KR20010031823A - 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내의 열적 구배를감소시키는 방법 및 장치 - Google Patents

세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내의 열적 구배를감소시키는 방법 및 장치 Download PDF

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KR20010031823A
KR20010031823A KR1020007004893A KR20007004893A KR20010031823A KR 20010031823 A KR20010031823 A KR 20010031823A KR 1020007004893 A KR1020007004893 A KR 1020007004893A KR 20007004893 A KR20007004893 A KR 20007004893A KR 20010031823 A KR20010031823 A KR 20010031823A
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빈센트 이. 부크하르트
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조셉 제이. 스위니
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Abstract

세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내의 열적 구배를 감소시키는 방법 및 장치이다. 상세하게는, 본 발명은 세라믹 받침대 내에 매입된 저항성 히터에 인가되는 전력량을 제한하는 히터 제어기이다. 본 발명의 제1 실시예에서는, 히터로 전달되는 전류를 제한한다. 본 발명의 제2 실시예에서는, 히터로 인가되는 전압이 최대 레벨에 고정된다.

Description

세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내의 열적 구배를 감소시키는 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING THERMAL GRADIENTS WITHIN A CERAMIC WAFER SUPPORT PEDESTAL}
반도체 웨이퍼 처리 시스템의 처리 챔버 내에서, 반도체 웨이퍼는 처리 도중 통상적으로 받침대에 의해 지지된다. 웨이퍼의 처리과정을 용이하게 하기 위한 다양한 시스템에서, 하나 또는 그 이상의 처리 단계 도중 웨이퍼의 온도를 상승시키기 위해 받침대가 가열된다. 웨이퍼로의 열전달을 용이하게 하기 위해, 상기 받침대는 세라믹 물질로부터 제조되고, 히터는 상기 세라믹 내에 매입된 저항성 히터 요소이다. 상기 히터 요소는 일반적으로 저항성 와이어나 텅스텐 같은 물질로부터 제조된 경화층(metallized layer)의 코일이다. 이러한 와이어 또는 층에 전류가 인가되면 상기 요소가 가열되고, 상승하는 히터의 온도가 세라믹을 통해 웨이퍼로 전도성있게 전달된다.
히터 요소의 저항은, 실질적으로 상기 요소에 전류가 인가되어 상기 요소의 온도가 상승함에 따라 변화한다. 히터 요소의 저항은 팩터(factor) 3 만큼 변한다. 결과적으로, 히터에 의해 인가되는 전력은 히터 요소가 상온에 있을 때 예컨대, 2400 와트로부터(상온에서는 비교적 낮은 저항인 대략 6 옴), 히터 요소가 대략 550℃의 작동 온도에 있을 때, 예컨대, 800 와트(550℃에서는 비교적 높은 저항인 대략 18 옴)까지 변화한다. 이와 같이 히터 요소가 식어있을 때 이에 인가되는 많은 양의 전력은, 받침대의 세라믹 내에 실질적인 열적 구배(thermal gradients)를 초래한다. 이러한 열적 구배는 세라믹 내에 균열을 초래하는 경향이 있는데, 이는 궁극적으로 받침대를 쓸모없게 만든다.
따라서, 세라믹 받침대 내의 저항성 히터에 인가되는 전력 또는 전류의 양을 제어함으로써, 세라믹 받침대 내의 열적 구배를 감소시키기 위한 방법 및 장치가 해당 기술 분야에서 요구되어 왔다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 장치, 보다 상세하게는, 받침대 내의 저항성 웨이퍼 히터에 인가되는 전력 또는 전류를 제어함으로써, 세라믹 웨이퍼 받침대 내의 열적 구배를 감소시키기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명에 개시된 바는 첨부된 도면과 연계된 하기의 상세한 설명을 참조하여 쉽게 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 히터 제어기에 의해 구동되는 저항성 히터를 포함하는 세라믹 받침대의 단면도를 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 2-2 선을 따라 취한 저항성 히터의 단면도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 히터 제어기의 블록 선도를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따라 제어되는 저항성 히터의 온도에 대한 전력의 그래프를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 히터 제어기의 블록 선도를 도시한 것이다.
