KR20010071818A - 다위치 로드록 챔버 - Google Patents

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KR20010071818A
KR20010071818A KR1020017000385A KR20017000385A KR20010071818A KR 20010071818 A KR20010071818 A KR 20010071818A KR 1020017000385 A KR1020017000385 A KR 1020017000385A KR 20017000385 A KR20017000385 A KR 20017000385A KR 20010071818 A KR20010071818 A KR 20010071818A
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transfer
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KR1020017000385A
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아이보 라아이즈마커스
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러셀 엔. 페어뱅크스, 쥬니어
에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드
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Abstract

반도체 장비 제조용 장치는 반도체 웨이퍼가 공정 처리되는 공정 챔버(20)를 포함한다. 이송 모듈(50)에는 제1 위치와 제2 위치가 있다. 제1 위치는 카세트(65, 66)로의 그리고 카세트로부터의 이송을 용이하게 해주고, 제2 위치는 공정 챔버(20)로의 그리고 공정 챔버(20)로부터의 이송을 용이하게 해준다. 이송 모듈(50)은 제1 위치와 제2 위치에 있는 웨이퍼들을 동시에 이송하기 위한 이송 아암(26)과 메커니즘(70)을 포함한다.

Description

다위치 로드록 챔버{Multi-position load lock chamber}
도1은 반도체 제조장비(에피택셜 리액터(10))의 일부에 대한 사시도이다. 에피택셜 리액터(10)는 웨이퍼 핸들링 챔버(16), 로드록(14, 15) 및 절연 게이트 밸브(18)에 의해 로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)와 이격되는 공정 챔버(20)로 분할된다.
동작 시에 반도체 웨이퍼(미도시)의 카세트는 로드록 포탈(32, 34)을 통해 로드록(14, 15)에 놓인다. 웨이퍼 카세트를 로드록(14, 15)에 로딩한 후에 로드록 포탈(32, 34)은 폐쇄되어, 웨이퍼를 주변 대기와 절연시킨다. 로드록은 로드록 포탈(32, 34)이 웨이퍼 카세트를 수용하기 위해 개방되는 동안에 뜻하지 않게 들어갈 수 있는 바람직하지 못한 산소, 습기 및 입자를 제거하는 퍼지가스에 의해 퍼지된다.
퍼지를 완료한 후에 로드록(14, 15)은 승강기(미도시)에 있는 카세트를 내려놓음에 의해 웨이퍼 핸들링 챔버로 개방되어 기밀 시일(seal)을 깨트린다. 그리고 나서는 웨이퍼가, 예를 들면 베르누이 완드 엔드 이펙터(36)를 갖는 이송 아암(29)에 의해 카세트에서 공정 챔버(20)로 연속 이송된다.
로드록(14, 15)과 웨이퍼 핸들링 챔버(16)를 퍼징한 후에 절연 밸브(18)가 개방된다. 이송 아암(29)은 웨이퍼 공정을 위하여 웨이퍼를 로드록(14 또는 15)으로부터 공정 챔버(20)로 이동하는데 이용된다. 저 흡입(ingestion) 베르누이 완드(36)를 포함하는 이송 아암(29)은 웨이퍼 핸들링 챔버(16) 내에 있다. 작동 시에 베르누이 완드(36)는, 로드록(14, 15) 중의 하나에 있는 카세트에서 한번에 하나씩 반도체 웨이퍼를 픽업한다. 각 웨이퍼는 그 후 개방된 절연 게이트 밸브(18)를 통해 공정 챔버(20) 내의 서셉터(38)로 이송된다.
웨이퍼의 공정이 완료된 후에는 절연 게이트 밸브(18)가 개방되며, 베르누이 완드(36)는 웨이퍼를 픽업하여 그 웨이퍼를 처음 회수하였던 동일 카세트 내의 슬롯으로 복귀시킨다.
상기 시스템이 매우 성공적이긴 하지만 반도체 제조업자들은 그들 장비의 처리량을 늘리고자 하는 욕구가 항상 있었다. 그러나 공장 공간은 프리미엄이 붙어서 공정 장비를 위한 공장 플로어 공간이 최소로 유지되어야 한다. 부가적으로 반도체 제조업자들은 공정 장비의 처리량이나 공장 플로어에 있는 장비의 풋프린트에 영향을 미치지 않고 반도체 웨이퍼에 관한 선처리 및 후처리 동작을 수행하는 것이 바람직하다고 생각한다.
[발명의 요약]
반도체 장비 제조용 장치에는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 공정 챔버가 있다. 이송 챔버는 적어도 두 개의 위치를 갖는다. 첫 번째 위치는 처리될 웨이퍼를 공정 챔버로 이송하는 것을 용이하게 해주며, 처리된 웨이퍼를 이송 챔버에서 웨이퍼가 향해야 하는 위치로 이송하는 것을 용이하게 해준다. 두 번째 위치는 웨이퍼를 공정 챔버로 그리고 공정 챔버로부터 이송하는 것을 용이하게 해준다. 트랜스퍼 아암은 미처리된 웨이퍼를 동시에 제1 위치에서 제2 위치로 그리고 제2 위치에서 제1 위치로 이송한다.
다른 실시예에서는 종래 기술의 장치보다 반도체 장치의 처리량을 증가시킬 수 있는 웨이퍼 다위치가 확인되어 있다. 공정에 앞서, 각 위치에서는 웨이퍼 세척, 가스 처리, 특정 및 심지어 공정 단계 등이 실행되는 선처리 동작이 있을 수 있다. 마찬가지로 웨이퍼 공정 이후의 웨이퍼 위치에서, 공정 단계의 결과를 측정하고, 카세트로 복귀시키기 전에 웨이퍼가 냉각되게 하거나 심지어 부가적인 공정 단계 등이 실시될 수 있는 다른 후처리 절차가 이행될 수 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 공정의 분야에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 웨이퍼 공정에 이용되는 다위치 로드록 챔버에 관한 것이다.
본 발명은 첨부하는 명세서와 연계하여 다음의 도면에 대한 언급으로 더 쉽게 이해될 것이다.
도1(선행기술)은 종래 기술의 반도체 공정 시스템의 사시도,
도2는 본 발명에 따라 구성된 처리 수단의 블록형 대표도,
도3은 본 발명에 따른 로드록 챔버의 평면 블록도,
도4는 웨이퍼 핀의 기하학적 위치를 도시하는 웨이퍼 위치판의 평면도,
도5는 단면선 V-V에 도시된 웨이퍼 핸들러, 리프트 핑거 및 웨이퍼 위치의 단면도,
도6, 8a, 8b와 9는 이송 모듈의 다른 스테이션을 통한 웨이퍼 회전을 도시하는 이송 모듈의 평면도,
도7a 내지 7d는 게이트 밸브를 통한 웨이퍼 이송을 도시하는 타이밍에 대한 다이아그램,
도10a 내지 10c는 여섯 개의 웨이퍼를 공정 처리할 때의 회전 로드록(50)의 작동을 도시하는 타이밍에 대한 다이아그램,
도11은 본 발명에 이용된 이송 챔버의 변형 실시예의 평면도,
도12는 단면 12-12에서 본 도11의 이송 챔버의 단면도, 및
도13은 본 발명에 이용된 웨이퍼 홀더의 사시도이다.
[바람직한 실시예의 상세한 설명]
이제 도면을 참조하면, 도2는 본 발명에 따라 구성된 공정장치(100)의 블록도이다. 도2에 도시된 바와 같이, 공정장치(100)는 공정 챔버(20), 웨이퍼 핸들링 모듈(50), 카세트 로드록 이송 모듈(30), 및 카세트 배치 모듈(12)을 포함한다. 카세트 배치 모듈(12)은 오퍼레이터나 기계장치가 공정을 위해 카세트(65, 66)를 배치하고 모든 웨이퍼의 공정을 완료했을 때 카세트(65, 66)를 회수하는 곳이다. 이송 모듈(30)을 로드록하기 위한 카세트는 종래 기술에 알려진 것처럼 엔드 이펙터가 있는 기계 팔(26)을 포함하며, 카세트(65 또는 66)에서 웨이퍼를 회수하여 회수된 웨이퍼를 로드록(60)에 놓기 위해, 그리고 공정 후에 로드록(60)으로부터 웨이퍼를 회수하고 그것을 처음에 웨이퍼를 회수하였던 카세트(65 또는 66)에 있는 원래의 슬롯으로 이송하기 위해 조절된다. 기계 팔(26)은 세 개의 좌표 전부에서이동할 수 있어야 하며, 카세트(65, 66)는 기계 팔이 웨이퍼를 회수하여 개별 카세트 내의 위치로 복귀시킬 수 있도록 적절한 높이 및/또는 방향으로 조절될 수 있어야 한다.
공정 챔버(20)는 게이트 밸브(62)에 의해 웨이퍼 핸들링 모듈(50)과 이격해 있다. 게이트 밸브(62)를 통해 웨이퍼를 이송시키는데 이용되는 메커니즘(70)은 (본 명세서에서 참조하는 미국특허 제5,080,549호 및 제5,324,115호에 개시된 장치와 같은) 베르누이 완드이다. 메커니즘(70)은 웨이퍼를 웨이퍼 핸들링 모듈(50)과 공정 챔버(20) 사이, 특히 공정 챔버(20) 내의 서셉터로 이송시킨다.
도2 내지 도5에 가장 잘 도시된 바와 같이, 웨이퍼 핸들러 모듈(50)은, 게이트 밸브 액츄에이터에 의해 개폐되는 게이트 밸브(61)를 갖는 로드록(60)을 포함한다. 웨이퍼 핸들러 모듈(50)은 로드록 스테이션(90), 선처리 스테이션(92), 완드 스테이션(94)과 후처리 스테이션(96)을 비롯한 네 개의 스테이션을 포함한다. 선처리 스테이션(92) 내의 웨이퍼는 종래 기술에서 알려진 기술을 이용하여 미리 측정되고 미리 세척될 수 있다. 마찬가지로, 후처리 스테이션 내의 웨이퍼는 공정 처리 후 냉각될 수 있고, 공정 챔버가 에피택셜 성장 챔버이고 종래 기술에 알려진 기술을 이용하여 측정될 수 있다면 에피택셜 성장층의 두께를 측정하는 식으로 사후 측정이 이행될 수 있다.
로드록(60)은 기계 팔(26)을 위해 웨이퍼 핸들링 모듈(50)에 대한 액세스를 제공하여, 웨이퍼가 카세트(65, 66)와 같은 소스와 로드록 스테이션(90) 사이로 이송될 수 있게 한다. 네 개의 스테이션 사이의 정지 위치(86)에 도시된 웨이퍼 핸들러(80)는 웨이퍼를 나르기 위한 아암(82)과 엔드 이펙터(84a, 84b, 84c, 84d)를 포함한다. 웨이퍼 핸들러(80)는, 각각의 위치(90, 92, 94, 96)에서 적절한 방향을 향하고 있을 때 웨이퍼 핸들러(80)의 엔드 이펙터(84a 내지 84d)가 로드록 스테이션(90), 선처리 스테이션(92), 완드 스테이션(94)과 후처리 스테이션(96) 위에서 선택적으로 중심을 잡는 식으로, 웨이퍼 스테이션(90, 92, 94, 96) 사이를 회전한다. 정지 시에 웨이퍼 핸들러의 아암(82)은 도3에 도시된 것처럼 스테이션 사이의 중심에 위치한다. 로드록 스테이션(90), 선처리 스테이션(92), 완드 스테이션(94)과 후처리 스테이션(96)은 처리될 웨이퍼와 대략 같은 크기의 베이스판(21)과, 연관된 스테이션에서 웨이퍼를 지지하는 세 개의 웨이퍼 지지핀(91, 93, 95)을 포함한다. 핀의 높이와 방향은, 웨이퍼 핸들러(80)가 낮은 위치에 있고 시계 반대 방향으로 회전할 때 아암(82)의 엔드 이펙터 (84a 내지 84d)가 핀에 위치된 웨이퍼 아래로 배치되는 것을 용이하게 해준다. 핀의 기하학적 방향은 도4에 도시되어 있는데, 핀(95)은 베이스핀이고 핀(93)은 핀(95)으로부터 시계 반대 방향으로 105°이고, 핀(91)은 핀(95)로부터 시계 반대 방향으로 210°이다.
핀(91, 93, 95)은 동일 높이를 가지고 베이스판에 고정되었지만, 종래 기술에 알려진 것처럼 웨이퍼 공정장비에서 이동 가능하고 인출 가능한 핀이다.
웨이퍼 핸들러(80)는 액츄에이터(74)의 제어 하에 회전하고 리프트 액츄에이터(76)에 의해 승강하는데, 모두 웨이퍼 핸들러 모듈(50) 아래에 위치한다. 로드록(60)은 로드록 스테이션(90) 위에 장착된다. 승강기(37)는 로드록(60)과 웨이퍼 핸들러 모듈(50) 사이에서 플레이트(21)를 승강시킨다. 플레이트(21)가 라인(35)과 나란할 때 핀(91, 93, 95)의 상부는 게이트 밸브(61) 내에 위치하여 기계 팔(26)로부터 웨이퍼를 수령한다. 낮은 위치는 로드록 스테이션(90)의 플레이트(21)가 승강 라인(41)과 나란할 때이다.
플레이트(21)의 가장자리(39)는 승강기가 상승 위치에 있을 때, 즉 플레이트가 라인(35)과 나란할 때 로드록 챔버(60)와 기밀 시일을 형성하도록 디자인된다. 상승 위치에 있고 게이트 밸브(61)가 폐쇄될 때 로드록 챔버(60)는 퍼지 가스로 퍼지될 수 있다. 로드록의 퍼징은 종래 기술에 알려져 있다.
비슷하게 게이트 밸브(62)는 완드 스테이션(94) 위에 위치한다. 승강기(23)는, 엔드 이펙터 메카니즘(70)에 의해 회수되도록 웨이퍼의 포지셔닝을 위하여 레벨(41)에서 레벨(27)로 웨이퍼를 이동시킨다. 엔드 이펙터(70)가 표준 패들형 엔드 이펙터이긴 하지만 베르누이 완드 구성을 이용하는 것이 바람직하다. 도시된 실시예에서, 승강기(23, 37)와 액츄에이터(74, 76)는 공압장치이다.
회전 로드록의 동작은 각 장치의 포지셔닝을 도시하는 도7과 도10과 연계하여 그들 장치를 도시하는 도2 내지 도6, 도8a, 도8b, 도9 및 도11 내지 도13을 참조하면 더 잘 이해할 수 있다. 도6에서 웨이퍼 핸들러(80)는 정지 위치에 있고, 웨이퍼(W1)는 공정 모듈(20) 내에서 공정 처리되고, 웨이퍼(W2)는 위치(92)에서 공정을 대기하고 있고, 웨이퍼(W3)는 로드록(60)에서 퍼지되고 있다. 승강기(37)는 로드록(60)으로 상승하고 승강기(23)는 게이트 밸브(62)로 상승한다. 승강기(37)가 상승 위치에 있고 게이트 밸브(61)가 폐쇄되어 있는 동안에, 로드록(60)은 웨이퍼(W1)의 공정 처리와 동시에 퍼지가스로 퍼지된다.
웨이퍼(W1)의 공정이 완료된 후에, 엔드 이펙터 메커니즘(70)은 웨이퍼(W1)를 공정 모듈(20)로부터, 게이트 밸브(62)로 상승해 있는 완드 스테이션(94)에 위치한 플레이트(21)의 핀(91, 93, 95) 위로 이송시킨다. 그리고 나서 승강기(23)는 위치(41)로 하강한다. 로드록(60)의 퍼지 후에, 승강기(37)는 위치(41)로 하강한다. 상기 작동을 위한 시간은 도7a 내지 도7d에 제공되어 있다.
특히 도2와 도5 그리고 도7a에 도시된 타이밍 다이아그램을 참조하면, 웨이퍼를 카세트로부터 로드록 스테이션(90)으로 이송하는 것이 도시되어 있다. 제1 주기 동안에, 기계 팔(26)은 카세트(66 또는 65)에서 웨이퍼를 회수하고 게이트 밸브(61)가 개방된다. 웨이퍼를 회수한 다음에 기계 팔(26)은 제2 주기 동안에 웨이퍼를 로드록 스테이션(90) 위에 놓는다. 기계 팔(26)이 분리된 후에 게이트 밸브(61)는 제3 주기 동안에 폐쇄되고, 그 다음에 로드록(60)이 퍼지된다. 제5 주기 동안에 승강기(37)는 하강하여 위치(41)와 나란해 진다.
도7b는 처리된 웨이퍼를 기계 팔(26)에 의해 로드록 스테이션(90)으로부터 회수하는 것을 도시하고, 제1 주기에서 승강기(37)는 웨이퍼를 위치(35)로 상승시킨다. 그리고 나서 이 위치에서 로드록(60)은 퍼지되고, 그 다음에 제3 주기 동안에 게이트 밸브(61)가 개방된다. 기계 팔(26)은 핀으로부터 웨이퍼를 회수하고, 그 웨이퍼를 제5 주기 동안에 카세트(65 또는 66)에 놓는다. 웨이퍼의 배치와 동시에 게이트 밸브(61)가 폐쇄된다.
