KR20010062359A - Peripheral exposure apparatus - Google Patents

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오노 시게오
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Abstract

PURPOSE: To improve the throughput of an optical edge bead removing device. CONSTITUTION: Light source units 14A and 14B are movable in ±X direction in the diagram along a support member 12. While a beam is emitted from the light source units 14A and 14B, the support member 12 is travelled in ±Y direction in the diagram, so that a photoresist in the periphery of a glass board G is exposed. When the light source units 14A and 14B move in the ±X direction along the supporting member 12, a distance between the light source units 14A and 14B is controlled to be a specified value or more. Masks 16A and 16B are driven in the ±X direction in the diagram, and when there is a part in an area subject to peripheral exposure that requires no irradiation, the masks 16A and 16B cover the glass board G partly to shield the light.

Description

주변노광장치{Peripheral exposure apparatus}Peripheral exposure apparatus

본 발명은 주변노광장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 LCD(액정표시장치)나 PDP(플라즈마 표시패널)등에 사용되는 유리 플레이트 등을 제작하는 과정에 있어서, 회로패턴 등이 노광되는 영역이외의 기판주변에 도포되어 있는 포토레지스트에 광을 조사하는 데 사용하기에 바람직한 주변노광장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ambient exposure apparatus. In particular, in the process of manufacturing a glass plate or the like used in an LCD (liquid crystal display device), a plasma display panel (PDP), or the like, the present invention is directed to a photoresist coated around a substrate other than an area where a circuit pattern or the like is exposed. It relates to a preferred ambient exposure apparatus for use in irradiating light.

액정표시패널 등을 제조할 때의 일 공정인 리소그래피 공정에 있어서는, 내부에 투영광학계가 내장되어 있는 투영노광장치가 사용된다. 마스크에 형성되어 있는 패턴은, 이 투영광학계에 의해 기판상의 포토레지스트 도포면에 투영된다. 이 기판에는, 상술한 공정에 의해 패턴이 노광되는 부분, 즉 패턴영역과, 상기 패턴이노광되지 않는 영역, 즉 비패턴영역이 설정된다. 리소그래피 공정에 있어서는, 상기 비패턴영역에 광을 조사할 필요가 있다. 이는, 기판에 포지티브형 레지스트가 도포되어 있는 것에 의한다. 즉, 포지티브형 레지스트의 미노광부분은, 현상후에도 기판상에 남는다. 특히, 스핀코팅에 의해 포토레지스트를 기판상에 도포한 경우, 그 두께는 기판중앙부보다도 주변부 쪽에서 두꺼워진다. 일반적으로, 기판노광부는 비패턴영역이며, 제거되지 않고 남아 있는 포토레지스트는 두께가 두꺼울수록 벗겨지기 쉽다는 성질을 가지고 있다. 이러한 포지티브 레지스트가 후처리공정중에 박리되고, 작은 조각(파티클)이 되어 비산될 수 있다. 이러한 파티클은, 액정표시패널 등, 노광대상인 기판의 수율을 저하시키는 원인이 되고 있다. 또한, 비록 박리를 발생하지 않아도, CVD등의 후처리를 기판에 실시할 때, 기판주변부등에 포토레지스트가 남아 있으면 패턴영역에 형성되는 박막의 불균일을 가져올 수도 있다.In the lithography process which is one process at the time of manufacturing a liquid crystal display panel etc., the projection exposure apparatus in which the projection optical system is built in is used. The pattern formed in the mask is projected onto the photoresist coating surface on the substrate by this projection optical system. In this substrate, a portion where the pattern is exposed, that is, a pattern region, and a region where the pattern is not exposed, that is, a non-pattern region, are set in the substrate. In the lithography step, it is necessary to irradiate light to the non-patterned region. This is because a positive resist is applied to the substrate. That is, the unexposed portion of the positive resist remains on the substrate even after development. In particular, when the photoresist is applied onto a substrate by spin coating, the thickness becomes thicker on the peripheral side than on the center of the substrate. In general, the substrate exposed portion is a non-patterned region, and the photoresist remaining without being removed has a property that the thicker the thickness, the easier it is to peel off. These positive resists can be peeled off during the post-treatment process and can be scattered into small pieces (particles). Such particles cause a decrease in the yield of a substrate to be exposed, such as a liquid crystal display panel. In addition, even if peeling does not occur, when the substrate is subjected to post-treatment such as CVD, if a photoresist remains on the periphery of the substrate or the like, unevenness of the thin film formed in the pattern region may be caused.

따라서, 비패턴영역의 포토레지스트에 광을 조사하여 감광시키고, 후속되는 현상공정에 있어서 불필요한 레지스트를 제거하는 것이 일반적으로 행해지고 있다. 이와 같이, 기판상의 비패턴영역에 광을 조사하는 것으로서, 광원으로부터 출사하는 스폿광을 주사시켜, 기판상의 비패턴영역에 광을 조사하는 장치가 여러 가지 제안되어 있다. 이하, 본 명세서중에서는, 기판상의 비패턴영역에 광을 조사하는 장치를 ″주변노광장치″라 칭한다.Therefore, it is generally performed to irradiate the photoresist of a non-pattern area | region with light, and to reduce the unnecessary resist in the subsequent development process. As described above, various types of devices for irradiating light to unpatterned regions on the substrate by scanning spot light emitted from the light source as irradiating light to the unpatterned regions on the substrate are proposed. Hereinafter, in this specification, an apparatus for irradiating light to an unpatterned region on a substrate is referred to as a "peripheral exposure apparatus".

기판상에 형성되는 패턴의 미세화에 따라 투영노광장치에는, 보다 단파장인 것이 사용되고 있다. 이에 따라, 기판에 도포되는 포토레지스트의 감광파장대역도 단파장쪽으로 바뀌어 있다. 따라서, 주변노광장치에 사용되는 광원도 g선이나 i선등의 단파장의 광을 출사하는 것이 이용되고 있다.As the pattern formed on the substrate becomes smaller, a shorter wavelength is used for the projection exposure apparatus. As a result, the photosensitive wavelength band of the photoresist applied to the substrate is also changed to the shorter wavelength side. Therefore, the light source used for the peripheral exposure apparatus also emits light of short wavelength, such as g line | wire or i line | wire.

상술한 포토레지스트에 대응가능한 주변노광장치에 사용되는 광원으로는, 생산효율의 향상을 목적으로 하여 고휘도인 것, 예컨대 초고압수은램프 등이 사용된다. 이유는, 포토레지스트에 대하여 동일한 도즈(dose)량을 제공하고자 하였을 때, 대광량의 광원을 사용하면, 그만큼 짧은 노광시간이어도 되기 때문이다. 즉, 광원으로부터 출사되는 스폿광을 주사시킬 때의 속도를 높일 수 있고, 이에 따라 단시간내에 비패턴영역으로의 광의 조사를 끝낼 수 있기 때문이다.As the light source used in the peripheral exposure apparatus that can cope with the photoresist described above, a high brightness, for example, ultra-high pressure mercury lamp or the like is used for the purpose of improving the production efficiency. The reason is that when a large amount of light source is used to provide the same dose to the photoresist, the short exposure time may be sufficient. In other words, it is possible to increase the speed at the time of scanning the spot light emitted from the light source, so that the irradiation of light to the non-patterned region can be completed within a short time.

상술한 바와 같이, 기판상의 노광된 부분에 스폿광을 조사하기 위하여, 광원으로부터 출사되는 광을 광섬유에 의해 광출사부로 유도하는 것이 알려져 있다. 광섬유가 사용되는 주변노광장치에서는, 초고압수은램프 등의 광원은 고정해 두고, 이 광원으로부터 연장되는 광섬유의 선단부, 즉 광출사부를 노광대상인 기판의 감광면에 대하여 이동시킴으로써, 원하는 노광패턴으로 기판을 노광할 수 있다.As mentioned above, in order to irradiate the spot light to the exposed part on a board | substrate, it is known to guide the light radiate | emitted from a light source to a light output part with an optical fiber. In a peripheral exposure apparatus using an optical fiber, a light source such as an ultra-high pressure mercury lamp is fixed, and the front end portion of the optical fiber extending from the light source, that is, the light exit portion, is moved with respect to the photosensitive surface of the substrate to be exposed, thereby moving the substrate to a desired exposure pattern. It can be exposed.

그런데, 상기 주변노광장치에는 더 한층의 생산효율의 향상이 요구되게 됨에 따라, 이하에서 설명하는 것이 문제가 되고 있다. 즉, 쓰루푸트를 향상시키기 위해서는 가능한한 많은 광을 기판의 감광면에 유도할 필요가 있으며, 광섬유를 사용함에 따른 광량의 손실이 무시할 수 없게 되어 왔다. 이러한 손실은, 광섬유의 충진율의 관계에서 발생하는 로스와, 광섬유 내를 광이 진행할 때 발생하는 감쇄 등이 원인이 되고 있다. 특히, 사용하는 광이 단파장화됨에 따라, 광섬유에서의 흡수가 늘어 손실도 늘어난다. 이 때문에, 쓰루푸트를 향상시키기 위해서는 광원의 광량을 늘리거나, 광섬유를 고가의 석영 유리제품의 것으로 할 필요가 있다. 또한, 광섬유의 선단부가 이동을 반복하는 동안 광섬유가 열화하여 광량전달로스가 증가하는 경우도 있다. 광섬유의 열화에는, 예컨대 광섬유가 꺾이거나, 또는 솔라리제이션(Solarization)을 일으키는 경우 등을 들 수 있다.However, as the peripheral exposure apparatus is required to further improve the production efficiency, the following description becomes a problem. That is, in order to improve throughput, it is necessary to guide as much light as possible to the photosensitive surface of the substrate, and the loss of light amount due to the use of optical fibers has not been negligible. This loss is caused by loss caused by the filling rate of the optical fiber, attenuation generated when light propagates through the optical fiber, and the like. In particular, as the light to be used is shortened, the absorption in the optical fiber increases and the loss also increases. For this reason, in order to improve throughput, it is necessary to increase the light quantity of a light source or to make an optical fiber the thing of expensive quartz glass products. In addition, the optical fiber deteriorates while the distal end portion of the optical fiber is repeatedly moved to increase the amount of light transfer. Examples of the deterioration of the optical fiber include a case where the optical fiber is bent, or a solarization occurs.

또한, 기판상에 형성되는 주변노광의 패턴으로는, 기판주위를 둘러싸는 사각형의 패턴뿐만 아니라, ″日″자 형상, ″目″자 형상, ″田″자 형상의 패턴, 혹은 이들을 조합한 패턴 등 복잡해지는 경향이 있다. 이와 같은 복잡한 패턴을 형성할 필요가 있는 것도 주변노광장치의 쓰루푸트 저하의 하나의 원인이 되고 있다.As the pattern of the peripheral exposure formed on the substrate, not only a rectangular pattern surrounding the substrate, but also a pattern of ″ 日 ″, ″ 目 ″, ″ 田 ″, or a combination thereof It tends to be complicated. It is also necessary to form such a complicated pattern as one of the causes of throughput degradation of the peripheral exposure apparatus.

또한, 주변노광을 행하고자 하는 영역의 일부에는, 얼라인먼트 마크나 기판의 식별번호 등이 형성되는 경우가 있다. 이러한 부분에 대하여 노광을 해 버리면 중요한 정보가 손실되어 버린다. 따라서, 주변노광 동작중에 이들 얼라인먼트 마크나 식별번호 등이 노광되어 있는 영역의 부분에서 광의 조사를 일시적으로 중단시키기 위하여, 주사동작중의 광출사부의 정지 및 동작개시를 시킬 필요가 있다. 이와 같이 광출사부의 정지 및 동작을 시키면, 가감속에 시간을 요하기 때문에, 주변노광장치의 쓰루푸트가 저하되는 경우가 있다.In addition, an alignment mark, an identification number of a substrate, or the like may be formed in a part of the region to be subjected to ambient exposure. Exposure to these areas results in the loss of important information. Therefore, in order to temporarily stop the irradiation of light in the part of the area where these alignment marks, identification numbers, etc. are exposed during the peripheral exposure operation, it is necessary to stop and start the light output unit during the scanning operation. When the light output unit is stopped and operated in this manner, acceleration and deceleration require time, so that throughput of the peripheral exposure apparatus may decrease.

본 발명의 목적은, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시키는 데 있다.An object of the present invention is to improve the throughput of an ambient exposure apparatus.

