(51)(52)이 형성된 가스공급핀(50)을 통하여 하부로 분출되도록 한 제1가스실(10)이 구비된다. 이때 상기 제1가스실(10)의 하단에는 제2가스주입구(21)로 주입된 가스는 제2가스분배기(22)를 통해 제2가스실(20)로 유입되고 가스공급핀(50)을 통하여 하부로 분출되도록한 제2가스실(20), 상기 하단에는 냉각실(30)로 구성된 샤워헤드(100)가 구비된다.

제1가스실(10) 상부에 위치한 제1가스분배기(12)는 1곳에서 유입되는 제1가스를 가스공급핀(50)에 균일하게 분배하기 위하여 U형상의 단면을 가지는 링으로 내측과 외측에는 다수의 구멍을 통하여 1차 분사하게 되며, 분사된 가스는 제1가스분배기(12) 옆에있는 샤워헤드 두껑의 경사벽에 부딪혀 샤워헤드 중심과 바깥쪽에 있는 가스공급핀에 균일하게 가스를 공급하게 된다.

또한 제2가스실(20) 바깥쪽에 위치한 제2가스분배기(22)에 있는 다수의 구멍을 통하여 유입된 제2가스는 중심과의 압력차를 최대한 줄이기 위하여 가스공급핀(50) 좌우측에 홈을 만들어 중심과 바깥쪽의 압력차를 줄이는 형상의 가스공급핀(50)에 가스를 공급하게 된다.

가스공급핀(50)은 제1가스와 제2가스가 별도의 경로를 통해 분출되도록 구비되는 것으로, 이 샤워헤드(100)는 분리층(31)에 의해 순차적으로 제1,2가스실(10)(20)과 냉각실(30)이 구비되고, 상기 제1가스실(10)의 가스는 가스공급핀의 긴구멍을 통하여 하부로 분출되고, 제2가스실(20)의 가스는 가스공급핀의 짧은 구멍을 통하여 하부로 분출되도록 구비된다.

샤워헤드(100) 하단에 원주방향으로 요철(110)을 두어 챔버 벽쪽에서 분사되는 퍼지가스(Purge Gas)가 샤워헤드에서 분출되는 가스의 흐름을 방해하지 않도록 하고, 샤워헤드에서 분출되는 가스도 서셉터 쪽으로 방향성이 있는 가스 흐름을 제공하도록 구비된다.

부호 90은 본 발명 화학기상증착 반응기의 외관을 이루는 챔버로, 상기 샤워헤드(100)의 하단에 구비되어 내부의 진공과 반응가스가 균일한 반응이 일어나도록 분위기를 제공한다..

또한 상기 챔버(90)의 내부에는 서셉터지지대(71)의 상부에 구비되어 선택적으로 회전하는 서셉터(70)가 구비된다. 이때 상기 서셉터(70)의 중심부는 두께(ℓ1)를 두껍게 하여 발열량을 높이도록 하는 동시에 서셉터(70)의 외측의 두께(ℓ3)는 내측의 두께(ℓ2) 보다 두껍게 하여 전류밀도를 낮추도록 구성한다.

그리고 상기 챔버(90) 내의 환경에 따라 서셉터(70)의 원주방향으로 온도 균일도가 달라지는 효과를 보상하기 위해 상기 서셉터(70)를 회전시켜 원주방향으로의 온도 균일성을 유지시킬 수 있도록 구성된다.

또한 상기 서셉터(70)의 하부 근접위치에는 서셉터(70)를 가열하는 유도코일(80)이 구비되는 것으로, 상기 유도코일(80)은 받침대(83)에 일정 간격으로 구비된 다수의 유도코일지지대(81)의 상부에 구비된다. 이때 상기 유도코일(80)은 높이조절나사(82)를 정·역회전시킴에 따라 상기 나사부(81a)가 형성된 유도코일지지대(81)가 나사공(83a)을 따라 상하로 승하강 작동하면서 유도코일(80)과 서셉터(70)와의 간격을 조절하도록 구성된다. 나사공(83a)의 위치는 높이차이를 두어 좁은 간격에서도 사용할 수 있게 구성되었다.

또한 상기 유도코일(80)은 서셉터(70)의 하부 전체를 가열하게 접시형으로 구비함은 물론 중심부는 전기장을 강하게 하기 위해 나선형으로 구비되어 구성된다.

한편 본 발명은 상기의 구성부를 적용함에 있어 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다.

그리고 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

상기와 같이 구성된 본 발명은 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기의 작용은 일반적으로 공지되어 있기 때문에 설명하지 않고, 본 발명에 의하여 개선된 부분만 설명한다.

기존의 온도 균일도를 조절하기 힘든 단점을 극복하기 위하여 유도코일(80)의 형상은 기본적으로 접시형으로 제작하였으며, 중심부는 전기장을 강하게 하기 위하여 나선형 방식으로 유도코일(80)을 감았다. 즉, 접시형과 나선형을 복합적으로 적용하여 서셉터(70)의 아래쪽에 유도코일(80)을 위치하여 전기장의 세기가 서셉터(70)의 중심부에서 강할 수 있도록 한 것이다. 그러나 이러한 유도코일(80) 개선은 중심부의 전기장을 강하게 만들 뿐 아니라 서셉터(70) 내에서의 유도전류가 바깥쪽으로 밀려나는 효과를 나타내므로, 서셉터(70)의 중심부(ℓ1)를 두껍게 하여 발열량을 최대한 높였으며, 서셉터(70)의 바깥쪽 두께(ℓ3)를 안쪽 두께(ℓ2)보다 두껍게 하여 전류밀도를 낮추는 효과를 주어 유도가열시 서셉터(70)의 바깥쪽을 유도전류는 몰리지만 전류밀도가 낮아서 유도코일(80)과 서셉터(70)와의 간격이 일정하더라도 균일한 온도분포를 유지할 수 있도록 한 것이다.

또한 본 발명의 사용 공정시 서셉터(70) 상부의 온도 균일도는 챔버(90) 내에 투입하는 가스의 유량과 가스의 종류에 따라 서셉터(70) 상부의 온도 분포는 미세하게 달라진다.

즉, 가스를 투입하지 않았을 때 서셉터(70) 상부의 온도가 균일하게 분포하더라도 공정 중에는 온도분포가 달라진다. 따라서 가스의 유량 또는 가스의 종류 등 사용되는 조건에 따라 온도균일도를 맞추어야 하기 때문에 서셉터(70)와 유도코일(80) 사이의 간격을 조절할 필요가 있게 된다.

보다 상세히 설명하면, 도 5 에 도시된 바와 같이 작업자가 높이조절나사(82)를 정·역회전시킴에 따라 나사부(81a)가 형성된 유도코일지지대(81)는 받침대(83)에 형성된 나사공(83a)을 따라 상·하로 승하강 하게 되어 온도분포를 미세하게 조절할 수 있게 되는 것이다.

또한 챔버(90) 내의 환경에 따라 서셉터(70)의 원주방향으로 온도균일도가 달라지는 효과를 보상하기 위하여 서셉터(70)를 회전하여 원주방향으로의 온도균일성을 유지할 수 있도록 한다.

상기에서 상세히 살펴본 바와 같이 본 발명은 두 종류의 반응가스가 샤워헤드(Shower Head)의 별도의 경로를 통하여 균일하게 분사될 수 있도록 하는 동시에 서셉터(Suscpetor) 상부의 온도를 균일하게 가열하여 다수의 반도체 기판(Wafer)위에 균일한 박막층(Epi-Layer)을 얻을 수 있도록 한 것이다. 또한 높이조절나사를정 ·역회전시킴에 따라 유도코일과 서셉터와의 간격이 변하여 미세한 온도 균일도를 편리하게 조절할 수 있도록 한 것이고, 이로 인해 반도체 소자의 성능과 수율을 가일층 높일 수 있도록 한 것임은 물론 제품의 품질과 신뢰성을 대폭 향상시킬 수 있도록 한 매우 유용한 발명인 것이다.

Claims (6)

1. 수직형 화학기상증착 반응기에 있어서,

   제1가스주입구를 통해 유입된 가스가 제1가스분배기를 통하여 유입된 후 가스공급핀 하부로 분출되도록 제1가스실;

   상기 하우징의 하단에 구비되며, 제2가스주입구를 통해 유입된 가스가 제2가스분배기를 통하여 유입된 후 하부로 분출되도록 한 제2가스실;

   상기 제1가스와 제2가스를 별도의 경로를 통하여 챔버 내부로 분출되도록하고 제2가스실 내에서 바깥쪽과 중심부의 압력차를 줄이기 위하여 가스공급핀의 좌우에 홈을 만들고, 냉각실의 냉각수의 흐름을 극대화하기 위하여 4개소에 제작한 홈과 제작의 편리함을 위하여 1개의 가스공급핀에 다수의 가스 분출구멍을 제작한 가스공급핀;

   상기 샤워헤드의 하단에 구비되어 진공과 반응 분위기를 제공하는 챔버;

   상기 챔버의 내부에 구비되며, 서셉터지지대의 상부에 구비되어 선택적으로 회전하는 서셉터;

   상기 서셉터의 하부 근접위치에 구비되어 서셉터를 가열하되, 받침대에 일정 간격으로 다수의 유도코일지지대가 구비되고 이의 각 상부에 위치한 유도코일;로 구비됨을 특징으로 하는 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기.
2. 청구항 1 에 있어서,

   상기 유도코일지지대의 상부에 구비된 유도코일은,

   높이조절나사를 정·역회전시킴에 따라 상기 나사부가 형성된 유도코일지지대가 나사공을 따라 상하로 승하강 작동하면서 유도코일과 서셉터와의 간격을 조절하고, 좁은간격의 높이조절나사를 위치하기 위하여 높이를 달리하여 위치시킴을 특징으로 하는 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기.
3. 청구항 1 에 있어서,

   상기 유도코일은 서셉터의 전체를 가열하게 접시형으로 구비함은 물론 중심부는 전기장을 강하게 하기 위해 나선형으로 구비됨을 특징으로 하는 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기.
4. 청구항 1 에 있어서,

   상기 서셉터의 중심부 두께를 두껍게 하여 발열량을 높이도록 하는 동시에 서셉터의 외측의 두께를 내측의 두께 보다 두껍게 하여 전류밀도를 낮도록 함을 특징으로 하는 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기.
5. 청구항 1 에 있어서,

   상기 샤워헤드의 균일한 가스 공급을 위하여 하나의 가스 공급핀에 다수의 가스 분출구멍을 구비하여 가스 공급핀의 개수를 줄이고, 제2가스실의 압력차를 줄이기 위하여 가스 공급핀 좌우에 홈을 제작하여 균일하게 가스를 분출할 수 있도록 함을 특징으로 하는 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기.
6. 청구항 1 에 있어서,

   상기 헤드의 하부에 요철을 만들어 챔버 내부로 유입되는 퍼지가스(Purge gas)가 샤워헤드에서 분출되는 가스의 흐름을 방해하지 않게 하고, 샤워헤드에서 분출된 가스가 서셉터로 방향성을 가질수 있도록 구비함을 특징으로 하는 균일하게 가스분사가 이루어지는 샤워헤드와 유도가열방식에 의해 서셉터 상부의 온도를 균일하게 가열하는 수직형 화학기상증착 반응기.