KR20010086321A - 적응 미러 - Google Patents

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KR20010086321A
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KR1020010001754A
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우도딩어
마르틴로쎄-메쎄메르
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헨켈 카르스텐
칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스
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Abstract

본 발명은, 미러 표면을 갖는 미러; 및 표면 변형에 의해 미러 표면의 탄성 진동을 형성하는 장치를 포함하고, 파장이 ≤ 160㎚인 광선, 특히 EUV-광선용 광학 장치에 관한 것으로,
상기 장치는 미러 표면의 외부면상에 충돌하는 광선이 예정된 각도 범위로 굴절시키는 것을 특징으로 한다.

Description

적응 미러 {ADAPTIVE MIRROR}
본 발명은, 미러 표면을 갖는 미러, 표면 변형에 따라 미러 표면의 탄성 진동을 형성하는 장치를 포함하며, 파장이 ≤ 160㎚인 광선, 특히 EUV-광선용 광학 장치, 상기 유형의 부품의 용도, 상기 유형의 부품을 갖는 광원을 통해 미리 결정된 각도 범위로 조명하는 방법, 및 상기 방식의 광학 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
광학 장치, 특히 파장이 ≤ 160㎚, 예를 들어 EUV-범위내의 리소그래피용 부품에서는, 한편으로, 이미지 필드 외측에서의 분산을 회피하거나 또는 높은 반사율에 도달하기 위해서는, > 1000mm-1범위의 HSFR(High-Spatial-Frequency-Range)에서는 0,1 내지 0,5nm의 극히 작은 거칠기가 요구되며, 다른 한편으로, 정해진 적용 영역을 위해서는 1000mm 내지 1mm 범위의 MSFR(Middle-Spatial-Frequency-Range)-범위에서는 비교적 높은 거칠기(1nm - 100nm)가 요구되는 문제점이 제기된다. 이와 같은 세부 표면 사항들을 갖는 부품은, 예를 들어 파장이 ≤ 160㎚인 광학 장치에 사용하기 위한, 바람직하게는 EUV-범위에서 사용하기 위한 확산기이다.
상기와 같은 세부 표면 사양들은 폴리싱(polishing) 프로세스를 갖는 스태틱 부품에 대해서는 실제로 달성될 수 없는 것들이다.
본 발명의 목적은 ≤ 160㎚의 파장을 사용하는 광학 장치에 대해 상기 세부 표면 사양들을 충족시킬 수 있는 광학 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 미러의 원리도.
도 2a - 2b는 상이한 시간에 다양한 파장의 표면파를 갖는 표면의 상세도.
도 3은 본 발명에 따른 장치의 굴절각 위에 있는 세기를 나타낸 개략도.
도 4는 2차원 웨이브 필드를 형성하기 위해 여기될 표면상에 있는 인터디지털 변환기의 2차원 배치를 나타낸 개략도.
도 5는 더 큰 범위에 걸쳐 표면파를 형성하기 위해서 전체 부품에 대해 옆으로 나란히 배열한 다수의 개별 부품의 배치를 나타낸 개략도.
도 6은 표면파를 형성하는 미러 표면의 실시예를 나타낸 도면.
도 7은 파동기-광원을 갖는 EUV-리소그래피용 조명 장치의 광경로내에 있는 광선을 확대하기 위해서 본 발명에 따른 미러 장치를 사용하는 실시예를 나타낸 도면.
도 8은 EUV-조명 장치의 2차 광원의 세기 피크를 매끈하게 처리하기 위해서 본 발명에 따른 미러를 사용하는 실시예를 나타낸 도면.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 미러 3 : 미러 표면
5 : 진동형성장치 7 : 입사광
9 : 0.굴절장치 11 : 1.굴절장치
13 : -1.굴절장치 15 : 표면파
상기 목적은 본 발명에 따라, 미러 표면을 갖는 미러, 표면 변형에 따라 미러 표면의 탄성 진동을 형성하는 장치를 구비하는 활성 광학 장치에 의해서 달성되며, 이 경우, 상기 장치는 미러 표면의 외부면상에 충돌하는 광선을 미리 결정된 각도 범위로 굴절시키는 것을 특징으로 한다.
