KR20010015531A - 건식 공정에 의한 금속 표면 처리 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 건식 공정에 의해 적어도 한 곳 이상의 금속 표면 영역을 표면 처리하는 방법에 관한 것으로, 표면 처리 영역은 여기되거나 불안정한 화학종을 함유하는 처리 가스에 의해 대기압에 가까운 압력에서 처리되며, 금속 표면상에 가해지는 처리 가스의 압력은 화학종이 상기 표면에 대략 수직한 방향으로 이동되도록 국부적으로 증가되는 것을 특징으로 한다.

Description

건식 공정에 의한 금속 표면 처리 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR TREATING METAL SURFACES BY DRY PROCESS}

그러한 표면 처리는 종종 후속의 공정, 예컨대, 어닐링 작업, 아연, 알루미늄, 주석 또는 그것들의 합금의 전착, 브레이징 작업(예를 들면, 인쇄 회로 기판에 전자 소자를 브레이징하는 것), 그 밖에 니스나 페인트와 같은 유기 도료 또는 질화물이나 실리콘계 피막과 같은 무기 도료의 도장과 같은 공정을 행하기 이전에, 세정 또는 플럭스 처리(fluxing), 탈지 또는 표면 활성화 작용을 수행하기 위해 인쇄 회로 기판과 같은 전자 회로를 제조함에 있어 평면형 제품이나 중공체를 제조 또는 활용하는 공정중에 사용될 수 있다.

인쇄 회로 기판의 제조 분야에서, 이러한 금속 표면 처리 공정으로는 특히, 스케일 제거, 세정, 접속공 디플래싱(deflashing)[또는 오염물 제거(desmearing)] 또는 그 밖에 주석 도금이나 솔더링 전의 플럭스 처리가 있다.

건식 공정에 의한 그러한 표면 처리 공정의 예는 EP-658,391호, EP-658,637호의 공보에 보고되고 있다.

특히 인쇄 회로 기판과 같은 전자 회로상에 전자 소자를 솔더링하는 것과 관련하여, 그러한 솔더링 작업을 수행하는데 "웨이브 솔더링(wave soldering)"과 "리플로 솔더링(reflow soldering)"이라는 두가지 방법이 가장 보편적으로 사용되고 있다.

리플로 솔더링 방법에서는, 금속 합금과 플럭스의 혼합물을 포함하는 솔더 페이스트를 인쇄 회로상의 소자 접속점에 바르고 나서, 기판 위에 소자를 배치한다. 소자를 유지하고 있는 기판을 리플로 오븐에 넣어, 페이스트에 함유된 금속 합금이 녹고 플럭스 작용제가 활성화되는데 필요한 소정량의 열을 공급한다.

웨이브 솔더링 방법은, 솔더링 대상 전자 소자를 유지하고 있는 기판을, 탱크에 담긴 솔더 욕(bath)을 노즐을 이용하여 순환시킴으로써 얻어지는 하나 이상의 액상 솔더 합금의 파(波)에 접촉시키는 단계로 이루어진다.

일반적으로, 회로는 솔더링 대상 표면을 세정하고 산화물과 유기 오염물을 제거하기 위해 플럭스 스프레이나 플럭스 포옴을 사용하여 웨이브 솔더링 장치의 상류 영역에서 미리 플럭스 처리된 후 예열됨으로써 그렇게 처리된 플럭스를 활성화시키게 된다.

리플로 솔더링의 경우, 합금에 의해 금속 피막을 습윤시키고 접속부를 형성하기 위해, 금속 피막, 즉 인쇄 회로 기판과 그 기판에 부착된 소자의 스케일을 제거하는 것이 필요하다. 이러한 스케일 제거 작업은 액상이나 기상(氣相)으로 존재할 수 있는 작용제를 사용하여 행하는 것이 일반적이다.

기상의 작용제를 사용하여 스케일 제거 작업을 행하기 위해, 여기 상태 또는 불안정 상태의 화학종을 포함하는 가스류를 그 인쇄 회로 기판을 향해 분사하며, 이 가스류에 의해 솔더링 단계를 수행하기 이전에 금속 피막의 스케일이 제거된다. 출원인에 의해 성공적으로 수행된 연구 결과, 솔더링이나 주석 도금에 앞서 건식 공정으로 금속 표면을 플럭스 처리하는 이 기술 분야에서 효율적인 스케일 제거를 위해서는 기판상의 접속점에 형성된 홀과 삽입형 소자의 리드(lead)를 포함하는 모든 금속 피막을 화학종으로 처리하는 것이 필요한 것으로 밝혀졌다.

그러므로, 현재 활용되고 있는 건식 공정에 의한 처리 방법에서 인쇄 회로 기판을 처리하는 가스류가 기판에 거의 수직인 방향으로 방출되는 것이 일반적이지만 가스류는 자연적으로 퍼지는 경향이 있어서 입자들, 그 중에서도 특히 둘레에 포진된 입자들은 기판 면에 대해 접선 방향을 따라 이동하는 경향이 있다.

그러므로, 이러한 종류의 스케일 제거 방법은 특히, 소위 "리드형" 또는 "삽입형" 전자 소자의 리드를 삽입하기 위해 기판에 형성된 홀의 스케일 제거를 보다 효율적이고 체계적으로 행하기 위한 목적으로 더욱 개량되어야 함을 이해할 것이다.

본 발명은 건식 공정에 의해 금속의 적어도 한 곳 이상의 표면 영역을 표면 처리하는 방법에 관한 것으로, 그 표면 처리 영역은 여기되거나 또는 불안정한 종(種)을 함유하는 처리 가스에 의해 대기압에 가까운 압력에서 처리된다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이브 솔더링 장치의 도식.

도 2는 도 1의 웨이브 솔더링 장치의 플럭스 처리 기구의 일부로서, 여기되거나 불안정한 화학종을 형성하는 기구에 대한 단면도.

도 3은 소자에 대한 처리 가스의 압력을 국부적으로 증가시키는 압력 상승 수단의 제1 실시예를 도시한 도면.

도 4는 부품에 대한 처리 가스의 압력을 국부적으로 증가시키는 압력 상승 수단의 제2 실시예를 도시한 도면이다.

본 발명의 목적중 하나는 그러한 개량을 제공하는 것이다.

본 발명에 따르면, 이 목적은 여기되거나 불안정한 화학종이 표면에 대해 거의 수직한 속도 성분을 가지는 것으로 달성된다.

그러므로, 본 발명의 주제는 여기되거나 불안정한 원소를 함유하는 처리 가스류를 이용하여 대기압에 가까운 압력으로 처리될 한 곳 이상의 금속 표면 영역을 표면 처리하는 건식 공정에 의한 표면 처리 방법에 관한 것으로, 금속 표면상에 가해지는 처리 가스의 압력이 국부적으로 증가됨으로써 화학종 원소는 상기 표면에 대략 수직한 방향으로 이동되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 방법은 다음의 특징들을 하나 이상 포함할 수 있다.

- 처리 가스에는 전기적으로 하전된 화학종이 실질적으로 없다.

- 처리 가스는 여기되거나 불안정한 기상 성분을 형성하는 하나 이상의 장치의 가스 유출부에서 수득된 1차 가스 혼합물 및 적절한 경우, 인접 가스 혼합물로부터 얻어지며, 상기 장치 내에서는 불활성 가스 및/또는 환원 가스 및/또는 산화 가스로 이루어진 초기 가스 혼합물이 변환되며, 인접 가스 혼합물은 상기 장치를 통과하지 않는다.

- 처리 가스류는 상기 표면에 거의 수직한 방향으로 분사되며, 그 가스류의 둘레에는 표면에서 대략 접선 방향으로 이동하는 여기되거나 불안정한 입자가 포함되어 있기 때문에, 표면에 가해지는 처리 가스류의 압력은 가스류의 둘레에서 증가된다.

