KR20010075319A - 기계 전기적 트랜스듀서 - Google Patents

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KR20010075319A
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요한 요트너,헤르베르트 코네감프
만네스만 파우데오 아게
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Abstract

본 발명은 기계 전기적 트랜스듀서에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 전기 신호는 브리지 회로에 의해 발생되고, 브리지 신호의 생성은 휨 모멘트, 인장력 및 프레스력에 따라 확실히 저지된다. 상기 브리지 회로의 분기에 있는 적어도 하나의 후막 레지스터(2; 4)는 부하를 받는 부품(1)의 중립 단계(Z-축)에 대해 브리지 회로의 제 2 분기에 있는 마주놓인 후막 레지스터(3; 5)와 동일한 간격 및 양에 따른 동일한 각도를 갖는다.

Description

기계 전기적 트랜스듀서 {MECHANICAL-ELECTRICAL TRANSDUCER}
미공개 독일 특허 출원 제 198 14 261.7호에는 종류별 기계 전기적 트랜스듀서가 공지되어 있다. 상기 트랜스듀서에서 연신 감도 후막 레지스터는 캐리어 소자로서 형성된 샤프트의 바로 위에 배치된다. 여기서, 상기 샤프트는 기계적으로 비틀림 부하를 받음으로써, 표면 연장은 중간 캐리어없이 상기 샤프트 위에 배치된 레지스터에 의해 연결된다. 여기서, 상기 후막 레지스터는 인쇄법에서 레지스터 페이스트의 형태로 샤프트 위에 제공되고 열 처리 후에 상기 샤프트의 내부에 연결된다.
이러한 토크 센서는 바람직하게 비틀림 모멘트 만을 측정하고 휨 모멘트 및 인장력 및 프레스력을 보상해야만 한다. 즉, 휨 모멘트, 인장력 및 프레스력의 경우 브리지 회로에 전기 신호가 출력되어서는 안 된다. 브리지 회로의 후막 레지스터가 샤프트의 휨 모멘트용 중성 구역(휨 모멘트용 중성 섬유)의 외부에 배치될 경우, 휨 모멘트에서 센서 신호를 변조시키는 예상치 못한 브리지 신호가 생성될 위험이 있다.
본 발명은 후막 레지스터는 기계적으로 비틀림 부하를 받는 금속 부품의 바로 위에 배치되어, 부하를 받는 휨 모멘트용 중성 섬유의 연장 방향 외부로 뻗으며, 상기 부품의 비틀림시 후막 레지스터의 연장에 상응하는 전기 신호가 발생될 수 있도록 구성된, 도전 스트립에 의한 연신 감도 후막 레지스터의 전기 접속에 의해 형성된 브리지 회로를 갖는 기계 전기적 트랜스듀서에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 후막 토크 센서의 제 1 실시예,
도 2는 후막 레지스터의 단면도,
도 3은 브리지 회로의 전압 곡선,
도 4는 후막 토크 센서의 제 2 실시예,
도 5는 보상 회로,
도 6은 보상 레지스터를 갖는 토크 센서.
동일한 부분은 동일한 도면 부호로 표시된다.
본 발명의 목적은 전기 신호가 브리지 회로에 의해 발생되며, 브리지 신호의 생성이 휨 모멘트, 인장력 및 프레스력에 따라 확실히 방해되는 기계 전기적 트랜스듀서를 제공하는데 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 브리지 회로의 제 1 분기에 있는 적어도 하나의 후막 레지스터가 부하를 받는 부품의 중성 섬유에 대해 브리지 회로의 제 2 분기의 마주놓인 후막 레지스터와 동일한 간격 및 양에 따라 동일한 각도를 가짐으로써 달성된다.
본 발명은 휨 모멘트가 나타날 때 후막 레지스터가 저항값을 균일하게 변경시킴으로써, 측정 브리지에 대한 접속시 예상치 못한 신호가 보상된다는 장점을 갖는다. 이는 후막 레지스터의 휨 보상 배치에 의해 달성된다.
이에 대한 대안으로서, 상기 목적은 브리지 분기 내에 배치된 후막 레지스터가 부하를 받는 부품의 중성 섬유에 대한 동일한 간격 및 양에 따른 동일한 각도를 가짐으로써 달성된다.
한 실시예에서 부하를 받는 부품은 그 표면에 하나의 리세스를 가지며, 후막 레지스터를 갖는 부품 표면의 적어도 한 영역 내에서 상기 부품이 기계적 부하를 받을 때 세로 및 가로 연장부의 상이한 비율이 생성된다.
센서의 신호 특성은 리세스를 통해 샤프트 구조의 복잡한 변경없이 간단히 개선된다. 상기 방식의 센서는 적은 비용 및 시간으로 제조될 수 있기 때문에 대량 생산에 적합하다. 리세스에 의해 부품에서 시작된 기계적 응력이 중첩되며, 주 방향(세로, 가로)으로의 연장은 상이한 값을 가지기 때문에, 센서의 신호 특성이 증폭될 수 있다.
바람직하게 리세스는 부품의 관통구로서 형성된다.
한 개선예에서 개구는 장공으로서 형성되며, 브리지 분기의 제 1 후막 레지스터는 장공의 제 1 방사형 영역 가까이에 배치되고 제 2 브리지 분기의 제 1 후막 레지스터는 장공의 제 2 방사형 영역 가까이에 배치되며, 상이한 방사형 영역 내에 배치된 후막 레지스터 간의 브리지 분기의 신호 탭이 이루어진다.
이러한 접속에 의해, 브리지 분기에서 서로 마주놓인 양 후막 레지스터는 중성 섬유에 대한 동일한 간격을 가지고 양 브리지 분기의 반 브리지 응력은 휨 모멘트의 영향을 받으면서 동일하게 변경된다.
후막 레지스터의 휨 모멘트의 확실한 동일 변경은 방사형 영역에 있는 양 브리지 분기의 후막 레지스터가 부품의 상부 또는 하부에 배치될 경우 달성된다.
후막 레지스터가 강 또는 강 합금으로 제조된 부품의 평평하게 형성된 표면 위에 배치될 경우에 특히 간단하게 기계 전기적 트랜스듀서가 제조될 수 있다. 상기 후막 레지스터는 중간 캐리어를 생략하면서 기계적 부하를 받는 부품의 바로 위에 배치되기 때문에, 검출되는 기계적 부하는 상기 부품에 의해 직접 얻어지는데, 이때 중간 캐리어에 의한 신호 변조는 나타나지 않는다. 부하를 받는 부품의 바로위에 후막 레지스터를 제공하는 것은 제조 비용을 상당히 감소시킨다.
제조에 따른 오프셋(영점 변위)을 브리지 자체 내에서 최소화하기 위해, 각각의 브리지 분기에는 하나의 후막 보상 레지스터가 배치되며, 상기 레지스터의 저항값은 후막 레지스터의 저항값 보다 작다. 이렇게 획득된 브리지 회로의 출력 신호는 기계 전기적 트랜스듀서의 하부에 연결된 증폭기의 높은 증폭 펙터를 가능하게 한다. 동시에 측정 신호가 디지털화 될 경우에는, A/D 변환기에 의해서 신호의 분해도가 높게 나타날 수 있다.
브리지 분기의 후막 보상 레지스터는 부품의 중성 섬유에 대해 다른 브리지 분기의 후막 보상 레지스터와 동일한 간격 및 양에 따라 동일한 각도를 갖는다. 따라서, 보상 레지스터에서 상응하는 위치 설정에 의해 휨 모멘트의 보상이 달성된다.
바람직하게 저항 단계를 위한 후막 보상 레지스터는 병렬 접속된 저항 트랙으로 이루어지며, 상기 트랙은 보상시 순차적으로 분리된다.
상기와 같은 디지털 보상은 소정의 최소값의 오프셋이 유지되는 동안 이루어진다. 이러한 보상 방법에 의해 출력된 전기 신호의 장기 안정화가 보장된다.
스크린 인쇄시 스크린 지지면 및 힘의 분포를 균일하게 형성하기 위해, 스크린 인쇄법으로 제조될 브리지 회로는 대칭 레이아웃을 갖는다. 여기서, 후막 레지스터의 층 두께를 보상하기 위해, 인쇄될 모든 후막 레지스터를 위한 가능한한 동일한 저항값이 달성된다.
저항값의 인쇄 정확도를 개선시키기 위해, 엄격한 대칭 레이아웃은 스터브및/또는 리액턴스가 부품의 표면 위에 배치됨으로써 달성된다.
기계 전기적 트랜스듀서를 자동차 내의 조종 부스터(steering booster)와 같이 특히 안전 임계적으로 사용하기 위해, 리세스의 상부에는 제 1 브리지 회로가 배치되고 리세스 하부에는 제 2 브리지 회로가 배치된다.
본 발명은 수 많은 실시예를 갖는다. 그 중 한 실시예가 하기 도면에 의해 더 자세히 설명된다.
도 1에는 조종 부스터 시스템에서 사용되는 토크 센서가 도시된다. 강 또는 강 합금으로 이루어지고 정방형으로 형성된, 비틀림 부하를 받는 샤프트(1) 위에 저항 브리지가 배치되며, 상기 저항 브리지는 동일하게 형성된 연신 감도 후막 레지스터(2 내지 5)로 이루어진다. 상기 후막 레지스터(2 내지 5)는 도전 스트립(6 내지 10)에 의해 저항 측정 브리지에 전기 접속된다.
도 1의 평면도에서 나타나는 바와 같이, 샤프트(1)는 직각형 표면(10)을 가지며, 상기 샤프트(1)의 종측 연장부(z-방향)를 따라 중앙에 장공(11)이 형성되며, 상기 장공(11)은 상기 샤프트(1)를 완전히 관통한다. 상기 장공(11)은 그것의 단부에 방사형 영역(12 및 13)을 가지며, 상기 영역(12 및 13) 내에 도시된 중앙선(z)을 따라 샤프트(1) 위에 비틀림이 작용할 때 샤프트(1)의 표면(10)에 대한 상이한 양의 두 개의 주 연장부가 나타나며, 상기 연장부는 개별 후막 레지스터(2 내지 5)를 볼 때 세로 및 가로 연장부에 상응한다.
상기 장공(11)의 방사형 영역(12)에는 후막 레지스터(2, 3)가 배치되는 반면, 상기 장공(11)의 방사형 영역(13) 내에는 후막 레지스터(4, 5)가 배치된다. 도전 스트립의 레이아웃 가이드에 의해, 레지스터(2, 4)는 제 1 브리지 분기를 형성하는 반면, 레지스터(3, 5)는 제 2 브리지 분기를 형성한다. 여기서, 접지 라인(7)이 레지스터(3, 4)로 가이드되고 배전 전압(UB)(라인 6)은 레지스터(2, 5)에 접속된다. 샤프트(1)가 비틀림 부하를 받을 경우, 라인(7 또는 9)에서 저항 측정 브리지의 연장 신호가 발생된다.
저항 브리지는 전체 연장부에서 부품(1)의 바로 위에 놓인 유전체(14) 위에 배치된다. 연신 감도 레지스터의 단면은 도 2에 도시된다.
상기 유전체(14) 위에 도전 스트립층(15)이 존재한다. 상기 도전 스트립의 접속부 사이에는 전기 저항층이 배치되며, 상기 저항층은 와이어 스트레인 게이지(wire strain guage)로서 형성된 레지스터(2)를 형성한다.패시베이션층(16)은 차단을 형성하며, 상기 패시베이션층(16)은 단지 레지스터(2)의 전기 접촉을 위해 사용되는 콘택면(17)만을 노출시킬 수 있다.
상기 와이어 스트레인 게이지는 후막 공학에서 캐리어(1)의 바로 위에 제조된다.
부품(1)과 유전체(14)의 내부 연결을 제조하기 위해, 상기 유전체(14)는 스크린 인쇄법을 이용하여 비전도성 페이스트에 의해 샤프트(1) 위에 부가된다. 여기서, 상기 페이스트는 유리 프릿을 포함하며, 상기 유리 프릿은 샤프트(1)의 재료에서 보다 낮은 온도에서 용융될 수 있다. 페이스트가 제공된 후 마찬가지로 스크린 인쇄법에 의해 전도층이 부가되며, 상기 전도층은 도전 스트립 층(15) 및 콘택면(17)을 형성하며, 상기 콘택면(17) 위에 재차 저항을 형성하는 저항층이 배치된다. 이렇게 미리 준비된 샤프트(1)는 대략 750 내지 900℃의 온도에서 고온 프로세스에 의해 열처리된다. 여기서, 유리 코팅은 샤프트(1)의 강의 표면에 의해 소결된다. 이러한 소결시 유전체(2)와 샤프트(1) 사이에 산화 브리지가 형성되며, 상기 산화 브리지는 샤프트(1)와 유전체(14) 간의 견고한 연결을 보장함으로써, 둘 사이의 강한 내부 접속이 달성된다.
스크린 인쇄시 인쇄 정확도를 개선시키기 위해, 리액턴스(27) 및 스터브(28)가 레이아웃 내로 삽입됨으로써, 저항 공차는 와이어 스트레인 게이지의 제조시 작게 유지될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 레지스터 브리지는 샤프트축(z)에 대해 종축으로 장공(11)의 주변에 접속된다. 개별 레지스터(2 내지 5)는 중성 섬유에 대한 X- 및Y-축에 관련해서 쌍으로 위치 설정된다. 휨 모멘트에 대한 중성 섬유는 정방형 샤프트의 간단한 구조에 있어서 샤프트(1)의 중앙에서 종측 연장부(z)를 따라 연장된다. 상기 후막 레지스터(3, 4)는 각 지점에 있는 평평한 종축 연장부에 걸쳐 중성 섬유에 대한 거의 동일한 간격 및 동일한 각도를 갖는다. 사실 다른 위치에 배치되어 있지만, 위에 언급된 조건을 충족시키는 후막 레지스터(2, 5)에도 이와 똑같이 적용된다. 이러한 배치에 의해 후막 레지스터(2, 5 또는 3, 4)는 휨 모멘트시 동일하게 변경됨으로써, 휨의 결과로 인해 브리지 회로를 통해서는 어떤 신호도 수용되지 않게 된다.
도 3에는 신호 진행이 구체적으로 도시된다. 각각의 브리지 분기(2, 4 또는 3, 5)는 공급 전압(UB) 및 접지에 접속된다. 상기 브리지 분기의 후막 레지스터 사이에 접지의 맞은편에 반 브리지 전압(UH24,UH53)이 생성될 수 있다. 토크 센서의 출력 전압을 나타내는 측정 전압(Umess)은 양 반 브리지 전압 사이에서 얻어진다. 도 1에 의해 설명된 토크 센서의 형성에서 브리지 회로에서 마주놓인 레지스터(3과 4 또는 2와 5)는 각각 중성 섬유에 대해 수직으로 연장된 축에 대해 반사 대칭적으로 배치된다. 상기 레지스터(3과 4 또는 2와 5)는 각각 중성 섬유에 대한 동일한 간격 및 양에 따라 동일한 각도를 갖는다. 이에 따라, 샤프트(1)가 비틀림 부하를 받을 때 동일한 양 및 동일한 연산 부호를 갖는 반 브리지 전압(UH24및 UH53)이 변경될 수 있다. 측정 신호(Umess)는 양 반 브리지 전압(UH24및 UH53) 간의 전압차를 나타내기 때문에, 반 브리지 전압(UH24및 UH53)의 변경은 측정 신호(Umess)에 어떠한 영향도 끼치지 않는다.
브리지 전압의 레이아웃을 위한 다른 예가 도 4에 도시되어 있다. 여기서, 제 1 브리지 분기의 후막 레지스터(2, 4)는 장공(11)에 가깝게 위치 설정되어 있는 반면, 제 2 브리지 분기의 후막 레지스터(3, 5)는 장공에 대해 큰 간격을 두고 배치된다. 상당한 비용에 의해 라인 트랙(6, 7, 8, 9)에 대칭 배열이 구현된다.