도7c는 완드 스테이션(94)의 동작의 순서를 도시한다. 제1 주기 동안에 엔드 이펙터 메커니즘(36)은 완드 스테이션(94)으로부터 웨이퍼를 회수할 수 있는 위치에 있다. 완드 스테이션은 위치(51)로 표시된 게이트 밸브(62)로 상승한다. 엔드 이펙터 메커니즘(36)은 웨이퍼를 완드 스테이션(94)으로부터 들어올리고, 그 다음에 완드 스테이션(94)은 제4 주기 동안에 하강한다. 제5 주기에서 완드 이펙터 메커니즘(36)과 웨이퍼는 공정 챔버(20)로 들어가는 위치에 있다. 게이트 밸브는 제6 주기에서 개방되고, 웨이퍼는 공정 챔버(20) 내의 서셉터 상에 배치되고 엔드 이펙터 메커니즘(36)은 공정 챔버(20)를 떠나고, 그 후 게이트 밸브(62)가 제8 주기 동안에 폐쇄된다. 도7d는 처리된 웨이퍼가 공정 챔버(20)에서 분리되는 것을 보여주는데, 제1 주기에서는 게이트 밸브(62)가 개방되고 제2 주기 동안에 엔드 이펙터 메커니즘(36)은 웨이퍼를 회수한다. 웨이퍼와 엔드 이펙터 메커니즘은 제4 주기 동안에 완드 스테이션(94) 위에 위치한다. 완드 스테이션(94)은 제4 주기에서 상승하고, 제5 주기에서 엔드 이펙터 메커니즘(36)은 웨이퍼를 완드 스테이션(94) 위에 배치한 후 분리되고, 그 후에 게이트 밸브가 폐쇄되며, 제6 주기 동안에 완드 스테이션(94)은 라인(41)으로 하강한다.
도8a에서 웨이퍼 핸들러(80)는 시계 반대 방향으로 45°회전되어 엔드 이펙터(84a)가 웨이퍼(W3) 아래에 위치하고, 엔드 이펙터(84b)는 웨이퍼(W2) 아래에 위치하고, 엔드 이펙터(84c)는 처리된 웨이퍼(W1) 아래에 위치하고, 엔드 이펙터(84d)는 후처리 스테이션(96)에 위치한다. 이 시점에서 리프트 액츄에이터(76)는 웨이퍼 핸들러(80)를 도5에서 점선(51)으로 도시된 것처럼 핀(91, 93, 95)의 레벨 위로 올리고, 도9에 도시된 것처럼 시계 반대 방향으로 90°회전시킨다.
도8b에서, 웨이퍼 핸들러(80)는 리프트 액츄에이터(76)에 의해 낮아져, 선처리 스테이션(92)에 위치한 핀(91, 93, 95)에 웨이퍼(W3)를 올려놓는다. 웨이퍼 핸들러는 그리고 나서 도3에 도시된 것처럼 정지 위치로 회전된다. 선처리 스테이션(92)에서 웨이퍼(W3)를 측정할 수 있는 동안에, 웨이퍼(W3)에 대한 선처리 세척을 이행하거나 또는 도11에서 도시된 바와 같이 초기 선처리 단계가 완료될 수도 있다. 웨이퍼(W2)는, 웨이퍼(W1)가 후처리 스테이션(96)에 있는 동안에 완드 스테이션(94)에서 핀(91, 93, 95)에 놓여있다. 웨이퍼(W2)는 도7c에 제시된 바와 같이 들어올려wu 공정 챔버(20)에 배치되기를 대기하고 있다. 후처리 스테이션(96)에서 웨이퍼(W1)는 냉각될 수 있다. 부가적으로 후처리 스테이션(95)에서는, 웨이퍼(W1)가 선처리 단계를 거치는 동안에 웨이퍼(W1)의 상부에 형성된 에피택셜층의 두께를 측정할 수 있으며, 또는 도11에서 도시된 것처럼 다른 공정이 후처리 스테이션(96)에서 완료될 수도 있다.
도9에서 승강기(23)가 웨이퍼(W2)를 게이트 밸브(62)로 올려보내면 엔드 이펙터(70)는 그것을 회수하여 공정 챔버(20)에 그 웨이퍼(W2)를 배치한다. 마찬가지로 승강기(37)는 로드록(60)으로 올라가 기계 팔(26)이 카세트(65, 66) 중 하나로부터 웨이퍼(W4)를 회수하여 그것을 로드록에 배치한다.
이러한 공정은 웨이퍼 전부가 공정 처리될 때까지 계속 반복한다.
도10a 내지 도10c는 여섯 개의 웨이퍼에 대한 시리즈 공정을 위한 타이밍에 대한 다이아그램으로, 도2 내지 도6, 도8a, 도8b, 도9와 도11 내지 도13과 연계하여 이용되어야 한다. 도10a를 참조하면 제1 주기에서 웨이퍼(W1)는 카세트 배치모듈(12) 내에 위치한 카세트(65 또는 66)로부터 회수된다. 기계 팔(26)은 웨이퍼(W1)를 로드록 스테이션(90)으로 이송한다. 회전 로드록(50)은 그 후 제2 주기 동안에 인덱스되거나(index) 또는 회전한다.