본 발명은, 광원과 집광광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 비패턴영역을 조명유니트로부터 출사되는 광으로 노광하는 주변노광장치에 적용된다. 그리고, 복수의 조명유니트를 이동가능하도록 유지하는 유지유니트; 감광기판과 유지유니트를 상대적으로 제1방향(도 1에 있어서 Y축에 따른 방향)으로 구동하는 제1 구동부; 복수의 조명유니트의 각각을 감광기판의 대략 중앙부에 위치결정이 가능하며, 제1 방향과는 다른 제2 방향(도 1에 있어서 X축에 따른 방향)으로 복수의 조명유니트의 각각을 구동하는 제2 구동부; 복수의 조명유니트를 서로 간섭하지 않도록 제2 구동부를 제어하는 구동제어부를 구비함으로써 상술한 목적을 달성한다.The present invention provides a non-patterned region of a photosensitive substrate having a plurality of lighting units including a light source and a condensing optical system, and having a pattern region to which the pattern is exposed and a non-pattern region to which the pattern is not exposed, with light emitted from the lighting unit. Applies to ambient exposure equipment. And a holding unit for holding the plurality of lighting units to be movable; A first driver for driving the photosensitive substrate and the holding unit in a first direction (direction along the Y axis in FIG. 1); Each of the plurality of lighting units can be positioned at an approximately center portion of the photosensitive substrate, and the driving unit drives each of the plurality of lighting units in a second direction different from the first direction (direction along the X axis in FIG. 1). 2 driving units; The above object is achieved by providing a drive control unit for controlling the second drive unit so that the plurality of lighting units do not interfere with each other.

구동제어부에 의해, 복수의 조명유니트의 서로 이웃하는 조명유니트간의 거리를 소정의 거리 이상으로 유지하도록 제어하는 것이 바람직하다.It is preferable to control so that the drive control part may maintain the distance between adjacent lighting units of several lighting units more than predetermined distance.

구동제어부에 의해, 복수의 조명유니트 중의 일부의 조명유니트(예컨대, 도 1의 14A)로부터 출사되는 광에 의해 감광기판의 비패턴영역을 노광하는 경우, 나머지 조명유니트(예컨대 도 1의 14B)를 일부의 조명유니트(예컨대, 도 1의 14A)와 간섭하지 않도록 제어하는 것이 바람직하다.When the driving control unit exposes the unpatterned region of the photosensitive substrate by the light emitted from some of the lighting units (eg, 14A in FIG. 1), the remaining lighting unit (eg, 14B in FIG. 1) is exposed. It is desirable to control so as not to interfere with some lighting units (eg, 14A in FIG. 1).

본 발명은 또한, 광원과 집광광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 비패턴영역을 조명유니트로부터 출사되는 광으로 노광하는 주변노광장치에 적용된다. 그리고, 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 광의 강도를 검출하는 광량검출수단; 복수의 조명유니트의 각각과 감광기판을 상대이동시켜 감광기판상의 비패턴영역을 감광할 때, 광량검출수단에서 검출된 복수의 조명유니트의 광의 강도 중 낮은 쪽의 강도에 기초하여, 복수의 조명유니트의 각각과 감광기판과의 상대이동의 속도를 설정하는 이동속도 설정수단을 갖는 것이다.The present invention also provides a non-pattern area of a photosensitive substrate having a plurality of lighting units including a light source and a condensing optical system, and having a pattern area to which the pattern is exposed and a non-pattern area to which the pattern is not exposed, with light emitted from the lighting unit. This applies to ambient exposure equipment. Light quantity detecting means for detecting the intensity of light emitted from each of the plurality of lighting units; When each of the plurality of lighting units and the photosensitive substrate are moved relative to the non-pattern area on the photosensitive substrate, the plurality of lighting units are based on the lower intensity of the light of the plurality of lighting units detected by the light quantity detecting means. And a moving speed setting means for setting the speed of relative movement between each of the photosensitive substrates and the photosensitive substrate.

본 발명은 또한, 광원과 집속광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 비패턴영역을 조명유니트로부터 출사되는 광으로 노광하는 주변노광장치에 적용된다. 그리고, 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 빔의 사이즈를 서로 독립적으로 변경하는 빔사이즈 변경수단을 가질 수 있다.The present invention also provides a non-patterned region of a photosensitive substrate having a plurality of lighting units including a light source and a focusing optical system, and having a pattern region to which the pattern is exposed and a non-pattern region to which the pattern is not exposed, with light emitted from the lighting unit. This applies to ambient exposure equipment. And, it may have a beam size changing means for changing the size of the beam emitted from each of the plurality of lighting units independently of each other.

감광기판의 감광면과 대략 직교하는 회전축방향으로 감광기판을 회전하는 회전구동부를 더 가져도 좋다. 이러한 경우, 감광기판에 있어서의 비패턴영역의 배치에 따라 행해지는 복수의 조명유니트간의 거리의 변경동작은, 회전구동부에 의해 감광기판을 회전구동하는 것과 병행하여 행해진다.The photosensitive substrate may further have a rotation driving portion for rotating the photosensitive substrate in the direction of the rotation axis substantially perpendicular to the photosensitive surface of the photosensitive substrate. In this case, the operation of changing the distance between the plurality of lighting units, which is performed in accordance with the arrangement of the non-patterned regions in the photosensitive substrate, is performed in parallel with the rotation driving of the photosensitive substrate by the rotation driving unit.

감광기판의 감광면과 대략 직교하는 회전축방향으로 회전시키는 회전구동부를 더 가지며, 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 빔의 사이즈를 각각 변경하는 동작은, 회전구동부에 의해 감광기판이 회전구동되는 것과 병행하여 행할 수 있다.It further has a rotational drive unit for rotating in the direction of the rotation axis substantially perpendicular to the photosensitive surface of the photosensitive substrate, the operation of changing the size of the beam emitted from each of the plurality of lighting units, the rotational drive unit and the photosensitive substrate is rotated and driven This can be done in parallel.

또한, 본 발명은 광원과 집광광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 비패턴영역을 조명유니트의 광출사부로부터의 광으로 노광하는 주변노광장치에 적용된다. 그리고, 복수의 조명유니트와 감광기판을 상대이동시키는 이동경로 근방에 설치되며, 광출사부로부터 출사된 광이 감광기판상의 조사를 원하지 않는 부분에 조사되는 것을 방지하기 위한 차광수단을 갖는다.In addition, the present invention has a plurality of illumination units including a light source and a condensing optical system, and a non-pattern region of the photosensitive substrate having a pattern region to which the pattern is exposed and a non-pattern region to which the pattern is not exposed, from the light output portion of the lighting unit. It is applied to the peripheral exposure apparatus exposed to light. And it is provided in the vicinity of the movement path which relatively moves a plurality of lighting units and the photosensitive substrate, and has a light shielding means for preventing the light emitted from the light output part from being irradiated to the part which does not want irradiation on the photosensitive substrate.

이러한 경우, 감광기판에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 차광수단을 설치하고, 차광수단을 필요에 따라 조명유니트와 감광기판과의 사이의 위치에 설정하도록 하여도 좋다.In such a case, the light shielding means may be provided so as to be movable relative to the photosensitive substrate, and the light shielding means may be set at a position between the lighting unit and the photosensitive substrate as necessary.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 주변노광장치의 개략적인 구성을 설명하는 평면도이고,1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 주변노광장치의 개략적인 구성을 설명하는 부분단면도이고,2 is a partial cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 광원유니트의 구성예를 개략적으로 나타낸 종단면도이고,3 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration example of a light source unit;

도 4는 본 실시형태에 따른 주변노광장치와 다른 장치와의 사이에서 노광대상물을 주고받는 로더를 설명하는 도면이고,4 is a view for explaining a loader exchanging an exposure object between the peripheral exposure apparatus and another apparatus according to the present embodiment;

도 5는 노광대상물이 로더에 의해 주변노광장치에 세트되는 모양을 설명하는 도면이고,5 is a view for explaining how the exposure object is set in the peripheral exposure apparatus by the loader,

도 6은 본 발명의 실시형태에 따른 주변노광장치의 제어회로를 개략적으로 나타낸 블록도이고,6 is a block diagram schematically illustrating a control circuit of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 7은 각종 노광패턴형상에 대응하여 행해지는 주변노광동작의 순서를 설명하는 도면이고,7 is a view for explaining the procedure of the peripheral exposure operation performed corresponding to various exposure pattern shapes,

도 8은 광원유니트의 서브주사기구의 다른 예를 나타낸 도면이다.8 is a view showing another example of the sub scanning mechanism of the light source unit.

<부호의 설명><Description of the code>

2 : 정반(定盤) 4 : 플레이트 홀더2: surface plate 4: plate holder

5 : 플레이트 홀더 지지부 8A, 8B : 가이드레일5: Plate holder support part 8A, 8B: guide rail

9A, 9B : 들보 11A, 11B : 차광유니트9A, 9B: Beams 11A, 11B: Shading unit

12 : 지지부재 14A, 14B : 광원유니트12: support member 14A, 14B: light source unit

16A, 16B : 마스크 30A, 30B : 메인주사모터16A, 16B: Mask 30A, 30B: Main injection motor

32A, 32B : 서브주사모터 34A, 34B : 셔터액츄에이터32A, 32B: Sub scan motor 34A, 34B: Shutter actuator

36A, 36B : 블라인드 액츄에이터 40A, 40B : 초고압수은램프36A, 36B: Blind actuator 40A, 40B: Ultra high pressure mercury lamp

46A, 46B : 전자식 방향전환 밸브 48 : 광량센서46A, 46B: Electronic directional valve 48: Light quantity sensor

52 : 스테이지 액츄에이터 70 : 로더52: stage actuator 70: loader

100 : 제어부 200 : 호스트 컴퓨터100: control unit 200: host computer

도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 주변노광장치의 개략적인 구성을 설명하는 평면도이다. 또한, 도 2는, 도 1에 나타낸 Ⅱ방향으로부터 본 모양을 나타내는 도면이다. 도 1에 있어서, 지면 좌우방향으로 X축을, 상하방향으로 Y축을, 지면에 직교하는 방향으로 Z축을 취하며, 이하의 설명에서는 이들 좌표축에 따른 방향을 적절히 X방향, Y방향, Z방향이라 칭한다. 또한, 필요에 따라, 좌표값이 증가하는 방향을 플러스 X방향, 플러스 Y방향, 플러스 Z방향 등이라 칭한다. 다른 도면에 있어서도, 적절히 도 1에 나타낸 좌표축과 일치시키도록 하여 좌표축이 도시되어 있다.1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a peripheral exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a figure which shows the pattern seen from the II direction shown in FIG. In FIG. 1, the X axis is taken in the left and right directions of the paper, the Y axis is taken in the up and down directions, and the Z axis is taken in the direction orthogonal to the ground. In the following description, directions along these coordinate axes are appropriately referred to as X, Y, and Z directions. . In addition, as needed, the direction in which a coordinate value increases is called plus X direction, plus Y direction, plus Z direction, etc. Also in other drawings, the coordinate axis is shown so as to coincide with the coordinate axis shown in FIG. 1 as appropriate.

-메인주사방향 구동기구-Main scan direction drive mechanism

정반(2)의 상면의 4구석에는 4개의 지지기둥(6A, 6B, 6C 및 6D)이 고정되어 있다. 지지기둥(6A 및 6C)의 상단에는 가이드레일(8A)이, 지지기둥(6B 및 6D)의 상단에는 가이드레일(8B)이 각각 Y방향을 따라 걸쳐져 고정되어 있다.Four support columns 6A, 6B, 6C, and 6D are fixed to four corners of the upper surface of the surface plate 2. Guide rails 8A are provided on the upper ends of the support columns 6A and 6C, and guide rails 8B are secured along the Y direction to the upper ends of the support columns 6B and 6D, respectively.

가이드레일(8A 및 8B) 사이에는 지지부재(12)가 X방향을 따라 걸쳐져 있다. 가이드레일(8A 및 8B)의 내부에는, 각각 메인주사모터(30A, 30B (도 1에서는 미도시, 도 6 참조))에 의해 회전구동되는 이송나사기구(미도시)가 Y방향을 따라 내장되어 있다. 메인주사모터(30A 및 30B)를 정역회전시킴으로써, 지지부재(12)를 ±Y방향(이하, 본 명세서에서는 도 1의 ±Y방향을 ″메인주사방향″이라 칭한다)으로 이동시키는 것이 가능하도록 되어 있다.Between the guide rails 8A and 8B, the support member 12 spans along the X direction. Inside the guide rails 8A and 8B, a feed screw mechanism (not shown) rotated by main scanning motors 30A and 30B (not shown in FIG. 1, see FIG. 6), respectively, is built along the Y direction. have. By rotating the main scan motors 30A and 30B forward and reverse, it is possible to move the support member 12 in the ± Y direction (hereinafter, the ± Y direction in FIG. 1 is referred to as the ″ main scan direction ″). have.