도 3에 관련된 실시예의 전압 특성을 관찰해 볼 경우, 제 1 브리지 분기의 후막 레지스터(2, 4)는 양에 따라 중성 섬유에 대한 동일한 간격 및 동일한 각도를 갖는다. 제 2 브리지 분기의 후막 레지스터(3, 5)에도 동일하게 적용된다. 샤프트(1)가 이렇게 배치된 후막 레지스터(2, 3, 4, 5)에 의해 비틀림 부하를 받지 않고, 반 브리지 전압(UH24및 UH53)이 변경되지 않을 경우, 이러한 배치에서 측정 신호(Umess)는 비틀림에 의해 영향받지 않는다.
스크린 인쇄법에 의해 브리지 회로를 제조함에 따라 브리지 신호의 오프셋이 나타나며, 상기 브리지 신호는 특히 작은 신호에서 문제를 나타낸다. 왜냐하면, 상기 브리지 신호는 유효 신호의 대략 1000% 일 수 있고 따라서 하부에 접속된 전자 평가 장치(29)에 의해 적은 해상도를 나타내기 때문이다. 여기서, 신호 평가 회로(29)는 마찬가지로 샤프트(1)의 유전체(14) 위에 배치된다.
높은 증폭을 달성하기 위해, 후막 DMS 브리지의 제조에 따른 오프셋(영점 변위)은 브리지 내에서 레이저 트리밍된 보상 레지스터(18, 19)에 의해 최소화된다.도 5에 도시된 바와 같이, 각각의 브리지 분기에는 보상 레지스터(18, 19)가 후막 레지스터에 대해 직렬로 연결된다. 따라서, 제 1 브리지 분기에는 보상 레지스터(18)의 레지스터(2, 4)에 대해 직렬로, 그리고 제 2 브리지 분기에는 보상 레지스터(19)의 레지스터(3, 5)에 대해 직렬로 연결된다. 이는 후막 레지스터가 높은 저항값에 의해 측정 신호에 더 큰 영향을 미침으로써, 브리지의 장시간 안정화가 손상되기 때문에 후막 레지스터 자체가 트리밍되지 않는다는 장점을 갖는다. 상기 보상 레지스터(18, 19)는 후막 레지스터 보다 적은 저항값을 가지며, 상기 후막 레지스터는 레이저 트리밍에 따라 전체 브리지의 장시간 안정화에 영향을 끼칠 수 없다.
바람직한 실시예에서 보상 레지스터(18, 19)는 병렬 접속된 저항 트랙에 의해 평면 또는 스트립형으로 실행된다.
이러한 보상 레지스터(18, 19)에서 휨 모멘트의 보상을 보장하기 위해, 후막 레지스터(2 내지 5)와 같은 보상 레지스터는 샤프트(1)의 중심 구역(z-축)에 대해 동일한 간격 및 양에 따라 동일한 각도로 배치되고 접속된다. 이는 도 6에 도시된 바와 같이, 후막 레지스터(2, 3 또는 4, 5) 간의 보상 레지스터(18, 19)는 보어(20)로서 형성된 리세스 주변에 배치된다.
안전 임계적으로 사용되는 토크 센서를 형성하기 위해, 레지스터(2 내지 5)로 이루어지는, 개구(20) 위에 배치된 측정 브리지 이외에도 동일하게 형성된 제 2 측정 브리지가 보어(20)의 하부에 배치되며, 상기 보어(20)는 레지스터(21 내지 24)를 가지며 휨용 중성 섬유에 대해 전술된 레지스터 측정 브리지와 동일한 조건을 충족시킨다.