이해가 용이하도록 하기 위해, 도면들에 있어 공통되는 동일 구성요소에 대하여는 가능한한 동일한 도면 부호를 사용하였다.
지금까지 종래 기술에 관련된 단점은 본 발명에 따른 세라믹 받침대 내의 열적 구배를 감소시키는 방법 및 장치에 의해 해소된다. 상세하게는, 본 발명은 세라믹 받침대 내에 매입된 저항성 히터에 인가되는 전력 또는 전류의 양을 소정치까지 제한하는 히터 제어기이다.
본 발명의 제1 실시예에서, 저항성 히터로 전달되는 전류를 제한함으로써 받침대 내에 생성되는 열적 구배가 제어된다. 이는 AC 전원으로부터 히터로 전류를 전달하는 와이어에 연결된 전류 변환기(current transformer)를 이용하여 달성된다. 전류 변환기의 출력에서의 전압은 히터로 흐르는 전류를 나타낸다. 이 전압은 그 출력을 특정 임계 전압 레벨에 고정하는 클램프 회로(clamp circuit)에 공급된다. 예시적으로, 임계 전압 레벨은 10 암페어의 출력 전류 한계를 나타낸다. 이와 같이, 상기 클램프의 출력은, 임계 전압 레벨을 초과하는 값을 얻을 때까지 측정된 전류값에 대해 선형적으로 증가한다. 클램프의 출력 전압은, 점호각(firing angle) 제어신호를 발생시키는 위상각 제어기(phase angle controller)에 공급된다. 위상각 제어기는, 저항성 히터에 전력을 공급하는 AC 전원 내에서 스위칭 작용을 수행하는 한쌍의 실리콘-제어 정류기(silicon-controlled rectifier; SCR)에 연결된다. 상기 SCR의 AC 출력은 전류 변환기를 통해 저항성 히터에 연결된다.
본 발명의 제2 실시예에서는, AC 전원의 출력 전력 레벨이 예컨대, 최대 1000 와트까지로 제한된다. 이와 같이, 히터로 전달되는 전력이 제한되어, 열적 구배가 제한된 범위 내에서 유지되도록 한다. 결과적으로, 받침대가 가열됨에 따라 받침대의 세라믹dl 균열을 일으키지 않는다.
본 발명의 각 실시예들에서의 전류 및/또는 전력 레벨은 특정 레벨에서 정해진 ″고정적″ 한계로서 기술되었으나, 이들 한계는 동적 전력 제어회로의 제공 시점에 따라 변화할 수 있다. 이러한 동적 제어는, 온도, 출력 전력 등과 같은 다양한 입력 변수에 응답하는 적응성 피드백 회로 또는 소정의 제어 알고리즘을 이용함으로써 용이해질 수 있다.
도 1은 세라믹 받침대(102), 히터 제어기(106), 비례 적분-미분(PID) 제어기(116) 및, 선택적으로, 정전기 척(electrostatic chuck) 제어기(108)를 포함하는 세라믹 받침대 어셈블리(100)의 단면도를 도시한다. 받침대(102)는 웨이퍼(104)가 지지되는 상면(118)을 갖는다. 도 2는 도 1의 2-2선을 따라 취한 세라믹 받침대(100)의 단면도를 도시한다. 본 발명을 가장 잘 이해하기 위해서는 도 1 및 2를 동시에 참조하여야 한다.
저항성 히터(112)는, 예를 들어, 텅스텐과 같은 저항성 물질의 경화층 또는 코일과 같은 히터 요소를 포함한다. 히터(112)에 전류가 인가되면, 히터 요소의 저항성이 열을 발생시키고, 이로써 히터 요소를 둘러싼 세라믹이 가열되어 궁극적으로 세라믹 받침대(100)에 의해 지지되는 웨이퍼(104)가 가열된다. 전기적 신호가 인가됨에 따라 온도가 상승하는 어떠한 요소라도 상기의 히터 요소로 해석되어야 한다. 히터(112)에 공급되는 전력은 히터 제어기(106)로부터 와이어(114)를 통해 연결된다.
제어 신호(S1)는 종래의 PID 제어기(116)에 의해 생성된다. 도 1에 도시된 PID 제어기는 열전대(thermocouple)(118)를 이용한 받침대의 온도를 관측한다. 상기 신호(S1)는 일반적으로 0 내지 10 볼트 범위의 전압이다. 신호(S1)의 특정 크기는 받침대의 소망되는 온도를 달성하기 위해 필요한 전류의 양을 지시한다. 이 값은, 받침대의 온도가 소망되는 값에 근접함에 따라 발생하는 온도의 상승 및/또는 오버슈트(overshoot)를 방지하기 위한 종래의 PID 알고리즘을 이용하여 동적으로 조정된다. 본 발명에 의하면, 히터 제어기(106)는 신호(S1)를 처리하고, 와이어(114)를 통해 저항성 히터(112)에 연결된 전력 또는 전류의 양을 제한한다.
상기 웨이퍼(104)는, 주변 기계적 클램프(peripheral mechanical clamp), 진공 클램프, 중력 등을 포함하는 다양한 방법으로 받침대(102)의 표면(118)에 구속될 수 있으나, 바람직하게는, 정전기 척이 웨이퍼(104)를 받침대(102)의 표면(118)에 구속하는 것을 용이하게 한다. 정전기 척을 사용하면, 웨이퍼로부터 받침대로의 균일한 열전달이 용이해질 뿐아니라, 웨이퍼의 안정성을 향상시키고 미진(particle)등의 생성을 감소시킨다. 따라서, 선택적인 정전기 척은, 정전기척 제어기(108)에 연결된 동일 평면상의 전극(1101, 1102)을 갖는 것으로 투영(phantom)으로 도시된다. 상기 정전기 척은 2개의 동일 평면상의 전극(1101, 1102)을 갖는 쌍극자 척(bipolar chuck)으로서 작동한다. 상기 정전기 척 제어기(108)는 각 전극에 동일 또는 반대의 극성인 전압을 인가하고, 이로써 전극 간에 전기장이 생성된다. 이 전기장은, 웨이퍼(104) 저면에 전하가 축적되고 상기 전극(1101, 1102) 상에 반대의 전하가 축적되게끔 반도체 웨이퍼(104)를 통해 연결되어, 이로써 상기 전하 간의 정전기력이 반도체 웨이퍼(104)를 받침대(102)의 표면(118) 상에 유지하게 한다. 비록 쌍극자 정전기 척이 도시되었으나, 단일 전극을 갖는 단극자 구조(monopolar structure), 다수개의 전극을 갖는 인터디지탈 구조(interdigital structure) 등을 포함한 어떤 형태의 정전기 척이라도 본 발명에 사용될 수 있다. 상기 척은 AC 또는 DC 전압에 의해 전력을 공급받을 수 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 히터 제어기(106)의 상세 블록 선도를 도시한다. 상세하게는, 상기 제어기(106)가 전류 클램프(300), 위상각 제어기(302), AC 전압 스위칭 일렉트로닉스(304), 및 전류 변환기(current transformer)(310)를 포함한다. 상기 전류 클램프(300)는 출력 전압(S2)을 클램프 회로에 의해 설정된 최대값까지 제한한다. 이 회로구성은 일반적으로 히터에 연결된 출력 전류를, 예컨대, 10 암페어에서 제한한다.
전류 클램프(300)는, RMS 변환기(320), 신호 스캐일러(scaler)(322), 인버팅 제한 증폭기(inverting limit amplifier)(324) 및 합산 증폭기(326)를 포함한다. 변환기(310)는 히터(112)로 흐르는 전류의 AC 샘플을 제공한다. RMS 변환기(320)는 히터(112)로 흐르는 전류의 크기를 나타내는 크기의 DC 값으로 AC 신호를 변환시킨다. 상기 RMS 변환기(320)는 스캐일러(322)에 연결된다. 스캐일러는 신호(S4)의 크기를 신호(S1)에 비교되는 크기의 값으로 조정한다. 스캐일링된 신호(S4)는 인버팅 제한 증폭기(324)에 인가되는데, 여기에서 신호(S4)가 소망되는 전류 한계에 대응하는 소정 전압 신호와 비교된다. 신호(S4)와 한계 전압 신호 사이의 전압차가 포지티브이면, 이 차이가 인버팅되고 증폭되어 신호(S5)로 출력된다. 신호(S4)와 한계 전압 신호 사이의 전압차가 네가티브 또는 제로이면, 신호(S5)는 제로 볼트에 머무른다. 신호(S1 및 S5)가, 신호(S1 및 S5)의 합을 출력 신호(S2)로 하는 합산 증폭기(326)에 연결된다. 이런 식으로, 전류 클램프(300)는 히터의 출력 전류가 일정한 값, 예를 들어, 10 암페어를 초과하지 않게 하는 소정 레벨에 출력 전압(S2)을 고정시킨다. 이와 같이, 출력 신호(S2)는 신호(S4)의 크기가 클램핑 전압과 같거나 큰 레벨을 획득할 때까지 PID 제어기로부터의 신호(S1)에 비례한다. 이 점에서, 신호(S2)의 크기가 최대 전압값에 고정된다. 신호(S5)의 극성은 PID 제어기 신호(S1)의 극성과 반대이다. 이와 같이, 신호 S2 = S1 - S5 이다.
위상각 제어기(302)는 종래와 같이 신호(S2)에 반응하여 경로(316) 상의 점호각 제어 신호를 발생시킨다. 경로(316) 상의 점호각 제어 신호는 스위칭 일렉트로닉스(304)에 연결된다. 스위칭 일렉트로닉스(304)는 한쌍의 실리콘-제어 정류기(SCR)(306, 308)를 포함한다. SCR 회로는, 특정 점호각 제어 신호를 받았을 때 AC 입력 전압(예컨대, 120 볼트)의 각 사이클의 특정 비율이 각 SCR의 출력에 인가되어 궁극적으로 저항성 히터(112)에 인가된다는 점에서 종래와 같다. 이와 같이, 점호각 제어신호의 지속기간을 변화시키면 전압의 크기가 변하고, 따라서 저항성 히터(112)에 인가된 전류의 크기가 변한다.
도 4는 본 발명에 의해 생성되는 바와 같은, 전력(축 402) 대 온도(축 404)의 그래프(400)를 도시한다. 결과적으로, 10 암페어의 한계를 갖는 본 발명을 이용하면, 히터 요소의 저항이 온도에 따라 증가하고 전류가 10 암페어에서 제한됨에 따라 전력 레벨이 예컨대, 최대 1200 와트까지 상승하도록 한다. 곡선의 이 부분 에 있어서, PID 제어기 신호(S1)는 최대값에 있고, 신호(S5)는 임계값에 있다. 커브(400)의 정점(408)은 약 300℃에서 발생된다. 전력이 1200 와트 레벨을 획득하면, 히터 요소의 저항이 계속 증가하고, 전류가 10 암페어 한계 이하로 떨어져, 지점(412)에 따른 곡선이, 지점(408)으로부터, 550℃의 공칭 온도(nominal temperature)가 획득되고 히터가 약 800 와트를 소모하는 지점(414)까지 선형적으로 감소한다. 이 부분의 곡선 동안에, PID 제어기 신호(S1)가 최대값이거나 그 근방에 있고, 신호(S5)는 제로이며, 따라서 합산 증폭기(326)로 전류 제한 신호가 없게 된다. 결과적으로, 최대 혹은 근사 최대 전압이 히터(121)에 인가된다. 상기 그래프(400)는 또한 어떠한 전류 제한도 인가되지 않을 때(곡선 부분 416) 히터로의 전력을 도시한다. 상온에서(제한 없을 때) 히터에 인가되는 전력은, 전류 제한이 있는 경우 600 와트임에 비해, 2400 와트이다. 이와 같이, 전류 제한을 이용하면, 히터 요소로 과도한 전력이 인가되는 것을 방지하고, 받침대 내의 열적 구배를 감소시킨다.
도 5에 도시된 본 발명의 제2 실시예에서는, 히터에 인가되는 전류를 제한하기 보다 히터로 전달되는 총 전력량을 예컨대, 1000 와트에서 제한한다. 이와 같이, 히터의 저항이 변화함에 따라, 히터 저항에 대해, 전류 제어 입력은 전력이 일정값(예컨대, 1000 와트)에서 유지되도록 하는 역의 관계로 변화한다.
전력 제한을 수행하기 위해, 도 3의 히터 제어기(106)가 도 5의 히터 제어기(500)로 변형된다. 히터에 연결되는 전력을 정하기 위해, 본 발명은 한쌍의 SCR(306, 308)의 출력에서의 전류 및 전압 샘플링한다. 전류는 전류 변환기(310)로 관측되고, 전압은 전압 변환기(514)로 관측된다. 전압 및 전류 신호(각각, S10 및 S11)는 각각 RMS 변환기(504 및 508)와 신호 스케일러(506 및 510)에 의해 처리된다. 이와 같이, 신호(S12)는 출력 전압의 크기를 나타내는 DC 값이고, 신호(S13)는 출력 전류의 크기를 나타내는 DC 값이다. 배율기(multiplier)(512)가 신호(S12) 및 신호(S13)를 곱하여 히터(112)에 전달되는 RMS 전력을 나타내는 신호(S14)를 생성한다.
앞서의 실시예에서와 같이, 신호(S14)가 소망되는 전력 한계에 대응하는 소정 전압을 초과할 때, 인버팅 제한 증폭기(324)는 증폭되고 인버팅된 차이 신호(differnce signal)(S15)를 출력한다. 합산 증폭기(326)는 PID 제어기로부터의 신호(S1)에 측정된 신호(이 실시예서는 S15)를 부가하여 신호(S2)를 생성한다. 앞선 실시예에서와 같이, 신호 S2 = S1 - S15 이다. 신호(S2)는 위상각 제어기(302)에 연결된 전압 제한 신호이다. 결과적으로, 전력 클램프(502)는 히터(112)로 전달된 출력 전력을 제한한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 이와 같은 전력 제한은 곡선(400)에 평평한 부분(410)을 제공한다. 이와 같이, 전력 곡선은 약 400℃ 이하의 모든 온도에서 영역(410)을 따라 평평하고, 지점(414)에서 약 800 와트의 공칭 전력 소모에 도달하기 전에 영역(412)을 따라 감소한다. 이러한 전력 제한은 세라믹 받침대 내의 열적 구배가 상기 받침대에 어떠한 물리적 손상을 초래하기에는 불충분하게 만든다.
본 발명의 2가지 실시예는 저항성 히터에 인가되는 전류 또는 전력을 동적으로 제한하도록 변형될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 전류 클램프(300)는 적응 제어기(318)로 대체되거나 보충될 수 있다. 적응 제어기(318)는, 예컨대, 받침대의 온도, 전력, 전류, 시간 등의 다양한 작동 변수(320)에 반응하여, 히터에 인가되는 전력 및/또는 전류를 공칭 범위(nominal range) 내에서 유지한다. 적응 제어기는 하드웨어, 마이크로컨트롤러 상에서 실행되는 소프트웨어 또는 이들의 조함으로서 수행될 수 있다. 이러한 제어기는 일정 시간주기 동안 특정한 전력 또는 전류의 정체 상태(plateaus)를 형성할 수 있고, 점호각 제어 신호는 비선형일 수 있으며, 또한 점호각 제어 신호가 외적인 작동 변수 또는 조건에 반응하여 적응될 수도 있다.
따라서, 지금까지, 저항성 히터에 의해 가열되는 세라믹 받침대 내의 열적 구배를 제어하기 위한 신규한 방법 및 장치를 나타내었고 기술하였다. 그러나, 본 상세한 설명 및 그 실시예를 개시하는 첨부 도면을 참조할 때, 본 발명의 많은 변화, 수정, 변경 및 다른 용도 및 응용이 당업자에게 명백할 것이다. 본 발명의 사상과 범주를 벗어나지 않는 모든 변화, 수정, 변경 및 다른 용도 및 응용은, 하기의 특허청구범위에 의해서만 제한될 본 발명에 속하는 것으로 간주된다.

Claims (16)

  1. 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내에서 발생되는 열적 구배를 제어하는 장치에 있어서, 저항성 히터에 인가되는 전류의 최대량을 소정값까지 제한하는 히터 제어기를 포함하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 히터 제어기가 AC 전력 공급원을 더 포함하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 AC 전력 공급원이,
    상기 저항성 히터로의 AC 전압의 인가를 제어하기 위한 한쌍의 실리콘-제어 정류기(SCR), 및
    상기 히터 제어기에 의해 발생된 전류 제어 신호에 반응하는 점호각 제어 신호를 생성하기 위한, 상기 실리콘-제어 정류기에 연결된 위상각 제어 회로를 더 포함하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 히터 제어기가,
    상기 저항성 히터로 공급되는 전류를 상기 소정값까지 제한하는 전류 제어 신호를 생성하기 위한 클램프,
    상기 저항성 히터로의 AC 전압의 인가를 제어하기 위한 한쌍의 실리콘-제어 정류기(SCR), 및
    상기 클램프에 의해 발생된 상기 전류 제어 신호에 반응하는 점호각 제어 신호를 생성하기 위한, 상기 실리콘-제어 정류기에 연결된 위상각 제어 회로를 더 포함하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 저항성 히터가, 상기 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내에 매입된 저항성 물질인 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 히터 제어기가, 다수개의 변수에 반응하여 상기 저항성 히터에 연결되는 전류를 적응적으로 제어하기 위한 적응 제어기를 더 포함하는 장치.
  7. 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내에 매입된 저항성 히터 내에서 발생되는 열적 구배를 제어하는 장치에 있어서, 저항성 히터에 인가되는 전력의 최대량을 소정값까지 제한하는 히터 제어기를 포함하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 히터 제어기가 AC 전력 공급원을 더 포함하는 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 AC 전력 공급원이,
    상기 저항성 히터로의 AC 전압의 인가를 제어하기 위한 한쌍의 실리콘-제어 정류기(SCR), 및
    상기 히터 제어기에 의해 발생된 전력 제어 신호에 반응하는 점호각 제어 신호를 생성하기 위한, 상기 실리콘-제어 정류기에 연결된 위상각 제어 회로를 더 포함하는 장치.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 히터 제어기가,
    상기 저항성 히터로 공급되는 전력을 상기 소정값까지 제한하는 전력 제어 신호를 생성하기 위한 클램프,
    상기 저항성 히터로의 AC 전압의 인가를 제어하기 위한 한쌍의 실리콘-제어 정류기(SCR), 및
    상기 클램프에 의해 발생된 상기 전력 제어 신호에 반응하는 점호각 제어 신호를 생성하기 위한, 상기 실리콘-제어 정류기에 연결된 위상각 제어 회로를 더 포함하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 클램프가, 측정된 RMS 전류값과 측정된 RMS 전압값을 곱함으로써, 상기 전력 제어 신호를 생성하는데 사용되는 전력값을 구하는 배율기를 추가로 포함하는 장치.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 저항성 히터가, 상기 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내에 매입된 저항성 물질인 장치.
  13. 제 7 항에 있어서, 상기 히터 제어기가, 다수개의 변수에 반응하여 상기 저항성 히터에 연결되는 전력을 적응적으로 제어하기 위한 적응 제어기를 더 포함하는 장치.
  14. 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내의 열적 구배를 감소시키는 방법에 있어서,
    상기 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대의 온도가 상대적으로 낮을 때, 히터 제어기에 의해 발생된 전류를 제한하는 단계, 및
    상기 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내에 매입된 저항성 히터에 상기 제한된 전류를 인가하는 단계를 포함하는 방법.
  15. 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내의 열적 구배를 감소시키는 방법에 있어서,
    상기 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대의 온도가 상대적으로 낮을 때, 히터 제어기에 의해 발생된 전력을 제한하는 단계, 및
    상기 세라믹 웨이퍼 지지용 받침대 내에 매입된 저항성 히터에 상기 제한된 전력을 인가하는 단계를 포함하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제한하는 단계가,
    상기 히터 제어기에 의해 생성된 전압 및 전류를 측정하는 단계,
    상기 전류 및 상기 전압을 곱하여 전력 신호를 생성하는 단계,
    상기 전력 신호의 크기를 제한하는 단계, 및
    상기 히터 제어기에 의해 생성된 전력을 제한하기 위하여 상기 제한된 전력 신호를 이용하는 단계를 더 포함하는 방법.
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