-서브주사방향 구동기구-Sub scan direction drive mechanism

두 개의 광원유니트(14A 및 14B)는, 지지부재(12)에 의해 ±X방향으로 이동가능하도록 지지되어 있다. 또한, 지지부재(12)의 내부에는 서브주사모터(32A 및 32B)(도 1에는 미도시, 도 6 참조)에 의해 회전구동되는 2개의 이송나사기구(미도시)가 X방향을 따라 내장되어 있다. 이러한 서브주사모터(14A 및 14B)를 독립적으로 정역회전시킴으로써, 광원유니트(14A 및 14B)를 각각 독립적으로 ±X방향(이하, 본 명세서에서는 도 1에 있어서의 ±X방향을 ″서브주사방향″이라 칭한다)으로 구동가능하도록 되어 있다.The two light source units 14A and 14B are supported by the support member 12 so as to be movable in the ± X direction. In addition, inside the support member 12, two feed screw mechanisms (not shown) rotated by the sub scanning motors 32A and 32B (not shown in FIG. 1, see FIG. 6) are embedded along the X direction. have. By independently rotating these sub-scan motors 14A and 14B, the light source units 14A and 14B are each independently +/- X direction (hereinafter referred to as "X" in FIG. Drive).

-차광유니트-Shading Unit

지지기둥(6A 및 6C)의 측면에는 들보(9A)가, 또한 지지기둥(6B 및 6D)의 측면에는 들보(9B)가 각각 Y방향을 따라 걸쳐져 고정되어 있다. 들보(9A)에는 차광유니트(11A)가, 들보(9B)에는 차광유니트(11B)가 고정되어 있다.Beams 9A are provided on the side surfaces of the support columns 6A and 6C, and beams 9B are secured along the Y direction to the side surfaces of the support columns 6B and 6D, respectively. The light shielding unit 11A is fixed to the beam 9A, and the light shielding unit 11B is fixed to the beam 9B.

차광유니트(11A)의 구성에 대하여 설명하기로 한다. 이와 같은 차광유니트(11A)는, 베이스부(10A)와, 이동부재(13A)와, 마스크(16A)를 갖는다. 이동부재(13A)는, 미도시의 공압액츄에이터에 의해 베이스부(10A)에 대하여 ±X방향으로 상대이동이 가능하도록 되어 있다. 상기 구성에 의해서, 공압액츄에이터로 마스크(16A)를 서브주사방향으로 구동함으로써, 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되는 광속을 노광대상물로 유도하는 상태와 차단하는 상태로 전환할 수 있다. 차광유니트(11B)도, 차광유니트(11A)인 것과 동일한 구성을 가지고 있다. 공압액츄에이터에 의해 마스크(16B)를 서브주사방향으로 구동함으로써, 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되는 광속을 필요에 따라 노광대상물로 유도하는 상태와 차단하는 상태로 전환할 수 있다.The configuration of the light shielding unit 11A will be described. This light shielding unit 11A has a base portion 10A, a moving member 13A, and a mask 16A. The moving member 13A is capable of relative movement in the ± X direction with respect to the base portion 10A by a pneumatic actuator (not shown). With the above configuration, by driving the mask 16A in the sub-scanning direction with a pneumatic actuator, the light beams emitted from the light source units 14A and 14B can be switched to a state of inducing and blocking the exposure object. The light shielding unit 11B also has the same structure as that of the light shielding unit 11A. By driving the mask 16B in the sub-scanning direction by the pneumatic actuator, the luminous flux emitted from the light source units 14A and 14B can be switched to a state of inducing and blocking the exposure object as necessary.

상술한 차광유니트는, 들보(9A, 9B)의 각각에 하나씩 고정되는 것으로 설명하였으나, 이러한 차광유니트가 설치되는 위치 및 수에 대하여는 본 실시형태에 나타내어진 것에 한정되는 것이 아니라, 임의로 정할 수 있다. 또한, 이들 복수의 차광유니트(11A, 11B)에 대하여는 들보(9A, 9B)에 고정되는 것뿐만 아니라, 이들 들보(9A, 9B)를 따라 이동가능하도록 설치되는 것이어도 좋다. 이와 같이 차광유니트(11A, 11B)를 이동가능하도록 설치함으로써, 레시피에 대응하여 기판(G)의 주변노광영역중의 임의의 위치를 마스킹하는 것이 가능하다.Although the above-mentioned light shielding unit was demonstrated to be fixed to each of the beams 9A and 9B one by one, the position and the number which these light-shielding units are installed are not limited to what was shown in this embodiment, It can decide arbitrarily. In addition, the light shielding units 11A and 11B may be provided not only to the beams 9A and 9B but also to be movable along the beams 9A and 9B. By providing the light blocking units 11A and 11B so as to be movable, it is possible to mask any position in the peripheral exposure area of the substrate G in response to the recipe.

또한, 복수의 차광유니트(11A, 11B)의 이동속도를 광원유니트(14A, 14B)의 이동속도보다 고속으로 함으로써, 하나의 광원유니트당 복수의 개소의 마스킹을 행하는 것도 가능해진다. 이에 대하여 설명하기로 한다. 먼저 마스킹하고자 하는 최초의 위치에 차광유니트(11A, 11B)를 대기시켜 두어 주변노광을 시작하고, 차광유니트(11A, 11B)상을 광원유니트(14A, 14B)가 통과한 다음, 마스크(16A, 16B)를 퇴피(退避)시켜 차광유니트(11A, 11B)를 재이동시키고, 광원유니트(14A, 14B)를 앞지른다. 그리고 다음으로 마스킹하고자 하는 위치에 정지시켜 마스크(16A, 16B)로 노광영역(PA)상의 마스킹하고자 하는 다음 영역을 덮고 대기하면, 상술한 바와 같이 하나의 광원유니트당 복수의 개소의 마스킹을 행하는 것도 가능해진다. 또한, 광원유니트(14A, 14B)가 차광유니트(11A, 11B)의 위까지 왔을 때 차광유니트(11A, 11B)를 광원유니트(14A, 14B)와 등속으로 이동개시시켜, 소정의 위치에서차광유니트(11A, 11B)를 정지시킴으로써, 마스크(16A, 16B)에서의 차광폭보다 넓은 영역의 마스킹을 행할 수도 있다. 또한, 마스크(16A, 16B)의 구동을 공압액츄에이터로 행하는 예에 대하여 설명하였으나, 위치제어가 가능한 모터 등을 이용하여도 좋다.In addition, by making the moving speeds of the plurality of light blocking units 11A and 11B higher than the moving speeds of the light source units 14A and 14B, it is also possible to mask a plurality of locations per one light source unit. This will be described. At first, the light shielding units 11A and 11B are held at the first position to be masked to start ambient exposure, and the light source units 14A and 14B pass through the light shielding units 11A and 11B, and then the mask 16A, 16B) is evacuated and the light shielding units 11A and 11B are moved again to overtake the light source units 14A and 14B. Next, when the mask is stopped at a position to be masked and covers and waits for the next region to be masked on the exposure area PA with the masks 16A and 16B, masking a plurality of locations per one light source unit may be performed as described above. It becomes possible. In addition, when the light source units 14A and 14B come to the top of the light blocking units 11A and 11B, the light blocking units 11A and 11B are moved at a constant speed with the light source units 14A and 14B to start the light shielding unit at a predetermined position. By stopping (11A, 11B), masking of a region wider than the light shielding width in the masks 16A, 16B can be performed. In addition, although the example which drives the mask 16A, 16B with a pneumatic actuator was demonstrated, you may use the motor etc. which can control a position.

-광량센서-Light Sensor

광량센서(48)는, 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되는 광속의 광량을 측정하기 위한 센서이다. 이러한 광량센서(48)에 의해, 주변노광동작에 앞서 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되는 광속의 광량이 순차적으로 측정된다. 또한, 광원유니트(14A, 14B)의 광로내에 하프미러 등을 배치하여 이 하프미러에서 반사되는 광을 모니터링하는 것이어도 좋다. 또한, 광량센서(48)에서 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되는 광속의 광량을 측정하는 이유에 대하여는 나중에 설명하기로 한다.The light quantity sensor 48 is a sensor for measuring the light amount of the light beam emitted from the light source units 14A and 14B. By the light quantity sensor 48, the light amount of the light beam emitted from the light source units 14A and 14B is sequentially measured before the peripheral exposure operation. In addition, a half mirror or the like may be disposed in the optical paths of the light source units 14A and 14B to monitor the light reflected by the half mirror. The reason why the light quantity sensor 48 measures the light quantity of the light beam emitted from the light source units 14A and 14B will be described later.

-플레이트 홀더-Plate holder

도 2를 참조하여 설명하면, 노광대상물인 유리기판(G)이 올려지는 플레이트 홀더(4)는, 정반(2)에 고정되어 있는 플레이트 홀더 지지부(5)에 의해 Z축방향으로 회동가능하도록 지지되어 있다. 플레이트 홀더(4)의 상면에는, 복수의 돌기(4a)가 설치되어 있다. 이들 복수의 돌기(4a)의 높이는, 거의 동일하게 되어 있다.Referring to FIG. 2, the plate holder 4 on which the glass substrate G, which is an exposure target object, is mounted is supported to be rotatable in the Z-axis direction by the plate holder support part 5 fixed to the surface plate 2. It is. On the upper surface of the plate holder 4, a plurality of projections 4a are provided. The height of these some processus | protrusion 4a becomes substantially the same.

또한, 이들 복수의 돌기(4a)의 상면에는, 미도시된 관로를 통해 부압원에 접속되는 구멍이 뚫려 있으며, 플레이트 홀더(4)에 노광대상물인 유리기판(G)이 올려진 다음, 흡착, 고정된다. 이러한 돌기(4a)는, 도 4에 있어서는 8개 설치되는 예가 도시되어 있으나, 기판(G)의 영률, 크기 및 두께 등에 따라 기판(G)의 휨이 악영향을 미치지 않을 정도의 수 및 위치로 설치된다.In addition, the upper surface of the plurality of protrusions 4a is provided with a hole connected to the negative pressure source through a pipe not shown, and the glass substrate G, which is an object to be exposed, is placed on the plate holder 4, and then adsorption, It is fixed. Although four such protrusions 4a are illustrated in FIG. 4, the protrusions 4a are provided at a number and positions such that the warpage of the substrate G does not adversely affect the Young's modulus, size, and thickness of the substrate G. do.

-광원 유니트-Light source unit

도 3은 광원유니트(14A 및 14B)의 내부구성을 개략적으로 설명하는 도면으로서, Z축으로 평행한 방향으로 연장되어 존재하는 광원유니트(14A)(14B))의 광축을 포함하는 면에서의 단면을 나타낸다. 또한, 광원유니트(14A, 14B)는 동일한 구성을 가지고 있으므로, 도 3에 있어서는 광원유니트(14B)의 구성요소에 대하여는 괄호친 부호를 붙이고, 광원유니트(14A)의 구성에 대해서만 설명하기로 한다.FIG. 3 is a diagram schematically illustrating the internal configuration of the light source units 14A and 14B, and is a cross section in the plane including the optical axis of the light source units 14A and 14B which extend in a direction parallel to the Z axis. Indicates. In addition, since the light source units 14A and 14B have the same structure, in FIG. 3, the component of the light source unit 14B is attached | subjected with the parenthesis, and only the structure of the light source unit 14A is demonstrated.

광원유니트(14A)의 내부에는, 초고압수은램프(40A)가 반사경(62A)의 내부에 고정되어 있다. 반사경(62A)의 하방에는 릴레이 렌즈(66A) 및 투영렌즈(65A)가 고정되며, 초고압수은램프(40A)로부터 출사된 광속은 반사경(62A)에서 집광된 다음, 릴레이 렌즈(66A), 투영렌즈(65A)를 통해 유리기판(G)의 감광면, 즉 포토레지스트가 도포된 면으로 유도된다.Inside the light source unit 14A, an ultra-high pressure mercury lamp 40A is fixed inside the reflecting mirror 62A. Below the reflector 62A, the relay lens 66A and the projection lens 65A are fixed, and the luminous flux emitted from the ultra-high pressure mercury lamp 40A is focused on the reflector 62A, and then the relay lens 66A and the projection lens. Through 65A, the photosensitive surface of the glass substrate G, that is, the surface to which the photoresist is applied, is guided.

셔터 액츄에이터(34A)에 의해, XY평면에 따른 방향으로 구동되는 셔터(63A)는, 초고압수은램프(40A)로부터 출사된 광을 릴레이 렌즈(66A)의 입사면으로 유도하는 상태와 차단하는 상태로 전환하기 위한 것이다. 일반적으로, 초고압수은램프로부터 발사된 광이 안정되기까지는, 램프점등을 시작하고부터 수십분의 워밍업시간을 필요로 한다. 이 때문에, 주변노광장치가 가동을 개시한 다음, 초고압수은램프(40A)로부터 발사되는 광의 조사를 일시적으로 정지시킬 필요가 있는 경우에는, 초고압수은램프(40A)를 소등하지 않고, 셔터(63A)로 차광한다.The shutter 63A driven by the shutter actuator 34A in the direction along the XY plane is in a state of blocking light emitted from the ultra-high pressure mercury lamp 40A to the incident surface of the relay lens 66A and blocking the light. It is to switch. In general, until the light emitted from the ultra-high pressure mercury lamp is stabilized, a warm up time of several tens of minutes is required from the start of the lamp lighting. For this reason, when it is necessary to temporarily stop the irradiation of the light emitted from the ultra-high pressure mercury lamp 40A after the peripheral exposure apparatus starts to operate, the ultra-high pressure mercury lamp 40A is not turned off and the shutter 63A is turned off. Shade with.

블라인드 액츄에이터(36A)에 의해 구동되는 블라인드(64A)는, 유리기판(G)에조사하는 광속을 사각형으로 정형화함과 동시에, 서브주사방향의 광속의 폭(사이즈)을 조절하는 기능을 갖는다. 이러한 블라인드(64A)는, 투영렌즈(65A)의 출사면과 유리기판(G)의 포토레지스트 도포면과의 사이에, 가능한한 포토레지스트 도포면에 근접시키도록 하여 배치된다. 이러한 블라인드(64A)는, 투영렌즈(65A)에 관하여, 포토레지스트 도포면과 대응되는 위치(도 3에 있어서 기호C로 나타낸 위치)에 배치하여도 좋다.The blind 64A driven by the blind actuator 36A has a function of shaping the light beam irradiated onto the glass substrate G into a quadrangle and adjusting the width (size) of the light beam in the sub-scanning direction. The blind 64A is disposed between the emission surface of the projection lens 65A and the photoresist coating surface of the glass substrate G as close as possible to the photoresist coating surface. Such blinds 64A may be disposed at positions (positions indicated by symbols C in FIG. 3) corresponding to the photoresist coating surface with respect to the projection lens 65A.

-로더-Loader

이하에서, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명하는 로더(70)는, 주변노광장치에 내장되는 것이어도, 그렇지 않아도 좋으나, 여기서는 주변노광장치의 바깥(근방)에 설치되는 것으로서 설명한다. 또한, 도 4 및 도 5에 있어서 주변노광장치는, 정반(2), 플레이트 홀더(4) 및 플레이트 홀더 지지부(5)만이 도시되어 있으며, 다른 구성요소의 도시는 생략되어 있다.In the following, the loader 70 described with reference to FIGS. 4 and 5 may or may not be built in the peripheral exposure apparatus, but will be described as being installed outside (nearby) the peripheral exposure apparatus. 4 and 5, only the surface plate 2, the plate holder 4, and the plate holder support 5 are shown, and the illustration of other components is omitted.

로더(70)는, 주변노광장치와 다른 장치, 예컨대 코팅장치·현상장치나 액정노광장치 등과의 사이에서 노광대상물인 유리기판(G)을 반송하기 위해 이용되는 것이다. 그리고, 상면(床面)등에 배치되는 베이스부(75)상에 스칼라로봇의 암(72)이 설치되어 있다. 암(72)은, XY평면에 평행한 면방향, ±Z방향, 그리고 Z축방향으로 동작하는 자유도를 가지고 있다. 이러한 암(72)의 선단에는, ㄷ자 모양의 반송틀(73)이 고정되어 있다. 유리기판(G)은, 반송틀(73)의 암부(73a)에서 지지된 상태로 반송된다.The loader 70 is used for conveying the glass substrate G, which is an exposure object, between the peripheral exposure apparatus and another apparatus such as a coating apparatus, a developing apparatus, a liquid crystal exposure apparatus, or the like. And the arm 72 of the scalar robot is provided on the base part 75 arrange | positioned at the upper surface etc. The arm 72 has degrees of freedom to operate in the plane direction, the ± Z direction, and the Z axis direction parallel to the XY plane. A c-shaped conveyance frame 73 is fixed to the tip of such an arm 72. Glass substrate G is conveyed in the state supported by the arm part 73a of the conveyance frame 73.

계속하여 도 4 및 도 5를 참조하여, 유리기판(G)을 플레이트 홀더(4)에 올릴때의 로더(70)의 동작을 설명하기로 한다. 상술한 바와 같이, 플레이트 홀더(4)에는 복수의 돌기(4a)가 설치되어 있다. 로더(70)는 암(72) 및 기판(G)이 돌기(4a)와 충돌하지 않도록, 돌기(4a)의 약간 상방의 공간내에서 암부(73)로 지지된 유리기판(G)을 반송한다. 그리고, 유리기판(G)이 플레이트 홀더(4)상의 소정위치에 도달하면, 로더(70)는 암(72)을 마이너스 Z방향으로 움직여, 유리기판(G)을 하강시킨다. 이러한 과정에서 유리기판(G)은 복수의 돌기(4a)와 접촉하고, 계속하여 유리기판(G)은 돌기(4a)의 상면으로 진공흡착된다. 그런 다음, 로더(70)는 암(72)을 마이너스 Y방향으로 이동시켜 주변노광장치의 바깥으로 퇴피시킨다. 그리고, 나중에 설명하는 바와 같이 주변노광장치가 작동을 개시한다.4 and 5, the operation of the loader 70 when the glass substrate G is placed on the plate holder 4 will be described. As described above, the plate holder 4 is provided with a plurality of protrusions 4a. The loader 70 conveys the glass substrate G supported by the arm portion 73 in a space slightly above the protrusion 4a so that the arm 72 and the substrate G do not collide with the protrusion 4a. . When the glass substrate G reaches the predetermined position on the plate holder 4, the loader 70 moves the arm 72 in the negative Z direction to lower the glass substrate G. In this process, the glass substrate G is in contact with the plurality of protrusions 4a, and the glass substrate G is then vacuum-adsorbed onto the upper surface of the protrusion 4a. Then, the loader 70 moves the arm 72 in the negative Y direction to retract the peripheral exposure apparatus. As described later, the peripheral exposure apparatus starts to operate.

-제어회로-Control circuit

도 6은 이상에서 설명한 주변노광장치의 동작제어를 행하는 제어회로의 개략적인 구성을 설명하는 블록도이다. 주변노광장치의 동작을 총괄제어하는 제어부(100)에는, 메인주사모터(30A 및 30B), 서브주사모터(32A 및 32B), 셔터액츄에이터(34A 및 34B), 블라인드 액츄에이터(36A 및 36B), 그리고 초고압수은램프(40A 및 40B)가 접속되어 있다. 제어부(100)에는 또한, 전자식방향전환밸브(46A, 46B 및 50), 광량센서(48) 그리고 스테이지 액츄에이터(52)가 접속되어 있다. 또한, 제어부(100)에는 호스트 컴퓨터(200)가 접속되어 있다. 이러한 호스트 컴퓨터(200)는 주변노광장치를 포함하는 복수의 장치에 각각 내장되어 있는 제어회로와 통신을 행하여 제조공정을 총괄제어하기 위한 것으로서, 주변노광장치의 외부에 설치되는 것이다. 제어부(100)는, 플레이트 홀더(4)에 노광대상인 유리기판(G)이 올려진 다음, 호스트 컴퓨터(200)로부터 상기 유리기판(G)을 노광할 때의 공정 시퀀스나 유리기판(G)의 노광면에 제공하는 도즈량 등의 제어변수 등(레시피)의 정보를 입력하면, 이하에서 설명하는 노광동작의 제어를 개시한다.6 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a control circuit that performs operation control of the peripheral exposure apparatus described above. The control unit 100 which collectively controls the operation of the peripheral exposure apparatus includes the main scan motors 30A and 30B, the sub scan motors 32A and 32B, the shutter actuators 34A and 34B, the blind actuators 36A and 36B, and Ultra-high pressure mercury lamps 40A and 40B are connected. The control unit 100 is further connected with electronic direction change valves 46A, 46B and 50, a light amount sensor 48 and a stage actuator 52. In addition, the host computer 200 is connected to the control unit 100. The host computer 200 communicates with control circuits that are embedded in a plurality of devices including peripheral exposure apparatuses to collectively control the manufacturing process, and is installed outside the peripheral exposure apparatus. The control unit 100 is configured to expose the glass substrate G on the plate holder 4 and then expose the glass substrate G from the host computer 200. When information such as control variables (recipe) such as the dose amount provided on the exposure surface is input, control of the exposure operation described below is started.

-주변노광장치의 동작-Operation of peripheral exposure equipment

이상과 같이 구성되는 주변노광장치의 동작에 대하여 도 1 내지 도 6을 적당히 참조하면서 설명하기로 한다. 또한, 이하의 동작설명에서는, 초고압수은램프(40A 및 40B)는 점등개시로부터 상당한 시간이 경과된 안정상태, 즉 주변노광을 행할 수 있는 상태에 있는 것으로 한다. 호스트 컴퓨터(200)로부터 입력한 레시피에 따라, 제어부(100)는 주변노광 동작제어를 개시한다.The operation of the peripheral exposure apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS. 1 to 6 as appropriate. In addition, in the following operation description, it is assumed that the ultrahigh pressure mercury lamps 40A and 40B are in a stable state where a considerable time has elapsed since the start of the lighting, that is, a state where ambient exposure can be performed. According to the recipe input from the host computer 200, the control unit 100 starts the ambient exposure operation control.

먼저, 사각형의 외형형상을 갖는 유리기판(G)의 주위, 4개의 변을 ″ㅁ″자 형상으로 노광하는 경우에 대하여 설명하기로 한다. 유리기판(G)이 플레이트 홀더(4)에 올려진 다음, 제어부(100)는 전자식방향전환밸브(50)를 제어하여 복수의 돌기(4a)에 뚫려져 있는 구멍과 미도시된 부압원을 연통시킨다. 이에 따라, 유리기판(G)은 플레이트 홀더(4)에 흡착, 고정된다.First, a description will be given of the case where four sides of the glass substrate G having a quadrangular outer shape are exposed in a ″ ㅁ ″ shape. After the glass substrate G is placed on the plate holder 4, the controller 100 controls the electronic direction switching valve 50 to communicate the holes drilled in the plurality of protrusions 4a with a negative pressure source, not shown. Let's do it. Accordingly, the glass substrate G is adsorbed and fixed to the plate holder 4.

제어부(100)는, 메인주사모터(30A, 30B) 그리고 서브주사모터(32A, 32B)를 제어하여 회전시키고, 광원유니트(14A 및 14B)의 광출사부를 순차적으로 광량센서(48)의 상방에 위치시켜, 각 광원유니트로부터 출사되는 광속의 광량을 계측한다. 제어부(100)는, 광량이 적은 쪽의 값과, 호스트 컴퓨터(200)로부터 입력한 레시피의 정보중에 포함되는 도즈량(노광량)으로부터 광원유니트(14A 및 14B)를 유리기판(G)에 대하여 상대이동시킬 때의 이동속도를 산출한다.The control unit 100 controls and rotates the main scanning motors 30A and 30B and the sub scanning motors 32A and 32B, and sequentially emits the light output units of the light source units 14A and 14B above the light quantity sensor 48. The light quantity of the luminous flux emitted from each light source unit is measured. The control part 100 has relative light source units 14A and 14B with respect to the glass substrate G from the value of the one with less light amount, and the dose amount (exposure amount) contained in the information of the recipe input from the host computer 200. Calculate the moving speed when moving.

이와 같이 하여 구해진 이동속도로 주변노광을 행한 경우, 광량이 많은 쪽의 광원유니트로부터 출사되는 광속으로 노광되는 포토레지스트는, 과다노광이 된다. 그러나, 주변노광은 불필요한 레지스트를 제거하는 것을 목적으로 하고 있으므로, 노광량이 다소 오버되어도 문제는 없다. 오히려, 도즈량이 부족함으로써, 불필요한 레지스트를 완전히 제거할 수 없는 것이 문제이다. 따라서, 본 실시형태와 같이 복수의 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되는 광속 중, 가장 광량이 적은 것을 기준으로 하여 이들 광원유니트의 이동속도를 구함으로써, 포토레지스트의 노광량 부족이 발생하는 것을 제어할 수 있다. 따라서, 완전히 제거할 수 없어 남은 포토레지스트가 박리되는 등, 후속되는 공정중에 문제를 유발하는 일이 없어진다.When peripheral exposure is performed at the movement speed determined in this manner, the photoresist exposed at the light beam emitted from the light source unit having the higher light quantity becomes overexposure. However, since the peripheral exposure aims at removing unnecessary resist, there is no problem even if the exposure amount is somewhat overwritten. On the contrary, the problem is that the amount of dose is insufficient and the unnecessary resist cannot be completely removed. Therefore, by controlling the movement speed of these light source units on the basis of the smallest light quantity among the light fluxes emitted from the plurality of light source units 14A and 14B as in the present embodiment, it is controlled that the exposure amount shortage of the photoresist occurs. can do. Therefore, the problem is not caused during the subsequent process, such as peeling off the remaining photoresist which cannot be completely removed.

제어부(100)는, 셔터 액츄에이터(34A, 34B)를 제어하여 셔터(63A 및 63B)를 닫아, 광원유니트(14A, 14B)로부터 광속이 출사하지 않는 상태로 된다. 계속하여, 제어부(100)는, 메인주사모터(30A, 30B) 및 서브주사모터(32A, 32B)를 제어하고, 광원유니트(14A, 14B)를 메인주사방향 및 서브주사방향으로 구동하여 위치결정을 한다. 즉, 광원유니트(14A 및 14B)의 광속출사위치를 주변노광개시위치와 일치시킨다. 계속하여 제어부(100)는, 호스트 컴퓨터(200)로부터 입력한 레시피에 기초하여 블라인드 액츄에이터(36A, 36B)를 제어하고, 비패턴영역의 폭에 맞추어 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되는 광속의 빔폭을 조절한다.The control unit 100 controls the shutter actuators 34A and 34B to close the shutters 63A and 63B so that the light beams do not emit from the light source units 14A and 14B. Subsequently, the control unit 100 controls the main scanning motors 30A and 30B and the sub scanning motors 32A and 32B, and drives the light source units 14A and 14B in the main scanning direction and the sub scanning direction for positioning. Do it. That is, the luminous flux emission positions of the light source units 14A and 14B coincide with the peripheral exposure start positions. Subsequently, the control unit 100 controls the blind actuators 36A and 36B based on the recipe input from the host computer 200, and controls the blind actuators 36A and 36B to adjust the light beams emitted from the light source units 14A and 14B in accordance with the width of the non-pattern area. Adjust the beam width.

그런데, 유리기판(G)의 주변부분에 얼라인먼트 마크나 식별번호 등이 낙인되어져 있는 부분이 있는 경우에는, 이 부분이 노광되지 않도록 할 필요가 있다. 이와 같은 경우, 호스트 컴퓨터(200)로부터 입력한 레시피 중에 주변노광을 행하지않는 부분이 있다는 것을 알리는 정보가 포함된다. 제어부(100)는, 이 정보에 따라 전자식 방향전환밸브(46A, 46B)를 제어하여 마스크(16A)를 플러스 X방향으로, 그리고 마스크(16B)를 마이너스 X방향으로 구동한다. 이에 따라, 차광유니트(11A, 11B)는 도 1에 예시되는 상태로 전환되며, 마스크(16A, 16B)가 유리기판(G)상의 노광영역(PA)의 일부를 덮는다. 이에 따라, 광원유니트(14A, 14B)로부터 출사되어 유리기판(G)에 도포된 포토레지스트에 입사하는 광속이 부분적으로 차광되며, 기판(G)상에서 노광을 하고자 하지 않는 부분이 마스킹된다.By the way, in the case where the alignment mark, the identification number, or the like is marked in the peripheral portion of the glass substrate G, it is necessary to prevent this portion from being exposed. In such a case, information indicating that there is a portion which does not perform the peripheral exposure among the recipes input from the host computer 200 is included. The control unit 100 controls the electronic direction change valves 46A and 46B in accordance with this information to drive the mask 16A in the positive X direction and the mask 16B in the negative X direction. Accordingly, the light blocking units 11A and 11B are switched to the state illustrated in FIG. 1, and the masks 16A and 16B cover a part of the exposure area PA on the glass substrate G. As shown in FIG. As a result, the luminous flux emitted from the light source units 14A and 14B and incident on the photoresist applied to the glass substrate G is partially shielded, and the portion not to be exposed on the substrate G is masked.

제어부(100)는, 셔터 액츄에이터(34A, 34B)를 제어하여 셔터(63A, 63B)를 열어, 광원유니트(14A, 14B)로부터 광속이 출사하는 상태로 하고, 계속하여 메인주사모터(30A, 30B)를 제어하여 광원유니트(14A, 14B)를 메인주사방향으로 주사시킨다. 광원유니트(14A 및 14B)는, 지지부재(12)로 유지된 상태에서 유리기판(G)의 상방을 일체로 거의 일정한 속도로 주사하고, 유리기판(G)의 2개의 변(도 1에 있어서 Y방향에 따른 2개의 변)의 주변노광을 완료한다. 이 때, 차광유니트(11A, 11B)로 차광되어 있는 부분은 노광되지 않는다. 이와 같이, 본 발명에 따른 주변노광장치에서는, 도중에 노광하고자 하지 않는 부분이 존재하는 경우라도, 광원유니트(14A, 14B)가 주사를 개시하고부터 정지할 때까지의 사이, 거의 일정한 속도로 주사시킬 수 있다. 종래방식에서는, 노광하고자 하지 않는 부분의 선두부에서 광원유니트의 주사를 일시정지시켜 셔터(63A, 63B)를 닫고, 주사를 재개하여 노광하고자 하지 않는 부분의 종단에서 다시 주사를 일시정지하고, 다시 셔터를 열어 주사를 재개한다. 상술한 주변노광장치는 이와 같은 종래의 방식에 비해 단시간내에 주변노광을완료할 수 있으며, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시킬 수 있다.The control unit 100 controls the shutter actuators 34A and 34B to open the shutters 63A and 63B so that the light beams are emitted from the light source units 14A and 14B, and then the main scanning motors 30A and 30B. ) To scan the light source units 14A and 14B in the main scanning direction. The light source units 14A and 14B integrally scan the upper portion of the glass substrate G at a substantially constant speed while being held by the support member 12, and the two sides of the glass substrate G (in Fig. 1). Ambient exposure of the two sides along the Y direction is completed. At this time, the part shielded by the light shielding units 11A and 11B is not exposed. As described above, in the peripheral exposure apparatus according to the present invention, even when there is a portion not to be exposed in the middle, the light source units 14A and 14B can be scanned at a substantially constant speed from the start to the stop of the scanning. Can be. In the conventional method, the scanning of the light source unit is paused at the head of the portion not to be exposed to close the shutters 63A and 63B, the scanning is resumed, and the scanning is paused again at the end of the portion not to be exposed. Open the shutter to resume scanning. The above-described peripheral exposure apparatus can complete the peripheral exposure in a short time as compared to the conventional method, and can improve the throughput of the peripheral exposure apparatus.

상술한 바와 같이 하여, 유리기판(G)의 대향하는 두 개의 변의 주변노광이 완료됨에 따라, 제어부(100)는 셔터 액츄에이터(34A, 34B)를 제어하여 셔터(63A, 63B)를 닫아, 광원유니트(14A, 14B)로부터의 광속의 출사를 정지시킨다.As described above, as the peripheral exposure of the two opposite sides of the glass substrate G is completed, the controller 100 controls the shutter actuators 34A and 34B to close the shutters 63A and 63B, so that the light source unit is closed. The emission of the light beams from 14A and 14B is stopped.

계속하여 제어부(100)는, 스테이지 액츄에이터(52)를 제어하여 플레이트 홀더(4)를 Z축에 평행한 회전축방향으로 90도 회전시킨다. 동시에, 호스트 컴퓨터(200)로부터 입력한 레시피에 따라, 제어부(100)는 서브주사모터(32A, 32B) 그리고 블라인드 액츄에이터(36A, 36B)를 제어하여 광원 유니트(14A, 14B)의 광축간 거리를 변경함과 동시에, 빔사이즈의 변경을 행한다. 이와 같이, 플레이트 홀더(4)의 회전과, 복수의 광원유니트(14A, 14B)의 광축간 거리의 변경 및 빔사이즈의 변경을 동시에 행함으로써, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 플레이트 홀더(4)의 회전과 동시에 행해지는 것은 복수의 광원유니트(14A, 14B)간의 광축간 거리의 변경만이어도 좋고, 혹은 빔사이즈의 변경만이어도 좋다.Subsequently, the control unit 100 controls the stage actuator 52 to rotate the plate holder 4 by 90 degrees in the rotation axis direction parallel to the Z axis. At the same time, in accordance with the recipe input from the host computer 200, the controller 100 controls the sub scanning motors 32A, 32B and the blind actuators 36A, 36B to determine the distance between the optical axes of the light source units 14A, 14B. At the same time, the beam size is changed. In this manner, by rotating the plate holder 4 and changing the distance between the optical axes of the light source units 14A and 14B and the beam size at the same time, it is possible to improve the through foot of the peripheral exposure apparatus. In addition, the change in the distance between the optical axes between the plurality of light source units 14A and 14B may be performed at the same time as the rotation of the plate holder 4, or only the change in the beam size may be performed.

상술한 플레이트 홀더(4)의 회전, 광원유니트(14A, 14B)의 광축간 거리의 변경, 그리고 빔사이즈의 변경에 계속하여, 제어부(100)는 메인주사모터(30A, 30B)를 제어하여 광원유니트(14A, 14B)의 광속의 출사부를 다음의 주변노광의 개시위치로 이동시킨다. 그리고, 호스트 컴퓨터(200)로부터 입력한 레시피에 기초하여 다음의 주변노광을 행하는 영역중에 차광을 필요로 하는 영역이 있다고 판단한 경우, 제어부(100)는 마스크(16A, 16B)가 유리기판(G)상의 노광영역(PA)의 일부를 덮는 상태를 유지한다. 한편, 차광을 필요로 하는 영역이 없다고 판단하면, 제어부(100)는 전자식 방향전환밸브(46A, 46B)를 제어하여 마스크(16A, 16B)를 유리기판(G)의 주변노광의 범위로부터 퇴피시킨다. 계속하여 제어부(100)는, 셔터 액츄에이터(34A 및 34B)를 제어하여 셔터(63A, 63B)를 열고, 광원유니트(14A, 14B)로부터 광속이 출사하는 상태로 한 다음 메인주사모터(30A, 30B)를 제어하고, 광원유니트(14A, 14B)를 메인주사방향으로 주사시킨다.Subsequent to the above-described rotation of the plate holder 4, change of the distance between the optical axes of the light source units 14A and 14B, and change of the beam size, the control unit 100 controls the main scanning motors 30A and 30B to control the light source. The output section of the luminous flux of the units 14A and 14B is moved to the start position of the next peripheral exposure. Then, when it is determined that there is an area requiring light shielding among the areas to be subjected to the next exposure based on the recipe input from the host computer 200, the control unit 100 determines that the masks 16A and 16B are the glass substrates G. FIG. The state which covers a part of exposure area PA of an image is maintained. On the other hand, if it is determined that there is no area requiring light shielding, the controller 100 controls the electronic direction change valves 46A and 46B to evacuate the masks 16A and 16B from the range of ambient exposure of the glass substrate G. . Subsequently, the control unit 100 controls the shutter actuators 34A and 34B to open the shutters 63A and 63B, bring the light beams out from the light source units 14A and 14B, and then the main scan motors 30A and 30B. ), And the light source units 14A and 14B are scanned in the main scanning direction.

제어부(100)에 의한 이상의 제어동작에 의해, 유리기판(G)의 네 개의 변 ″ㅁ″자 형상의 주변노광이 완료된다. 주변노광의 패턴이 ″目″자 형상, ″日″자 형상, ″田″자 형상인 경우, 혹은 이들을 복합한 형상의 패턴인 경우, 제어부(100)는 계속하여 상술한 것과 동일한 주변노광동작을 반복적으로 행한다. 이 때 제어부(100)는, 주변노광의 패턴이 짝수개 있는 경우에는 광원유니트(14A, 14B)의 쌍방을 주사시켜 노광을 행한다. 한편, 주변노광의 패턴이 ″日″자 패턴과 같이 홀수개 있는 경우에는, 마지막으로 남은 하나의 패턴을 복수의 광원유니트(14A, 14B)중 어느 하나를 이용하여 행하도록, 제어부(100)는 서브주사모터(32A, 32B)를 제어한다. 이 때, 나머지 광원유니트, 즉 주변노광동작을 행하지 않는 광원유니트의 이동은, 주변노광동작을 행하는 광원유니트와 간섭하지 않도록, 제어부(100)에 의해 제어된다. 상기 실시형태의 설명에서는, 광원유니트가 두 개 설치되는 예에 대하여 설명하였으나, 광원유니트의 수는 3개 이상으로 하여도 좋다. 이러한 경우, 주변노광의 패턴수를 광원유니트의 수로 나누었을 때의 나머지 수의 패턴을 일부의 광원유니트로 노광하면 된다. 그리고, 주변노광동작을 행해지않는 광원유니트는, 주변노광동작을 행하는 광원유니트와 간섭하지 않게 이동하도록, 제어부(100)에 의해 제어된다.By the above control operation by the controller 100, the peripheral exposure of the four sides &quot;. &Quot; shapes of the glass substrate G is completed. When the pattern of the ambient exposure is a ″ 目 ″ shape, ″ 日 ″ shape, ″ 田 ″ shape, or a pattern of a combination thereof, the controller 100 continues to perform the same ambient exposure operation as described above. Do it repeatedly. At this time, the control unit 100 performs exposure by scanning both of the light source units 14A and 14B when there are even numbers of peripheral exposures. On the other hand, when there are an odd number of patterns of the peripheral exposure, such as a ″ day ″ pattern, the controller 100 performs the last one pattern using any one of the plurality of light source units 14A and 14B. The sub scanning motors 32A and 32B are controlled. At this time, the movement of the remaining light source units, that is, the light source units that do not perform the peripheral exposure operation, is controlled by the controller 100 so as not to interfere with the light source units that perform the peripheral exposure operation. In the description of the above embodiment, an example in which two light source units are provided has been described, but the number of light source units may be three or more. In such a case, what is necessary is just to expose the remaining number of patterns when dividing the number of patterns of ambient exposure by the number of light source units by a part of light source units. The light source unit that does not perform the ambient exposure operation is controlled by the controller 100 so as to move without interfering with the light source unit that performs the ambient exposure operation.

여기서, 도 7을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 따른 주변노광장치로 ″目″자 형상의 패턴의 주변노광이 행해지는 예를 둘, 그리고 ″日″자 형상의 패턴의 주변노광이 행해지는 예를 하나 설명하기로 한다.Here, with reference to FIG. 7, two examples of the peripheral exposure of the pattern of ″ 目 ″ shape are performed by the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, and the peripheral exposure of the pattern of ″ 日 ″ shape is performed. An example will be described.

도 7의 (a)는 ″目″자 형상의 패턴 중 두 개의 패턴이 비교적 넓은 간격을 가지고 있는 예를 나타내고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에 나타낸 형상패턴의 주변노광을 행할 때의 제어부(100)에 의한 노광제어순서의 일례를 나타낸다. 도 7의 (b)의 순서 A에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 장변에 따른 두 개의 패턴이 광원유니트(14A, 14B)에 의해 노광되고, 계속하여 플레이트 홀더(4)(도 2)가 90도 회전된다. 플레이트 홀더(4)의 회전중에 광원유니트(14A, 14B)는 서브주사방향으로 구동되어 간격이 조절된다. 계속하여, 순서 B에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 단변에 따른 두 개의 패턴이 노광된다. 이 때, 광원유니트(14A, 14B)와 유리기판(G)과의 사이의 상대이동방향은, 순서 A에 있어서의 상대이동방향과는 반대방향으로 되어 있다. 순서 B에 있어서의 노광동작이 완료된 다음, 광원유니트(14A, 14B)는 서브주사방향으로 구동되어 두 개의 광원유니트 사이의 간격이 좁혀진다. 그리고, 순서 C에 나타낸 바와 같이, 순서 B에서의 상대이동방향과는 반대방향으로 광원유니트(14A, 14B)와 기판(G)이 상대구동되어 나머지 두 개의 패턴의 노광이 행해진다.FIG. 7A illustrates an example in which two patterns of the ″ 目 ″ shape pattern have relatively wide intervals, and FIG. 7B illustrates peripheral exposure of the shape pattern shown in FIG. 7A. An example of the exposure control procedure by the control part 100 at the time of carrying out is shown. As shown in step A of FIG. 7B, two patterns along the long sides of the substrate G are exposed by the light source units 14A and 14B, and then the plate holder 4 (FIG. 2) is opened. Rotate 90 degrees. During rotation of the plate holder 4, the light source units 14A and 14B are driven in the sub-scanning direction to adjust the spacing. Subsequently, as shown in step B, two patterns along the short side of the substrate G are exposed. At this time, the relative movement direction between the light source units 14A and 14B and the glass substrate G is the opposite direction to the relative movement direction in step A. FIG. After the exposure operation in step B is completed, the light source units 14A and 14B are driven in the sub-scanning direction to narrow the interval between the two light source units. Then, as shown in step C, the light source units 14A and 14B and the substrate G are driven relative to the direction of relative movement in step B so that the remaining two patterns are exposed.

도 7의 (c)는, 「目」자의 형상패턴 중 두 개의 패턴이 비교적 좁은 간격을 가지고 있는 예를 나타내고, 도 7의 (d)는 도 7의 (c)에 나타낸 형상패턴의 주변노광을 행할 때의 제어부(100)에 의한 노광제어순서의 일례를 나타낸다. 여기서 ″비교적 좁은″이란, 광원유니트(14A, 14B)의 크기등의 제약에 의해, 광원유니트(14A, 14B)를 가장 근접시킨 상태로 하여도, 이들의 광원유니트의 광출사부로부터 각각 출사하는 광속의 피치보다 패턴의 간격이 좁아지는 것을 의미하고 있다.Fig. 7C shows an example in which two patterns among the shape patterns of the “目” have relatively narrow intervals, and Fig. 7D shows the peripheral exposure of the shape pattern shown in Fig. 7C. An example of the exposure control procedure by the control part 100 at the time of carrying out is shown. The term &quot; relatively narrow &quot; refers to the light emitted from the light exit units of these light source units even when the light source units 14A and 14B are brought closest to each other due to the size of the light source units 14A and 14B. This means that the interval between the patterns is narrower than the pitch of the luminous flux.

도 7의 (d)의 순서 P에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 장변에 따른 두 개의 패턴이 광원 유니트(14A, 14B)에 의해 노광되고, 계속하여 플레이트 홀더(4)가 90도 회전된다. 플레이트 홀더(4)의 회전중에 광원유니트(14A, 14B)는 서브주사방향으로 구동되어 간격이 조절된다. 계속하여, 순서 Q에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 단변의 연장되어 존재하는 방향과 평행한 방향에 따른 4개의 패턴 중 가장 왼쪽의 패턴과, 왼쪽으로부터 세 번째의 패턴이 노광된다. 이 때, 광원유니트(14A, 14B)와 유리기판(G)과의 사이의 상대이동방향은, 순서 P에 있어서의 상대이동방향과는 반대방향으로 되어 있다. 순서 Q에 있어서의 노광동작이 완료된 다음, 광원유니트(14A, 14B)는 서브주사방향으로 구동된다. 그리고, 순서 R에 나타낸 바와 같이, 순서 Q에서의 상대이동방향과는 반대방향으로 광원유니트(14A, 14B)와 기판(G)이 상대구동되어, 나머지 두 개의 패턴의 노광이 행해진다.As shown in the procedure P of FIG. 7D, two patterns along the long sides of the substrate G are exposed by the light source units 14A and 14B, and the plate holder 4 is then rotated 90 degrees. . During rotation of the plate holder 4, the light source units 14A and 14B are driven in the sub-scanning direction to adjust the spacing. Subsequently, as shown in step Q, the leftmost pattern and the third pattern from the left are exposed among the four patterns along the direction parallel to the direction in which the short side of the substrate G extends. At this time, the relative movement direction between the light source units 14A and 14B and the glass substrate G is in a direction opposite to the relative movement direction in the procedure P. FIG. After the exposure operation in step Q is completed, the light source units 14A and 14B are driven in the sub-scanning direction. As shown in step R, the light source units 14A and 14B and the substrate G are driven in the opposite direction to the relative moving direction in step Q, and the remaining two patterns are exposed.

도 7의 (b)에 나타낸 예에서는, 유리기판(G)의 단변의 연장되어 존재하는 방향과 평행한 방향을 따라 4개의 패턴을 노광할 때, 바깥·바깥, 안·안으로 노광한 것에 대하여, 도 7의 (d)에 나타낸 예에서는 바깥·안, 안·바깥으로 노광하고 있다. 즉, 어느 광원유니트가 서브주사방향으로 이동할 때 제어부(100)는, 상기 광원유니트와 이 광원유니트에 서로 이웃하는 광원유니트와의 사이의 거리를 소정이상으로 유지하도록 이들 복수의 광원유니트(14A, 14B)를 제어한다. 그리고 제어부(100)는, 일방의 광원유니트의 움직임을 방해하지 않도록(간섭하지 않도록) 다른 광원유니트를 이동시킨다. 복수의 광원유니트를 상술한 바와 같이 이동시킴으로써, 서로 이웃하는 광원유니트끼리가 간섭하지 않는다. 또한, 노광패턴을 형성하는 패턴으로 간격이 비교적 좁은 부분이 있어도 노광을 행할 수 있다. 특히, 본 실시형태에 따른 주변노광장치와 같이 광원과 집광광학계가 일체로 형성되어 있는 광원유니트가 사용되는 것인 경우, 광원이나 집광광학계의 크기가 네크(neck)가 되어 서로 이웃하는 광원유니트로부터 출사되는 광속의 피치에 제약을 발생시키기 쉽다. 그러나, 상술한 바와 같이 하여 노광을 행함으로써, 좁은 패턴간격이어도 쓰루푸트를 저하시키지 않고 노광을 행하는 것이 가능해진다.In the example shown in FIG. 7B, when the four patterns are exposed along the direction parallel to the direction in which the short side of the glass substrate G extends, it is exposed to the outside, the outside, the inside, and the inside. In the example shown in FIG.7 (d), it exposes outside, inside, inside, and outside. That is, when a light source unit moves in the sub-scanning direction, the control unit 100 maintains the distance between the light source unit and light source units adjacent to each other in the light source unit at a predetermined value or more so as to maintain a plurality of light source units 14A, 14B). And the control part 100 moves another light source unit so that it may not interfere (interfere) with the movement of one light source unit. By moving the plurality of light source units as described above, neighboring light source units do not interfere with each other. Moreover, exposure can be performed even if there exists a comparatively narrow part in the pattern which forms an exposure pattern. In particular, when the light source unit in which the light source and the condensing optical system are integrally formed, such as the peripheral exposure apparatus according to the present embodiment, is used, the size of the light source or the condensing optical system becomes a neck, It is easy to generate a restriction on the pitch of the light beam emitted. However, by exposing as described above, even if it is a narrow pattern interval, it becomes possible to perform exposure without reducing throughput.

도 7의 (e)는, 노광패턴이 ″日″자 형상패턴을 갖는 예를 나타내고, 도 7의 (f)는 도 7의 (e)에 나타낸 형상패턴의 주변노광을 행할 때의 제어부(100)에 의한 노광제어순서의 일례를 나타낸다. 도 7의 (f)의 순서 X에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 장변에 따른 두 개의 패턴이 광원유니트(14A, 14B)에 의해 노광되고, 계속하여 플레이트 홀더(4)가 90도 회전된다. 플레이트 홀더(4)의 회전중에 광원유니트(14A, 14B)는 서브주사방향으로 구동되어 간격이 조절된다. 계속하여, 순서 Y에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 단변에 따른 두 개의 패턴이 노광된다. 이 때, 광원유니트(14A, 14B)와 유리기판(G)과의 사이의 상대이동방향은, 순서 X에 있어서의 상대이동방향과는 반대방향으로 되어 있다. 순서 Y에 있어서의 노광동작이 완료된 다음, 광원유니트(14B)만이 서브주사방향으로 구동된다. 그리고, 순서Z에 나타낸바와 같이, 순서Y에서의 상대이동방향과는 반대방향으로 광원유니트(14A, 14B)와 기판(G)이 상대 구동되어 나머지 패턴의 노광이 행해진다. 또한, 순서 Z에 있어서 광원(14A)의 셔터(63)는 닫혀진 상태로 되어 있다. 이상에서는, 나머지 패턴의 노광시 광원유니트(14B)가 이용되는 예에 대하여 설명하였으나, 물론 광원유니트(14A)를 이용하는 것이어도 좋다. 또한, 상술한 ″日″형상, 혹은 이에 준하는 패턴의 노광이 반복적으로 행해지는 경우, 광원유니트(14A, 14B)는 교대로, 혹은 소정의 회수마다 교체하여 이용되는 것이어도 좋다.FIG. 7E shows an example in which the exposure pattern has a ″ day ″ shape pattern, and FIG. 7F shows the control unit 100 when performing the peripheral exposure of the shape pattern shown in FIG. 7E. ) Shows an example of an exposure control procedure. As shown in step X of FIG. 7F, two patterns along the long sides of the substrate G are exposed by the light source units 14A and 14B, and the plate holder 4 is then rotated 90 degrees. . During rotation of the plate holder 4, the light source units 14A and 14B are driven in the sub-scanning direction to adjust the spacing. Subsequently, as shown in step Y, two patterns along the short side of the substrate G are exposed. At this time, the relative movement direction between the light source units 14A and 14B and the glass substrate G is the opposite direction to the relative movement direction in step X. After the exposure operation in step Y is completed, only the light source unit 14B is driven in the sub scanning direction. As shown in step Z, the light source units 14A and 14B and the substrate G are driven relative to the direction of relative movement in step Y to expose the remaining patterns. In addition, in step Z, the shutter 63 of the light source 14A is in a closed state. In the above, the example which used the light source unit 14B at the time of exposing the remaining pattern was demonstrated, Of course, the light source unit 14A may be used. In addition, when exposure of the above-mentioned "day" shape or a pattern equivalent thereto is repeatedly performed, the light source units 14A and 14B may be used alternately or alternately every predetermined number of times.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 따른 주변노광장치에서는, 노광패턴형상의 여하에 관계없이, 높은 쓰루푸트의 노광을 행할 수 있다. 특히, 초고압수은램프(40A, 40B)로부터의 광을 광섬유를 이용하지 않고 기판(G)으로 유도하고 있으므로, 광섬유의 충진율 등에 기인하는 광량의 저하가 억제되어, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시킬 수 있다. 또한, 광섬유의 열화 등에 의한 문제도 발생하지 않으므로, 주변노광장치의 신뢰성을 높일 수 있음에 더하여, 복수의 광원유니트를 상술한 바와 같이 구동함으로써 기판상에 형성가능한 주변노광패턴의 자유도를 높이는 것이 가능해진다.As described above, in the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention, high throughput can be exposed regardless of the exposure pattern shape. In particular, since the light from the ultra-high pressure mercury lamps 40A and 40B is guided to the substrate G without using an optical fiber, a decrease in the amount of light due to the filling rate of the optical fiber is suppressed, thereby improving throughput of the peripheral exposure apparatus. Can be. In addition, since there is no problem caused by deterioration of the optical fiber, the reliability of the peripheral exposure apparatus can be increased, and in addition, the degree of freedom of the peripheral exposure pattern that can be formed on the substrate can be increased by driving the plurality of light source units as described above. Become.

이상의 설명에서는, 광원유니트(14A 및 14B)로부터 출사되는 광속의 광량을 검출하기 위하여, 정반(2)상에 광량센서(48)가 설치되는 예에 대하여 설명하였으나, 광원유니트(14A, 14B)의 각각에 광량센서를 내장하는 것이어도 좋다. 또한, 주변노광장치가 갖는 광원유니트의 수는 2개에 한정되지 않고, 3개 이상을 갖는 것이어도 좋다.In the above description, the example in which the light quantity sensor 48 is provided on the surface plate 2 in order to detect the light quantity of the light beam emitted from the light source units 14A and 14B has been described, but the light source units 14A and 14B have been described. A light quantity sensor may be incorporated in each. The number of light source units included in the peripheral exposure apparatus is not limited to two, but may have three or more.

복수의 광원유니트를 메인주사방향 및 서브주사방향으로 구동하기 위한 것으로서, 이상에 설명한 이송나사기구뿐만 아니라, 리니어(linear) 모터나 벨트구동기구 등, 다른 액츄에이터나 기구 등을 이용하는 것이어도 좋다. 또한, 도 8을 참조하여 이하에 설명하는 바와 같이, 광원유니트를 서브주사방향으로 구동하기 위한 기구로서 회동기구를 이용하는 것이어도 좋다.In order to drive a plurality of light source units in the main scanning direction and the sub scanning direction, other actuators or mechanisms, such as linear motors and belt drive mechanisms, may be used, as well as the transfer screw mechanism described above. As described below with reference to FIG. 8, a rotating mechanism may be used as a mechanism for driving the light source unit in the sub scanning direction.

도 8은, 본 발명의 실시형태에 따른 주변노광장치에 있어서의 광원유니트의 서브주사방향 구동기구의 다른 예를 나타낸 예이다. 도 8에서는 주변노광장치의 일부만이 나타나 있는데, 다른 부분은 도 1에 나타난 것과 동일하다. 도 8에 있어서, 도 1에 나타낸 주변노광장치의 구성요소와 동일한 구성요소에는 동일한 부호를 붙여 그 설명을 생략하기로 한다. 구동부재(12)에는, 회동암(134A, 134B)을 통해 광원유니트(14A, 14B)가 지지되어 있다. 회동암(134A)의 회동중심축에는, 서브주사모터(132A) 및 엔코더(133A)가 장착되어 있다. 마찬가지로, 회동암(134B)의 회동중심축에도 서브주사모터(132B) 및 엔코더(133B)가 장착되어 있다. 이들 서브주사모터(132A, 132B) 및 엔코더(133A, 133B)는 모두 제어부(100)에 접속되어 있다.8 is an example showing another example of the sub scanning direction driving mechanism of the light source unit in the peripheral exposure apparatus according to the embodiment of the present invention. In FIG. 8, only a part of the peripheral exposure apparatus is shown. The other part is the same as that shown in FIG. 1. In FIG. 8, the same components as those of the peripheral exposure apparatus shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The light source units 14A and 14B are supported by the drive member 12 via the rotational arms 134A and 134B. The sub-scan motor 132A and the encoder 133A are attached to the rotation center axis of the rotation arm 134A. Similarly, the sub-scan motor 132B and the encoder 133B are attached to the pivotal axis of the rotational arm 134B. These sub scanning motors 132A, 132B and encoders 133A, 133B are all connected to the control part 100. FIG.

제어부(100)에 의해 제어되는 서브주사 모터(132A, 132B)에 의해, 회동암(134A, 134B)은 각각 요동구동된다. 광원유니트(14A, 14B)는 회동암(134A, 134B)의 선단에 고정되어 있으며, 회동암(134A, 134B)의 각도위치에 기초하여 이들 광원유니트(14A, 14B)의 서브주사방향의 위치가 결정된다. 회동암(134A, 134B)의 각도위치는 각각 엔코더(133A, 133B)에 의해 검출된다. 제어부(100)는엔코더(133A, 133B)로부터 입력되는 각도위치정보에 기초하여 서브주사모터(132A, 132B)를 제어하고, 광원유니트(14A, 14B)의 서브주사방향의 위치결정을 행한다. 또한, 여기서 설명한 예에 있어서는, 회동암(134A, 134B)의 각도위치에 따라 블라인드(64A, 64B)에 의해 형성되는 개구형상(빔의 단면형상)이 메인주사방향에 대하여 경사를 갖게 된다. 이러한 경사를 보정하기 위해서는, 광원유니트(14A, 14B)를 회동암(134A, 134B)에 대하여 상대회전이 가능하게 하여도 좋다. 혹은, 블라인드(64A(64B)) 및 블라인드 액츄에이터(36A(36B))의 부분만을 회동암(134A(134B))에 대하여 상대회전이 가능하도록 하여도 좋다. 또한, 이와 같은 회전기구를 이용하는 대신, 회동암(134A(134B)) 각각을 두 개의 암이 이용된 평행링크로 치환하고, 광원유니트(14A, 14B)를 각각 평행링크의 선단부에서 지지하여도 좋다. 이러한 경우, 평행링크의 각도위치, 즉 광원유니트(14A, 14B)의 서브주사방향의 위치에 관계없이, 블라인드(64A, 64B)에 의해 형성되는 개구의 각도위치는 메인주사방향에 대하여 일정하게 유지된다.By the sub scanning motors 132A and 132B controlled by the control part 100, the rotation arm 134A and 134B rock-drives, respectively. The light source units 14A and 14B are fixed to the tip ends of the rotational arms 134A and 134B, and the positions of the light source units 14A and 14B in the sub scanning direction are based on the angular positions of the rotational arms 134A and 134B. Is determined. The angular positions of the rotational arms 134A and 134B are detected by the encoders 133A and 133B, respectively. The control unit 100 controls the sub scanning motors 132A and 132B based on the angular position information input from the encoders 133A and 133B, and performs positioning of the light source units 14A and 14B in the sub scanning direction. In addition, in the example described here, the opening shape (cross section shape of the beam) formed by the blinds 64A and 64B is inclined with respect to the main scanning direction according to the angular position of the rotational arms 134A and 134B. In order to correct this inclination, the light source units 14A and 14B may be made to allow relative rotation with respect to the rotational arms 134A and 134B. Alternatively, only the portions of the blind 64A (64B) and the blind actuator 36A (36B) may be allowed to be rotated relative to the pivot arm 134A (134B). In addition, instead of using such a rotating mechanism, each rotation arm 134A (134B) may be replaced by a parallel link using two arms, and the light source units 14A and 14B may be supported at the front end portions of the parallel links, respectively. . In this case, irrespective of the angular position of the parallel link, that is, the position of the sub scanning direction of the light source units 14A and 14B, the angular position of the opening formed by the blinds 64A and 64B is kept constant with respect to the main scanning direction. do.

또한, 이상에서는 복수의 광원유니트가 메인주사방향으로 구동되는 예에 대하여 설명하였으나, 이것 대신에 기판(G)이 메인주사방향으로 구동되는 것이어도 좋다. 또한, 복수의 광원유니트 및 기판(G)의 쌍방을 구동하여 이들 복수의 광원유니트와 기판(G)을 상대이동시켜도 좋다. 이러한 경우, 도 1에 나타낸 차광유니트(11A 및 11B)는 플레이트 홀더(4)와 일체로 이동하도록 구성하면 된다.In the above description, an example in which a plurality of light source units are driven in the main scanning direction has been described, but instead, the substrate G may be driven in the main scanning direction. Further, both of the plurality of light source units and the substrate G may be driven to relatively move the plurality of light source units and the substrate G. In such a case, the light shielding units 11A and 11B shown in FIG. 1 may be configured to move integrally with the plate holder 4.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 이하의 효과를 갖는다.As described above, according to the present invention, the following effects are obtained.

(1) 청구항 1∼3에 기재된 발명에 의하면, 감광기판의 대략 중앙부에 위치결정이 가능한 복수의 조명유니트의 각각을 제2 방향으로 구동하는 경우에, 이들 복수의 조명유니트가 서로 간섭하지 않도록 구동함으로써, 이들 복수의 조명유니트가 충돌하는 등의 문제가 발생하지 않고, 주변노광장치를 원활하게 가동시킬 수 있으며, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시키는 것이 가능해진다.(1) According to the invention of Claims 1 to 3, when driving each of a plurality of lighting units that can be positioned in a substantially central portion of the photosensitive substrate in the second direction, the driving is performed such that the plurality of lighting units do not interfere with each other. This makes it possible to smoothly operate the peripheral exposure apparatus without causing a problem such that the plurality of lighting units collide with each other, and it is possible to improve the through foot of the peripheral exposure apparatus.

(2) 청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 광의 강도를 검출하고, 복수의 조명유니트의 각각과 감광기판을 상대이동시켜 감광기판상의 비패턴영역을 노광할 때, 광량검출수단으로 검출된 복수의 조명유니트의 광의 강도 중 낮은 쪽의 강도에 기초하여 복수의 조명유니트의 각각과 감광기판과의 상대이동의 속도를 설정한다. 이에 따라, 복수의 조명유니트로부터 출사되는 광속의 광량에 편차를 가지고 있어도, 포토레지스트를 제거하기에 충분한 광량으로 노광을 행할 수 있다. 또한, 각 조명유니트마다의 광량에 따라 몇번이고 주변노광동작을 반복할 필요가 없고, 한꺼번에 노광을 행할 수 있으므로, 각 조명유니트마다의 광량에 편차를 가지고 있어도 주변노광장치의 쓰루푸트가 저하하는 것을 제어할 수 있다.(2) According to the invention of claim 4, when the intensity of light emitted from each of the plurality of lighting units is detected, and each of the plurality of lighting units and the photosensitive substrate are relatively moved, the non-pattern area on the photosensitive substrate is exposed. The speed of relative movement between each of the plurality of lighting units and the photosensitive substrate is set based on the lower intensity among the light intensities of the plurality of lighting units detected by the light quantity detecting means. Thereby, even if there is a deviation in the amount of light beams emitted from the plurality of lighting units, the exposure can be performed with an amount of light sufficient to remove the photoresist. In addition, it is not necessary to repeat the surrounding exposure operation several times depending on the amount of light for each lighting unit, and exposure can be performed at once, so that the throughput of the peripheral exposure apparatus decreases even if there is a deviation in the amount of light for each lighting unit. Can be controlled.

(3) 청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 빔의 사이즈가 서로 독립적으로 변경됨으로써, 다른 폭을 갖는 복수의 패턴을 동시에 노광할 수 있으며, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시키는 것이 가능해진다.(3) According to the invention described in claim 5, by changing the sizes of beams emitted from each of the plurality of lighting units independently of each other, it is possible to simultaneously expose a plurality of patterns having different widths, and throughput of the peripheral exposure apparatus. It becomes possible to improve.

(4) 청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 복수의 조명유니트간의 거리의 변경동작은, 회전구동부에 의해 감광기판이 회전구동되는 것과 병행하여 행해짐으로써, 계속하여 행해지는 복수의 노광동작간의 인터벌(interval)이 단축된다. 따라서, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시키는 것이 가능해진다.(4) According to the invention described in claim 6, the operation of changing the distance between the plurality of lighting units is performed in parallel with the rotation driving of the photosensitive substrate by the rotation driving unit, and thus the interval between the plurality of exposure operations performed subsequently. ) Is shortened. Therefore, it becomes possible to improve the through foot of the peripheral exposure apparatus.

(5) 청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 빔의 사이즈 변경동작은, 회전구동부에 의해 감광기판이 회전구동되는 것과 병행하여 행해짐으로써, 계속하여 행해지는 복수의 노광동작간의 인터벌이 단축된다. 따라서, 주변노광장치의 쓰루푸트를 향상시키는 것이 가능해진다.(5) According to the invention as set forth in claim 7, the plurality of exposures performed continuously are performed in parallel with the rotation of the photosensitive substrate by the rotation driving unit. The interval between operations is shortened. Therefore, it becomes possible to improve the through foot of the peripheral exposure apparatus.

(6) 청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 복수의 조명유니트와 감광기판을 상대이동시키는 이동경로 근방에 설치되고, 광출사부로부터 출사된 광이 감광기판상의 조사를 원하지 않는 부분에 조사되는 것을 방지하기 위한 차광수단을 가짐으로써, 노광대상인 비패턴영역중에 노광을 행하지 않는 부분이 있어도, 조명유니트를 일시정지시키지 않고 주사시킬 수 있다. 즉, 주변노광동작을 위해 주사중의 조명유니트를 일시정지시켜 조명유니트내의 셔터를 작동시켜, 원하지 않는 부분으로의 노광이 행해지지 않도록 할 필요가 없다. 이와 같이, 주변노광동작중의 조명유니트의 정지 및 이동(가감속 동작)이 불필요해지므로, 주변노광장치의 쓰루푸트를 높이는 것이 가능해진다.(6) According to the invention as set forth in claim 8, it is provided in the vicinity of the movement path for relatively moving the plurality of lighting units and the photosensitive substrate, and prevents the light emitted from the light exiting portion from being irradiated to the part where the irradiation on the photosensitive substrate is not desired. By having the light shielding means for this purpose, even if there is a portion in the non-patterned region to be exposed, which is not subjected to exposure, the illumination unit can be scanned without stopping. That is, it is not necessary to pause the illumination unit under scanning for the peripheral exposure operation to operate the shutter in the illumination unit, so that exposure to unwanted portions is not prevented. In this way, the stop and movement (acceleration / deceleration operation) of the lighting unit during the peripheral exposure operation becomes unnecessary, so that the through foot of the peripheral exposure apparatus can be increased.

(7) 청구항 9에 기재된 발명에 의하면, 차광수단이 필요에 따라 조명유니트와 기판과의 사이의 위치에 설정됨으로써, 한 대의 주변노광장치에서 다른 유형의 기판의 주변노광을 행하는 것이 가능해진다.(7) According to the invention as set forth in claim 9, the light shielding means is set at a position between the lighting unit and the substrate as necessary, so that the peripheral exposure of the other type of substrate can be performed in one peripheral exposure apparatus.

Claims (9)

광원과 집광광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 상기 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 상기 비패턴영역을 상기 조명유니트로부터 출사되는 광으로 노광하는 주변노광장치에 있어서,A periphery which has a plurality of illumination units including a light source and a condensing optical system, and which exposes the non-pattern regions of the photosensitive substrate having the pattern region to which the pattern is exposed and the non-pattern region to which the pattern is not exposed, with light emitted from the illumination unit. In the exposure apparatus, 상기 복수의 조명유니트를 이동가능하도록 유지하는 유지유니트와;A holding unit for holding the plurality of lighting units to be movable; 상기 감광기판과 상기 유지유니트를 상대적으로 제1 방향으로 구동하는 제1 구동부와;A first driver for driving the photosensitive substrate and the holding unit in a first direction relatively; 상기 복수의 조명유니트의 각각을 상기 감광기판의 대략 중앙부에 위치결정가능하며, 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 상기 복수의 조명유니트의 각각을 구동하는 제2 구동부와;A second driving unit capable of positioning each of the plurality of lighting units at a substantially central portion of the photosensitive substrate, and driving each of the plurality of lighting units in a second direction different from the first direction; 상기 복수의 조명유니트를 서로 간섭하지 않도록 상기 제2 구동부를 제어하는 구동제어부;를 구비한 것을 특징으로 하는 주변노광장치.And a driving control unit controlling the second driving unit so that the plurality of lighting units do not interfere with each other. 제 1항에 있어서, 상기 구동제어부는 상기 복수의 조명유니트의 서로 이웃하는 조명유니트간의 거리를 소정의 거리 이상으로 유지하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.The peripheral exposure apparatus according to claim 1, wherein the driving control unit controls the distance between the adjacent lighting units of the plurality of lighting units to be greater than or equal to a predetermined distance. 제 1항에 있어서, 상기 구동제어부는 상기 복수의 조명유니트 중의 일부의조명유니트로부터 출사되는 광에 의해 상기 감광기판의 상기 비패턴영역을 노광하는 경우, 나머지 조명유니트를 상기 일부의 조명유니트와 간섭하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.The method of claim 1, wherein the driving control unit interferes with the remaining lighting unit and the part of the lighting unit when exposing the non-pattern area of the photosensitive substrate by the light emitted from the lighting unit of the plurality of lighting units. Peripheral exposure apparatus, characterized in that not to control. 광원과 집광광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 상기 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 상기 비패턴영역을 상기 조명유니트로부터 출사되는 광으로 노광하는 주변노광장치에 있어서,A periphery which has a plurality of illumination units including a light source and a condensing optical system, and which exposes the non-pattern regions of the photosensitive substrate having the pattern region to which the pattern is exposed and the non-pattern region to which the pattern is not exposed, with light emitted from the illumination unit. In the exposure apparatus, 상기 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 광의 강도를 검출하는 광량검출수단과;Light amount detecting means for detecting an intensity of light emitted from each of the plurality of lighting units; 상기 복수의 조명유니트의 각각과 상기 감광기판을 상대이동시켜 상기 감광기판상의 상기 비패턴영역을 노광할 때, 상기 광량검출수단에서 검출된 상기 복수의 조명유니트의 광의 강도 중 낮은 쪽의 강도에 기초하여 상기 복수의 조명유니트의 각각과 상기 감광기판과의 상대이동의 속도를 설정하는 이동속도 설정수단;을 갖는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.When exposing the non-pattern area on the photosensitive substrate by relatively moving each of the plurality of lighting units and the photosensitive substrate, based on the intensity of the lower one of the intensities of the light of the plurality of lighting units detected by the light quantity detecting means. And moving speed setting means for setting a speed of relative movement between each of the plurality of lighting units and the photosensitive substrate. 광원과 집광광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 상기 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 상기 비패턴영역을 상기 조명유니트로부터 출사되는 광으로 노광하는 주변노광장치에 있어서,A periphery which has a plurality of illumination units including a light source and a condensing optical system, and which exposes the non-pattern regions of the photosensitive substrate having the pattern region to which the pattern is exposed and the non-pattern region to which the pattern is not exposed, with light emitted from the illumination unit. In the exposure apparatus, 상기 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 빔의 사이즈를 서로 독립적으로 변경하는 빔사이즈 변경수단을 갖는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.And a beam size changing means for changing the size of beams emitted from each of said plurality of lighting units independently of each other. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광기판의 감광면과 대략 직교하는 회전축방향으로 상기 감광기판을 회전하는 회전구동부를 더 가지며,The photosensitive substrate according to any one of claims 1 to 5, further comprising a rotation driving unit for rotating the photosensitive substrate in a direction of a rotation axis substantially orthogonal to the photosensitive surface of the photosensitive substrate, 상기 감광기판에 있어서의 상기 비패턴영역의 배치에 따라 행해지는 상기 복수의 조명유니트간의 거리의 변경동작은, 상기 회전구동부에 의해 상기 감광기판을 회전구동하는 것과 병행하여 행해지는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.The operation of changing the distance between the plurality of lighting units performed in accordance with the arrangement of the non-pattern area in the photosensitive substrate is performed in parallel with the rotation driving of the photosensitive substrate by the rotation driving unit. Exposure apparatus. 제 5항에 있어서, 상기 감광기판의 감광면과 대략 직교하는 회전축방향으로 상기 감광기판을 회전시키는 회전구동부를 더 가지며,6. The apparatus of claim 5, further comprising a rotation driving unit for rotating the photosensitive substrate in a direction of a rotation axis substantially perpendicular to the photosensitive surface of the photosensitive substrate, 상기 복수의 조명유니트의 각각으로부터 출사되는 빔의 사이즈를 각각 변경하는 동작은, 상기 회전구동부에 의해 상기 감광기판이 회전구동되는 것과 병행하여 행해지는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.And an operation of changing the size of the beams emitted from each of the plurality of lighting units is performed in parallel with the rotation driving of the photosensitive substrate by the rotation driving unit. 광원과 집광광학계를 포함하는 조명유니트를 복수개 가지며, 패턴이 노광되는 패턴영역과 상기 패턴이 노광되지 않는 비패턴영역을 갖는 감광기판의 상기 비패턴영역을 상기 조명유니트의 광출사부로부터의 광으로 노광하는 주변노광장치에 있어서,The unpatterned area of the photosensitive substrate having a plurality of lighting units including a light source and a condensing optical system, and having a pattern area to which a pattern is exposed and a non-pattern area to which the pattern is not exposed, is used as light from the light exit portion of the lighting unit. In the peripheral exposure apparatus to be exposed, 상기 복수의 조명유니트와 상기 감광기판을 상대이동시키는 이동경로 근방에설치되며, 상기 광출사부로부터 출사된 광이 상기 감광기판상의 조사를 원하지 않는 부분에 조사되는 것을 방지하기 위한 차광수단을 갖는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.It is provided in the vicinity of the movement path for the relative movement of the plurality of lighting units and the photosensitive substrate, and having a light shielding means for preventing the light emitted from the light emitting portion is irradiated to the portion that does not want the irradiation on the photosensitive substrate Peripheral exposure apparatus characterized by. 제 8항에 있어서, 상기 차광수단은 상기 감광기판에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 설치되며, 필요에 따라 상기 조명유니트와 상기 감광기판과의 사이의 위치에 설정되는 것을 특징으로 하는 주변노광장치.The peripheral exposure apparatus according to claim 8, wherein the light shielding means is installed to be movable relative to the photosensitive substrate, and is set at a position between the lighting unit and the photosensitive substrate as necessary.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795162B2 (en) 2001-03-06 2004-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for exposing a peripheral area of a wafer and apparatus for performing the same
KR100724478B1 (en) * 2003-06-30 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Fabrication method for liquid crystal display device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4491446B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Peripheral exposure apparatus and method
JP4491444B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method
JP4533874B2 (en) * 2005-11-04 2010-09-01 株式会社オーク製作所 Laser beam exposure system
JP4491445B2 (en) 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Peripheral exposure apparatus and method
JP4491447B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method
KR100861001B1 (en) 2006-11-30 2008-09-30 한국전기연구원 Wide area high-precision roll patterning machine
TWI407265B (en) * 2009-06-25 2013-09-01 Kintec Prec Machinery Co Ltd Exposure machine
JP2013122470A (en) * 2010-03-31 2013-06-20 Toray Eng Co Ltd Peripheral exposure device and peripheral exposure method
CN102981372A (en) * 2012-11-19 2013-03-20 成都泛华航空仪表电器有限公司 Intelligent exposure system of tubular surface wired circuit conductive pattern
JP6543064B2 (en) * 2015-03-25 2019-07-10 株式会社Screenホールディングス Exposure apparatus, substrate processing apparatus, substrate exposure method and substrate processing method
JP6773435B2 (en) 2016-03-31 2020-10-21 株式会社オーク製作所 Exposure device
JP7079983B2 (en) * 2018-11-15 2022-06-03 インスペック株式会社 Calibration system and drawing equipment
JP7312692B2 (en) * 2019-12-25 2023-07-21 株式会社Screenホールディングス Edge exposure device and edge exposure method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06283418A (en) * 1993-03-29 1994-10-07 Nikon Corp Edge exposure system
JPH07161628A (en) * 1993-12-06 1995-06-23 Nikon Corp Peripheral exposure device
TW316322B (en) * 1995-10-02 1997-09-21 Ushio Electric Inc
JP3211079B2 (en) * 1997-11-20 2001-09-25 株式会社オーク製作所 Peripheral exposure apparatus and method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795162B2 (en) 2001-03-06 2004-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for exposing a peripheral area of a wafer and apparatus for performing the same
US6924072B2 (en) 2001-03-06 2005-08-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for exposing a peripheral area of a wafer and apparatus for performing the same
KR100512006B1 (en) * 2001-03-06 2005-09-02 삼성전자주식회사 Method for exposing a peripheral part of wafer and Apparatus for performing the same
KR100724478B1 (en) * 2003-06-30 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Fabrication method for liquid crystal display device
US7292305B2 (en) 2003-06-30 2007-11-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating liquid crystal display device
US7595858B2 (en) 2003-06-30 2009-09-29 Lg Display Co., Ltd. Method of fabricating liquid crystal display device including main exposure process and edge exposure process

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