미국특허 제4,346,965호에는, 광선이 상기와 같은 각도로 기판 내부로 유입되어 내부 기판 표면에서 완전한 내부 반사를 일으키는 음향-광학 변조기/편향기가 개시되어 있다. 또한, 내부 기판 표면이 그 표면에서 표면파를 형성하는 활성 기판 표면으로서 형성됨으로써, 기판 표면상에 충돌하는 광선이 반사되거나 제 1 장치 내부로 굴절된다. 파장이 ≤ 160nm인 광은 실제로 고체를 더 이상 투과할 수는 없지만, 다른 한편으로 미국특허 제4,346,965호에 따르면, 광이 기판 표면 내부로 침투할 수 밖에 없기 때문에, 미국특허 제4,346,965호에 공지된 장치는 파장이 ≤ 160nm인 광에는 적합하지 않다.
파장이 13nm인 EUV-리소그래피용의 활성 광학 부품이 미국특허 제5,825,844호에 개시되어 있다. 이 미국특허 제5,825,844호에 따르면, 부품으로서는 미러 표면을 갖는 미러를 포함하는 광학 장치가 사용되며, 상기 장치에서는 표면 변형에 의해서 미러 표면의 진동을 여기시킬 수 있다. 물론, 미국특허 제5,825,844호에 따른 장치에서는, 표면상에 충돌하는 광선이 단지 반사만 된다. 즉, 입사각과 출사각이 동일하다. 그 경우, 최대 편향 각도는 ±2.5mrad로 제한된다.
또한, 미국특허 제5,825,844호에 따른 장치는, 활성 진동 여기에 의해서 경우에 따라서는 미러 표면에 육안으로 확인할 수 있을 정도의 손상, 예컨대 먼지 입자 또는 긁힘이 나타나는 정도로 제한된다.
반사 대신에 미러 표면의 외부면에서 굴절이 이루어지면, 예를 들어 훨씬 더 큰 ±12mrad의 각도 범위로 투과가 이루어질 수 있다는 사실을 발명자들은 인식하였다. 또한, 주파수가 연속으로 변화되는 표면파를 사용하여, 격자에서 굴절시킴으로써, 시간 평균적으로 완전히 균일한 ±12mrad 각도 범위의 조명을 달성할 수 있다. 즉, 반사와 달리 굴절시에는 표면파에 의해서 형성되는 격자의 1.굴절 장치와 -1.굴절 장치 내부를 투사한 광을 이용하기 때문에, 상기 광의 출사각은 입사각과 상이하다. 표면파에 의해서 형성되는 음향 격자의 파장보다 더 적게 조명될 정도로 입사광이 미러 표면상에 충돌하는 반사의 경우와 달리, 굴절시에는 예를 들어 100개의 이상의 다수의 격자선이 만나게 된다.
바람직하기로는, 표면 음파의 파장은 1㎛ 내지 50㎛ 범위이고, 진폭은 1nm 내지 100nm 범위이다. 이와 같은 값에 의해, 1:400의 진폭 대 파장의 비율이 얻어지고, 그와 함께 ±12mrad까지의 굴절각이 얻어진다.
본 발명의 일 실시예에서는, 표면파의 주파수 또는 표면 음파(SurfaceAcusticWaves, SAW)가 연속으로 변동되고, 이와 같은 현상이 격자 주기의 연속적인 변동과 동일한 의미가 되므로, 한 소스의 모든 굴절각이 0mrad 내지 ±12mrad로 설정될 수 있다는 사실을 제안한다.
바람직하기로는, 표면 음파의 파장은 1㎛ 내지 50㎛ 범위이고, 진폭은 1nm 내지 100nm 범위이다. 이와 같은 값에 의해, EUV에서 ±12mrad까지의 굴절각을 얻을 수 있다.
입사 광선을 1차원 이상으로, 예를 들어 2차원으로 변형하기 위해서는, 미러 표면의 다수의 장소에 탄성 진동을 형성하는 장치들을 제공함으로써, 활성 미러 표면상에 표면 음파가 평행하게 또는 평행하지 않게 제공되는 것이 바람직하다.
다른 실시예에서, 예를 들어, 활성 미러 표면의 크기가 압전 결정의 제한된 크기 때문에 불충분한 경우에는, 활성 표면을 다수의 개별 부품으로 구성함으로써, 활성 표면을 확대시키는 것을 제안한다.
본 발명의 제 1 실시예에서는, 미러 표면의 탄성 진동을 형성하는 장치가 압전 박막을 구비하는 것이다. 특히, 바람직한 경우는 상기 압전 박막이 충분히 얇은 기판의 거친 한 표면상에 제공되는 경우인데, 이 경우 기판의 다른 표면은 충돌하는 광선을 위한 미러 표면을 형성한다.
압전 박막은, 예를 들어 본 명세서에 그 내용이 충분히 포괄적으로 기록된 1989년 12월 4일자 VDI-뉴스에서 공개된 것과 같은 PZT-박막으로 형성될 수 있다. 상부에 압전 박막이 제공되는 기판은 얇은 Si-기판, 예컨대 Si-웨이퍼이다. 바람직하기로는, 압전 박막은 예를 들어 TiPt-결합과 같은 원자 결합 기술에 의해서 제공된다.
기판상에 제공되는 압전 박막을 갖는 본 발명의 실시예에 대한 다른 방법으로서, 전체 압전 소자를 압전 단결정으로 구성하는 것도 가능하다.
미러 표면의 탄성 진동을 형성하기 위해 본 발명의 제 1 실시예에서는, 압전 소자상에 점형태의 또는 선형태의 전극이 사용된다.
본 발명에 따른 광학 부품은 파장이 ≤ 160㎚인 마이크로 리소그래피용 노출 장치, 특히 EUV-리소그래피에 사용할 수도 있다.
상기 유형의 노출 장치에서 사용가능한 부품들로는, 예를 들어 광원으로부터 나오는 광선을 확대하기 위한 수단, 소위 확산기, 조명 세팅을 변형하기 위한 수단 및 퓨필의 조명을 균일화하기 위한 수단이 있다.
본 발명은 상기 장치 외에도 파장이 ≤ 160㎚인 광원, 바람직하게는 본 발명에 따른 광학 장치를 갖춘 EUV-광원을 통해 미리 주어진 각도 범위로 조명하기 위한 방법에 대해서도 언급한다. 상기 방법은 먼저, 진폭 및 주파수가 미리 정해진 적어도 하나의 표면파를 미러 표면상에 형성하며, 광원으로부터 입사되는 광이 표면파에 의해서 형성되는 다수의 격자선과 만나도록 상기 주파수를 선택하는 단계를 포함한다. 그 다음, 표면파의 주파수를 미리 정해진 주파수 범위내에서 연속으로 변화시킴으로써, 시간 평균적으로 균일한 조명이 바람직하게는 -12.0mrad ≤ α ≤12,0mrad의 미리 주어진 각도 범위로 이루어지게 된다.
특히, 본 발명에 따른 광학 부품을 제조하는 바람직한 방법에서는, 먼저 압전 기판의 한 표면을 초광택 처리함으로써, 표면 거칠기를 0,5nm 이하로 하고, 표면 음파를 여기하기 위해서 바람직하게 초광택 처리된 기판 표면상에는 전극을 제공한다. 대체 실시예에서는, 원자 결합 기술에 의해서 기판의 거친 표면과 결합되는 압전 박막을 기판의 거친 표면상에 제공하며, 이 경우 압전 박막에는 표면 음파를 여기하는 전극을 제공한다.
다른 제조 방법에서는, 먼저 기판의 한 표면을 초광택처리함으로써, 표면 거칠기를 0.5nm 이하로 한다. 그 후, 압전 박막에 표면 음파를 여기하는 전극을 제공한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일예를 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따른 광학 장치의 원리적인 구성이 도시되어 있다.
본 발명에서 광학 장치는, 예를 들어 초광택 처리된(superpolishing) 미러 표면(3) 및 상기 미러 표면에 진동을 형성하는 장치(5), 예컨대 인터디지털 전극을 갖는 미러(1)를 포함한다.
장치(5)가 미러 표면(3)에서 진동을 여기하는데 이용하는 진동 주파수는, 미러 표면(3)상에 충돌하는 광선(7)이 예정된 범위내에서 굴절되도록 선택된다. 도 1에는 입사 광선(7)의 0.굴절 장치(9), 1.굴절 장치(11) 및 -1.굴절 장치(13)가 도시되어 있다.
굴절은 주기적인 구조물, 즉 본 발명의 표면파(15)에서 반사된 수많은 광선(7)의 간섭(interference)을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 굴절 효과를 야기시키는 표면파(15) 주파수는, 입사광(7)이 표면파(15)에 의해서 형성되는 다수의 격자선과 만나도록 선택된다. 입사광(7)에 의해서 만나게 되는 격자선의 개수, 즉 표면파(15)의 최대수는 100 이상이 되어야 한다.
도 2a 및 2b에는, 표면파에 의해서 주기적으로 변동되는 표면 구조물에서 상이한 시간(t=t0및 t=t1) 에서 이루어지는 굴절이 상세하게 도시되어 있다.
도 2b에서와 마찬가지로, 도 2a에서도 도 1에서와 동일한 대상들에 대해서는 동일한 도면 부호를 선택하였다. 도면 부호 7 은 표면상에 입사되는 광선을, 도면 부호 9 는 출사각이 입사각과 같은, 즉 θa= θi인 0.굴절 장치의 광선을, 도면 부호 11 은 출사각 θa= θi+ θb이고, θb가 표면파의 격자 상수에 의존하는 제 1 굴절 장치의 각도인 1.굴절 장치를, 그리고 도면 부호 13 은 각 θa= θi- θb인 -1.굴절 장치의 광선을 나타낸다.
표면파(15)의 주파수가 시간에 걸쳐 변동되면, 즉 표면파의 파장 및 그와 함께 표면파에 의해서 형성되는 격자 간격이 시간에 걸쳐 변동되면, 1.굴절 장치 및 -1.굴절 장치는 다른 각도 범위로 굴절된다. 이와 같은 사실은 도 2b 로부터 잘 알 수 있는데, 도 2b에서는 파장 및 격자 간격이 시점 t = t1에서 확대된다. 시점 t = t0에서, +1.굴절 장치 및 -1.굴절 장치는 격자 간격이 더 작은 경우 보다 더 작은 각도 범위로, 즉 도 2a에서보다 더 짧은 파장으로 나타난다.
따라서, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 표면파 주파수의 연속적인 변동에 의해서 한 각도 범위의 시간 평균적으로 균일한 조명이, 본 발명에 따른 장치에 의해 달성될 수 있다. 예컨대, ±12mrad 각도 범위의 연속적인 조명을 형성하는데 사용되는 표면파의 파장은, 1㎛ 내지 50㎛ 범위이며, 표면파의 진폭은 1㎚내지 100㎚ 범위이다. 이 실시예에서는, 표면파의 파열(wave train)이 표면파에 의해서 여기된, 즉 바람직하게는 10㎜ 내지 100㎜ 범위의 활성 미러 표면(15)을 약 10㎲로 통과하기 때문에, 노출 시간이 1㎳인 경우에는 대략 1000개의 주파수가 통과될 수 있다. 그 경우, 편향각이 ±12mrad인 조절 가능한 각도 범위를 얻을 수 있다.
0mrad 내지 ±12mrad인 단색 소스의 모든 굴절각을 세팅하기 위해, 표면파의 주파수가 연속적으로 변동되는 본 발명에 따른 장치에 의해 달성될 수 있는 세기(intensity) 분포가 도 3에 도시되어 있다. 도면 부호 20 은 예로 선택된 한 격자의 제 1 굴절 장치의 세기를 나타낸다. 도면 부호 22 는 주파수 조절시에 나타나는 모든 굴절 격자의 시간 평균적인 세기를 나타낸다. 이로부터 분명하게 알 수 있는 바와 같이, 굴절 각도 위에 도시된 세기 곡선은 모자-프로필을 나타낸다. 즉, 적은 진동까지는 세기가 전체 각도 범위에 걸쳐서 실제로 일정하다.
굴절과 달리 순수한 반사의 경우에는, 입사각 = 출사각이라는 관계식이 적용된다. 반사의 경우에는, 입사광이 표면파에 의해서 형성된 격자의 파장을 최대까지 하나의 파장보다 적게 조명하도록 충돌된다. 상기와 같은 경우, 연속하는 표면파는 단 한번의 연속적인 반사각의 변동을 일으킨다. 물론 이와 같은 방식으로도 미리 정해진 각도 범위를 스쳐갈 수는 있겠지만, 반사의 경우에는 조절 가능한 각도 범위를 균일하게 통과시킬 수가 없다. 이역시, 결과적으로는 본 발명과 달리 균일한 조명 효과에 도달할 수 없게 한다.
도 4에는 미러 표면(30)상에 입사되는 광선이 2차원적으로 변형되게끔 하는 본 발명의 일 실시예가 도시되어 있다. 이는 표면파가 미러면의 다수의 장소에서 평행하게 혹은 평행하지 않게 활성면(32) 상에 제공하여 달성할 수 있다. 상기와 같은 파동을 여기하기 위해, 도 4에 따른 실시예에서는 전체적으로 4개의 여기 장치(34), 소위 인터디지털 변환기, 즉 전극이 미러 표면상에 배치되어 있다.
한 부품의 활성면을 확대하기 위해서는, 도 5의 실시예에 따라, 상기 부품, 즉 본 발명에서는 미러 표면을 다수의 개별 부품(40.1, 40.2)으로 구성할 수도 있다.
도 5에서는 기판(42.1, 42.2) 및 개별 기판상에 배치된 표면파(44.1, 44.2)용 여기 장치(34.1, 34.2)를 분명하게 알 수 있다. 이 실시예에서, 여기 장치(34.1, 34.2)는 인터디지털 전극으로서 형성된다. 인터디지털 전극을 이용하여 여기된 표면파(44.1, 44.2)의 오버랩에 의해서, 한 부품의 활성 영역을 크게 확대할 수 있다.
도 6에는 미러 표면(50)으로서 사용될 수 있는 활성 부품의 기술적인 실현예가 도시되어 있다. PZT-박막은, 예를 들어 실리콘-웨이퍼판의 거친 면(52)상에 원자 결합 기술로, 예컨대 TiPt-결합 방식으로 제공된다. 미리 지정된 장소에 점형태의 혹은 선형태의 전극(54)이 배치된다. 상기 전극에 의해 매우 얇은 웨이퍼판상에 표면 음파가 형성될 수 있다. 상기 표면 음파에 의해서 1차원 또는 2차원 격자가 형성되며, 이 표면 음파는 또한 입사광의 본 발명에 따른 굴절을 가능하게 한다. 최대로 큰 진폭을 형성할 수 있기 위해, 이 시스템은 고유의공명으로 변위될 수 있다. 여기용의 주파수는 1 내지 200와트의 출력을 갖는 100 내지 10000MHz 범위이다.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 광학 부품을 EUV-리소그래피용 조명 장치에 사용하는 예를 나타낸 것이다.
EUV-조명 장치의 원리적인 구성에 관해서는, "특히 EUV-리소그래피용의 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 3월 2일에 제출된 관련 유럽특허출원 제99106348.8호, "특히 EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 제출된 미국특허출원 제 09/305,017호 및 "특히 EUV-리소그래피용 조명 장치"라는 명칭으로 1999년 5월 4일에 제출된 PCT/EP99/02999호, 및 "EUV-조명 장치의 출사동내에 분배되는 조명의 조절"이라는 명칭으로 1999년 9월 3일에 제출된 독일특허출원 제 29915847.0호를 인용한다.
도 7에는 싱크로트론-광원(102), 예를 들어 파동기-소스로부터 나오는 광선(104)을 확대시키는 콜렉터 미러(100)가 개략적으로 도시되어 있다. 상기 콜렉터 미러는 주기적으로 변동되는 표면에 의해 형성되는 본 발명에 따른 굴절 작용을 갖는 미러로서 형성된다. 이와 같은 미러에 의해서, 광선 보호벽(108) 근처에 배치된 콜렉터 미러(106)는 예를 들어 -12,0mrad < α < 12,0의 각도 범위(110)로 조명될 수 있다.
도 8에는 재차 조명 장치의 한 절단면, 특히 광원으로부터 형성되는 십자선의 상을 웨이퍼 표면(200) 위로 향하게 하기 위해 이용되고 링형 필드를 형성하기 위해 이용되는 조명 장치의 부분이 도시되어 있다. 이 장치는 도 8에 도시된실시예에서 2개의 필드 미러(202, 204)를 포함한다. 2개의 필드 미러 중에서 제 2의 필드 미러(204)는 본 발명에 따른 변형 가능한 표면을 갖는 미러로서 형성된다. 이와 같은 방식의 미러는 십자선 평면에 세기를 분배할 때 개별 허니콤의 이산화를 피하기 위해서 이용된다. 미러(204)는, 개별 하니콤으로서 형성된 2차 광원으로부터 나오는 점형태의 광선을 시간 평균적으로 매끈하게 처리하는 작용을 하며, 링형 필드의 조명을 균일하게 한다.
따라서, 본 발명에서는, 특히 EUV-리소그래피용 조명 장치에 사용하기에 적합한, 소정 각도범위로 균일하게 조명하는 광학 장치가 최초로 제안된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, ≤ 160㎚의 파장을 사용하는 광학 장치용으로, 상기 세부 표면 사양들을 충족시킬 수 있는 광학 장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.

Claims (21)

  1. 미러 표면(3)을 갖는 미러(1), 및 표면 변형을 기초로 미러 표면의 탄성 진동을 형성하기 위한 장치(5)를 포함하고, 파장이 ≤ 160㎚인 광선, 특히 EUV-광선용 광학 장치에 있어서,
    미러 표면의 외부면상에 충돌하는 광선(7)이 소정 각도 범위(α)로 굴절되는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    미러 표면의 탄성 진동을 형성하기 위한 장치(5)는 상기 미러 표면(3)상에 표면 음파를 형성하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 표면 음파(15)에 의해서, 미러 표면(3)은 충돌되는 광선용의 굴절 격자로 변환되는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 표면 음파(15)의 파장은 1 내지 50㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  5. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 음파(15)의 진폭은 1㎚ 내지 100㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  6. 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 음파(15)의 주파수는 연속적으로 또는 이산적으로 변동되는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  7. 제 2항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    미러 표면(30)의 다수의 장소에 탄성 진동을 형성하는 장치(34)를 제공함으로써, 활성 표면상에 표면 음파를 평행하게 혹은 평행하지 않게 제공하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 활성 미러 표면은 다수의 개별 부품(40.1, 40.2, 40.3)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    미러 표면에서 탄성 진동을 형성하는 장치는 압전 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 압전 박막은 충분히 얇은 기판의 거친 한 표면(52)에 제공되며,
    상기 기판의 다른 한 표면은 충돌하는 광선용의 미러 표면을 이루는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 압전 박막은 크기가 큰 PZT-박막이고,
    상기 기판은 상부에 원자 결합 기술에 의해서 PZT-박막이 제공되어지는 Si-기판인 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    탄성 진동을 형성하는 장치는 압전 단결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  13. 제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,
    탄성 진동을 형성하는 장치는 점형태 또는 선형태의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 장치의 사용에 있어서,
    상기 장치를 ≤ 160㎚의 파장, 특히 EUV-범위의 파장을 갖는 리소그래피용 노출 장치내에 광학 부품으로서 내장하는 것을 특징으로 하는 광학 장치의 용도.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 광학 부품을 조명 장치내에서 광원의 광선을 확대하는데 이용하는 것을 특징으로 하는 광학 장치의 용도.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 광학 부품을 조명 장치내에서 조명 세팅을 변동시키는데 이용하는 것을 특징으로 하는 광학 장치의 용도.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 광학 부품을 조명 장치내에서 퓨필의 조명을 균일화하는데 이용하는 것을 특징으로 하는 광학 장치의 용도.
  18. 진폭 및 주파수가 미리 정해진 적어도 하나의 표면파를 미러 표면상에 형성하며, 광원으로부터 입사되는 광이 표면파에 의해서 형성되는 다수의 격자선과 만나도록 상기 주파수를 선택하는 단계, 및
    표면파의 주파수를 예정된 주파수 범위에서 연속으로 변동시킴으로써, 시간 평균적으로 균일한 조명이 미리 주어진 각도 범위로 이루어지는 단계를 포함하되,
    ≤160㎚의 파장을 갖는 광원, 특히 제 2항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 광학 장치를 갖는 EUV-광원을 통해 소정 각도 범위로 조명하는 방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 각도 범위는 -12,0 ≤ α ≤12,0mrad인 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 미러 표면을 형성하는 기판의 한 표면을 초광택 처리함으로써, 표면 거칠기가 0,5nm 이하가 되도록 하는 단계를 포함하는, 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 광학 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판에 전극을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 전극을 초광택 처리된 표면상에 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
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