KR20010055843A - apparatus for bonding die of a semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A die bonding apparatus for a manufacture of a semiconductor device is provided to prevent deterioration of a semiconductor chip caused by contamination of a collet of a transfer head used for transferring the chip to be die bonded. CONSTITUTION: The die bonding apparatus includes a pick-up unit(10), a bonding unit(20), the transfer head(40) having the collet(46), and a cleaning unit(30). The individual chip(12) sawed from a wafer is supplied to the pick-up unit(10) and then transferred to the bonding unit(20) by the transfer head(40). The chip(12) is then bonded to a lead frame(22) supplied to the bonding unit(20). The cleaning unit(30) is located between the pick-up unit(10) and the bonding unit(20), and cleans a bottom surface of the collet(46) to remove contamination adhered to the surface. The cleaning unit(30) has a brush(34) on a base(32) and a nozzle(36) near the brush(34). The collet(46) is scrubbed with the brush(34) while the transfer head(40) is returned to the pick-up unit(10) or the brush(34) is rotated. The nozzle(36) spouts an air toward the brush(34) to remove contamination staying on the brush(34).

Description

반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비{apparatus for bonding die of a semiconductor device}Apparatus for bonding die of a semiconductor device

본 발명은 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다이 본딩을 위한 칩을 피크업하여 리드 프레임이 배치된 본딩 유니트로 이송하는 이송 헤드의 콜렛을 주기적으로 클리닝하여 오염에 따른 반도체칩 불량 발생을 방지하는 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a die bonding facility for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, a semiconductor chip due to contamination by periodically cleaning a collet of a transfer head that picks up a chip for die bonding and transfers it to a bonding unit having a lead frame. The present invention relates to a die bonding facility for manufacturing a semiconductor device that prevents defects from occurring.

통상, 반도체 디바이스(Semicondoctor Device)는 웨이퍼(Wafer) 레벨의 제조공정이 완료되면 쏘잉(Sawing) 공정을 거쳐서 개별화된 후, 다이 본딩(Die bonding), 와이어 본딩(Wire bonding), 몰딩(Molding), 트림(Trim) 및 폼(Form) 등의 단위 공정을 거쳐서 칩(chip)으로 제조된다.In general, a semiconductor device is individualized through a sawing process when a wafer level manufacturing process is completed, and then die bonding, wire bonding, molding, It is manufactured as a chip through a unit process such as trim and form.

상술한 반도체 디바이스를 제조하는 단위 공정 중 다이 본딩 과정은 쏘잉 과정에서 개별화된 칩을 리드 프레임에 본딩하는 공정이며, 구체적으로 피크업 유니트에 공급된 칩을 이송 헤드로 피크업하여 본딩 유니트에 배치되는 에폭시(Epoxy) 재질의 접착제가 도팅(Dotting)된 리드 프레임의 다이 영역 상에 본딩하는 것이다.The die bonding process of the above-described unit process for manufacturing a semiconductor device is a process of bonding individual chips in a sawing process to a lead frame, and specifically, the chips supplied to the pick-up unit are picked up by a transfer head and disposed in the bonding unit. An epoxy adhesive is bonded onto the die area of the doped lead frame.

상술한 과정에서 칩은 이송 헤드에 의하여 피크업 유니트로부터 본딩 유니트로 이송된다.In the above-described process, the chip is transferred from the pick up unit to the bonding unit by the transfer head.

피크업 유니트는 진공 흡착 방법으로 칩을 붙여서 이송하며, 칩이 진공력에 의하여 붙는 부분에는 콜렛이 구성된다. 그러나, 고무 재질의 콜렛은 칩을 이송하는 과정 중에 바닥면에 칩 가루를 포함하는 각종 이물질이 붙게 된다.The pick-up unit is transported by attaching chips by vacuum adsorption method, and the collet is formed at the part where the chips are attached by the vacuum force. However, in the rubber collet, various foreign substances including chip powder adhere to the bottom surface during the process of transferring the chips.

다이 본딩을 위하여 공급되는 칩의 표면은 미세한 회로와 와이어 본딩을 위한 패드 등이 형성되어 있으며, 별도의 보호막이 없이 다이 본딩 과정에서는 칩의 표면이 노출된다.The surface of the chip supplied for die bonding has a fine circuit and a pad for wire bonding, and the surface of the chip is exposed in the die bonding process without a separate protective layer.

그러므로, 콜렛에 이물질이 붙은 경우 상술한 칩을 이송하는 과정에서 칩 표면이 이물질에 의하여 손상될 수 있으며, 이러한 이물질에 오염된 콜렛을 이용한 칩의 이송은 대량 품질 불량을 유발할 수 있다.Therefore, when the foreign matter is attached to the collet, the chip surface may be damaged by the foreign matter in the process of transferring the above-described chip, and the transfer of the chip using the collet contaminated with the foreign matter may cause a large quality defect.

본 발명의 목적은 다이 본딩을 위하여 칩을 피크업 유니트에서 본딩 유니트로 이송하는 이송 헤드의 콜렛을 자동으로 클리닝시킴으로써 공정 불량 발생을 방지하고, 설비의 관리도를 향상시킴에 있다.An object of the present invention is to automatically clean the collet of the transfer head transferring the chip from the pick-up unit to the bonding unit for die bonding, thereby preventing process defects and improving the control of the equipment.

본 발명의 다른 목적은 이송 헤드가 칩을 본딩 유니트로 이송한 후 복귀되는 과정에 주기적으로 클리닝됨으로써 콜렛이 오염된 상태로 칩을 이송하는 것을 방지함에 있다.Another object of the present invention is to prevent the transfer of the chip in a contaminated state by periodically cleaning the transfer head during the return process after transferring the chip to the bonding unit.

본 발명의 또다른 목적은 이송 헤드가 일정 회수 칩을 본딩 유니트로 이송한 후 클리닝 싸이트로 이송되어 콜렛이 클리닝됨으로써 콜렛이 오염된 상태로 칩을 이송하는 것을 방지함에 있다.Still another object of the present invention is to prevent the transfer head from transferring the chips in a contaminated state by transporting the predetermined number of chips to the bonding unit and then transporting them to the cleaning site to clean the collets.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비의 제 1 실시예를 나타내는 도면1 shows a first embodiment of a die bonding facility for the manufacture of semiconductor devices in accordance with the present invention.

도 2는 제 1 실시예에서 이송 헤드가 복귀되면서 클리닝되는 것을 설명하기 위한 도면2 is a view for explaining that the transfer head is cleaned while being returned in the first embodiment;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비의 제 2 실시예를 나타내는 도면3 shows a second embodiment of a die bonding facility for the manufacture of semiconductor devices according to the invention.

도 4는 도 2 실시예에서 이송 헤드가 클리닝되는 것을 설명하기 위한 도면4 is a view for explaining that the transfer head is cleaned in the embodiment of FIG.

본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비는 웨이퍼가 쏘잉되어 개별화된 칩을 공급하는 피크업 유니트, 리드 프레임이 공급되고, 리드 프레임의 다이 영역에 칩이 본딩되는 본딩 유니트, 상기 피크업 유니트와 본딩 유니트를 왕복하면서 상기 피크업 유니트의 칩을 진공 흡착한 상태로 상기 본딩 유니트에 이송하여 해당 영역에 안착시켜 다이 본딩하는 이송 헤드 및 상기 칩이 진공 흡착되는 면을 클리닝하여 이물질을 제거하는 클리닝 유니트를 구비하여 이루어진다.The die bonding apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a peak-up unit for supplying individual chips by sawing wafers, a bonding unit for supplying lead frames, and bonding of chips to die regions of the lead frame, and bonding with the peak-up units. The transfer head which transfers the chips of the pick-up unit to the bonding unit while vacuum-adsorbing the unit, is seated in a corresponding area and die-bonded, and the cleaning unit which cleans the surface on which the chips are vacuum-adsorbed to remove foreign substances. It is made.

그리고, 클리닝 유니트는 고정식 또는 구동식으로 구성될 수 있으며, 그에 따라서 이송 헤드는 주기적으로 칩을 흡착하는 면이 클리닝될 수 있다.In addition, the cleaning unit may be configured to be fixed or driven, so that the transfer head may be cleaned on a surface that periodically sucks the chip.

이하, 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비의 바람직한 실시예들에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of die bonding facilities for manufacturing semiconductor devices according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비는 피크업유니트(10)에서 본딩 유니트(20)로 이송 헤드(40)를 이용하여 칩(12)을 이송하도록 구성되며, 본딩 유니트(20)에 이송된 칩(12)은 리드 프레임(22) 상에 본딩된다.The die bonding apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is configured to transfer the chip 12 using the transfer head 40 from the pick-up unit 10 to the bonding unit 20, and transferred to the bonding unit 20. The chip 12 is bonded on the lead frame 22.

본 발명에 따른 제 1 실시예는 도 1 및 도 2와 같이 클리닝 유니트(30)가 이송 헤드(40)가 복귀되는 경로 중에 고정식으로 설치되어 이송 헤드(40)의 콜렛(46)의 밑면을 브러싱하도록 구성된 것이고, 제 2 실시예는 도 3 및 도 4와 같이 클리닝 유니트(30)가 이송 헤드(40)가 왕복되는 경로를 벗어난 위치에 구성되고 이송 헤드(40)는 주기적으로 클리닝 유니트(30)로 이동되어서 콜렛(46)의 밑면이 브러싱되도록 구성된 것이다.In the first embodiment according to the present invention, as shown in Figs. 1 and 2, the cleaning unit 30 is fixedly installed in the path of return of the transfer head 40 to brush the bottom surface of the collet 46 of the transfer head 40. 3 and 4, the cleaning unit 30 is configured at a position outside the path in which the transfer head 40 is reciprocated, and the transfer head 40 is periodically cleaned. Is moved so that the bottom of the collet 46 is configured to be brushed.

먼저, 도 1 및 도 2의 제 1 실시예의 구성을 살펴보면, 피크업 유니트(10)와 본딩 유니트(20)의 사이에 클리닝 유니트(30)가 구성된다.First, referring to the configuration of the first embodiment of FIGS. 1 and 2, the cleaning unit 30 is configured between the peak up unit 10 and the bonding unit 20.

피크업 유니트(10)는 웨이퍼가 쏘잉된 후 개별화된 칩을 소정 공급원으로부터 공급받고, 본딩 유니트(20)는 칩을 본딩할 리드 프레임(22)을 소정 공급원으로부터 공급받는다.The peak-up unit 10 receives the individualized chip from a predetermined source after the wafer is sawed, and the bonding unit 20 receives the lead frame 22 from which the chip is to be bonded.

이를 위하여 피크업 유니트(10)는 구체적으로 도시되지 않았으나 쏘잉된 칩을 로딩하는 플레이트가 구성되고, 그 상부에 개별화된 칩이 공급된다.To this end, although the peak-up unit 10 is not specifically illustrated, a plate for loading the sawed chip is configured, and the individualized chip is supplied thereon.

그리고, 본딩 유니트(20)는 구체적으로 도시되지 않았으나 로딩 파트(도시되지 않음)에서 리드 프레임(22)이 소정 가이드 레일(도시되지 않음)을 따라서 본딩 위치까지 공급되고, 본딩 위치까지 공급되는 과정에 리드 프레임(22)의 다이 영역 상부에 에폭시 재질의 접착제가 도팅(dotting)되며, 본딩 위치에서 리드 프레임(22)의 다이 영역에 칩이 본딩되고 그 후 칩이 본딩된 리드 프레임(22)은 상기 가이드 레일을 따라서 언로딩 파트(도시되지 않음)로 이송되는 구조를 갖는다.Although the bonding unit 20 is not specifically illustrated, the lead frame 22 is supplied to a bonding position along a predetermined guide rail (not shown) in a loading part (not shown), and is supplied to the bonding position. An epoxy adhesive is dotting on the die region of the lead frame 22, and the chip is bonded to the die region of the lead frame 22 at the bonding position, and then the lead frame 22 to which the chip is bonded is It has a structure which is conveyed to an unloading part (not shown) along the guide rail.

제 1 실시예에서 클리닝 유니트(30)는 피크업 유니트(10)와 본딩 유니트(20)의 사이에 위치되며, 크리닝 유니트(30)는 베이스(32)의 상면에 브러시(34)가 구성된다. 그리고, 크리닝 유니트(30)의 측면에는 브러시(34)를 향하여 공기를 분사하기 위한 노즐(36)이 구성된다.In the first embodiment, the cleaning unit 30 is located between the pick-up unit 10 and the bonding unit 20, and the cleaning unit 30 has a brush 34 formed on the upper surface of the base 32. And, the side of the cleaning unit 30 is configured with a nozzle 36 for injecting air toward the brush 34.

그리고, 피크업 유니트(10)와 본딩 유니트(20) 및 클리닝 유니트(30)의 상부에는 이송 헤드(40)가 구성되며, 이송 헤드(40)는 몸체(42), 몸체(42)의 하부에 구성되는 지지체(44) 및 지지체(44)의 밑면에 설치되는 콜렛(46)으로 구성되고, 몸체(42)의 측면에는 진공 라인(48)이 구성되고, 진공 라인(48)은 몸체(42)와 지지체(44) 및 콜렛(46)을 관통하여 형성되며, 칩(12)을 콜렛(46)의 밑면에 진공 흡착할 때 진공을 공급하는 역할을 수행한다.In addition, a transfer head 40 is formed at an upper portion of the peak up unit 10, the bonding unit 20, and the cleaning unit 30, and the transfer head 40 is disposed at the lower portion of the body 42 and the body 42. It is composed of a support 44 and a collet 46 installed on the bottom of the support 44, the side of the body 42 is composed of a vacuum line 48, the vacuum line 48 is the body 42 And formed through the support 44 and the collet 46, and serve to supply a vacuum when the chip 12 is vacuum-adsorbed to the underside of the collet 46.

상술한 이송 헤드(40)는 칩(12)을 피크업 유니트(10)에서 본딩 유니트(20)의 리드 프레임(22) 상에 이상할 때 먼저 피크업 유니트(10)의 해당 칩이 위치한 장소로 이동되어서 하강한다. 이때 진공 라인(48)을 통하여 진공 흡착력이 콜렛(46)에 제공되고, 콜렛(46)의 밑면이 칩(12)의 상면과 접하면 칩(12)은 진공 흡착력에 의하여 콜렛(46)의 밑면에 부착된다.When the transfer head 40 is abnormal on the lead frame 22 of the bonding unit 20 in the pick-up unit 10, the transfer head 40 is moved to the place where the corresponding chip of the pick-up unit 10 is located. Moved down. At this time, the vacuum suction force is provided to the collet 46 through the vacuum line 48, and if the bottom surface of the collet 46 is in contact with the top surface of the chip 12, the chip 12 is the bottom surface of the collet 46 by the vacuum suction force Is attached to.

그 후, 이송 헤드(40)는 도 1의 화살표 A 방향으로 상승한 후 수평으로 진행한 후 본딩 유니트(20)의 본딩할 해당 리드 프레임(22)에서 화상표 B 방향으로 하강하여 정해진 위치에 칩(12)을 안착시킨다.Thereafter, the transfer head 40 ascends in the direction of arrow A in FIG. 1 and then proceeds horizontally, and then descends in the direction of the image table B from the corresponding lead frame 22 to be bonded by the bonding unit 20 to the chip ( 12) Seat.

이송 헤드(40)에 의하여 칩(12)이 리드 프레임(22)의 다이 영역에 안착되면,미리 다이 상부에 접착제가 도팅된 상태이므로 칩(12)은 본딩된다.When the chip 12 is seated in the die area of the lead frame 22 by the transfer head 40, the chip 12 is bonded because the adhesive is doped on the die in advance.

이송 헤드(40)는 칩(12)을 해당 리드 프레임(22)의 정해진 위치에 안착시키면 진공 라인(48)을 통한 진공 흡착력의 제공이 중지되고, 칩(12)을 해당 리드 프레임(22)에 본딩 시킨 상태에서 이송 헤드(40)는 다른 칩(12)의 이송을 위하여 피크업 유니트(10)로 도 2의 화살표 C와 같이 수평 이동한다.The transfer head 40 stops providing vacuum suction force through the vacuum line 48 when the chip 12 is seated at a predetermined position of the lead frame 22, and the chip 12 is attached to the lead frame 22. In the bonded state, the transfer head 40 moves horizontally to the peak-up unit 10 as shown by arrow C of FIG. 2 for the transfer of another chip 12.

이때, 클리닝 유니트(30)의 브러시(34)는 수평 이동되는 이송 헤드(40)의 콜렛(46)의 밑면을 스크래칭할 수 있을 정도의 높이를 갖도록 구성되며, 그에 따라서 피크업 유니트(10) 쪽으로 수평 이동되는 이송 헤드(40)의 콜렛(46) 밑면은 수평 이동 과정에서 브러시(34)에 의하여 스크래칭되면서 밑면에 뭍은 이물질이 제거된다.At this time, the brush 34 of the cleaning unit 30 is configured to have a height high enough to scratch the bottom surface of the collet 46 of the transfer head 40 which is horizontally moved, and thus toward the peak-up unit 10. The bottom surface of the collet 46 of the horizontally moved transfer head 40 is scratched by the brush 34 in the horizontal movement process, and foreign matters remaining on the bottom surface are removed.

그 후, 이송 헤드(40)는 다시 피크업 유니트(10) 상의 다른 칩(12)을 진공 흡착하여 화살표 A와 B의 경로를 경유하여 본딩 유니트(20)로 이송하고, 콜렛(46)의 밑면에 흡착된 칩(12)을 리드 프레임(22)에 본딩시킨 후 화살표 C의 경로로 리턴된다.Thereafter, the transfer head 40 again vacuum-adsorbs another chip 12 on the peak-up unit 10 and transfers it to the bonding unit 20 via the paths of arrows A and B, and the underside of the collet 46 The chip 12 adsorbed on the is bonded to the lead frame 22 and returned to the path of arrow C. FIG.

상술한 이송 헤드(40)가 칩을 이송하는 과정 중에 노즐(36)을 통하여 에어가 주기적으로 또는 상시적으로 분사되어서 브러시(34)에 잔류될 수 있는 이물질을 클리닝 유니트(30) 외부로 제거함이 바람직하다.During the process of transferring the chip, the transfer head 40 removes foreign substances that may remain in the brush 34 by periodically or constantly being injected through the nozzle 36 to the outside of the cleaning unit 30. desirable.

그리고, 이송 헤드(40)는 브러시(34)가 형성되는 높이를 고려하여 이송 경로의 고저가 조절될 수 있으며, 피크업 유니트(10)와 본딩 유니트(20)에 도달하거나 출발하는 시점에서 이송 헤드(40)는 브러시(34)가 갖는 높이와 피크업 또는 본딩이이루어지는 높이를 고려하여 승하강이 조절될 수 있다.In addition, the transfer head 40 may adjust the height of the transfer path in consideration of the height at which the brush 34 is formed, and the transfer head 40 may reach or depart from the peak up unit 10 and the bonding unit 20. 40 may be adjusted to increase and decrease in consideration of the height of the brush 34 and the height of the peak up or bonding.

상술한 바와 같이 제 1 실시예의 구성에 의하여 이송 헤드(40)는 칩을 본딩하기 위하여 본딩 유니트(20)로 이송된 후 피크업 유니트(10)로 복귀될 때 콜렛(46)의 밑면이 브러시(34)에 의하여 클리닝된다.As described above, when the transfer head 40 is transferred to the bonding unit 20 to bond the chips and then returned to the peak-up unit 10, the bottom surface of the collet 46 may be brushed. It is cleaned by 34).

그러므로, 이물질이 콜렛(46)의 밑면에 뭍은 상태로 칩을 진공 흡착함에 따른 칩 손상이 방지되는 효과가 있다.Therefore, there is an effect that the chip damage due to the vacuum adsorption of the chip in the state that foreign matter is attached to the bottom of the collet 46 is prevented.

또한, 본 발명은 제 2 실시예와 같이 구동형으로 구성될 수 있다.In addition, the present invention can be configured to be driven as in the second embodiment.

도 3 및 도 4에 있어서, 피크업 유니트(10), 본딩 유니트(20) 및 이송 헤드(40)는 도 1 실시예와 구성이 동일하므로 동일한 부호로 표시하고, 그에 대한 구체적인 구성의 상세한 설명은 생략한다.3 and 4, the pick-up unit 10, the bonding unit 20 and the transfer head 40 are the same as the configuration of the embodiment of FIG. 1 and are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be given. Omit.

제 2 실시예는 피크업 유니트(10)와 본딩 유니트(20) 상부에 이송 헤드(40)가 구성되고, 이송 헤드(40)는 피크업 유니트(10)에 공급되는 칩을 진공 흡착하여 본딩 유니트(20)의 리드 프레임(22)의 다이 본딩 영역 상에 안착시킨 후 피크업 유니트(10)의 다른 칩을 진공 흡착하기 위하여 리턴되는 과정을 반복한다.In the second embodiment, the transfer head 40 is formed on the pick-up unit 10 and the bonding unit 20, and the transfer head 40 vacuum-adsorbs the chips supplied to the pick-up unit 10. After rest on the die bonding region of the lead frame 22 of 20, the process returned to vacuum suction the other chips of the peak-up unit 10 is repeated.

그리고, 피크업 유니트(10)와 본딩 유니트(20)에 인접한 위치에 클리닝 유니트(50)가 구성되며, 클리닝 유니트(50)는 구동부(52)와 그 상부에 구성되는 베이스(54) 및 브러시(56)로 구성되며, 브러시(56)의 측면에는 노즐(58)이 구성된다.The cleaning unit 50 is configured at a position adjacent to the peak up unit 10 and the bonding unit 20, and the cleaning unit 50 includes the driving unit 52 and the base 54 and the brush formed thereon. 56, and a nozzle 58 is formed on the side of the brush 56.

여기에서, 구동부(52)는 상부의 베이스(54)를 회전시키는 역할을 수행하며, 제작자의 의도에 따라서 양방향 왕복운동하도록 구성될 수 있다. 그리고, 노즐(58)은 브러시(56)에 잔류되는 이물질을 제거하기 위한 공기를 분사하는 역할을 담당한다.Here, the driving unit 52 serves to rotate the upper base 54, it may be configured to bidirectional reciprocating motion in accordance with the intention of the manufacturer. In addition, the nozzle 58 plays a role of injecting air for removing foreign matter remaining in the brush 56.

상술한 바와 같이 구성된 제 2 실시예에서 이송 헤드(40)는 화살표 A, B, C와 같은 경로로 이동되면서 피크업 유니트(10) 상에 공급되는 칩(12)을 본딩 유니트(20) 상의 리드 프레임(22)에 공급한다.In the second embodiment configured as described above, the transfer head 40 reads the chip 12 supplied on the pick-up unit 10 while moving in a path such as arrows A, B, and C on the bonding unit 20. It is supplied to the frame 22.

제 2 실시예에서 이송 헤드(40)는 칩(12)을 이송하는 회수 또는 시간이 카운트되어서 미리 정해진 회수 또는 시간에 도달되면 클리닝 유니트(50)로 이송된다.In the second embodiment, the transfer head 40 is transferred to the cleaning unit 50 when the number of times or time for transferring the chip 12 is counted and reaches a predetermined number or time.

클리닝 유니트(50)로 이송된 이송 헤드(40)는 도 4와 같이 콜렛(46)의 밑면이 브러시(46)에 닫도록 위치되고, 클리닝 유니트(50)의 브러시(56)는 구동부(52)의 구동력에 의하여 회전되어서 콜렛(46)의 밑면에 뭍은 이물질을 제거한다.The transfer head 40 transferred to the cleaning unit 50 is positioned so that the bottom of the collet 46 is closed by the brush 46 as shown in FIG. 4, and the brush 56 of the cleaning unit 50 is driven by the driving unit 52. It is rotated by the driving force of the foreign matter to remove the dirt on the bottom of the collet 46.

소정 시간 상술한 클리닝이 이루어지면 이송 헤드(40)는 다시 복귀되어서 칩(12)을 피크업 유니트(10)에서 본딩 유니트(20)로 이송한다.When the above-mentioned cleaning is performed for a predetermined time, the transfer head 40 is returned again to transfer the chip 12 from the pick-up unit 10 to the bonding unit 20.

상술한 제 2 실시예도 제 1 실시예와 동일하게 이송 헤드(40)의 콜렛(46) 밑면에 뭍은 이물질을 주기적으로 제거하며, 그에 따라서 계속되는 본딩 과정 중에 이물질이 콜렛(46)의 밑면에 뭍은 채 이송됨에 따라서 발생될 수 있는 공정 불량이 방지된다.Similarly to the first embodiment, the second embodiment described above also periodically removes foreign matter that has accumulated on the underside of the collet 46 of the transfer head 40, and consequently, the foreign matter is removed from the underside of the collet 46 during the subsequent bonding process. Process defects that can occur as they are transported while holding are prevented.

따라서, 본 발명은 콜렛의 오염이 방지되므로 공정 불량의 발생이 방지되고, 이물질이 콜렛의 밑면에 묻은 경우 자동으로 제거되므로 설비의 관리 효율성이 향상되는 효과가 있다.Therefore, the present invention prevents contamination of the collet, thereby preventing the occurrence of process defects, and when the foreign matter is deposited on the bottom of the collet is automatically removed, there is an effect that the management efficiency of the facility is improved.

Claims (3)

웨이퍼가 쏘잉되어 개별화된 칩을 공급하는 피크업 유니트;A peak up unit for sawing the wafer to supply the individualized chip; 리드 프레임이 공급되고, 리드 프레임의 다이 영역에 칩이 본딩되는 본딩 유니트;A bonding unit to which a lead frame is supplied and chips are bonded to a die region of the lead frame; 상기 피크업 유니트와 본딩 유니트를 왕복하면서 상기 피크업 유니트의 칩을 진공 흡착한 상태로 상기 본딩 유니트에 이송하여 해당 영역에 안착시켜 다이 본딩하는 이송 헤드; 및A transfer head reciprocating the peak up unit and the bonding unit while transferring the chips of the peak up unit to the bonding unit while vacuum-sucking the chips of the peak up unit, and seating the die in the area; And 상기 칩이 진공 흡착되는 면을 클리닝하여 이물질을 제거하는 클리닝 유니트를 구비함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비.And a cleaning unit for cleaning the surface on which the chip is vacuum-adsorbed to remove foreign substances. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 클리닝 유니트는 상기 이송 헤드가 상기 본딩 유니트로부터 상기 피크업 유니트로 복귀되는 경로 중에 설치되며, 상기 클리닝 유니트는 베이스의 상부에 브러시를 구비하여 복귀되는 상기 이송 헤드의 칩이 진공 흡착되는 면을 상기 브러시로 스크래칭하여 해당 면의 이물질을 제거함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비.The cleaning unit is installed in a path in which the transfer head returns from the bonding unit to the pick-up unit, and the cleaning unit includes a surface on which the chips of the transfer head to be returned are vacuum-adsorbed with a brush on an upper portion of the base. Die bonding equipment for manufacturing a semiconductor device, characterized in that by removing the foreign matter on the surface by scratching with a brush. 제 1 항에 있어서, 상기 클리닝 유니트는;The method of claim 1, wherein the cleaning unit; 소정 방향 구동력을 제공하는 구동부,A driving unit providing a predetermined direction driving force, 상기 구동부 상에 상기 구동부에 의하여 구동 가능하게 설치되는 베이스, 및A base installed to be driven by the driving unit on the driving unit, and 상기 베이스의 상부에 구성되는 브러시로 구성됨으로써;By being composed of a brush configured on top of the base; 상기 이송 헤드가 주기적으로 클리닝 유니트 위치로 이동되면 상기 구동부에 의하여 베이스가 구동되고 상기 이송 헤드의 칩을 진공 흡착하는 면이 상기 브러시에 의하여 클리닝됨을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조용 다이 본딩 설비.And the base is driven by the driving unit when the transfer head is periodically moved to the cleaning unit position, and the surface on which the chips of the transfer head are sucked in vacuum is cleaned by the brush.
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