Claims (13)

  1. 후막 레지스터가 기계적으로 비틀림 부하를 받는 금속 부품의 바로 위에 배치되어, 상기 금속 부품의 휨 모멘트용 중성 섬유의 연장 방향 외부로 뻗으며, 상기 부품의 비틀림시 후막 레지스터의 연장에 상응하는 전기 신호가 발생될 수 있도록 구성된,
    도전 스트립에 의한 연신에 민감한 후막 레지스터의 전기 접속에 의해 형성된 브리지 회로를 갖는 기계 전기적 트랜스듀서에 있어서,
    브리지 회로의 분기에 있는 적어도 하나의 후막 레지스터(2; 4)가 상기 브리지 회로의 제 2 분기에 있는 마주 놓인 후막 레지스터(3; 5)와 부하를 받는 부품(1)의 중성 섬유(z-축)에 대해 동일한 간격 및 양에 따라 동일한 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  2. 후막 레지스터가 기계적으로 비틀림 부하를 받는 금속 부품의 바로 위에 배치되어, 상기 금속 부품의 휨 모멘트용 중성 섬유의 연장 방향 외부로 뻗으며, 상기 부품의 비틀림시 후막 레지스터의 연장에 상응하는 전기 신호가 발생될 수 있도록 구성된,
    도전 스트립에 의한 연신 감도 후막 레지스터의 전기 접속에 의해 형성된 브리지 회로를 갖는 기계 전기적 트랜스듀서에 있어서,
    상기 브리지 분기에 배치된 후막 레지스터(2, 4; 5, 3)가 중성 섬유(z-축)에대한 동일한 간격 및 양에 따라 동일한 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  3. 제 1항 또는 2항에 있어서,
    상기 부하를 받는 부품(1)의 표면 위에 하나의 리세스(11)가 제공되며, 상기 리세스(11)는 상기 후막 레지스터(2, 3, 4, 5)를 갖는 부품 표면의 적어도 하나의 영역(12, 13)에서 상기 부품(1)이 기계적 부하를 받을 때 세로 및 가로 연장부의 양에 따른 상이한 비율을 생성하는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 리세스(11)가 상기 부품(1)의 관통구로서 형성되는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 개구(11)가 장공으로 형성되며, 상기 브리지 분기(3, 5)의 제 1 후막 레지스터(3)는 상기 장공(11)의 제 1 방사형 영역(12)의 가까이에 배치되고 상기 브리지 분기(3, 5)의 제 2 후막 레지스터(5)는 상기 장공(11)의 제 2 방사형 영역(13)의 가까이에 배치되며, 상기 상이한 방사형 영역(12, 13) 내에 배치된 후막 레지스터(3, 5) 간의 브리지(2, 4; 3, 5)의 신호 탭이 이루어지는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 방사형 영역(12, 13)에 있는 양 브리지 분기(2, 4; 3, 5)의 후막 레지스터(2, 3, 4, 5)는 상기 장공(11)의 상부 또는 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 후막 레지스터(2, 3, 4, 5)는 강 또는 강 합금으로 제조된 부품(1)의 평평하게 형성된 표면 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  8. 제 1항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 브리지 분기(2, 5; 3, 4) 내에 후막 보상 레지스터(18, 19)가 배치되며, 상기 레지스터(18, 19)의 저항값은 후막 레지스터(2, 3, 4, 5)의 저항값 보다 작은 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 양 브리지 분기(2, 4; 3, 5)의 후막 보상 레지스터(18, 19)는 상기 부품(1)의 중성 섬유(z-축)에 대한 동일한 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  10. 제 8항 또는 9항에 있어서,
    상기 후막 보상 레지스터(18, 19)는 저항 단계를 위해 병렬 접속된 저항 트랙으로 이루어지며, 상기 저항 트랙이 보상시 순차적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  11. 제 8항, 9항 또는 10항에 있어서,
    상기 브리지 회로(2, 4; 3, 5)는 스크린 인쇄법으로 제조하기 위해 대칭 레이아웃을 갖는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 대칭 레이아웃이 스터브(28) 및/또는 리액턴스(27)의 배열에 의해 구현되는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
  13. 제 1항 내지 12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 브리지 회로(2, 4; 3, 5)는 상기 리세스(20) 상부에, 제 2 브리지 회로(21, 26; 22, 24)는 상기 리세스(20) 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 기계 전기적 트랜스듀서.
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