- 상기 표면에 가해지는 처리 가스의 압력은 표면에 수직하게 분사되는 하나 이상의 반출 가스류(entrainment gas)에 의해 증가된다.

- 반출 가스는 질소를 함유한다.

- 변수로서, 처리 대상의 표면 영역은 처리 챔버 내에 놓여지기 때문에, 그 표면에 가해지는 처리 가스의 압력은 처리 가스류가 표면에 대해 대략 수직한 방향으로 표면을 타격하도록 강제하기 위해 표면에 면해있는 하나 이상의 팬(fan)에 의해 증가된다.

- 여기되거나 불안정한 화학종은 초기 가스를 전기 방전시키는 것에 의해 얻어진다.

- 여기되거나 불안정한 화학종을 포함하는 처리 가스는 질소와 수소로 이루어진 초기 가스 혼합물을 환원시키는 것에 의해 생성된다.

여기되거나 불안정한 기상 성분을 형성하는 장치의 예가 전술한 EP-658,391호의 문헌에 설명되고 있다.

본 발명은 전자 회로상의 전자 소자를 웨이브 솔더링하는 방법에 관한 것이기도 한데, 이러한 웨이브 솔더링을 행하는 공정중에는 다음과 같은 공정이 수행된다.

- 회로상에 형성된 접속점에 전자 소자를 배치한다;

- 여기되거나 불안정한 화학종을 함유하는 처리 가스류를 이용하여 회로를 대기압에 가까운 압력으로 처리하는 것에 의해 회로를 플럭스 처리하는 작업을 행한다;

- 소자를 유지하고 있는 회로를 하나 이상의 솔더 합금 파와 접촉시킨다;

상기 웨이브 솔더링 방법에서, 전자 회로를 플럭스 처리하는 작업이 행해지는 동안 회로에 가해지는 처리 가스의 압력은 화학종이 회로에 대략 수직한 방향으로 이동되도록 함으로써 국부적으로 증가되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 주제는 건식 공정에 의한 전술한 방법의 수행을 통해 한 곳 이상의 금속 표면 영역을 표면 처리하는 장치에 관한 것이기도 한데, 이 장치는 여기되거나 불안정한 화학종을 함유하는 처리 가스의 공급원과, 상기 한 곳 이상의 금속 표면 영역을 구비하는 소자를 이송하여 그 소자가 처리 가스류에 접촉되도록 하는 이송 기구를 포함하며, 화학종이 각 소자에 거의 수직한 방향으로 이동되도록 강제하기 위해서 상기 각 소자상에 가해지는 처리 가스의 압력을 국부적으로 상승시키는 압력 상승 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 주제는 전술한 방법의 수행을 통해 전자 회로상에 전자 소자를 웨이브 솔더링하는 장치에 관한 것이기도 한데, 이 장치는 접속점에 솔더링될 소자를 적어도 일면에 유지하고 있는 회로를 여기되거나 불안정한 화학종을 함유하는 처리 가스류로 처리하는 것에 의해 상기 회로를 플럭스 처리하는 하나 이상의 기구를 통해, 그리고 소자의 솔더링을 위한 솔더 합금을 담고 있는 탱크를 거쳐, 회로를 이송하는 이송 기구를 구비하며, 상기 하나 이상의 플럭스 처리 기구는 화학종이 회로에 대략 수직한 방향으로 이동되도록 강제하기 위하여 상기 각 회로상에 가해지는 처리 가스류의 압력을 국부적으로 상승시키는 압력 상승 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

다른 특징과 장점들은 단지 예시를 목적으로 첨부 도면과 관련하여 기재된 후술하는 상세한 설명으로부터 도출될 것이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 웨이브 솔더링 장치는 도시된 실시예의 경우, 기판을 예열하는 제1 스테이션(14)으로부터 솔더링하기 이전에 기판(12)을 여기되거나 불안정한 화학종으로 처리하는 것에 의해 기판을 처리하는 기구(16)로, 다시 솔더링될 전자 소자를 유지하고 있는 기판이 하나 이상의 솔더 합금 파에 접촉되어지는 웨이브 솔더링 스테이션(18)으로 회로(12)[이 경우, 예컨대 인쇄 회로 기판]를 이송하는 이송 기구(10)를 구비한다.

도 1에서 살펴볼 수 있는 바와 같이, 이송 기구(10)는 점선으로 도시된 도면 부호(20)와 같은 하나 이상의 트랜스퍼 벨트를 구비하며, 이 벨트상에 인쇄 회로 기판(12)이 놓여진다.

각각의 기판(12)은 다수의 관통 홀을 구비하며, 그 홀 안으로 도면 부호(22,24)와 같은 솔더링하여야 할 전자 소자의 리드가 삽입된다.

도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 벨트(20)는 그 중 적어도 하나가 피동 롤러인 도면 부호(26)와 같은 2개의 가이드 롤러 사이로 연장된다.

벨트(20)상에 놓여진 기판(12)은 1차적으로, 적당한 열처리 기구(28)가 배치된 제1의 예열 스테이션(14)으로부터, 기판이 여기되거나 불안정한 기상의 화학종에 접촉되도록 하여 기판의 오염물을 제거하거나 탈산시키는 제2의 플럭스 처리 스테이션(16)으로 전달된다.

다음, 그렇게 플럭스 처리된 기판은 솔더링 스테이션(18)에서 하나 이상의 솔더 합금 파(30)에 접촉되어지는데, 상기 파(30)는 탱크(32) 내에 담겨진 솔더 욕을 노즐(34) 사이로 펌핑시키는 것으로 얻어진다.

플럭스 처리 스테이션(16)에서 기판(12)을 처리하는 여기되거나 불안정한 기상 성분은 적절한 초기 가스, 예컨대 질소와 수소 등을 함유하는 환원 가스 혼합물 같은 것을, 초기 가스를 전기 방전시키는 것으로써 여기되거나 불안정한 화학종을 형성하는 도면 부호(36)와 같은 기구 사이로 통과시키는 것에 의해 얻어진다.

도 2에 도시된 바와 같이, 여기되거나 불안정한 화학종을 형성하는 각각의 기구(36)는 도시된 실시예의 경우, 예컨대 금속 블록(38)의 내부면에 의해 형성된 제1의 관상 전극(37)을 구비하며, 상기 전극의 내부는 세라믹과 같은 절연 재료로 된 튜브(40)와 그 튜브의 내부면상에 금속 피막에 의해 부착된 제2 전극(41)으로 형성된 동심 배치된 조립체로 되어 있는데, 상기 제2 전극은 도시의 명확화를 위해 도 2에서 빗금쳐 도시하고 있다.

절연체 튜브(40)와 제2 전극(41)은 제1 전극(37)과 함께 가스용의 관상 통로(42)를 형성하며, 내부에는 냉각제가 유동되는 내부 용적부(44)가 형성된다.

블록(38)은 직경 방향으로 대향된 2개의 종방향 슬롯(46,48)을 구비하며, 그 슬롯은 여기될 초기 가스의 통로(42)로의 유입부와 여기되거나 불안정한 기상 화학종을 담고 있는 처리 가스의 유동 유출부를 각각 형성한다.

상기 슬롯(46,48)은 통로(42)로 형성된 공동의 축방향 전체 길이를 초과하여 연장된다.

더욱이, 블록(38)은 유익하게는 제1 전극(37) 둘레에 물과 같은 냉각제가 통과되는 도면 부호(50)와 같은 다수의 덕트를 더 포함한다.

또한, 도 2에 도시된 바에 따르면, 가스 유입 슬롯(46)은 케이싱(54)에 형성된 균질화 챔버(52)와 연통되어 있으며, 상기 케이싱은 블록(38)에 고정되고 상기 초기 가스를 공급하기 위한 관(56)을 구비한다.

모듈은 고전압 고주파 발생기(58)에 의해 완성되는데, 상기 발생기는 가스 통로(42)를 통과하는 가스 혼합물을 방전시킴으로써 상기 가스 혼합물을 구성하고 있는 가스 분자를 여기시켜 결국 유출부(48)에서 처리 가스 혼합물을 발생시키도록 의도된 것이며, 상기 처리 가스 혼합물은 여기되거나 불안정한 화학종을 포함하지만 실질적으로 전기적으로 하전된 상태의 화학종을 포함하지 않으며, 이는 인쇄 회로 기판(20)(도 1 참조)의 외부면을 탈산시키고 오염물을 제거한다.

당업자에게는 분명하겠지만, 여기에서의 기판은 포스트-방전 상태(post-discharge situation)에 있는 것이다.

따라서, 여기되거나 불안정한 화학종을 형성하기 위한 각각의 기구(36)는 결과물로서, 처리될 기판(12)의 표면에 거의 수직한 방향으로 분출되는 화학종을 포함하는 가스류를 발생시키게 된다.

도 3,4에서 알 수 있는 바와 같이, 화학종을 포함하는 가스류는 기판이 플럭스 처리되어 자연적으로 전개되기 쉽게 하여 플럭스 둘레에 놓여진 입자들이 기판의 표면에 대략 평행한 방향으로 용이하게 이동되도록 하는 것을 보장하기 위한 것이다.

전술한 바와 같이, 소자를 유지하기 위해 기판에 만들어진 홀을 처리하는데에 있어서는 흐름의 이러한 부분이 덜 효과적이다.

이러한 단점을 경감시키기 위해, 본 발명에 따르면, 여기된 입자를 기판에 거의 수직하게 강제로 전파시켜 홀 안으로 진입시킨다.

이를 위해, 화학종을 함유하는 가스류가 각각의 기판(12)에 미치는 압력을 국부적으로 증가시킨다.

보다 바람직하게는. 제공되는 입자들이 처리 가스류의 둘레에 배치되는 한, 처리 가스류의 압력은 흐름의 둘레에서 증가된다.

도 3에 도시된 제1 실시예에 따르면, 활성화된 가스의 유동 압력은 여기된 입자를 발생시키는데 사용되는 질소나 그에 상응하는 가스, 예컨대, 수소와 혼합된 질소와 적절한 경우 수증기와 같은 보조 반출 가스(전기 방전시키지 않는다.)의 제트를 이용하여 증가시킨다.

도 3에 도시된 바와 같이, 반출 가스 제트는 챔버(62)에서 추출된 반출 가스를 홀 의 축에 대략 평행한 방향, 즉 화살표(F)로 도시된 처리 대상 표면에 수직한 방향으로 예컨대, 10-100m/s의 비교적 고속으로 추진시키는데 적합한 반출 기구(60)에 의해 발생된다.

상기 기구(60)는 예컨대, 벤츄리-효과 나이프(venturi-effect knife) 또는 유동 증폭기로 이루어질 수 있다.

이 반출 가스 제트의 작용하에서, 여기되거나 불안정한 입자들은 결국 처리 대상 홀의 축에 평행한 방향으로 강제로 이동된다.

따라서, 여기된 입자의 흐름에 의해 처리될 영역의 폭은 상당히 증가된다.

도 4에 도시된 다른 실시예에 따르면, 각각의 기판은 바람직하게 밀봉된 챔버 내에서 플럭스 처리 스테이션(16)에 자리하며, 기판에 가해지는 처리 가스의 압력은 기판을 마주하는 하나 이상의 팬(64)에 의해 증가되며, 팬의 높이는 가스류의 둘레와 같게 배치되어 있어서 이 영역의 처리 가스류는 기판에 대략 수직한 방향으로 강제 이동된다.

이 실시예에서, 처리 가스에서 제거될 반출 가스는 챔버 내에 존재하도록 의도된 것이다.

도 3과 관련하여 설명한 실시예에서, 여기되거나 불안정한 화학종을 포함하는 가스류에 의해 처리되는 표면 영역은 이 반출 기구를 이용함으로써 상당히 증가될 수 있다.

본 발명은 특정 실시예와 관련하여 설명되었지만, 어떠한 방식으로도 그것에 한정되지 않으며, 반대로 변화와 변형이 가능함은 후술된 청구범위와 관련하여 당업자에게는 분명할 것이다.

따라서, 본 발명은 전자 기판상에 소자를 웨이브 솔더링하는 것과 관련하여 특정 실시예로서 예시한 바 있지만, 다른 많은 표면 처리 방법들, 이들 방법들이 단층 또는 다층의 인쇄 회로의 제조[주석 도금이나 기타 금속층의 피복 이전에 스케일 제거, 세정, 접속 구멍 디플레싱(또는 오염물 제거 제거) 작업이나 그 밖의 플럭스 처리 작업]나 또는 다른 형태의 금속 표면을 포함하는 다른 산업 분야에 사용되는 것에 무관하게 다양한 분야에 적용 가능하다.

Claims (21)

1. 여기되거나 불안정한 원소를 함유하는 처리 가스류를 이용하여 대기압에 가까운 압력으로 처리될 한 곳 이상의 금속 표면 영역을 표면 처리하는 건식 공정에 의한 표면 처리 방법에 있어서,

   금속 표면 영역에 가해지는 처리 가스의 압력을 국부적으로 상승시켜, 상기 화학종이 상기 표면에 대략 수직한 방향으로 이동되도록 강제하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 여기되거나 불안정한 화학종은 초기 가스를 전기 방전시키는 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 가스에는 전기적으로 하전된 화학종이 실질적으로 없는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 처리 가스는 여기되거나 불안정한 기상 화학종을 형성하는 하나 이상의 장치의 가스 유출부에서 수득된 1차 가스 혼합물 및 적절한 경우, 인접 가스 혼합물로부터 얻어지며, 상기 장치 내에서는 불활성 가스 및/또는 환원 가스 및/또는 산화 가스로 이루어진 초기 가스 혼합물이 변환되며, 인접 가스 혼합물은 상기 장치를 통과하지 않는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 처리 가스류는 상기 표면 영역에 대략 수직한 방향으로 상기 표면을 향해 분사되며, 그 가스류의 둘레에는 표면 영역에 대해 대략 접선 방향으로 이동하는 여기되거나 불안정한 입자가 포함되어 있어서, 상기 표면 영역에 가해지는 처리 가스류의 압력은 가스류의 둘레에서 상승되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
6. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 영역에 가해지는 처리 가스의 압력은 표면 영역에 수직하게 분사되는 하나 이상의 반출 가스류에 의해 증가되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 반출 가스는 질소를 함유하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
8. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면 영역은 처리 챔버 내에 배치되어 있어서, 그 표면 영역에 가해지는 처리 가스의 압력은 상기 표면 영역이 그 표면 영역에 대해 대략 수직한 방향으로 가스류에 의해 타격을 받도록 상기 표면에 면해있는 하나 이상의 팬에 의해 상승되는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
9. 제1항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 표면 영역은 인쇄 회로 기판상에 존재하며, 상기 표면 처리는 상기 표면에 대해, 솔더링이나 주석 도금을 행하기 전에, 세정, 탈지, 표면 활성화, 디플래싱(deflashing), 플럭스 처리 중 하나 이상의 작업을 수행하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
10. 전자 회로상에 전자 소자(22,24)를 웨이브 솔더링하는 방법으로서,

    상기 회로상에 형성된 접속점에 상기 소자(22,24)를 배치하는 단계, 제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 따른 표면 처리 방법을 이용하여, 상기 회로(12)를 처리 가스류로 대기압에 가까운 압력에서 처리함으로써, 상기 회로를 플럭스 처리하는 작업을 수행하는 단계, 소자(22,24)를 유지하고 있는 회로(12)를 하나 이상의 솔더 합금 파(30)와 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
11. 제10항에 있어서, 처리 가스류는 회로(12)에 대략 수직한 방향으로 상기 회로(12)를 향해 분사되며, 그 가스류의 둘레에는 회로(12)의 표면에 대해 대략 접선 방향으로 이동하는 여기되거나 불안정한 입자가 포함되어 있어서, 상기 회로(12)에 가해지는 처리 가스류의 압력은 가스류의 둘레에서 상승되는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 회로에 가해지는 처리 가스의 압력은 회로에 수직하게 분사되는 하나 이상의 반출 가스류에 의해 증가되는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 반출 가스는 질소를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
14. 제10항 또는 제11항에 있어서, 플럭스 처리 단계에서, 상기 회로는 처리 챔버에 배치되어 있어서, 그 회로에 가해지는 처리 가스의 압력은 상기 회로(12)가 그 회로에 대해 대략 수직한 방향으로 처리 가스류에 의해 타격을 받도록 상기 회로에 면해있는 하나 이상의 팬(64)에 의해 상승되는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
15. 제10항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 상기 여기되거나 불안정한 화학종은 초기 가스를 전기 방전시키는 것에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법,
16. 제10항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 여기되거나 불안정한 화학종을 포함하는 처리 가스는 질소와 수소를 함유하는 환원 가스 혼합물로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
17. 제10항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 가스에는 전기적으로 하전된 화학종이 실질적으로 없는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 처리 가스는 여기되거나 불안정한 기상 화학종을 형성하는 하나 이상의 장치의 가스 유출부에서 수득된 1차 가스 혼합물 및 적절한 경우, 인접 가스 혼합물로부터 얻어지며, 상기 장치 내에서는 불활성 가스 및/또는 환원 가스 및/또는 산화 가스로 이루어진 초기 가스 혼합물이 변환되며, 인접 가스 혼합물은 상기 장치를 통과하지 않는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
19. 제10항 내지 제18항중 어느 한 항에 있어서, 처리된 전자 회로는 인쇄 회로 기판인 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 방법.
20. 제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 따른 방법의 수행으로 한 곳 이상의 금속 표면 영역을 건식 공정을 이용하여 처리하는 장치에 있어서,

    여기되거나 불안정한 화학종을 함유하는 처리 가스의 공급원과, 상기 한 곳 이상의 금속 표면 영역을 구비하는 소자를 이송하여 그 소자가 처리 가스류에 접촉되도록 하는 이송 기구를 포함하며, 화학종이 각 소자에 대략 수직한 방향으로 이동되도록 강제하여, 상기 각 소자상에 가해지는 처리 가스의 압력을 국부적으로 상승시키는 압력 상승 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
21. 제10항 내지 제19항중 어느 한 항에 따른 방법의 수행을 통해 인쇄 회로 기판상에 전자 소자(22,24)를 웨이브 솔더링하는 장치에 있어서,

    기판(12)상의 접속점에 솔더링될 소자(22,24)를 적어도 일면에 유지하고 있는 기판(12)을 여기되거나 불안정한 화학종을 함유하는 처리 가스류로 처리하는 것에 의해 상기 기판을 플럭스 처리하는 하나 이상의 플럭스 처리 기구(36)를 통해, 그리고 소자의 솔더링을 위한 솔더 합금을 담고 있는 탱크(32)를 거쳐, 기판을 이송하는 이송 기구(10)를 구비하며, 상기 플럭스 처리 기구(36) 또는 그 각각은 화학종이 기판에 대략 수직한 방향으로 이동되도록 강제하여 상기 각 기판(12)상에 가해지는 처리 가스의 압력을 국부적으로 상승시키는 압력 상승 수단(60,62;64)을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이브 솔더링 장치.