KR20010036865A - Ｐｓ 및 ｐｃｂ 판용 아크릴계 감광성 수지 조성물 - Google Patents

Ｐｓ 및 ｐｃｂ 판용 아크릴계 감광성 수지 조성물 Download PDF

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KR20010036865A
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유장근
김경철
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이해원
유장근
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Abstract

본 발명은 PS 및 PCB판용 acryl 계통의 polymer를 이용한 감광 재료에 관한 것으로서 acryl 계통의 2원공중합체와 3원공중합체를 기본적인 base resin으로 사용하고 여기에 2diazo-naphtoquinone-5-sulfonyl cloride를 직접 polymer에 붙이거나 blending하여 감광액으로 사용한 것을 특징으로 하며, 이때 사용되어진 polymer는 그 분자량에 따라 3원공중합체 혹은 4원공중합체의 형태를 가지고 있다.
본 발명에 의한 감광액은 첫째로 PS판용 감광재료로써 solvent에 대한 용해도, 감도 및 해상도가 뛰어나며 우수한 망점 재현성, 현상성이 뛰어 났으며 PCB기판용 감광재료로 쓰여질 때에는 우수한 내에칭성으로 인해 기존의 노블락 수지와 blend하여 사용되어 질 수 있고 생산단가가 저렴하다.

Description

ＰＳ 및 ＰＣＢ 판용 아크릴계 감광성 수지 조성물 {Photosensitive Acrylic Resin for PS and PCB}
본 발명은 PS판용 및 PCB판용으로 사용되는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 좀더 상세히는 2원, 3원 공중합 polymer를 사용하여 경화된 감광층의 기계적 강도가 우수하며, 망점 및 line의 재현성이 우수하고, 현상공정시 현상속도가 빠른 감광성 수지 적층제를 제조하기 위해서 제공되는 생산성 및 신뢰성이 우수한 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
감광성 수지 조성물은 PS판, PCB판, 미세화상용 photoresist 등의 제조시에 화상 형성 재료로서 사용되어질 때 유용하다. 일반적으로 PS판 제조시 감광막을 형성하는 방법은 알루미늄판 위에 감광액을 도포하여 감광층을 형성한뒤 자외선에 의해 화상을 형성시키고 이어 알칼리 현상액을 이용하여 미반응 부분을 제거하므로써 망점을 형성한다. 이때 자외선에 감광된 부위가 현상액에 용해되는지의 여부에 따라 positive형과 negative형으로 나눌 수 있다. 광 조사된 부분이 가교 또는 중합반응이 일어나 현상시 현상액에 용해되 않는 형태를 negative형이라고 하고, 이와는 반대로 광조사된 부분이 분해되어 현상액에 용해되는 형태를 positive형 감광성 수지라 한다.
대부분의 positive형 감광성 수지는 알칼리 용해성 수지와 감광성 화합물 및 용매의 혼합물로써 제조된다. 감광성 화합물은 비노광 부위의 알카리용액에 대한 용해 억제제로서 작용하고, 광원에 노출되면 감광성 화합물 자체가 현상액에 대하여 용해성 물질로 변환된다.
종래 대부분의 positive형 감광성 수지 조성물들은 막 형성 성분으로서 알카리 가용성 노블락 수지와 광분해성분으로서 퀴논디아자이드 화합물을 혼합하여 사용하였다. 전형적인 퀴논디아자이드계 감광성 화합물류서는 나프톤퀴논 디아자이드술폰산과 1개 이상의 페놀성 수산기를 가지는 화합물간에 생성되는 술폰산 에스테르류와 에스테르류가 있다. 포토레지스트 조성물중의 막 형성 성분으로서 전형적인 것으로서는 알카리 가용성 노블락 수지가 있으며 페놀-포름알데히드 노블락 수지와 크레졸 노블락 수지를 비롯한 각종의 노블락 수지들이 제안되어 있다.
또한 크레졸 노블락 수지의 제조에 사용되는 크레졸 이성체들의 비율을 적당히 선택하므로서 막 형성 성분으로서의 크레졸 노블락 수지로 구성되는 포지티브형 포토레지스트 조성물의 물성을 개선시킬 수가 있다고 기재되어 있다.
일반적인 레지스트의 특성은 강도, 잔막율, 내열성으로 표현되며 이들 중 해상도 즉, 패턴과 관련이 깊은 것은 잔막율로서 비노광부에서의 잔막율과 노광부에서의 용해속도가 패턴형상을 결정하는 요인이 된다. 종래의 포토레지스트의 경우 내열성, 내드라이 엣칭성의 면에서 거의 만족할 수 있는 것이라도 레지스트선폭이 서브마크론 이하로 내려가면서 패턴 끝부분의 현상성이 나빠져 해상도가 저하되는 문제가 있다. 특히 포토레지스트를 사용하여 2미크론 이하의 패턴을 형성할 때에는 이러한 점이 큰 장해 요인이 된다. 또한 노블락 계열의 수지는 그 기계적 강도가 100,000부 정도의 인쇄에 적합하다.
본 발명은 이러한 해상도 저하의 문제점을 개선하고 내마모성의 향상으로 인해 2미크론 이하의 패턴 형성시에도 현상성이 우수하고 150,000부 이상의 인쇄가 가능한 포지티브형 포토레지스트를 제공하는데 있다.
본 발명의 수지 조성물은 acryl 계통의 여러가지 모노머들을 사용하여 합성하므로서 비노광부의 잔막율을 향상시킴과 동시에 노광부의 용해도를 증가시키고 내열성, 내마모성 향상을 도모하였다. 이에 알맞는 공중합체를 합성하기 위하여 tetrahydro-furfuryl methacrylate 와 hydroxyethyl methacrylate를 사용하였으며 이 합성된 oligomer에 diazo-naphtho-quinone sulfonyl chloride를 도입하여 에스테르화 시켰다. 또한 고분자량에서 빠른 현상성과 좋은 감도를 갖기위해 tetrahydro-furfuryl methacrylate 와 hydroxyethyl methacrylate와 methacrylic acid를 사용하였으며 이 합성된 고분자에 diazo-naphtho-quinone sulfonyl chloride를 직접 붙이거나 2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5)와 blend하여 사용하였다.
합성된 광응답성 공중합체는 PS용 구조에서 짧은 노광시간과 빠른 현상성을 갖기 위해서 분자량은 10,000∼20,000 정도가 적합하며 더 좋게는 분자량 5,000이하가 적합하고 PCB용 구조에서는 분자량 15,000∼50,000정도가 적합하다. 이러한 형태의 공중합체는 부가되는 광증감제 없이 좋은 현상성을 나타내었다.
또한 본 개발에 사용된 acrylic 공중합체는 acryl특유의 기계적 강도와 좋은 해상도로 인해 15만부 이상의 인쇄력과 2㎛ 이하의 망점 재현성을 갖는다.
본 발명에서는 또한 위에 열거한 고분자들을 인쇄회로용기판(PCB)에 응용하기 위해 기존의 노블락 수지와 blend하여 우수한 내에칭성을 확인하였다.
본발명의 수지 조성물은 (1) tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacryloyloxyethyl quinonone diazide sulfonate 의 3원 공중합체(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran) (2) tetrahydro-furfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid / methacryloyloxyethyl quinonone diazide sulfonate 의 4원 공중합체(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran) (3)tetrahydro-furfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid / methacryloyloxyethyl quinonone diazide sulfonate 의 4원 공중합체(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran) 와 2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5)의 blending (4) tetrahydro-furfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid / 의 3원 공중합체(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran) 와 2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5)의 blending 이다. (5) tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacryloyloxyethyl quinonone diazide sulfonate / methacryloyloxylethyl carboxylate 의 4원 공중합체(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran)
상기 (1)식에서 x,y 및 z의 비는 0.75 내지 0.8 : 0.1 내지 0.15 : 0.01내지 0.05 이고 분자량은 1,000 내지 10,000이고 (2)식에서 x,y,z 및 w의 비는 0.6 내지 0.7 : 0.2 내지 0.15 : 0.1 내지 0.05 : 0.05 내지 0.1 이고 분자량은 15,000 내지 50,000이다. 상기 (3)식에서 x,y,z 및 w의 비는 0.7 내지 0.75 : 0.1 내지 0.2 : 0.01내지 0.05 : 0.05 내지 0.1 이고 분자량은 15,000 내지 50,000이다.
상기(4)식에서 식에서 x,y,z 및 w의 비는 0.75 내지 0.8 : 0.1 내지 0.15 : 0.05 내지 0.1 이고 분자량은 15,000 내지50,000이다. 상기 (5)식에서 x,y,z 및 w의 비는 0.7 내지 0.75 : 0.1 내지 0.2 : 0.01 내지 0.05 : 0 내지 0.01 이고 분자량은 1,000 내지 10,000 이다.
상기식(1)로 표시되는 tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate 공중합체는 그 분자량의 크기에 따라 노광시간 및 현상속도가 결정되므로 중합시 부가되는 개시제의 농도에 따라 분자량을 조절한다. 상기식(2)로 표시되는 tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate / methacrylic acid 3원 공중합체는 내마모성을 증가시키기 위해서 분자량을 증가시켰으며 현상속도를 빨리 하기 위해서 분자구조에 carboxyl기를 도입하였으며 현상시 methacrylic acid의 혼합구조가 노광부의 용해속도를 빠르게 하였다. 또한 상기 고분자자체가 알카리용액에 용해되기 때문에 diazo-naphtho-quinone sulfonyl chloride를 직접 붙이거나 2,3,4-trihydroxybenzophenone bis(diazo-2.1.5)와 blending하여 사용할 수 있다. 상기 (3)식으로 표시되는 tetrahydro-furfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid / methacryloyloxyethyl quinonone diazide sulfonate 의 4원 공중합체 와 2,3,4-trihydroxybenzophenone bis(diazo-2.1.5)의 blending은 2,3,4-trihydroxybenzophenone bis(diazo-2.1.5)을 용해 억제제로 첨가하였고 상기(4)식으로 표현되는 tetrahydro-furfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacrylic acid / 의 3원 공중합체 와 2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5)의 blending은 3원 공중합체 자체가 알카리용액에 잘 용해 되기 때문에 분자량을 15,000 내지 50,000으로 사용할 수 있다. 상기(5)식에서 표현되는 tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxyethyl methacrylate / methacryloyloxyethyl quinonone diazide sulfonate / methacryloyloxylethyl carboxylate 의 4원 공중합체는 부가된 methacryloyloxylethyl carboxylate그룹으로 인해 현상속도가 증가하였다.
〈합성예 1〉
Mw : 13600
TFMA : 0.0295 mol (5.02 g)
HEMA : 0.0098 mol (1.27g)
AIBN : 0.00064 mol (0.1 g)
THF : 60 g
N2Bubbling : 20 minute
Temperature : 60 ℃
Reaction time : 10 hour
Evaporating : rotary evaporator
Quenching : diethyl ether
Drying : 35℃ for 8 hour at vacuum oven
〈합성예 2〉
Mw : 11000
TFMA : 0.0295 mol (5.02 g)
HEMA : 0.0098 mol (1.27g)
AIBN : 0.0013 mol (0.21 g)
THF : 60 g
N2Bubbling : 20 minute
Temperature : 60 ℃
Reaction time : 10 hour
Evaporating : rotary evaporator
Quenching : diethyl ether
Drying : 35℃ for 8 hour at vacuum oven
〈합성예 3〉
Mw : 6600
TFMA : 0.0295 mol (5.02 g)
HEMA : 0.0098 mol (1.27g)
AIBN : 0.0059 mol (0.96 g)
THF : 60 g
N2Bubbling : 20 minute
Temperature : 60 ℃
Reaction time : 10 hour
Evaporating : rotary evaporator
Quenching : diethyl ether
Drying : 35℃ for 8 hour at vacuum oven
〈합성예 4〉
Mw : 4800
TFMA : 0.0295 mol (5.02 g)
HEMA : 0.0098 mol (1.27g)
AIBN : 0.0079 mol (1.29 g)
MEK : 50 g
N2Bubbling : 20 minute
Temperature : 70 ℃
Reaction time : 10 hour
Evaporating : rotary evaporator
Quenching : diethyl ether
Drying : 35℃ for 8 hour at vacuum oven
〈합성예 5〉
Mw : 3700
TFMA : 0.0295 mol (5.02 g)
HEMA : 0.0098 mol (1.27g)
AIBN : 0.0079 mol (1.29 g)
MEK : 70 g
N2Bubbling : 20 minute
Temperature : 70 ℃
Reaction time : 10 hour
Evaporating : rotary evaporator
Quenching : diethyl ether
Drying : 35℃ for 8 hour at vacuum oven
〈합성예 6〉
Mw : 2300
TFMA : 0.0295 mol (5.02 g)
HEMA : 0.0098 mol (1.27g)
AIBN : 0.0098 mol (1.61 g)
MEK : 80 g
N2Bubbling : 20 minute
Temperature : 70 ℃
Reaction time : 10 hour
Evaporating : rotary evaporator
Quenching : diethyl ether
Drying : 35℃ for 8 hour at vacuum oven
〈합성예 7〉
TFMA : 0.086 mol (16 g)
HEMA : 0.0228 mol (3.56g)
MAA : 0.014 mol(1.2 g)
AIBN : 0.0 mol (0.68 g)
MEK : 70g
N2Bubbling : 20 minute
Temperature : 70 ℃
Reaction time : 10 hour
Evaporating : rotary evaporator
Quenching : diethyl ether
Drying : 35℃ for 8 hour at vacuum oven
〈에스테르화예 1〉
1) 1 st step
Radiation sensitive copolymer : 1.5 g
NQD-Cl : starting HEMA mol×1/2×3/4 (about 2g)
MEK : 15∼20 g (HPLC grade)
TEA : starting HEMA mol×1/2×1/2 (2g)
Bubbling N2: 20 minute
Reaction temperatuer : 5 ℃
Reaction time : 16 hour
2) 2 st step
Chloro Acetic Acid : starting HEMA mol×1/2×1/2 (about 0.2g)
Reaction temperatuer : 4 ℃
Reaction time : 8 hour
〈에스테르화예 2〉
1) 1 st step
Radiation sensitive copolymer : 3 g
NQD-Cl : starting HEMA mol×1/2×3/4 (about 3g)
MEK : 20∼30 g (HPLC grade)
TEA : starting HEMA mol×1/2×1/2 (2 g)
Bubbling N2: 20 minute
Reaction temperatuer : 5 ℃
Reaction time : 16 hour
2) 2 st step
Chloro Acetic Acid : starting HEMA mol×1/2×1/2 (about 1g)
Reaction temperatuer : 4 ℃
Reaction time : 8 hour
〈에스테르화예 3〉
1) 1 st step
Radiation sensitive copolymer : 6 g
NQD-Cl : starting HEMA mol×1/2×3/4 ( about 3 g)
MEK : 45∼60 g (HPLC grade)
TEA : starting HEMA mol×1/2×1/2 (2.1 g)
Bubbling N2: 20 minute
Reaction temperatuer : 4 ℃
Reaction time : 16 hour
2) 2 st step
Chloro Acetic Acid : starting HEMA mol×1/2×1/2 (about 2g)
Reaction temperatuer : 4 ℃
Reaction time : 8 hour
〈실시예 1〉
tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate / diazo-naphtho-quinone sulfonyl ethyl methacrylate의 3원 공중합체 4g
ethyl cellosolve 6g
crystal violet 0.04g
발색제 0.02g
상기 조성물을 교반기를 이용하여 교반하여 충분히 혼합한 후 aluminum판 위에 spin coating혹은 roll coating 하고 80℃ 내지 100℃의 열풍 대류식 건조기로 5분간 건조하여 용제를 모두 휘발시켜 수 ㎛두께의 감광층을 형성 시키고, 상온으로 식힌다. 건조된 aluminum판을 3 KW 수은램프를 장착한 노광기에 넣고 80cm거리에서 1분간 노광 시킨다. 노광된 감광판을 KOH, 규산소다용액, 물로 구성된 알칼리 용액에서 30초간 현상하였다. 현상된 감광판을 80∼100℃ 열풍대류식 건조기에 넣고 5분간 건조시킨다. 상기 실시조성물은 2㎛의 망점재현성과 빠른 현상속도를 보여주었다.
〈실시예 2〉
tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate /diazo-naphtho-quinone sulfonylethylmethacrylate/methacrylicacid의
4원공중합체 4g
ethyl cellosolve 6g
crystal violet 0.04g
발색제 0.02g
상기 조성물을 교반기를 이용하여 교반하여 충분히 혼합한 후 aluminum판 위에 spin coating혹은 roll coating 하고 80℃ 내지 100℃의 열풍 대류식 건조기로 5분간 건조하여 용제를 모두 휘발시켜 수㎛두께의 감광층을 형성 시키고, 상온으로 식힌다. 건조된 aluminum판을 3 KW 수은램프를 장착한 노광기에 넣고 80cm거리에서 1분간 노광 시킨다. 노광된 감광판을 KOH, 규산소다용액, 물로 구성된 알칼리 용액에서 30초간 현상하였다. 현상된 감광판을 80∼100℃열풍대류식 건조기에 넣고 5분간 건조시킨다. 상기 실시조성물은 2㎛의 망점재현성과 빠른 현상속도를 보여주었다.
〈실시예 3〉
tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate /methacrylicacid의 3원공중합체 4g
2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5)
ethyl cellosolve 6g
crystal violet 0.04g
발색제 0.02g
상기 조성물을 교반기를 이용하여 교반하여 충분히 혼합한 후 aluminum판 위에 spin coating혹은 roll coating 하고 80℃ 내지 100℃의 열풍 대류식 건조기로 5분간 건조하여 용제를 모두 휘발시켜 수 m두께의 감광층을 형성시키고, 상온으로 식힌다. 건조된 aluminum판을 3 KW 수은램프를 장착한 노광기에 넣고 80 cm거리에서 1분간 노광 시킨다. 노광된 감광판을 KOH, 규산소다용액, 물로 구성된 알칼리 용액에서 30초간 현상하였다. 현상된 감광판을 80∼100℃열풍대류식 건조기에 넣고 5분간 건조시킨다. 상기 실시조성물은 2㎛의 망점재현성과 빠른 현상속도를 보여주었다.
〈실시예 4〉
tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate / diazo-naphtho-quinone sulfonylethylmethacrylate/methacrylicacid의
4원공중합체 4g
2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5)
ethyl cellosolve 6g
crystal violet 0.04g
발색제 0.02g
상기 조성물을 교반기를 이용하여 교반하여 충분히 혼합한 후 aluminum판 위에 spin coating혹은 roll coating 하고 80℃ 내지 100℃의 열풍 대류식 건조기로 5분간 건조하여 용제를 모두 휘발시켜 수㎛두께의 감광층을 형성 시키고, 상온으로 식힌다. 건조된 aluminum판을 3 KW 수은램프를 장착한 노광기에 넣고 80cm거리에서 1분간 노광시킨다. 노광된 감광판을 KOH, 규산소다용액, 물로 구성된 알칼리 용액에서 30초간 현상하였다. 현상된 감광판을 80∼100℃열풍대류식 건조기에 넣고 5분간 건조시킨다. 상기 실시조성물은 2㎛의 망점재현성과 빠른 현상속도를 보여주었다.
〈실시예 5〉
tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate / diazo-naphtho-quinone sulfonyl ethyl methacrylate의 3원 공중합체 2g
Novolac resin 18g
ethyl cellosolve 30g
crystal violet 0.2g
발색제 0.1g
상기 조성물을 교반기를 이용하여 교반하여 충분히 혼합한 후 동판 위에 spin coating혹은 roll coating 하고 80℃내지 100℃의 열풍 대류식 건조기로 5분간 건조하여 용제를 모두 휘발시켜 수㎛두께의 감광층을 형성 시키고, 상온으로 식힌다. 건조된 동판을 3 KW 수은램프를 장착한 노광기에 넣고 80 cm거리에서 1분간 노광시킨다. 노광된 감광판을 KOH, 규산소다용액, 물로 구성된 알칼리 용액 혹은 1% Na2CO3수용액에서 30초간 현상하였다. 현상된 감광판을 80∼100℃ 열풍대류식 건조기에 넣고 5분간 건조시킨다. 상기 실시조성물은 2㎛의 망점재현성과 빠른 현상속도를 보여주었다.
〈실시예 6〉
tetrahydrofurfuryl methacrylate / hydroxy ethyl methacrylate / diazo-naphtho-quinone sulfonylethylmethacrylate/methacrylicacid의
4원공중합체 2g
2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5) 0.2g
Novolac resin 18g
ethyl cellosolve 30g
crystal violet 0.2g
발색제 0.1g
상기 조성물을 교반기를 이용하여 교반하여 충분히 혼합한 후 동판 위에 spin coating혹은 roll coating 하고 80℃내지 100℃의 열풍 대류식 건조기로 5분간 건조하여 용제를 모두 휘발시켜 수㎛두께의 감광층을 형성 시키고, 상온으로 식힌다. 건조된 동판을 3 KW 수은램프를 장착한 노광기에 넣고 80 cm거리에서 1분간 노광 시킨다. 노광된 감광판을 KOH, 규산소다용액, 물로 구성된 알칼리 용액 혹은 1% Na2CO3수용액에서 30초간 현상하였다. 현상된 감광판을 80∼100℃열풍대류식 건조기에 넣고 5분간 건조시킨다. 상기 실시조성물은 2㎛의 망점재현성과 빠른 현상속도를 보여주었다.
이상의 실시예를 통하여 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 감광재료는 2㎛ 의 망점재현성과 빠른 현상속도를 나타낸다.

Claims (8)

  1. 알루미늄판 적층체에 적용되는 감광성 수지 조성물에 있어서 (1)말단에 alicycle, cycle링을 갖는 acryl계통의 모노머를(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran, cycle ring (탄소수 : 5-8)) 갖는 3원의의 공중합성 물질 30 내지 40중량부, (2) ethyl cellosolve 및 methyl cellosolve 50 내지 70 중량부, (3) 염료 1 내지 2중량부 및 (4) 첨가제 0.5 내지 1중량부를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  2. 알루미늄판 적층체에 적용되는 감광성 수지 조성물에 있어서 (1)말단에 alicycle, cycle링을 갖는 acryl계통의 모노머 (R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran, cycle ring (탄소수 : 5-8))와 말단에 R group을 갖는 acryl계통의 모노머(R은 fluoroacetic acid, chloroacetic acid, bromoacetic acid, iodoacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, 및 이와 유사한 halogenated acetic acid)를 갖는 4원의의 공중합성 물질 30내지 40중량부, (2) ethyl cellosolve 및 methyl cellosolve 50내지 70 중량부, (3)염료 1 내지 2중량부 및 (4) 첨가제 0.5 내지 1중량부를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  3. 알루미늄판 적층체에 적용되는 감광성 수지 조성물에 있어서 (1)말단에 alicycle, cycle링을 갖는 acryl계통의 모노머(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran , cycle ring (탄소수 : 5-8)) 와 methacrylic acid및 acrylic acid를 갖는 4원의의 공중합성 물질 30 내지 40중량부, (2) ethyl cellosolve 및 methyl cellosolve 50 내지 70 중량부, (3)염료1 내지 2중량부 및 (4) 첨가제 0.5내지 1중량부를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  4. 알루미늄판 적층체에 적용되는 감광성 수지 조성물에 있어서 (1)말단에 alicycle, cycle링을 갖는 acryl계통의 모노머(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran, cycle ring (탄소수 : 5-8)) 를 갖는 3원의의 공중합성 물질 20내지 30중량부, (2) 2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5) 10 내지 20 중량부 (3) ethyl cellosolve 및 methyl cellosolve 50 내지 70 중량부, (4)염료1 내지 2중량부 및 (5) 첨가제 0.5 내지 1중량부를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  5. 고분자 결합제는 다음 구조식을 가지고(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran, cycle ring (탄소수 : 5-8)), 분자량이 15,000 내지 50,000인 4원 공중합체를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    (다음 식에서 x:y:z:w은 0.7 내지 0.8: 0.10 내지 0.2: 0.01내지 0.05 : 0.05내지 0.1이다.)
  6. 제 4항, 5항에 있어서, 고분자 결합제가 다음의 구조식을 가지고(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran, cycle ring (탄소수 : 5-8)), 혼합되는 diazo material이 하기 구조식을 가지는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  7. 동판 적층체에 적용되는 감광성 수지 조성물에 있어서 (1)말단에 alicycle, cycle링을 갖는 acryl계통의 모노머(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran, cycle ring (탄소수 : 5-8))를 갖는 3원의의 공중합성 물질 4내지 8중량부, (2) novolak수지 32 내지 36중량부 (3) 2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5) 1 내지 2 중량부 (4) ethyl cellosolve 및 methyl cellosolve 60지 70 중량부, (5)염료1 내지 2 중량부 및 (4) 첨가제 0.5 내지 1중량부를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  8. 동판 적층체에 적용되는 감광성 수지 조성물에 있어서 (1)말단에 alicycle, cycle링을 적어도 1개 이상 가지는 acryl계통의 모노머(R: tetrahydrofuran, tetrahydropyran) 와 methacrylic acid및 acrylic acid를 갖는 4원의의 공중합성 물질 4내지 8중량부 (2) novolak수지 32 내지 36중량부 (3) 2,3,4-trihydroxybenzophenone Bis(diazo-2.1.5) 1 내지 2 중량부 (4) ethyl cellosolve 및 methyl cellosolve 60지 70 중량부, (5)염료1 내지 2중량부 및 (6) 첨가제 0.5내지 1중량부를 포함함을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
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