제3 주기에서 웨이퍼(W1)는 회전 로드록(50)의 인덱스 때문에 선처리 스테이션(92)으로 이송되며, 새로운 웨이퍼(W2)가 기계 팔(26)에 의해 카세트 배치 모듈(12)로부터 로드록 스테이션(90)으로 이송된다. 제4 주기에서 회전 로드록(50)은 한번 더 인덱스되며, 웨이퍼(W1)는 완드 스테이션(94)으로, 웨이퍼(W2)는 선처리 스테이션(92)으로 이송된다. 다음에 웨이퍼(W1)는 제5 주기에서 엔드 이펙터에 의해 공정 챔버로 이송된다.
웨이퍼(W1)가 제6 주기 동안에 처리되고 있는 동안에 새로운 웨이퍼(W3)가 기계 팔(26)에 의해 로드록 스테이션(90)으로 이송된다. 공정 처리 후에 제7 주기에서 웨이퍼(W1)는 엔드 이펙터에 의해 공정 챔버(20)에서 완드 스테이션(94)으로 이송된다. 회전 로드록은 이제 제8 주기에서 그리고 제9 주기에서 인덱스될 준비가 되어있다. 그러므로 웨이퍼(W2)는 엔드 이펙터에 의해 완드 스테이션(94)에서 공정 챔버(20)로 이송된다. 이제 웨이퍼(W1)는 서로 다른 후처리 절차가 이행되거나 또는 웨이퍼가 그저 냉각되도록 허용되는 후처리 공정 스테이션(96)에 있고, 웨이퍼(W3)는 선처리 스테이션(92)에 위치한다. 이제 로드록 스테이션(90)은 제10 주기 동안에 발생하는 다른 웨이퍼를 자유로이 수령하고, 기계 팔은 웨이퍼(W4)를 카세트 배치 모듈(12)에 있는 카세트로부터 회수하여 그것을 로드록 스테이션(90)에 로딩한다.
제11 주기에서 웨이퍼(W2)는 완드 스테이션(94)으로 이송되고, 회전 로드록은 이제 인덱스될 준비가 되는데, 그것은 제12 주기에서 행해진다. 제12 주기에서 웨이퍼(W3)는 이제 완드 스테이션(94)에 있고 제13 주기 동안에 엔드 이펙터에 의해 공정 챔버(20) 내로 이송된다. 제14 주기 동안에, 웨이퍼(W1)는 로드록 스테이션(90)에 위치하고 기계 팔(26)에 의해 회수되어 카세트 배치 모듈(12) 내의 카세트에 배치될 수 있다. 그러므로 비어있는 로드록 스테이션(90)은 제15 주기 동안에 또 다른 웨이퍼를 수용할 준비가 되는데, 이 경우에 기계 팔(26)은 웨이퍼(W5)를 카세트 배치 모듈(12)에 있는 카세트로부터 로드록 스테이션(90)으로 이송한다. 제16 주기에서 웨이퍼(W3)는 베르누이 완드(36)에 의해 공정 챔버(20)로부터 다시 완드 스테이션(94)으로 이송된다.
회전 로드록(50)은 이제 인덱스될 준비가 되는데, 그것은 제17 주기 동안에 행해진다. 제18 주기에서 웨이퍼(W4)는 이제 완드 스테이션(94)에 있고 엔드 이펙터(36)에 의해 공정 챔버(20)로 이송될 수 있다. 마찬가지로 공정 처리된 웨이퍼(W2)는 이제 로드록 스테이션(90)에 있고, 제19 주기 동안에 회수되어 기계 팔(26)에 의해 카세트 모듈(12) 내의 카세트 내에 배치될 수 있다. 카세트 배치 모듈(12) 내의 카세트 내에 웨이퍼(W2)의 배치는, 카세트 배치 모듈(12)로부터 새로운 웨이퍼(W6)의 수용을 위해 로드록 스테이션(90)을 자유롭게 하며, 기계 팔은 제20 주기 동안에 그것을 회수하여 로드록 스테이션(90) 내에 배치시킨다.
제21 주기에서 이제는 웨이퍼(W4)의 공정이 완료되고, 엔드 이펙터(36)는 공정 처리된 웨이퍼(W4)를 회수하여 그것을 완드 스테이션(94) 내에 배치한다. 회전로드록(50)은 제22 주기 동안에 인덱스된다.
도10c는 여섯 개의 반도체 웨이퍼 공정 사이클을 완료하기 위한 최종 순서를 제공한다. 제23 주기 동안에는 웨이퍼(W5)가 엔드 이펙터(36)에 의해 완드 스테이션에서 공정 챔버(20)로 이송된다. 제24 주기에서 로드록 스테이션(90)에 있는 웨이퍼(W3)는 기계 팔(26)에 의해 카세트 배치 모듈(12)로 이송된다. 웨이퍼(W5)를 공정 처리한 다음에 웨이퍼(W5)는 제25 주기 동안에 엔드 이펙터(36)에 의해 공정 챔버(20)로부터 완드 스테이션(94)으로 이송된다.
회전 로드록(50)은 제26 주기 동안에 인덱스되어, 웨이퍼(W4)를 로드록 스테이션(90)에 배치하고, 웨이퍼(W6)를 완드 스테이션(90)에 배치하고, 웨이퍼(W5)를 후처리 스테이션(96)에 배치한다. 제27 주기 동안에 웨이퍼(W6)는 엔드 이펙터(36)에 의해 공정 챔버(20)로 이송된다. 제28 주기 동안에 웨이퍼 (W4)는 기계 팔(26)에 의해 로드록 스테이션(90)으로부터 카세트 배치 모듈(12)로 이송된다. 제29 주기에서 웨이퍼(W6)의 공정이 완료되고, 엔드 이펙터(36)는 웨이퍼(W6)를 회수하여 그것을 완드 스테이션(94)에 배치한다.
회전 로드록(90)은 제13 주기 동안에 인덱스하고, 제31 주기에서 웨이퍼(W5)는 로드록 스테이션(90)으로 들어가고, 거기에서 기계 팔(26)에 의해 카세트 배치 모듈(12) 내의 카세트로 이송된다.
회전 로드록(50)은 그리고 나서 제32 주기에서 인덱스하고, 웨이퍼(W6)를 로드록 스테이션(90)에 배치한다. 이는 기계 팔(26)이 웨이퍼(W6)를 회수하여 그것을 카세트 배치 모듈(12) 내의 카세트에 배치하는 것을 용이하게 해준다. 그러므로 모든 웨이퍼는 카세트에서 회수되어 퍼지, 선처리, 공정 처리 ?? 후처리되어 원래의 카세트 슬롯으로 다시 되돌아갔다.
여섯 개 이상의 카세트에 대해서, 제15 내지 제19 주기의 단계가 이행되어야 하는 것은 분명하다. 제15 내지 제19 주기의 단계의 반복 사이클마다 모든 웨이퍼 번호가 1씩 증가한다. 도11에서는 로드록 스테이션(90), 선처리 스테이션(92)과 완드 스테이션(94)의 세 개 스테이션을 포함하는 웨이퍼 이송 챔버(50)의 평면도가 도시되어 있다. 도12에서 볼 수 있는 것처럼, 로드록(60)은 로드록 스테이션(90)과 연관된 승강기 리프트 메커니즘(37)을 갖는 로드록 스테이션(90) 위에 위치한다. 마찬가지로 선처리 스테이션(92)은 게이트 밸브(62a)를 포함한다. 게이트 밸브(62a)와 연관된 것은 승강기 메커니즘(22a)이다. 부가적으로 완드 스테이션(94)은 승강기(23)와 연관된 게이트 밸브(62)와 인터페이스하도록 위치한다.
도11과 도12에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 핸들러 모듈(50)의 서로 다른 위치는 후처리 스테이션을 선처리하는 대신에, 서로 다른 스테이션을 통해 웨이퍼를 이송하는 동안에 이행되는 다중 공정을 용이하게 해준다. 스테이션(92) (또는 도3과 관련하여 설명한 것처럼 후처리 스테이션(96)) 위에 로드록(60)이 위치할 수 있다. 이것은 그 위치 외에도 로드록 스테이션(90)에 있다. 개시한 것처럼, 로드록 스테이션(90)에 있는 웨이퍼가 로드록(60) 내에 위치할 때마다 웨이퍼는 가스로 퍼지될 수 있다. 부가적으로, 웨이퍼가 그 위치에 있는 동안에 에칭 공정이나 다른 유형의 가스 처리 공정을 거칠 수 있다. 그러므로 선처리 스테이션(92)이나 후처리 스테이션(96)과 함께 공정 스테이션이나 단계를 배치할 능력을 가짐으로써 부가적으로 본 발명을 실시하는 종사자들에게 융통성을 제공한다.
본 발명에서는 웨이퍼 핸들러(80)의 상승 및 하강에 대해 개시하였지만 핀(91 93, 95)도 상승 및 하강시킬 수 있다. 그러므로 웨이퍼 핸들러(80)는 시계 반대 방향으로 그리고 시계 방향으로 회전할 필요만 있다.
마지막으로 회전 로드록(50)을 인섹스하는 동안에 웨이퍼를 보호하기 위해, 웨이퍼는 웨이퍼 홀더(21a)에 위치한다. 웨이퍼 홀더는 핀(91, 93, 95)에 의해 지지된다. 웨이퍼 핸들러(80)는 웨이퍼 홀더 아래에 위치하고, 엔드 이펙터(84)는 그 두 개를 함께 들어올려 그것들을 다음 스테이션으로 인덱스한다. 다른 측면에서 회전 로드록(50)은 웨이퍼가 위치(90, 92, 94, 96)에 있는 것을 제외하고는 전술한 것과 같은 식으로 작동하며, 이제 이들 위치에는 웨이퍼 홀더와 웨이퍼가 있다. 웨이퍼 홀더는 회전 로드록에서 웨이퍼를 회전시키지만 공정 챔버나 카세트로 이송되지 않는다.
도13은 웨이퍼 홀더(21a)의 사시도이다. 웨이퍼 홀더는 가벼운 금속으로 만들어지고, 전술한 실시예에서 기재한 플레이트(21)보다 더 가벼워지도록 고체판보다는 세 개의 아암(43, 45, 37)을 가진다. 웨이퍼를 지지하는 개구부(48)에 의해 부가적인 중량 감소가 제공된다. 각 아암의 단부에는 석영 웨이퍼 지지체(44)가 있다. 석영 웨이퍼 지지체는 웨이퍼의 외주와 일치하는 리세스가 형성되어, 웨이퍼의 후면과 외단부만이 웨이퍼 지지체(44)와 접촉해 있다.

Claims (34)

  1. 반도체 웨이퍼 제조장치에 있어서,
    제1 게이트,
    제1 공정 챔버,
    공정 처리될 웨이퍼의 소스; 및
    제1 및 제2 위치를 갖는 이송 챔버를 포함하며,
    상기 제1 게이트는 상기 소스로부터 제1 웨이퍼를 수용하기 위한 위치에 있고, 상기 이송 챔버는 상기 제1 위치에서 상기 제1 웨이퍼의 포지셔닝을 용이하게 하도록 되어 있으며, 상기 이송 챔버는 상기 제2 위치에서 상기 공정 챔버로부터 제2 웨이퍼의 포지셔닝을 용이하게 하도록 상기 공정 챔버에 연결되어 있으며,
    제2 위치에서 제2 웨이퍼를 이동시킬 때 동시에 제1 위치에서 제1 웨이퍼를 이동시키도록 배치된 이송장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이송장치는 제1 엔드 이펙터가 있는 제1 위치와 제2 엔드 이텍터가 있는 제2 위치를 갖는 회전 가능한 아암을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회전 가능한 아암은 상기 회전 가능한 아암을 제1 레벨에서 제2 레벨로상승시키거나 하강시키기 위한 승강 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 위치는 상기 제1 웨이퍼를 상기 제1 위치에서 상기 이송장치로 이송시키는 수단을 포함하며,
    상기 제2 위치는 상기 제2 웨이퍼를 상기 제2 위치에서 상기 이송장치로 이송시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이송장치는 인덱싱 이송장치인 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 게이트는 상기 제1 웨이퍼를 상기 제1 위치에 두기 전에 상기 제1 웨이퍼를 퍼징하기 위한 퍼징 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 퍼징 챔버는,
    상기 웨이퍼 소스와 마주하며, 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 크기의 웨이퍼 지지체를 포함하는 게이트 밸브를 갖는 제1 챔버, 및
    제1 위치와 제2 위치를 가지며, 상기 제1 위치에서 상기 제1 웨이퍼를 수용하고, 상기 제2 위치에서 상기 제1 위치에 상기 웨이퍼를 포지셔닝하기 위해 상기 웨이퍼 지지체에 장착해 있는 포지셔닝 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 포지셔닝 수단은, 상기 포지셔닝 수단이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 퍼징 챔버와 상기 이송 챔버 사이에 시일을 형성하는 실링 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 위치와 상기 제1 공정 챔버 사이로 상기 제2 웨이퍼를 이송하기 위한 제2 이송 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 이송 챔버는 상기 제1 위치로부터 상기 제1 웨이퍼를 수용하고, 제3 웨이퍼를 상기 제2 위치로 이송하는 것이 용이하도록 위치해 있는 제3 위치를 포함하며,
    상기 이송장치는 상기 제3 웨이퍼를 상기 제3 위치로부터 이동시키고, 상기 제2 웨이퍼를 상기 제2 위치로부터 이동시킬 때 동시에 상기 제1 웨이퍼를 상기 제1 위치로부터 이동시키도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 이송장치는 제1 엔드 이펙터가 있는 제1 위치, 제2 엔드 이펙터가 있는 제2 위치 및 제3 엔드 이펙터가 있는 제3 위치를 갖는 회전 가능한 액츄에이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 회전 가능한 액츄에이터는, 상기 회전 가능한 액츄에이터를 제1 레벨에서 제2 레벨로 상승 또는 하강하기 위한 승강 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제3 위치는 상기 제3 웨이퍼를 상기 제3 위치에서 상기 이송장치로 이송하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 이송장치는 인덱싱 이송장치인 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제3 위치는 제2 공정 스테이션을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 공정 스테이션은 선처리 스테이션인 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 선처리 스테이션은 웨이퍼 선세척 스테이션인 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 선처리 스테이션은 웨이퍼 선측정 스테이션인 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 제2 공정 스테이션은 후처리 스테이션인 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 후처리 스테이션은 웨이퍼 측정 스테이션인 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 후처리 스테이션은 상기 후처리 스테이션에 위치한 웨이퍼의 층 두께를 측정하기 위한 측정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 후처리 스테이션은 냉각 스테이션인 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제15항에 있어서,
    상기 제2 공정 스테이션은 반도체 웨이퍼를 지지하는 크기의 제1 플레이트, 및 상기 플레이트에 장착되어 제1 위치에 있을 때 공정 처리하기 위해 상기 제3 웨이퍼를 포지셔닝하고 제2 위치에 있을 때 상기 제3 웨이퍼를 상기 제3 위치에 포지셔닝하기 위한 포지셔닝 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 이송 챔버를 상기 공정 챔버에 연결시키고, 반도체 웨이퍼를 지지할 크기의 웨이퍼 지지체를 포함하는 제2 밸브 수단, 및
    제1 및 제2 위치를 갖는 포지셔닝 수단을 더 포함하며,
    상기 포지셔닝 수단은, 상기 웨이퍼 지지체에 장착되어 제1 위치에 있을 때 상기 제2 웨이퍼를 상기 공정 챔버로 이송하고, 상기 제2 위치에 있을 때 상기 제2 웨이퍼의 상기 제2 위치에서의 포지셔닝을 용이하게 해주는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 웨이퍼 소스로부터 제1 웨이퍼를 수용하도록 위치하는 제1 게이트와 함께,공정 챔버 및 제1 위치와 제2 위치를 갖는 이송 챔버를 갖는 장치로 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    제1 웨이퍼를 상기 제1 위치로부터 이송하는 단계, 및
    상기 제1 웨이퍼를 상기 제1 위치로부터 이송하는 단계와 동시에 제2 웨이퍼를 상기 제2 위치로부터 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 게이트는 진공 챔버를 포함하며,
    상기 제1 웨이퍼를 상기 웨이퍼 소스에서 상기 진공 챔버로 이송하고 상기 진공 챔버에 있는 동안에 상기 웨이퍼를 퍼징하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼를 상기 제1 위치로부터 이송하는 단계에 앞서, 상기 제1 웨이퍼를 상기 웨이퍼 소스로부터 상기 제1 위치로 이송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제25항에 있어서,
    상기 제2 웨이퍼를 상기 제2 위치로부터 이송하는 단계에 앞서, 상기 제2 웨이퍼를 공정 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제2 웨이퍼를 상기 제2 위치로부터 그리고 상기 제1 웨이퍼를 상기 제1 위치로부터 이송하는 것과 동시에 제3 웨이퍼를 제3 위치로부터 이송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제3 웨이퍼를 상기 제3 위치로부터 이송하는 단계에 앞서, 상기 제3 웨이퍼를 선처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 제3 웨이퍼를 상기 제3 위치로부터 이송하는 단계에 앞서, 상기 제3 웨이퍼를 후처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3 웨이퍼를 이송함과 동시에 제4 웨이퍼를 제4 위치로부터 이송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 제4 웨이퍼를 상기 제4 위치로부터 이송하는 단계에 앞서, 상기 제4 웨이퍼를 후처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제31항에 있어서,
    상기 제4 웨이퍼를 상기 제4 위치로부터 이송하는 단계에 앞서, 상기 제4 웨이퍼를 선처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6447232B1 (en) * 1994-04-28 2002-09-10 Semitool, Inc. Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system
US6152070A (en) * 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US5961269A (en) 1996-11-18 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Three chamber load lock apparatus
US6468353B1 (en) * 1997-06-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improved substrate handling
US6318957B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Asm America, Inc. Method for handling of wafers with minimal contact
US6162299A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. Multi-position load lock chamber
JP2000174091A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Fujitsu Ltd 搬送装置及び製造装置
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
US20010048867A1 (en) * 2000-03-29 2001-12-06 Lebar Technology, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor wafers
DE10061628B4 (de) * 2000-12-11 2006-06-08 Leica Microsystems Wetzlar Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ergreifen und Transportieren von Wafern
US6609869B2 (en) * 2001-01-04 2003-08-26 Asm America Transfer chamber with integral loadlock and staging station
US20040096300A1 (en) * 2001-06-30 2004-05-20 Ilya Perlov Loadlock chamber
KR100782529B1 (ko) * 2001-11-08 2007-12-06 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US6899507B2 (en) 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US6852644B2 (en) * 2002-11-25 2005-02-08 The Boc Group, Inc. Atmospheric robot handling equipment
US7214027B2 (en) * 2003-10-16 2007-05-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer handler method and system
US20050205210A1 (en) * 2004-01-06 2005-09-22 Devine Daniel J Advanced multi-pressure workpiece processing
US20060251499A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Lunday Andrew P Linear substrate delivery system with intermediate carousel
US7534080B2 (en) * 2005-08-26 2009-05-19 Ascentool, Inc. Vacuum processing and transfer system
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
KR20080027009A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 원자층 증착 장치 및 그를 이용한 다층막 증착 방법
US20080241384A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
KR101376336B1 (ko) 2007-11-27 2014-03-18 한국에이에스엠지니텍 주식회사 원자층 증착 장치
US8273178B2 (en) 2008-02-28 2012-09-25 Asm Genitech Korea Ltd. Thin film deposition apparatus and method of maintaining the same
US8440048B2 (en) 2009-01-28 2013-05-14 Asm America, Inc. Load lock having secondary isolation chamber
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
JP7090066B2 (ja) * 2016-07-13 2022-06-23 ユニバーサル インスツルメンツ コーポレーション モジュール式ダイ取扱いシステム
JP6851288B2 (ja) * 2017-08-23 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
CN112005356B (zh) * 2018-05-03 2024-06-14 应用材料公司 高速旋转分类器中的基板倾斜控制
US10998209B2 (en) * 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3968885A (en) * 1973-06-29 1976-07-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for handling workpieces
JPS58180227A (ja) * 1982-04-17 1983-10-21 Samuko Internatl Kenkyusho:Kk 複数の反応室を備えた能率的プラズマ処理装置
US4588343A (en) * 1984-05-18 1986-05-13 Varian Associates, Inc. Workpiece lifting and holding apparatus
US5000652A (en) * 1986-09-22 1991-03-19 International Business Machines Corporation Wafer transfer apparatus
US5156521A (en) * 1987-10-15 1992-10-20 Epsilon Technology, Inc. Method for loading a substrate into a GVD apparatus
JP3466607B2 (ja) * 1989-09-13 2003-11-17 ソニー株式会社 スパッタリング装置
US5447409A (en) * 1989-10-20 1995-09-05 Applied Materials, Inc. Robot assembly
US5135349A (en) * 1990-05-17 1992-08-04 Cybeq Systems, Inc. Robotic handling system
US5297910A (en) * 1991-02-15 1994-03-29 Tokyo Electron Limited Transportation-transfer device for an object of treatment
JPH0812847B2 (ja) * 1991-04-22 1996-02-07 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
EP1179611B1 (de) * 1992-10-06 2004-09-15 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Kammer für den Transport von Werkstücken
KR0135840B1 (ko) * 1994-07-26 1998-04-29 김광호 개구부 매몰(filling)장치와 이를 이용한 반도체소자 제조방법
JP3354761B2 (ja) * 1995-08-30 2002-12-09 オリジン電気株式会社 ディスク用被膜形成装置
US5855465A (en) * 1996-04-16 1999-01-05 Gasonics International Semiconductor wafer processing carousel
US5667592A (en) * 1996-04-16 1997-09-16 Gasonics International Process chamber sleeve with ring seals for isolating individual process modules in a common cluster
US5863170A (en) * 1996-04-16 1999-01-26 Gasonics International Modular process system
US5754294A (en) * 1996-05-03 1998-05-19 Virginia Semiconductor, Inc. Optical micrometer for measuring thickness of transparent wafers
DE19715245C2 (de) * 1997-04-12 1999-09-02 Leybold Systems Gmbh Vakuumbehandlungsvorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten
US5951770A (en) * 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
US6318957B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Asm America, Inc. Method for handling of wafers with minimal contact
US6162299A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. Multi-position load lock chamber
US6158951A (en) * 1998-07-10 2000-12-12 Asm America, Inc. Wafer carrier and method for handling of wafers with minimal contact

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EP1097252A4 (en) 2004-06-16
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US6368051B2 (en) 2002-04-09
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US20020072241A1 (en) 2002-06-13
JP2002520833A (ja) 2002-07-09
TW420839B (en) 2001-02-01

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