KR20010064550A - 반도체 웨이퍼 연마장치 - Google Patents
반도체 웨이퍼 연마장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010064550A KR20010064550A KR1019990064765A KR19990064765A KR20010064550A KR 20010064550 A KR20010064550 A KR 20010064550A KR 1019990064765 A KR1019990064765 A KR 1019990064765A KR 19990064765 A KR19990064765 A KR 19990064765A KR 20010064550 A KR20010064550 A KR 20010064550A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad
- slurry
- head
- platen
- semiconductor wafer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치는 패드(13)의 상면 가장자리에는 공급되는 슬러리(S)가 이탈되지 않도록 차단벽(20)이 설치되어 있고, 패드(13)의 상면에는 회전하는 패드(13)의 원심력에 의하여 슬러리(S)가 바깥으로 이동하는 것에 대하여 저항하도록 그루브(21)들이 형성되어 있어서, 연마작업시 패드(13)의 상면에 공급된 슬러리(S)들이 그루브(21)들에 의하여 저항을 받으며 서서히 패드(13)의 외측으로 이동되며 연마가 이루어지고, 그와 같이 패드의 외측으로 이동되는 슬러리들이 차단벽에 의하여 외측으로 이탈되는 것이 차단되므로 슬러리의 재공급없이 일정시간동안 슬러리를 사용하게 되어, 슬러리의 사용양을 절감하는데 따른 원가절감의 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 연마장치에 관한 것으로, 특히 슬러리의 소모량을 감소시켜서 원가를 절감할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 평탄화를 위하여 웨이퍼의 상면을 연마하기 위한 종래의 연마장치가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이, 회전축(1)의 상측에 플래튼(2)이 고정되어 있고, 그 플래튼(2)의 상면에 패드(3)가 부착되어 있으며, 그와 같이 부착된 패드(3)의 상부에는 웨이퍼(4)를 파지하기 위한 헤드(5)가 설치되어 있고, 그 헤드(5)의 주변에는 슬러리(S)를 공급하기 위한 슬러리 공급관(7)이 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 연마장치는 헤드(5)가 웨이퍼(4)를 파지한 상태에서 회전을 하여 웨이퍼(4)를 회전시킴과 동시에 패드(3)의 상면에 밀착시키면서 좌,우로 이동을 한다.
또한, 상기와 같이 밀착하여 마찰하는 마찰부위에 슬러리 공급관(7)을 통하여 슬러리(S)를 공급하여 웨이퍼(4)가 연마되도록 한다.
그러나, 상기와 같이 연마가 이루어지는 종래의 연마장치는 패드(3)의 상면에 공급되는 슬러리(S)가 일부는 패드(3)에 흡수가 되나 나머지는 회전하는 패드(3)의 원심력에 의하여 패드(3)의 외측으로 흘러내려서 소모되기 때문에 원재료 절감에 의한 생산원가절감에 한계가 있는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 슬러리의 사용양을 감소시켜서 원재료의 절감에 따른 원가절감을 실현하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 연마장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼 연마장치의 구성을 보인 종단면도.
도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치의 구성을 보인 종단면도.
도 3은 본 발명에서의 패드의 구조를 보인 평면도.
도 4는 본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치에서 연마작업이 진행되는 상태를 보인 종단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 회전축 12 : 플래튼
13 : 패드 14 : 웨이퍼
15 : 헤드 16 : 슬러리 공급관
20 : 차단벽 21 : 그루브
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 회전축의 상단부에 플래튼이 설치되어 있고, 그 플래튼의 상면에 패드가 부착되어 있으며, 그 패드의 상부에 웨이퍼를 파지하기 위한 헤드가 설치되어 있고, 그 헤드의 주변에 슬러리 공급관이 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 연마장치에 있어서, 상기 패드의 연부에 슬러리의 이탈을 차단하기 위한 차단벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치의 구성을 보인 종단면도이고, 도 3은 본 발명에서의 패드의 구조를 보인 평면도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치는 회전축(11)의 상측에 플래튼(12)이 고정설치되어 있고, 그 플래튼(12)의 상면에는 패드(13)가 부착되어 있으며, 그와 같이 부착된 패드(13)의 상부에는 웨이퍼(14)를 파지하기 위한 헤드(15)가 승강 및 회전가능하게 설치되어 있고, 그 헤드(15)의 주변에는 패드(13)의 상면에 슬러리를 공급하기 위한 슬러리 공급관(16)이 설치되어 있다.
상기 패드(13)의 패드몸체의 상면 가장자리에 일정높이로 공급되는 슬러리들이 이탈되는 것을 차단하기 위한 일정높이의 차단벽(20)이 형성되어 있고, 상면에는 도 3과 같이, 크기가 다른 여러개의 동심원상으로 형성됨과 아울러 바람개비 모양으로 여러개의 그루브(21)가 형성되어 있어서, 패드(13)가 회전시에 원심력에 의하여 슬러리가 패드(13)의 외측으로 이동하는 것에 대하여 저항하는 형태로 되어 있다.
도면중 미설명 부호 22는 슬러리 배출관이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치는 헤드(15)를 이용하여 웨이퍼(14)를 파지한 상태에서 회전과 동시에 하강하여 패드(13)의 상면에 밀착시킨다.
그와 같이 웨이퍼(14)가 밀착되는 패드(13)도 헤드(15)와 동일방향으로 회전하되 속도가 다르게 회전하게 되며, 그와 같이 마찰되는 패드(13)의 상면에 슬러리 공급관(16)을 통하여 슬러리(S)를 공급하여 마찰되는 웨이퍼(14)의 마찰면의 연마가 이루어진다.
또한, 그와 같이 패드(13)의 상면에 공급된 슬러리는 패드(13)의 원심력에 저항하도록 형성된 그루브(21)들에 의하여 저항을 받으며 서서히 패드(13)의 외측으로 이동하면서 연마가 이루어지고, 그와 같이 패드(13)의 외측으로 이동되는 슬러리(S)는 차단벽(20)에 의하여 차단되므로 일정시간동안 지속적으로 사용되어 지며, 일정 시간이 경과된 슬러리(S)는 슬러리 배출관(22)를 통하여 외부로 배출되어 진다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼 연마장치는 패드의 상면 가장자리에는 공급되는 슬러리가 이탈되지 않도록 차단벽이 설치되어 있고, 패드의 상면에는 회전하는 패드의 원심력에 의하여 슬러리가 바깥으로 이동하는 것에 대하여 저항하도록 그루브들이 형성되어 있어서, 연마작업시 패드의 상면에 공급된 슬러리들이 그루브들에 의하여 저항을 받으며 서서히 패드의 외측으로 이동되며 연마가 이루어지고, 그와 같이 패드의 외측으로 이동되는 슬러리들이 차단벽에 의하여 외측으로 이탈되는 것이 차단되므로 슬러리의 공급없이 일정시간동안 슬러리를 사용하게 되어, 슬러리의 사용양을 절감하는데 따른 원가절감의 효과가 있다.
Claims (2)
- 회전축의 상단부에 플래튼이 설치되어 있고, 그 플래튼의 상면에 패드가 부착되어 있으며, 그 패드의 상부에 웨이퍼를 파지하기 위한 헤드가 설치되어 있고, 그 헤드의 주변에 슬러리 공급관이 설치되어 있는 반도체 웨이퍼 연마장치에 있어서, 상기 패드의 연부에 슬러리의 이탈을 차단하기 위한 차단벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 패드의 상면에는 회전하는 패드의 원심력에 의하여 슬러리가 패드의 외측으로 이동하는 것에 대하여 저항하도록 크기가 다른 여러개의 동심원상 및 바람개비 모양으로 그루브들이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990064765A KR20010064550A (ko) | 1999-12-29 | 1999-12-29 | 반도체 웨이퍼 연마장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990064765A KR20010064550A (ko) | 1999-12-29 | 1999-12-29 | 반도체 웨이퍼 연마장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010064550A true KR20010064550A (ko) | 2001-07-09 |
Family
ID=19632033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990064765A KR20010064550A (ko) | 1999-12-29 | 1999-12-29 | 반도체 웨이퍼 연마장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20010064550A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030042858A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 연마 장치 및 제조 방법 |
-
1999
- 1999-12-29 KR KR1019990064765A patent/KR20010064550A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030042858A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 연마 장치 및 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20010062379A (ko) | 연마 장치의 영역에 대한 슬러리 유입을 제어하는 장치 및방법 | |
JP2006212775A (ja) | キャリアヘッド | |
KR100348930B1 (ko) | 기판의 연마 장치 | |
US6540590B1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring | |
US6527625B1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a soft backed polishing head | |
JPH10180622A (ja) | 精密研磨装置及び方法 | |
KR20010064550A (ko) | 반도체 웨이퍼 연마장치 | |
JPH10156712A (ja) | ウエハ研磨装置 | |
KR102078342B1 (ko) | 접촉 영역의 조절이 가능한 다이아몬드 컨디셔너 | |
KR20130009313A (ko) | 웨이퍼 에지 연마 장치 | |
KR100541702B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 연마장치 | |
KR200202092Y1 (ko) | 화학기계적 연마 장치 | |
CN220372845U (zh) | 晶圆抛光装置 | |
KR20120002146A (ko) | 연마패드 및 그 제조방법 | |
KR20060010194A (ko) | 슬러리 공급관 일체형 연마압반을 구비한 화학적 기계적연마장치 | |
KR19990019055U (ko) | 반도체 웨이퍼 연마용 폴리싱 패드의 그루브 형성구조 | |
RU2191674C1 (ru) | Устройство для шлифования полупроводниковых пластин | |
JPS60259378A (ja) | 研削機における研削液供給方法およびその装置 | |
KR20010017688A (ko) | 웨이퍼 연마장치 | |
KR200267224Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼용 평탄화 장치 | |
JPH07223152A (ja) | 平面研削盤 | |
KR100359849B1 (ko) | 반도체 제조용 화학적 기계적 연마 장치 | |
KR20010058375A (ko) | 반도체 웨이퍼 연마장비의 패드구조 | |
KR200302367Y1 (ko) | 멀티 연마 구역을 가진 폴리셔 | |
KR20010090373A (ko) | 반도체소자 제조를 위한 웨이퍼 평탄화 공정용 연마제공급장치 및 그 제어방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |