KR20010052399A - 광학부재용 합성석영유리와 그 제조방법 및 사용방법 - Google Patents
광학부재용 합성석영유리와 그 제조방법 및 사용방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010052399A KR20010052399A KR1020007013268A KR20007013268A KR20010052399A KR 20010052399 A KR20010052399 A KR 20010052399A KR 1020007013268 A KR1020007013268 A KR 1020007013268A KR 20007013268 A KR20007013268 A KR 20007013268A KR 20010052399 A KR20010052399 A KR 20010052399A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quartz glass
- wavelength
- synthetic quartz
- less
- optical member
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 104
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 55
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 49
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 23
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 claims description 17
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 15
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/002—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ultraviolet light
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1469—Means for changing or stabilising the shape or form of the shaped article or deposit
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/07—Impurity concentration specified
- C03B2201/075—Hydroxyl ion (OH)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/21—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with molecular hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
- C03C2201/23—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/50—After-treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
OH 기 함유량이 50 ppm 이하인 합성석영유리에 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광을 조사하여 파장 165 ㎚ 이하의 파장영역의 투과율을 개선하는 공정을 갖는 광학부재용 합성석영유리의 제조방법.
Description
최근, LSI 의 고집적화에 수반하여 광 리소그래피 기술에 있어서, 보다 선폭이 좁은 미세한 묘화기술이 요구되어, 노광파장의 단파장화가 진행되고 있다. 예컨대, 리소그래피용 스테퍼의 광원은 종래의 g 선 (파장 436 ㎚) 이나 i 선 (파장 365 ㎚) 에서 진행하여 KrF 엑시머 레이저 (파장 248 ㎚) 나 ArF 엑시머 레이저 (파장 193 ㎚) 가 사용될 전망이다. 또, 더욱 미세한 묘화기술을 필요로 하는 차세대의 광원으로서 불소레이저 (파장 157 ㎚) 가 후보로 들어지고 있다.
KrF 엑시머 레이저나 ArF 엑시머 레이저를 광원으로 하는 광학계에는, 근적외영역으로부터 진공자외영역까지의 광범위한 파장영역에 걸쳐 투명하고, 열팽창계수가 매우 작아 치수안정성이 우수하며, 고순도인 점 등의 모든 특성이 우수하므로, 합성석영유리가 사용된다. 그러나, KrF 엑시머 레이저나 ArF 엑시머 레이저에 사용되는 OH 기 함유량이 많은 합성석영유리는 파장 165 ㎚ 이하의 파장영역에서의 투과율이 낮아 차세대의 광원으로서 생각되고 있는 불소레이저에는 적합하지 않다.
또, 파장 165 ㎚ 이하의 파장영역에서의 투과율을 향상시키기 위해 OH 기 함유량을 저감시킨 합성석영유리에서는 투과광의 파장이 170 ㎚ 부근에서부터 단파장이 됨에 따라 투과율이 급격히 저하된다.
따라서, 불소레이저를 광원으로서 사용하는 광학계에 광학부재로서 합성석영유리를 사용하는 경우에는 그 투과율의 개선이 중요한 과제가 된다.
또, 광 리소그래피 기술에 사용하는 광학장치의 광학계는 다수의 렌즈, 프리즘 등의 광학부재가 조합되어 구성되어 있다. 따라서, 광학부재의 1 장 또는 1 개당의 투과율의 향상이 광학계 전체에서 적산되면, 큰 투과율의 향상을 초래하게 된다.
그러나, 불소레이저의 파장영역인 파장 165 ㎚ 이하의 파장영역에서의 투과율을 개선하고, 높은 투과율을 갖는 광학부재용 합성석영유리를 효율적으로 또한 간편하게 제조하는 방법은 아직 제안되어 있지 않다.
본 발명은 파장 165 ㎚ 이하의 파장영역에서의 투과율을 개선한 광학부재용 합성석영유리를 효율적으로 또한 간편하게 제조할 수 있는 방법의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은 또 파장 157 ㎚ 에서의 투과율이 높은 광학부재용 합성석영유리 및 그 사용방법을 제공한다.
본 발명은 광학부재용 합성석영유리와 그 제조방법 및 사용방법, 특히 파장 165 ㎚ 이하의 진공자외광에 대하여 고투과율을 나타내는 광학부재용 합성석영유리와 그 제조방법 및 사용방법에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명의 제 3 실시예에 있어서의 조사처리 전후에서의 분광투과율 측정결과를 나타내는 도이다.
발명의 개시
본 발명은 OH 기 함유량이 50 ppm (중량 ppm, 이하도 동일) 이하의 합성석영유리에 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광을 조사하여 파장 165 ㎚ 이하의 투과율을 개선하는 공정을 갖는 광학부재용 합성석영유리의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 파장 157 ㎚ 에서의 흡수계수가 0.70 ㎝-1이하인 광학부재용 합성석영유리를 제공한다.
또한, 본 발명은 OH 기 함유량이 50 ppm 이하의 광학부재용 합성석영유리의 사용방법으로서, 광학부재로서 사용하기 전에 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광을 조사하는 공정을 갖는 광학부재용 합성석영유리의 사용방법을 제공한다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명에 있어서 광학부재란, 합성석영유리를 노광장치용 렌즈 (예컨대, 투영계 렌즈나 조명계 렌즈 등), 프리즘 (예컨대, 레이저광원내의 빔 익스팬더 등), 에탈론, 포토마스크, 포토마스크 블랭크, 창재(窓材), 분광필터 등으로 제품화한 것 또는 반제품화한 것을 말한다. 특히, 렌즈, 포토마스크, 포토마스크 블랭크가 바람직하다. 그리고, 상기 노광장치란, 예컨대 반도체 제조용, LCD 제조용, 자기헤드 제조용, 프린트기판 제조용 노광장치 등을 말한다.
본 발명자들은 합성석영유리의 파장 165 ㎚ 이하의 투과율을 개선하기 위해서는 OH 기 함유량 및 수소분자 함유량을 제어한 합성석영유리에 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광을 조사처리하면, 파장 165 ㎚ 이하의 투과율이 개선되는 것을 알았다.
그래서, 조사처리전의 합성석영유리 (이하,「조사전 합성석영유리」라고 함) 에서의 OH 기 함유량 및 수소분자 함유량이 조사처리후의 합성석영유리의 파장 165 ㎚ 이하의 투과율에 미치는 영향을 검토하였다. 그 결과, 조사전 합성석영유리중의 OH 기 함유량은 진공자외영역에서의 광투과성에 영향을 미치고, OH 기 함유량이 높을수록 광투과성이 저하되는데, 50 ppm 이하이면, 진공자외광의 조사에 의해 파장 165 ㎚ 이하의 투과율의 개선을 얻을 수 있고, 특히 30 ppm 이하 (나아가서는 10 ppm 이하) 이면, 파장 165 ㎚ 이하의 투과율의 개선에 효과적인 것을 발견하였다.
상기 파장 165 ㎚ 이하의 투과율의 개선 매카니즘에 대해서는 명확하지는 않지만, 다음과 같이 생각할 수 있다. 합성석영유리중의 OH 기의 존재상태에는 2 종류 있다. 하나는 독립한 상태로 존재하는 경우, 하나는 인접하는 OH 기끼리가 수소결합한 상태로 존재하는 경우이다. OH 기 함유의 진공자외광 투광성에 대한 영향은 OH 기의 존재상태에 따라 다르며, 전자가 후자보다도 영향이 크다. 즉, 독립한 상태의 OH 기를 같은 량 함유하는 합성석영유리의 투과율과 비교하여 수소결합한 상태의 OH 기를 함유하는 합성석영유리의 파장 165 ㎚ 이하의 투과율은 높다. 합성한 합성석영유리중의 OH 기의 대부분은 통상 수소결합하지 않고 독립한 상태로 존재하고 있으며, 파장 180 ㎚ 이하의 광을 조사함으로써 OH 기의 존재상태는 수소결합한 상태로 변화하여 파장 165 ㎚ 이하의 투과율이 향상되는 것이라고 생각된다.
또, 합성석영유리중의 수소분자 함유량이 3 ×1016분자/㎤ 이상이면, 보다 소량의 자외광 조사에 의해 진공자외광 투과성을 향상시킬 수 있다. 투과율 개선효과에 관하여 자외선 조사의 최적치가 있으며, 너무 적으면 투과율은 그다지 개선되지 않고, 또 너무 많으면 결함이 생성되고, 반대로 투과율이 저하된다. 또, 합성석영유리중의 수소분자는 자외선 조사에 의한 E' 센터나 NBOHC 등의 결함생성을 억제하는 작용도 있다. 수소분자 함유량이 1 ×1017개/㎤ 이상이면, 파장 165 ㎚ 이하의 투과율의 개선에 보다 효과적이고, 특히 1 ×1018개/㎤ 이상이면, 광학부재용 합성석영유리로서 사용될 때의 내자외선성 (자외선 조사에 의해 투과율이 현저하게 저하되지 않는 성능) 의 관점에서 바람직하다.
또한, 본 발명에서, 조사전 합성석영유리는 환원형 결함을 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 본 발명에서, 환원형 결함이란, ≡Si-Si ≡를 가리키며, 파장 163 ㎚ 를 중심으로 하는 흡수대역을 갖는다. 163 ㎚ 에서의 내부 투과율 (T163) (%/㎝) 은 합성석영유리중의 OH 기 함유량 (COH) (ppm) 에 의해 다음식 (3) 과 같이 추측된다.
T163(%/㎝) ≥exp (-0.02 COH 0.85) ×100 (3)
본 발명에서, 환원형(還元型) 결함을 실질적으로 함유하지 않는다는 것은 163 ㎚ 에서의 내부 투과율에 관한 식 (3) 을 만족하는 것을 의미한다.
그러나, 환원형 결함이 있으면, 163 ㎚ 를 중심으로 한 흡수대역이 있으므로, 실제의 파장 163 ㎚ 에서의 투과율 (T163) 은 식 (3) 의 우변의 값보다도 작아진다. 그래서, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않으면, 보다 높은 파장 165 ㎚ 이하의 투과율을 얻기 위해 효과적이다.
또, 본 발명에 사용되는 조사전 합성석영유리중에 불소는 함유되어 있어도 된다. 불소가 조사전 합성석영유리중에 포함되어 있는 경우에는 불소는 조사전 합성석영유리중의 불안정한 구조를 저감하며, 파장 165 ㎚ 이하의 투과율의 개선에 효과적이다. 조사전 합성석영유리중의 불소 함유량은 100 ∼ 2000 ppm 이 바람직하다. 보다 바람직하게는 100 ∼ 600 ppm 의 범위이다.
조사전 합성석영유리중의 알칼리 금속, 알칼리 토류금속, 전이금속 등의 금속불순물은 자외영역으로부터 진공자외영역에서의 투과율을 저하시킬 뿐만 아니라, 내자외선성을 저하시키는 원인도 되므로, 그 함유량은 최대한 적은 것이 바람직하다. 구체적으로는 금속불순물의 합계량이 100 ppb 이하, 특히 50 ppb 이하가 바람직하다.
본 발명에서의 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광의 조사에는 표면세정에 의한 파장 165 ㎚ 이하의 파장영역의 투과율 개선의 효과도 있다. 세정의 효과는 이하와 같이 하여 평가할 수 있다.
즉, 이하의 식 (1) 및 식 (2) 에서 정해지는 Ta와 Tb의 차가 작아질수록 세정효과가 높다. 단, R 은 파장 157 ㎚ 에서의 광학부재용 합성석영유리의 반사율, n 은 파장 157 ㎚ 에서의 광학부재용 합성석영유리의 굴절율이다. Tb이론투과율에 상당한다.
Ta= (1-R)2/(1+R)2(1)
Tb= (1-n)2/(1+n)2(2)
이 중, 파장 157 ㎚ 에서의 합성석영유리의 반사율 (R) 은 두께가 다른 3 장 이상의 합성석영유리의 반사손실을 포함하는 파장 157 ㎚ 투과율 (Tc) 을 진공중에서 측정함으로써 하기의 산출식 (4) 로부터 파장 157 ㎚ 흡수계수 (α) 와 함께 구할 수 있다.
Tc= (1-R)2exp (-αt) / (1-R2exp (-2αt)) (4)
Tc: 반사손실을 포함하는 파장 157 ㎚ 투과율
R : 파장 157 ㎚ 반사율
α: 파장 157 ㎚ 흡수계수 [1/㎝]
t : 시료두께 [㎝]
본 발명의 광학부재용 합성석영유리는 상기 Ta와 Tb의 차가 0.03 이하, 특히 0.01 이하의 광학부재용 합성석영유리인 것이 바람직하다. 또, OH 기 함유량이 50 ppm 이하의 광학부재용 합성석영유리를 광학부재로서 사용하기 전에 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광을 조사하여 상기 Ta와 Tb의 차를 0.03 이하로 함으로써, 표면의 청정도가 높고, 파장 165 ㎚ 이하에서의 투과율이 높은 합성석영유리를 각종 광학부재로서 사용할 수 있다.
본 발명에서, 조사전 합성석영유리의 제조방법으로서는 OH 기 함유량이 상기 소정의 범위가 되는 제조방법이면, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 직접법, 수트법 (VAD 법, OVD 법), 플라즈마법 등을 들 수 있다. 제조시의 온도가 낮고, 염소 및 금속 등의 불순물의 혼입을 피할 수 있는 관점에서 수트 (soot) 법이 특히 바람직하다.
본 발명에서, 조사하는 진공자외광의 파장은 180 ㎚ 이하, 바람직하게는 175 ㎚ 이하이다. 또, 진공자외광은 연속광이어도 되고, 단색광이어도 된다.
조사하는 진공자외광의 강도는 1 mJ/㎠ 이상이 바람직하다. 보다 단시간으로 효과를 얻기 위해서는 5 mJ/㎠ 이상인 것이 바람직하다. 조사시간은 사용하는 광원에 따라 적당히 결정된다. 자외광의 총조사 에너지량은 너무 적으면 투과율은 그다지 향상되지 않고, 또 너무 많으면 결함이 생성되고, 반대로 투과율이 저하되는 경우가 있다. 일반적으로는 총조사 에너지량으로 300 ∼ 50000 J/㎠ 정도인 것이 바람직하다. 총조사 에너지량은 1000 mJ/㎠ 이상, 특히 3000 mJ/㎠ 이상이 바람직하다. 수소분자 함유량이 많으면, 자외광의 총조사 에너지량이 많아도 결함이 잘 발생하지 않는 경향이 있다.
조사처리의 분위기는 분위기중에 산소분자, 수분 등이 많이 포함되면 진공자외광을 흡수하므로, 질소분위기 또는 He 분위기 등으로 하는 것이 바람직하다.
진공자외광원의 구체예로서는 크세논을 매질로 하는 크세논 엑시머 램프 (주파장 172 ㎚), 불소를 매질로 하는 불소레이저 (주파장 157 ㎚) 등을 들 수 있다. 광범위한 영역에 걸쳐 파장 165 ㎚ 이하의 투과율의 개선이 필요한 경우에는 크세논 엑시머 램프가 바람직하다. 또, 생산성의 관점에서는 불소레이저가 바람직하다.
본 발명에서, 조사처리는 합성석영유리를 광학부재로 하기 위해 거치는 각 공정의 전후 어느 단계에서 행해도 된다. 그리고, 각 공정이란, 가열공정, 절단공정, 연마공정 또는 마무리공정 등을 말한다. 광학부재로서 완성한 후에 조사처리해도 된다. 또, 조사처리는 광투과영역 (광이 투과하는 광로에 상당하는 영역) 에만 실시해도 된다. 표면세정의 목적으로 조사처리를 행하는 경우에는 광학부재로서 사용하기 전, 특히 직전에 조사처리하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는, 파장 157 ㎚ 에서의 흡수계수가 0.70 ㎝-1이하인 광학부재용 합성석영유리인 것이 바람직하다. 파장 157 ㎚ 에서의 흡수계수는 0.30 ㎝-1이하인 것이 보다 바람직하다.
또, SiOH 기의 신축진동에 기초한 적외흡수피크를 대략 3640 ㎝-1에 갖는 것이 바람직하다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들의 예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(예 1)
공지된 수트법에 의해 SiCl4를 산수소화염 중에서 가열가수분해시키고, 형성된 석영유리 미립자를 기재에 퇴적시켜 직경 35 ㎝, 길이 100 ㎝ 의 다공질 석영유리체를 제작하였다. 얻어진 다공질 석영유리체를 분위기 제어 가능한 전기로에 설치하고, 실온에서 10 Torr 까지 감압하여 1 시간 유지한 후, He/SiF4= 99/1 (체적비) 의 혼합가스를 공기압이 될 때까지 도입하였다. 이 분위기중, 공기압 및 실온에서 수시간 유지함으로써 불소도프를 행하였다. 이어서, He 100 % 분위기하에 1450 ℃ 까지 승온하고, 이 온도에서 5 시간 유지하여 불소를 함유한 투명 유리체를 얻었다.
얻어진 투명석영유리체로부터, 100 φ×30 ㎜ 의 원판형 블록을 절단하였다. 블록을 수소 100 %, 10 기압, 500 ℃ 의 분위기하에서 250 시간 유지하고, 수소도프처리를 하여 조사전 합성석영유리를 얻었다. 얻어진 합성석영유리의 OH 기 함유량 및 수소분자 함유량은 각각 4.8 ppm, 17.4 ×1017개/㎤ 이었다. 또, 상기 식 (3) 에 의해 환원형 결함의 유무에 관하여 평가한 결과, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않은 것이 확인되었다.
또한, 원판형의 합성석영유리의 양면을 광학연마한 후, 질소분위기하, 크세논 엑시머 램프 (주파장 172 ㎚) 로 650 시간 조사처리 (총조사 에너지량 : 약 13000 J/㎠) 를 실시하여 광학부재용 합성석영유리를 얻었다.
이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 의 자외광에 대한 흡수계수 (「파장 157 ㎚ 의 자외광에 대한 흡수계수」를 이하 단지 「파장 157 ㎚ 흡수계수」라고 함), 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 신축진동에 기초한 적외흡수피크 (「SiOH 신축진동에 기초한 적외흡수피크」를 이하 단지 SiOH 흡수피크라고 함) 의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 2)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 19 ppm, 수소분자 함유량이 10.3 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 불소레이저를 조사하여 광학부재용 합성석영유리를 얻었다. 조사조건은 10 mJ/㎠ ×40 Hz ×150 min 이었다. 이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 3)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 31 ppm, 수소분자 함유량이 2.1 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논을 매질로 하는 엑시머 램프를 650 시간 조사처리 (합계 조사 에너지량 : 약 13000 J/㎠) 하여 광학부재용 합성석영유리를 얻었다. 이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 4)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 33 ppm, 수소분자 함유량이 0.8 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 650 시간 조사처리 (총조사 에너지량 : 약 13000 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 5)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 54 ppm, 수소분자 함유량이 32.5 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 1000 시간 조사처리 (총조사 에너지 : 약 20000 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 6)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 63 ppm, 수소분자 함유량이 0.5 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 1000 시간 조사처리 (총조사 에너지 : 약 20000 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 7)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 5.2 ppm, 수소분자 함유량이 17.4 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 75 시간 조사처리 (총조사 에너지량 : 약 1500 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 8)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 12 ppm, 수소분자 함유량이 10.3 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 75 시간 조사처리 (총조사 에너지량 : 약 1500 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 9)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 32 ppm, 수소분자 함유량이 0.8 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 75 시간 조사처리 (총조사 에너지량 : 약 1500 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 10)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 5.2 ppm, 수소분자 함유량이 17.4 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 35 시간 조사처리 (총조사 에너지량 : 약 700 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(예 11)
예 1 과 동일한 방법으로 OH 기 함유량이 5.2 ppm, 수소분자 함유량이 17.4 ×1017개/㎤ 이고, 환원형 결함을 실질적으로 함유하지 않는 조사전 합성석영유리를 준비하고, 질소분위기 내에서 크세논 엑시머 램프를 300 시간 조사처리 (총조사 에너지량 : 약 6000 J/㎠) 하였다. 이 때, 조사처리전후의 합성석영유리의 파장 157 ㎚ 흡수계수, 조사후의 합성석영유리에서의 SiOH 흡수피크의 위치 (㎝-1) 를 측정하였다.
(평가방법)
얻어진 광학부재용 합성석영유리 블록의 중심부로부터 30 φ×10 ㎜ 의 평가용 샘플을 절단하고, 연마가공후, 이하의 방법으로 수소분자 함유량, OH 기 함유량, SiOH 흡수피크 및 파장 157 ㎚ 흡수계수를 구하였다.
수소분자 함유량) 라만분광측정을 행하고, 레이저 라만 스펙트럼의 4135 ㎝-1의 산란피크에 의해 검출한 강도 (I4135) 와, 규소와 산소의 사이의 기본진동인 800 ㎝-1의 산란피크의 강도 (I800) 의 강도비 (= I4135/I800) 로부터 수소분자 함유량 (분자/㎤) 을 구하였다 (V. S. Khotimchenko et. al., Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, 46(6), 987 ∼ 997 (1986)).
OH 기 함유량 및 Si-OH 흡수피크) 일반적인 합성석영유리는 적외분광법의 투과 스펙트럼에 있어서, OH 기를 포함하면 3673 ㎝-1에 피크가 출현한다. 이 피크의 흡수율로부터 실질적인 피크높이 (H) 를 구하고, 또한 측정시에 적외광이 투과하는 합성석영유리의 두께 (L, 단위 ㎝) 를 구하고, 다음식으로부터 OH 기 함유량을 구한다.
OH 기 함유량 (ppm) = 95 ×H/L
이 수법은 β-OH 라고 불리우며, 유리중의 OH 기 함유량을 구할 때에 일반적으로 사용되고 있다 (예컨대, J. P. Wiiliamset. al., Ceram. Bull., 55(5), 524 (1976)).
파장 157 ㎚ 흡수계수) 진공자외 분광광도계를 사용하여 두께 10 ㎜ 의 시료와 두께 2 ㎜ 의 시료의 파장 157 ㎚ 에서의 투과율을 측정하고, 이들 투과율로부터 파장 157 ㎚ 흡수계수를 산출하였다. 파장 157 ㎚ 흡수계수의 값이 작은 것이 높은 투과율을 나타낸다. 예 3 에서의 진공자외광 조사처리전후에서의 분광투과율 측정결과를 도 1 에 나타낸다.
예 1 ∼ 11 의 평가결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다. 예 5 및 예 6 은 OH 기 함유량이 많으므로, 파장 157 ㎚ 흡수계수가 큰 예이다. 또, 예 4 는 수소분자 함유량이 적은 것에 비해 자외광의 총조사 에너지량이 크므로, 결함이 발생하고, 자외광 조사에 의해 파장 157 ㎚ 흡수계수가 증대한 예이다.
| 예 | OH 기 함유량(ppm) | 수소분자 함유량(×1017개/㎤) | 파장 157 ㎚ 흡수계수 | SiOH 흡수피크(㎝-1) | |
| 조사전 | 조사후 | ||||
| 1 | 4.8 | 17.4 | 0.223 | 0.196 | 3642 |
| 2 | 19 | 10.3 | 0.565 | 0.293 | 3641 |
| 3 | 31 | 2.1 | 0.787 | 0.574 | 3643 |
| 4 | 33 | 0.8 | 0.821 | 0.831 | 3673 |
| 5 | 54 | 32.5 | 1.146 | 0.976 | 3642 |
| 6 | 63 | 0.5 | 1.272 | 1.742 | 3643 |
| 7 | 5.2 | 17.4 | 0.230 | 0.171 | 3640 |
| 8 | 12 | 10.3 | 0.485 | 0.292 | 3641 |
| 9 | 32 | 0.8 | 0.811 | 0.697 | 3640 |
| 10 | 5.2 | 17.4 | 0.240 | 0.203 | 3648 |
| 11 | 5.2 | 17.4 | 0.240 | 0.186 | 3640 |
(예 12 ∼ 16)
OH 기 함유량이 1.5 ppm 인 합성석영유리에 대하여 25 ㎜φ×2 ㎜ 두께, 25 ㎜φ×10 ㎜ 두께, 25 ㎜φ×20 ㎜ 두께, 25 ㎜φ×30 ㎜ 두께의 두께가 다른 4 종류의 사이즈의 시료를 각각 5 개씩 준비하고, 각 시료에 대하여 대향하는 25 ㎜φ 의 2 면을 평행평면도 10 초 이하, 표면조도 5 Å 이하의 정밀도로 경면(鏡面)연마하였다. 이들 시료를 이하에 나타내는 순서로 습식 세정하였다.
1) 황산 : 과산화수소수 : 물 = 1 : 1 : 8 비율의 혼합액 (액온 100 ℃) 중에 10 분간 침지
2) 이온교환수로 5 분간 유수 린스
3) 암모니아 : 과산화수소수 : 물 = 1 : 1 : 8 비율의 혼합액 (액온 25 ℃) 중에 10 분간 침지
4) 이온교환수로 5 분간 유수 린스
5) 이온교환수 (액온 40 ℃) 로 10 분간 초음파 세정
6) 프론증기건조
이어서, 표 2 에 나타낸 조건으로 질소가스 분위기하에서 크세논 엑시머 램프광 (조도 10 mW/㎠) 을 시료에 조사하고, 다양한 조사시간으로 세정을 실시하였다. 건식 세정후 바로 시료를 진공자외 분광광도계 (분광계기 제조, UV201M) 에 세트하고, 질소분위기하에서 파장 157 ㎚ 투과율을 측정하였다. 측정하여 얻어진 두께 2 ㎜ (=t1), 10 ㎜ (=t2), 20 ㎜ (=t3), 30 ㎜ (=t4) 시료의 파장 157 ㎚ 투과율 (T1, T2, T3, T4)을 식 (5) 에 대입하고, 최소자승법에 의해 파장 157 ㎚ 반사율 (R) 및 파장 157 ㎚ 흡수계수 (α) 를 구하였다.
Ti= (1-R)2exp (-αti) / (1-R2exp (-2αti))
(i = 1, 2, 3, 4) (5)
Ti: 반사손실을 포함하는 파장 157 ㎚ 투과율
R : 파장 157 ㎚ 반사율
α: 파장 157 ㎚ 흡수계수 [1/㎝]
ti: 시료두께 [㎝]
얻어진 파장 157 ㎚ 반사율 (R) 을 사용하여 식 (1) 로부터 투과율 (Ta) 을 구하고, 파장 157 ㎚ 에서의 굴절율 (n) (= 1.661) 로부터 식 (2) 를 사용하여 계산되는 이론투과율 (Tb) (= 0.884) 과의 차 (△T) (= Tb- Ta) 를 구함으로써 표면의 청정도를 평가하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
| 예 12 | 예 13 | 예 14 | 예 15 | 예 16 | |
| 조사시간 | 조사 없음 | 3 분간 | 10 분간 | 30 분간 | 60 분간 |
| T1 | 80.0 | 83.8 | 86.0 | 86.2 | 86.4 |
| T2 | 73.7 | 77.3 | 79.3 | 79.5 | 79.7 |
| T3 | 66.6 | 69.9 | 71.8 | 71.9 | 72.0 |
| T4 | 60.2 | 63.2 | 65.0 | 65.0 | 65.1 |
| α | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| R | 0.101 | 0.079 | 0.065 | 0.064 | 0.063 |
| Ta | 0.817 | 0.855 | 0.878 | 0.880 | 0.881 |
| △T | 0.067 | 0.029 | 0.006 | 0.004 | 0.003 |
본 발명에 의하면, 파장 165 ㎚ 이하의 투과율이 개선된 광학부재용 합성석영유리를 고효율로 또한 간편하게 제조할 수 있다.
Claims (10)
- OH 기 함유량이 50 ppm 이하인 합성석영유리에 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광을 조사하여 파장 165 ㎚ 이하의 파장영역의 투과율을 개선하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,합성석영유리의 수소분자 함유량이 1 ×1017개/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광이 크세논 엑시머 램프 (주파장 172 ㎚) 광인 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광은, 불소레이저 (주파장 157 ㎚) 광인 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,환원형 결함을 실질적으로 포함하지 않는 합성석영유리를 사용하는 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리의 제조방법.
- 파장 157 ㎚ 에서의 흡수계수가 0.70 ㎝-1이하인 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리.
- 제 6 항에 있어서,SiOH 신축진동에 기초한 적외흡수피크를 대략 3640 ㎝-1에 갖는 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,이하의 식 (1) 및 식 (2) 에서 정해지는 Ta와 Tb의 차가 0.03 이하이고, 여기서 R 은 파장 157 ㎚ 에서의 광학부재용 합성석영유리의 반사율, n 은 파장 157 ㎚ 에서의 광학부재용 합성석영유리의 굴절율인 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리.Ta= (1-R)2/(1+R)2(1)Tb= (1-n)2/(1+n)2(2)
- OH 기 함유량이 50 ppm 이하인 광학부재용 합성석영유리의 사용방법으로서, 광학부재로서 사용하기 전에, 파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광을 조사하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리의 사용방법.
- 제 9 항에 있어서,파장 180 ㎚ 이하의 진공자외광의 조사후의 광학부재용 합성석영유리에서의 이하의 식 (1) 및 식 (2) 에서 정해지는 Ta와 Tb의 차가 0.03 이하이며, 여기서 R 은 파장 157 ㎚ 에서의 광학부재용 합성석영유리의 반사율, n 은 파장 157 ㎚ 에서의 광학부재용 합성석영유리의 굴절율인 것을 특징으로 하는 광학부재용 합성석영유리의 사용방법.Ta= (1-R)2/(1+R)2(1)Tb= (1-n)2/(1+n)2(2)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP99-82262 | 1999-03-25 | ||
| JP8226299 | 1999-03-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010052399A true KR20010052399A (ko) | 2001-06-25 |
| KR100694554B1 KR100694554B1 (ko) | 2007-03-13 |
Family
ID=13769563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020007013268A KR100694554B1 (ko) | 1999-03-25 | 2000-03-27 | 광학부재용 합성석영유리와 그 제조방법 및 사용방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6544914B1 (ko) |
| EP (1) | EP1088795A4 (ko) |
| KR (1) | KR100694554B1 (ko) |
| WO (1) | WO2000058231A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7241539B2 (en) | 2002-10-07 | 2007-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomasks including shadowing elements therein and related methods and systems |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8402786B2 (en) * | 1998-01-30 | 2013-03-26 | Asahi Glass Company, Limited | Synthetic silica glass optical component and process for its production |
| WO2000024685A1 (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-04 | Asahi Glass Company Ltd. | Synthetic quartz glass and method for production thereof |
| US20020042026A1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-04-11 | Borrelli Nicholas F. | Optical lithography and a method of inducing transmission in optical lithography preforms |
| US6915665B2 (en) * | 2000-10-31 | 2005-07-12 | Corning Incorporated | Method of inducing transmission in optical lithography preforms |
| JP4006226B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法、光学素子、露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
| JP4104338B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-06-18 | 信越石英株式会社 | ＡｒＦ露光装置用合成石英ガラス素材 |
| JP4470479B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2010-06-02 | 旭硝子株式会社 | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| US7534733B2 (en) * | 2004-02-23 | 2009-05-19 | Corning Incorporated | Synthetic silica glass optical material having high resistance to laser induced damage |
| EP1740512A1 (en) | 2004-04-28 | 2007-01-10 | Asahi Glass Company, Limited | Optical member made of synthetic quartz glass, and process for its production |
| KR100558195B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 광도 보정 방법과 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 광도보정 장치와 노광 장치 |
| DE102005017752B4 (de) * | 2005-04-15 | 2016-08-04 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und Verwendung desselben |
| DE112005003613B4 (de) * | 2005-06-21 | 2015-07-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie, dessen Verwendung und Abschlusselement dafür |
| US8617672B2 (en) * | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US10032620B2 (en) * | 2014-04-30 | 2018-07-24 | Kla-Tencor Corporation | Broadband light source including transparent portion with high hydroxide content |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326729A (en) * | 1992-02-07 | 1994-07-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent quartz glass and process for its production |
| KR100298167B1 (ko) * | 1994-07-07 | 2001-10-24 | 오노 시게오 | 진공자외선파장대광선용실리카유리의제조방법,및그에의해제조된실리카유리및광학부재 |
| JP3674793B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2005-07-20 | 信越石英株式会社 | 紫外線レーザ用石英ガラス光学部材の製造方法 |
| JP2980094B2 (ja) * | 1997-05-16 | 1999-11-22 | 住友電気工業株式会社 | 石英ガラス物品及びその製造方法 |
| US6143676A (en) * | 1997-05-20 | 2000-11-07 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Synthetic silica glass used with uv-rays and method producing the same |
| JPH11292551A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-10-26 | Nikon Corp | 合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラス |
| JP4151109B2 (ja) * | 1998-05-12 | 2008-09-17 | 旭硝子株式会社 | 合成石英ガラス光学部材およびその製造方法 |
| DE69916879T2 (de) * | 1998-07-15 | 2005-04-21 | Kitagawa Ind Co Ltd | Faseroptische Vorrichtung, und Herstellungsverfahren dafür |
| US6376401B1 (en) * | 1998-09-07 | 2002-04-23 | Tosoh Corporation | Ultraviolet ray-transparent optical glass material and method of producing same |
| EP1067097A4 (en) * | 1998-12-25 | 2004-03-31 | Asahi Glass Co Ltd | SYNTHETIC QUARTZ GLASS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| WO2000041225A1 (fr) | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Nikon Corporation | Procede de nettoyage d'un dispositif optique, appareil et procede d'exposition, procede de fabrication du dispositif et dispositif proprement dit |
| US6242136B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-06-05 | Corning Incorporated | Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass |
| JP2000264671A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラス部材 |
| JP3069562B1 (ja) * | 1999-10-19 | 2000-07-24 | 信越石英株式会社 | エキシマレ―ザ及びエキシマランプ用のシリカガラス光学材料及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-03-27 EP EP00911387A patent/EP1088795A4/en not_active Withdrawn
- 2000-03-27 US US09/701,191 patent/US6544914B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-27 KR KR1020007013268A patent/KR100694554B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-27 WO PCT/JP2000/001869 patent/WO2000058231A1/ja active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7241539B2 (en) | 2002-10-07 | 2007-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomasks including shadowing elements therein and related methods and systems |
| US7604927B2 (en) | 2002-10-07 | 2009-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of patterning using photomasks including shadowing elements therein and related systems |
| US7605906B2 (en) | 2002-10-07 | 2009-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Patterning systems using photomasks including shadowing elements therein |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000058231A1 (fr) | 2000-10-05 |
| EP1088795A1 (en) | 2001-04-04 |
| KR100694554B1 (ko) | 2007-03-13 |
| EP1088795A4 (en) | 2004-03-31 |
| US6544914B1 (en) | 2003-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100298167B1 (ko) | 진공자외선파장대광선용실리카유리의제조방법,및그에의해제조된실리카유리및광학부재 | |
| US7491475B2 (en) | Photomask substrate made of synthetic quartz glass and photomask | |
| KR101378280B1 (ko) | 저 플루언스 의존성 투과율을 갖는 합성 실리카 물질 및 이의 제조방법 | |
| US6242136B1 (en) | Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass | |
| JP3893816B2 (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| KR20010052399A (ko) | 광학부재용 합성석영유리와 그 제조방법 및 사용방법 | |
| EP1125897A1 (en) | Synthetic quartz glass and method for preparing the same | |
| JP3125630B2 (ja) | 真空紫外用石英ガラスの製造方法および石英ガラス光学部材 | |
| JP2005298330A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| EP1061052B1 (en) | Synthetic silica glass optical members and process for the production thereof | |
| JP3531870B2 (ja) | 合成石英ガラス | |
| JP3654500B2 (ja) | Ｆ２エキシマレーザー光学部材用石英ガラス材料及び光学部材 | |
| US6782716B2 (en) | Vacuum ultraviolet transmitting silicon oxyfluoride lithography glass | |
| US20030119652A1 (en) | Quartz glass blank for an optical component and its utilization | |
| KR20040104541A (ko) | 광학 부재용 합성 석영 유리, 투영 노광 장치 및 투영노광 방법 | |
| US6611317B1 (en) | Exposure apparatus, semiconductor device, and photomask | |
| JP4151109B2 (ja) | 合成石英ガラス光学部材およびその製造方法 | |
| JP4701469B2 (ja) | 光学部材用合成石英ガラスの製造方法 | |
| JP4085490B2 (ja) | 光学部材用合成石英ガラスとその製造方法 | |
| JP2001311801A (ja) | 合成石英ガラス | |
| US6682859B2 (en) | Vacuum ultraviolet trasmitting silicon oxyfluoride lithography glass | |
| WO2003080525A1 (fr) | Element de verre de quartz synthetique et procede de production de celui-ci |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120221 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130221 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |