KR20010077200A - 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010077200A
KR20010077200A KR1020000004834A KR20000004834A KR20010077200A KR 20010077200 A KR20010077200 A KR 20010077200A KR 1020000004834 A KR1020000004834 A KR 1020000004834A KR 20000004834 A KR20000004834 A KR 20000004834A KR 20010077200 A KR20010077200 A KR 20010077200A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
supply line
diluent
tank
storage tank
wafer
Prior art date
Application number
KR1020000004834A
Other languages
English (en)
Inventor
이만영
이광열
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1020000004834A priority Critical patent/KR20010077200A/ko
Publication of KR20010077200A publication Critical patent/KR20010077200A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법은, 저장조 내부에 세정공정이 완료된 웨이퍼가 잔류할 경우 식각액공급라인과 희석액공급라인 상에 설치된 정량공급펌프의 가동을 정지시키는 단계와 상기 희석액탱크에 저장된 상기 희석액을 상기 저장조로 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정 웨이퍼가 세정액에 의해서 과도식각되는 것을 방지할 수 있고, 상기 공정 웨이퍼 상에 묻은 세정액이 시간경과에 따라 경화되어 후속공정에서 파티클로 작용하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법{Operating method of apparatus for cleanning wafers}
본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 세정액이 저장된 저장조 내부에 투입된 웨이퍼가 로봇아암의 고장에 의해서 외부로 방출되지 못하여 과도식각되는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법에 관한 것이다.
최근에 반도체 제조기술이 발달되어 반도체소자가 256MDRAM, 1GDRAM으로 고집적화됨에 따라 공정과정에 발생된 수 마이크로미터(㎛) 크기의 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생하고 있다.
따라서, 반도체 제조공정이 진행되는 클린룸(Clean room)의 파티클의 개수는 극도로 제한되고 있으며, 또한 반도체 제조공정 과정에 발생하는 공정부산물에 의해서도 반도체소자가 영향을 받는 것을 최소로 줄이도록 노력하고 있다.
그러나, 반도체소자 제조과정에 파티클이 발생하는 것은 원천적으로 방지할 수 없으므로 각 공정진행 후 세정공정을 진행하고 있다. 이와 같은 세정공정은 식각액 및 희석액이 혼합된 세정액이 저장된 저장조 내부에 공정 웨이퍼를 소정시간 투입/방출하는 것으로 이루어진다.
도1은 일반적인 반도체 웨이퍼 세정장치의 개략적인 구성도이다.
도1을 참조하면, 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소수(H2O2) 및 탈이온수(Deionized water)가 소정비율로 혼합된 세정액을 이용하여 공정 웨이퍼 상에 존재하는 파티클을 세정하는 내부저장조(12)가 구비되어 있다. 여기서 상기 수산화암모늄은 식각액으로 기능하고, 상기 과산화수소수와 탈이온수는 희석액으로 기능한다.
그리고, 상기 내부저장조(12)를 외측에서 감싸는 외부저장조(10)가 구비됨으로써 내부저장조(12)에 저장된 세정액이 외부저장조(10)로 오우버플로우(Overflow)될 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 외부저장조(10) 하측과 내부저장조(12) 하측을 연결하는 순환라인(16)이 구비되고, 상기 순환라인(16) 상에는 세정액의 흐름을 기준으로 순환펌프(18), 히터(Heater : 20), 필터(Filter : 22)가 순차적으로 구비되어 있다. 여기서 상기 순환펌프(18)는 내부저장조(12)에 저장된 세정액이 순환할 수 있도록 펌핑동작을 수행하는 것이며, 상기 히터(20)는 순환펌프(18)에 의해서 펌핑된 세정액을 소정온도로 가열 유지시키는 기능을 수행하며, 상기 필터(22)는 세정액에 존재하는 불순물을 필터링하는 기능을 수행하는 것이다.
또한, 상기 필터(22)를 우회하여 순환라인(16)과 연결된 바이패스라인(BY pass line : 24)이 구비되어 있고, 상기 바이패스라인(24) 상에 에어밸브(26)가 설치되어 있다.
그리고, 소정량의 탈이온수가 저장된 탈이온수탱크(70)와 연결된 탈이온수공급라인(72)이 바이패스라인(24)과 순환라인(16)이 연결되는 지점과 내부저장조(12) 사이의 순환라인(16)과 연결되어 있다. 상기 탈이온수공급라인(72) 상에는 에어밸브(74)가 설치되어 있다.
또한, 상기 내부저장조(12)와 외부저장조(10)에 저장된 세정액을 외부로 완전 방출할 수 있는 드레인라인(Drain line : 28)이 형성되어 있다.
그리고, 소정량의 수산화암모늄이 저장된 수산화암모늄탱크(30)에 제 1 수산화암모늄 공급라인(32)이 연결되어 외부저장조(10) 내부에 세정액을 공급할 수 있도록 되어 있다. 여기서, 상기 제 1 수산화암모늄 공급라인(32) 상에는 수산화암모늄탱크(30)에 저장된 수산화암모늄의 양을 조절하여 외부로 펌핑할 수 있는 정량공급펌프(34)와 에어밸브(36)가 순차적으로 설치되어 있다.
또한, 상기 수산화암모늄탱크(30)와 외부저장조(10)와 순환펌프(18) 사이의 순환라인(16)에 제 2 수산화암모늄 공급라인(38)이 연결되어 있다. 상기 제 2 수산화암모늄 공급라인(38) 상에는 에어밸브(40)가 설치되어 있다.
그리고, 소정량의 과산화수소수가 저장된 과산화수소수탱크(50)와 상기 제 1 수산화암모늄 공급라인(32) 상에 설치된 에어밸브(36) 이후의 제 1 수산화암모늄 공급라인(32)이 제 1 과산화수소수 공급라인(52)에 의해서 연결되어 있다. 상기 제 1 과산화수소수 공급라인(52)) 상에는 과산화수소수의 양을 조절하여 펌핑하는 정량공급펌프(54)와 에어밸브(56)가 순차적으로 설치되어있다.
또한, 상기 제 2 수산화암모늄 공급라인(38) 상에 설치된 에어밸브(40) 이후의 제 2 수산화암모늄 공급라인(38)과 제 2 과산화수소수 공급라인(58)이 연결되어 있다. 상기 제 2 과산화수소수 공급라인(58) 상에는 에어밸브(60)가 설치되어 있다.
도2는 도1에 도시된 종래의 반도체 세정장치의 구동방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도2를 참조하면, 먼저 수산화암모늄탱크(30)와 과산화수소수탱크(50)에 저장된 수산화암모늄과 과산화수소수 일정량은 각각 제 2 수산화암모늄 공급라인(38), 제 2 과산화수소수 공급라인(58) 및 순환라인(16)을 통해서 내부저장조(12)로 공급되고, 탈이온수탱크(70)에 저장된 탈이온수 일정량은 탈이온수공급라인(72)과 순환라인(16)을 통해서 내부저장조(12)로 공급되어 일정량의 세정액이 저장된 내부저장조(12)에 공정 웨이퍼를 투입한다. 여기서 상기 공정 웨이퍼는 로봇아암에 의해서 내부저장조(12)에 투입되고, 상기 수산화암모늄과 과산화수소수는 에어밸브(40, 60)을 각각 통과하여 서로 혼합된 후 순환라인(16) 상에 설치된 순환펌프(16)에 의해서 히터(20)를 통과하고 바이패스라인(24) 상에 설치된 에어밸브(26)를 통과하여 내부저장조(12)로 공급되고, 상기 내부저장조(12)로 공급된 수산화암모늄, 과산화수소수와 탈이온수로 이루어지는 세정액은 오우버플로우되어 외부저장조(10)로 공급된 후 다시 순환라인(16)을 통해서 순환하게 된다.
다음으로, 상기 공정 웨이퍼는 소정시간동안 내부저장조(12) 내부에서 정체함으로서 세정공정이 진행된다. 일반적으로 상기 세정공정은 공정 웨이퍼 상의 산화막, 금속막 등의 특정막을 수 Å정도 식각하는 공정이다. 여기서 상기 세정공정이 진행되는 동안 내부저장조(12) 내부의 세정액은 시간경과에 따라 공정 웨이퍼 상에 존재하는 파티클과 공정 웨이퍼 상에 형성된 특정막의 식각입자 등이 혼합됨으로써 농도에 이상이 발생할 수 있다. 따라서 상기 내부저장조(12)에서 외부저장조(10)로 오우버플로우된 세정액은 순환펌프(18)의 가동에 따라 히터(20)를 통과하며 세정공정에 적합한 온도로 유지되고, 필터(22)를 통과하며 세정액 내부의 불순물을 필터링하는 필터링공정이 진행되어 다시 내부저장조(12)로 공급되어 순환하게 된다.
그리고, 전술한 세정공정이 진행되는 동안 세정액은 증발 등의 원인에 의해서 세정액의 조성비가 변화될 수 있다. 따라서, 수산화암모늄탱크(30)와 과산화수소수탱크(50)에 저장된 수산화암모늄과 과산화수소수는 각각 정량공급펌프(34, 54)의 가동에 의해서 그 양이 조절된 후 에어밸브(36, 56)를 통과하여 외부저장조(10)로 공급된다.
계속해서, 세정공정에 적합한 설정된 세정시간이 경과하면, 상기 공정 웨이퍼는 다시 로봇아암에 의해서 외부로 방출되며, 설정된 세정시간이 경과되지 않았으면 상기 공정 웨이퍼는 계속해서 내부저장조(12)에 정체함으로써 세정공정이 진행된다.
마지막으로, 상기 내부저장조(12) 내부의 공정 웨이퍼가 로봇아암에 의해서외부로 방출됨으로써 세정공정이 완료된다. 이때, 상기 공정 웨이퍼를 이송하는 로봇아암의 고장에 의해서 내부저장조(12) 내부에서 공정 웨이퍼가 방출되지 않았으면, 제 1 수산화암모늄 공급라인(32)과 제 1 과산화수소수 공급라인(52) 상에 각각 설치된 정량공급펌프(34, 54)의 가동을 정지시키고 드레인라인(28)을 통해서 내부저장조(12)와 외부저장조(10)에 저장된 세정액을 외부로 완전히 방출함으로써 세정액에 의해서 공정 웨이퍼가 식각되는 것을 방지한다.
그러나, 내부저장조 내부에 투입된 웨이퍼 상에는 다량의 세정액이 묻어 있는 상태이므로 지속적으로 웨이퍼 식각공정이 진행되어 웨이퍼는 과도식각되는 문제점이 있었다.
또한, 웨이퍼 상에 묻은 세정액은 시간이 경과하면서 경화됨으로써 후속공정에서 파티클을 발생시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 내부저장조 내부에 투입된 공정 웨이퍼가 로봇아암의 고장에 의해서 외부로 방출되지 못하여 과도식각되는 것을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법을 제공하는 데 있다.
도1은 일반적인 반도체 웨이퍼 세정장치의 개략적인 구성도이다.
도2는 종래의 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법의 일 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 외부저장조 12 : 내부저장조
14 : 웨이퍼 16 : 순환라인
18 : 순환펌프 20 : 히터
22 : 필터 24 : 바이패스라인
26, 36, 40, 56, 60, 74 : 에어밸브 28 : 드레인라인
30 : 수산화암모늄탱크 32 : 제 1 수산화암모늄 공급라인
34, 54 : 정량공급펌프 38 : 제 2 수산화암모늄 공급라인
50 : 과산화수소수탱크 52 : 제 1 과산화수소수 공급라인
58 : 제 2 과산화수소수 공급라인 70 : 탈이온수탱크
72 : 탈이온수 공급라인
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법은, 일정량의 식각액이 저장된 식각액탱크와 일정량의 희석액이 저장된 희석액탱크와 상기 식각액과 희석액이 혼합된 세정액을 이용하여 웨이퍼 습식식각공정이 진행되는 저장조와 상기 저장조의 세정액을 외부로 펌핑시켜 다시 상기 저장조로 순환시키는 순환펌프가 설치된 순환라인과 상기 식각액탱크의 식각액을 상기 저장조로 정량공급하기 위한 정량공급펌프가 설치된 제 1 식각액공급라인과 상기 식각액탱크의 식각액을 상기 순환라인에 공급하기 위한 제 2 식각액공급라인과 상기 희석액탱크의 희석액을 상기 저장조로 정량공급하기 위한 정량공급펌프가 설치된 제 1 희석액공급라인과 상기 희석액탱크의 희석액을 상기 제 1 식각액공급라인에 공급하기 위한 제 2 희석액공급라인과 상기 저장조의 식각액을 외부로 방출시키기 위한 드레인라인을 구비하는 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법에 있어서, 상기 저장조 내부에 세정공정이 완료된 웨이퍼가 잔류할 경우 상기 제 1 식각액공급라인과 제 1 희석액공급라인 상에 설치된 상기 정량공급펌프의 가동을 정지시키는 단계 및 상기 저장조 내부에 세정공정이 완료된 웨이퍼가 잔류할 경우 상기 희석액탱크에 저장된 상기 희석액을 상기 제 2 희석액공급라인, 제 2 식각액공급라인 및 세정액순환라인을 거쳐서 상기 저장조로 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 저장조 내부에 세정공정이 완료된 웨이퍼가 잔류할 경우 알람을 발생시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치의 일 실시예를 설명하기위한 흐름도로써 도1을 참조하여 상세히 설명한다.
도1 및 도3을 참조하면, 먼저 소정의 반도체 제조공정이 진행된 공정 웨이퍼를 수산화암모늄, 과산화수소수 및 탈이온수가 소정의 비율로 혼합된 세정액이 저장된 내부저장조(12) 내부에 로봇아암으로 투입한다. 여기서 상기 세정액은 수산화암모늄탱크(30)에 저장된 일정량의 수산화암모늄과 과산화수소수탱크(50)에 저장된 일정량의 과산화수소수와 탈이온수탱크(70)에 저장된 일정량의 탈이온수가 일정비율로 혼합되어 이루어진다. 그리고, 상기 일정량의 수산화암모늄과 과산화수소수는 수산화암모늄탱크(30)와 과산화수소수탱크(50)에 저장된 후 제 2 수산화암모늄 공급라인(38)과 제 2 과산화수소수 공급라인(58) 상에 설치된 에어밸브(40, 60)를 통과하여 순환라인(16)으로 공급되고, 상기 순환라인(16) 상에 설치된 순환펌프(18)의 가동에 따라 히터(20)에 의해서 특정온도로 가열 유지된 후 바이패스라인(24) 상에 설치된 에어밸브(26)를 통과하여 내부저장조(12)로 공급되고, 상기 탈이온수는 탈이온수탱크(70)에 저장된 후 탈이온수공급라인(72) 상에 설치된 에어밸브(74)를 통과하고 순환라인을 통해서 내부저장조(12)로 공급된다.
다음으로, 상기 공정 웨이퍼는 소정시간동안 내부저장조(12) 내부에서 정체함으로써 공정 웨이퍼 상에 존재하는 파티클을 제거하는 세정공정이 진행된다. 상기 세정공정은 파티클과 함께 공정 웨이퍼 상의 산화막, 금속막 등의 특정막도 동시에 식각되며 상기 특정막이 열산화막일 경우 10분당 15Å정도 식각되고, 배어 실리콘(Bare silicon)일 경우 10분당 30Å정도 식각된다. 여기서 상기 세정공정이 진행되는 동안 내부저장조(12) 내부의 세정액에는 시간경과에 따라 공정 웨이퍼 상에 존재하는 파티클과 공정 웨이퍼 상에 형성된 특정막의 식각입자 등이 혼합됨으로써 농도에 이상이 발생할 수 있다. 따라서 상기 내부저장조(12)에서 외부저장조(10)로 오우버플로우된 세정액은 순환펌프(18)의 가동에 따라 히터(20), 필터(22)를 통과한 후 다시 내부저장조(12)로 공급되어 순환하게 된다.
그리고, 전술한 세정공정이 진행되는 동안 증발 등의 원인에 의해서 세정액의 조성비가 변화된 것을 보완하기 위하여 수산화암모늄탱크(30)와 과산화수소수탱크(50)에 저장된 수산화암모늄과 과산화수소수는 각각 정량공급펌프(34, 54)의 가동에 의해서 그 양이 조절된 후 에어밸브(36, 56)를 통과하여 외부저장조(10)로 공급된다.
계속해서, 세정공정에 적합한 설정된 세정시간이 경과하면, 상기 공정 웨이퍼는 다시 로봇아암에 의해서 외부로 방출되며, 설정된 세정시간이 경과되지 않았으면, 상기 공정 웨이퍼는 내부저장조(12)에 정체함으로써 세정공정이 계속해서 진행된다.
마지막으로, 상기 내부저장조(12) 내부의 공정 웨이퍼가 로봇아암에 의해서 외부로 방출됨으로써 세정공정이 완료된다.
이때, 상기 공정 웨이퍼를 이송하는 로봇아암의 고장에 의해서 내부저장조(12) 내부에서 공정 웨이퍼가 방출되지 않았으면, 제 1 수산화암모늄 공급라인(32)과 제 1 과산화수소수 공급라인(52) 상에 각각 설치된 정량공급펌프(34, 54)의 가동을 정지시킨다. 그리고, 과산화수소수탱크(50)에 저장된 일정량의 과산화수소수와 탈이온수탱크(70)에 저장된 일정량의 탈이온수를 내부저장조(12)에 공급함으로써 내부저장조(12) 내부의 세정액에 포함된 수산화암모늄의 농도를 낮춰 공정 웨이퍼가 과도식각되는 것을 방지한다. 여기서 상기 과산화수소수는 과산화수소수탱크(50)에서 제 2 과산화수소수 공급라인(58) 상에 설치된 에어밸브(60)를 통과하여 순환라인(16)으로 공급된 후, 순환라인(16) 상에 설치된 순환펌프(18)의 가동에 따라 히터(20), 바이패스라인(24) 상에 설치된 에어밸브(26)를 통과하여 내부저장조(12)로 공급되며, 상기 탈이온수는 탈이온수탱크(70)에서 탈이온수공급라인(72) 상에 설치된 에어밸브(74)를 통과한 후 순환라인(16)을 경유하여 내부저장조(12)로 공급된다.
그리고, 본 실시예에서는 내부저장조(12) 내부에 투입된 공정 웨이퍼가 로봇아암의 고장에 의해서 잔류하고 있다는 것을 작업자가 용이하게 인식할 수 있도록 경보음이 발생하게 할 수 있다.
그리고, 본 실시예에서는 내부저장조(12) 내부로 과산화수소수와 탈이온수를 공급하였으나, 과산화수소수 또는 탈이온수만을 내부저장조(12)에 공급함으로써 식각액으로 기능하는 수산화암모늄의 농도를 낮춰 공정 웨이퍼가 과도식각되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 세정공정이 진행되는 저장조 내부에 투입된 공정 웨이퍼가 세정공정이 완료된 후 로봇아암의 고장에 의해서 저장조 내부에 잔류할 경우 저장조 내부로 과산화수소수와 탈이온수를 공급함으로써 식각액으로 기능하는 수산화암모늄의 농도를 낮춰 공정 웨이퍼가 과도식각되는 것을 방지할 수 있고, 공정 웨이퍼 상에 묻은 세정액이 경화되어 후속공정에서 파티클을 발생시켜 반도체 제조공정의 오염원으로 작용하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (2)

  1. 일정량의 식각액이 저장된 식각액탱크와 일정량의 희석액이 저장된 희석액탱크와 상기 식각액과 희석액이 혼합된 세정액을 이용하여 웨이퍼 습식식각공정이 진행되는 저장조와 상기 저장조의 세정액을 외부로 펌핑시켜 다시 상기 저장조로 순환시키는 순환펌프가 설치된 순환라인과 상기 식각액탱크의 식각액을 상기 저장조로 정량공급하기 위한 정량공급펌프가 설치된 제 1 식각액공급라인과 상기 식각액탱크의 식각액을 상기 순환라인에 공급하기 위한 제 2 식각액공급라인과 상기 희석액탱크의 희석액을 상기 저장조로 정량공급하기 위한 정량공급펌프가 설치된 제 1 희석액공급라인과 상기 희석액탱크의 희석액을 상기 제 1 식각액공급라인에 공급하기 위한 제 2 희석액공급라인과 상기 저장조의 식각액을 외부로 방출시키기 위한 드레인라인을 구비하는 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법에 있어서,
    상기 저장조 내부에 세정공정이 완료된 웨이퍼가 잔류할 경우 상기 제 1 식각액공급라인과 제 1 희석액공급라인 상에 설치된 상기 정량공급펌프의 가동을 정지시키는 단계; 및
    상기 저장조 내부에 세정공정이 완료된 웨이퍼가 잔류할 경우 상기 희석액탱크에 저장된 상기 희석액을 상기 제 2 희석액공급라인, 제 2 식각액공급라인 및 세정액순환라인을 거쳐서 상기 저장조로 공급하는 단계:
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 세정장치의 구동방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 저장조 내부에 세정공정이 완료된 웨이퍼가 잔류할 경우 알람(Alarm)을 발생시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 세정장치의 구동방법.
KR1020000004834A 2000-02-01 2000-02-01 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법 KR20010077200A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000004834A KR20010077200A (ko) 2000-02-01 2000-02-01 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000004834A KR20010077200A (ko) 2000-02-01 2000-02-01 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010077200A true KR20010077200A (ko) 2001-08-17

Family

ID=19643319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000004834A KR20010077200A (ko) 2000-02-01 2000-02-01 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010077200A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI553888B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6168271B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6532974B2 (en) Process tank with pressurized mist generation
KR102006061B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2006017108A2 (en) System and method for pre-gate cleaning of substrates
JP4579138B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20090102640A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2007123393A (ja) 基板処理装置
JP2013207076A (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2002096030A (ja) ノズルを用いた処理装置
US20050271985A1 (en) Method, apparatus and system for rinsing substrate with pH-adjusted rinse solution
KR20010077200A (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치의 구동방법
JP2006024793A (ja) 薬液回収方法および基板処理装置
JP2000331982A (ja) エッチング装置
KR100780936B1 (ko) 화학용액 내에 포함된 기포를 제거하기 위한 기포제거장치및 이를 이용한 기포제거방법
KR20200144200A (ko) 기판 처리 장치
JPH0770507B2 (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP3615951B2 (ja) 基板洗浄方法
KR100368130B1 (ko) 반도체 세정 장치 및 이를 이용한 반도체 기판 세정 방법
JP3892670B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR20050003896A (ko) 반도체 제조 설비의 세정액 순환 장치
KR20040032200A (ko) 반도체 웨이퍼 세정 및 건조장치와 이를 이용한 세정 및건조방법
KR20230004266A (ko) 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
JP2000021839A (ja) ウエハ洗浄装置及びウエハの洗浄方法
KR19990039681A (ko) 반도체장치 제조용 습식식각설비

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination