KR20010007487A - 반도체 노광용 레이저광을 위한 파장 모니터 장치 - Google Patents

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KR20010007487A
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세키교헤이
호타가즈아키
고바야시다카오
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다나카 아키히로
가부시키가이샤 우시오소고기쥬츠 겐큐쇼
니시가키 코지
니폰덴키 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 표준광과 반도체 노광용 레이저광을 시간차 없이 동시에 고정밀도로 측정할 수 있는 파장 모니터 장치에 관한 것으로, 반도체 노광용 레이저(20)로부터의 광과 He-Ne 레이저(10)로부터의 기준광을 서로 중심축을 어긋나게 하여 단일 에타론(etalon)(1) 각각의 영역에 발산광, 집속광 또는 확산광으로 입사시키는 입사측 광학계(21, 22)와, 에타론(1)을 투과한 두 광의 중심축에 대략 같은 축에 설치된 두 집광 광학계(31, 32)과, 집광 광학계(31, 32)의 뒷쪽 초점면(P)에 배치되어 두 광에 의해 발생한 간섭 줄무늬를 수광하는 1차원 어레이 광센서(4)로 이루어지고, 1차원 어레이 광센서(4)상의 간섭 줄무늬의 위치를 검출하여 반도체 노광용 레이저광의 파장을 산출하는 파장 모니터 장치이다.

Description

반도체 노광용 레이저광을 위한 파장 모니터 장치{Wavelength monitoring apparatus for laser light for semiconductor exposure}
본 발명은, 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치에 관한 것으로, 특히 파장이 이미 알려진 기준광에 대한 반도체 노광용 레이저 광의 파장을 동시에 측정하는 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치에 관한 것이다.
반도체 집적회로의 미세화에 따라 반도체 노광광의 단파장화가 진행되고, 차세대 반도체 리소그래피(lithography)용 광원으로서, 파장 193.4㎚의 ArF 엑시머 레이저, 또는 파장 157㎚의 불소 레이저가 유력하다. ArF 엑시머 레이저에 대해서 말하면, 통상적으로 ArF 엑시머 레이저는 스펙트럼 폭이 400pm정도로 넓다. 그러나, 진공 자외역에서 사용가능한 노광장치용 광학재료로서는, 합성석영과 형석밖에 존재하지 않아, 노광장치의 투영 광학계에서 색소거가 매우 곤란하다. 노광장치의 투영광학계에서의 이 색수차의 문제를 회피하기 위해서는, 스펙트럼 폭을 1pm이하로 협대역화하는 것이 필요하게 되고, 또 중심파장도 변동이 ±0.1pm이내의 파장 안정화가 필수 요건이 된다.
또, 불소 레이저에서도, 투영 광학계를 가지는 노광장치에 적용하는 경우, 마찬가지로 협대역화가 필요하게 된다.
스펙트럼 선 폭의 협대역화에는, 예를 들면 빔 직경 확대 프리즘과 회절격자로 이루어진 협대역화 광학계에 의해 실현되고, 또 회절격자로의 광의 입사각을 제어함으로써 파장선택이 이루어진다.
상기와 같은 파장 안정화를 실현하기 위해서는, 노광중에 협대역화된 반도체 노광용 레이저 광의 파장 및 스펙트럼선 폭을 계측하여, 그 데이터를 토대로 레이저 피드 백 제어를 행하기 위한 파장 모니터 장치가 필요하게 된다.
이러한 파장 모니터 장치의 종래예로서, 바레사(社)의 파장 모니터 장치의 구성을 도 4에 도시한다. 이 장치에서는, 기준 광원으로서의 파장 632.8㎚의 He-Ne 레이저로부터의 기준광이 반사경과 셔터(A)를 거쳐 빔 스플릿터(beam spliter)에 입사하고, 거기에서 반사되어, 반사경, 오목면 거울을 거쳐 에타론에 도달하고, 에타론에서 다중 간섭된 광은 집광 렌즈를 거쳐 그 뒤쪽 초점면에 동심원 형상 또는 평행선으로 이루어진 간섭 줄무늬(프린지)를 형성한다. 이 뒤쪽 초점면에 리니어 어레이 센서(CCD)가 배치되어 있고, 각 프린지의 CCD상에서의 위치 데이터로부터, 에타론 공기의 굴절률 변동이나 미러 간격의 변동을 보정한다. 이어서, 셔터(A)를 닫아, 반도체 노광용의 예를 들면, ArF 엑시머 레이저로부터의 파장 193.4㎚ 근방의 피파장 측정광은 도면의 오른쪽으로부터 입사개구와 셔터(B)를 거쳐 빔 스플릿터를 투과하고, 반사경, 오목경에서 반사되어 에타론에 도달하며, 에타론에서 다중간섭된 광은 집광 렌즈를 거쳐 그 뒤쪽 초점면의 CCD상에 동심원 형상 또는 평행선으로 이루어진 간섭 줄무늬(프린지)를 형성한다. 이 피파장 측정광의 프린지의 CCD상에서의 위치 데이터로부터 피파장 측정광의 파장을 산출한다.
이러한 종래의 파장 모니터 장치에서는, 표준 광원(He-Ne 레이저)에 의한 프린지와 반도체 노광용 엑시머 레이저에 의한 프린지가 CCD상의 같은 영역에 결상하여, 가령 양 프린지를 동시에 관측하려고 하면(셔터(A)와 셔터(B)를 함께 열어 입사시킨다), 양 프린지끼리 리니어 어레이 센서상에서 서로 오버 랩(overlap)해버려, 각 프린지의 위치를 정확하게 측정하기가 곤란해진다. 이 때문에, 종래는 각 프린지를 개별로 측정하지 않을 수 없어, 표준광원의 프린지를 이용한 에타론의 교정(프린지 위치의 측정)과, 반도체 노광용의 엑시머 레이저의 프린지를 이용한 파장측정(프린지 위치의 측정)의 사이에 시간간격이 비게 되므로, 그 만큼 측정에 오차가 발생할 가능성이 있었다.
도 4의 파장 모니터 장치에서, 표준광원으로서는 예를 들면 주파수 고안정의 He-Ne 레이저가 이용되지만, 이러한 레이저는 상승하면서 안정화하는 데에 시간이 걸리므로, 상승 후 측정종료까지 연속 발진시킬 필요가 있다. 이 때문에, 반도체 노광용의 엑시머 레이저에 의한 파장 측정중에는, 이 He-Ne 레이저에 의한 프린지가 CCD상에 결상하지 않도록 하기 위해 He-Ne 레이저와 에타론 사이의 차광을 위한 셔터 기구(셔터(A))를 설치할 필요가 있다. 엑시머 레이저의 반복 주파수가 커지면, 그 쇼트마다 파장측정하고자 하면 이 셔터(A)의 개폐가 거기에 따를 수 없게 된다.
또, 에타론의 코팅에 관해, 하나의 에타론을 He-Ne 레이저광과 반도체 노광용의 엑시머 레이저 광이 투과한다. 이 때문에, 에타론을 구성하는 반사경에는 He-Ne 레이저광의 파장 632.8㎚과 ArF 엑시머 레이저 광의 파장 약 193㎚의 2파장에 대한 유전체 다층막 코팅이 필요하게 되는데, 양자에 대해서 모두 충분한 반사율과 저손실 특성을 얻을 수 없는 코팅을 구성하는 것은 곤란하며, 또 고가가 된다.
이러한 문제는, ArF 엑시머 레이저뿐만 아니라, 불소 레이저에 대해서도 마찬가지이다.
본 발명은 종래기술의 이러한 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 표준광과 반도체 노광용 레이저 광을 시간차 없이 동시에 고정밀도로 측정할 수 있고, 또 양 광을 절환하는 셔터 기구를 필요로 하지 않고, 또 기준광과 반도체 노광용 레이저 광에 대해 각각 충분한 반사율과 저손실 특성을 가지는 코팅을 에타론에 설치하면 좋은 파장 모니터 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하는 본 발명의 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치는, 반도체 노광용 레이저 광과 기준광을 서로 중심축을 어긋나게 하여 단일 에타론의 각각의 영역에 발산광, 집속광 또는 확산광으로 입사시키는 입사측 광학계와, 상기 에타론을 투과한 상기 두 광의 중심축에 대략 같은 축에 설치된 두 집광 광학계와, 상기 집광 광학계의 뒷쪽 초점면에 배치되어 상기 두 광에 의해 발생한 간섭 줄무늬를 수광하는 1차원 어레이 광센서로 이루어지고, 상기 1차원 어레이 광센서상의 간섭 줄무늬의 위치를 검출하여 상기 반도체 노광용 레이저광의 파장을 산출하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이 경우에, 1차원 어레이 광센서는 단일 1차원 어레이 광센서로 이루어져, 반도체 노광용 레이저 광에 의한 간섭 줄무늬와, 기준광에 의한 간섭 줄무늬가 서로 중첩하지 않고, 그 1차원 어레이 광센서 각각의 분할영역에 입사하도록 하는 것이 바람직하다.
또, 에타론의 반도체 노광용 레이저 광이 입사하는 영역과, 기준광이 입사하는 영역에 각각의 반사 코팅이 이루어진 것으로 하는 것이 바람직하다.
이들 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치는, 반도체 노광용 레이저광을 ArF 엑시머 레이저광 또는 불소 레이저광, 기준광을 He-Ne 레이저광으로 하는 경우에 유효한 것이다.
본 발명에서는, 반도체 노광용 레이저광과 기준광을 서로 중심축을 어긋하게 하여 단일 에타론 각각의 영역에 입사시켜, 에타론을 투과한 광의 간섭 줄무늬를 두 집광 광학계에 의해 1차원 어레이 광센서상에 발생시키므로, 기준광의 파장을 기준으로 하여 피파장 측정광의 파장을 고정밀도로 동시측정을 행하는 것이 가능하게 되어, 각 측정간의 시간적 차이에 의해 발생하는 측정오차의 영향을 제거할 수 있다. 또, 단일 에타론의 코팅 영역을 2분할하여, 한 쪽의 영역에 기준광용 코팅을, 다른 쪽의 영역에 피파장 측정광용 코팅을 하면 좋고, 에타론의 반사 코팅을 행하기 쉬워진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치의 구성을 도시한 도면,
도 2는 1차원 어레이 광센서상에 입사하는 기준광의 프린지(fringe)를 형성하는 광속의 일부와 피파장 측정광의 프린지를 형성하는 광속의 일부가 중첩하는 경우의 프린지의 모습의 일예를 도시한 도면,
도 3은 1차원 어레이 광센서상에 입사하는 기준광의 프린지를 형성하는 광속과 피파장 측정광의 프린지를 형성하는 광속이 개개의 영역에 입사하는 경우의 프린지의 모습의 일례를 도시한 도면,
도 4는 종래의 파장 모니터 장치의 일례의 구성을 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 에타론(etalon) 21, 22: 오목렌즈
31, 32: 집광렌즈 4 : 어레이 광센서
5 : 입사개구 6 : 반사경
7 : 신호처리 표시회로 8 : 파장 제어신호
20 : ArF 엑시머 레이저
이하, 본 발명의 반도체 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치의 실시예에 대해서 설명한다.
도 1은, 일 실시예의 파장 모니터 장치의 광로도로, 한 개의 에타론(1)을 구비하고 있다. 이 에타론(1)의 입사측에는, 두 개의 오목 렌즈(21, 22)가 나란히 배치되어 있고, 오목 렌즈(21)에는 기준 광원인 He-Ne 레이저(10)로부터의 기준광이 반사경(6, 6)을 통해 입사된다. 또, 다른 한 쪽의 오목 렌즈(22)에는 반도체 노광용의 예를 들면 ArF 엑시머 레이저(20)로부터의 피파장 측정광이 반사경(6, 6), 입사개구(5)를 통해 입사된다. 오목 렌즈(21)에서 발산광으로 변환된 기준광은 에타론(1)을 투과하여, 그 사출측에 광축이 에타론(1)에 대해 수직으로 배치된 집광렌즈(31)에 의해 어느 정도 발산각이 좁혀져, 그 집광 렌즈(31)의 뒷쪽 초점면에 기준광의 프린지를 형성한다. 마찬가지로, 오목렌즈(22)에서 발산광으로 변환된 피파장 측정광은 같은 에타론(1) 각각의 영역을 투과하여, 그 사출측에 광축이 에타론(1)에 대해 수직으로 배치된 집광 렌즈(32)에 의해 어느 정도 발산각이 좁혀져, 집광 렌즈(32)의 뒷쪽 초점면에 피파장 측정광의 프린지를 형성한다. 여기에서, 집광렌즈(31)의 뒷쪽 초점면과 집광렌즈(32)의 뒷쪽 초점면이 평면(P)에 일치하고, 또 양 집광 렌즈(31, 32)에 의해 좁혀진 광속의 일부가 평면(P)상에서 서로 중첩하도록, 양 집광 렌즈(31, 32)가 배치되어 있다. 그리고, 이 중첩영역의 적어도 일부를 포함하도록 단일의 1차원 어레이 광센서로서의 CCD(4)가 평면(P)상에 그 1차원 방향을 도면의 상하방향을 향해 배치된다.
CCD(4)로부터의 프린지 위치신호는 신호처리 표시회로(7)에 입력되고, 그 신호처리 표시회로(7)에서 처리되어 얻어진 파장 제어신호(8)는 ArF 엑시머 레이저(20)에 입력되어, 그 중의 협대역화 광학계의 예를 들면 회절격자의 각도제어에 이용된다.
또, 오목 렌즈(21)를 거쳐 기준광이 입사하는 영역의 에타론(1)의 반사경에 는, 그 기준광(He-Ne 레이저광)을 저손실로 반사하도록 설계된 유전체 다층막 코팅이 행해지고, 또 에타론(1)의 오목 렌즈(22)를 거쳐 피파장 측정광(ArF 엑시머 레이저 광)이 입사하는 영역의 반사경에는, 그 파파장 측정광을 저손실로 반사하도록 설계된 다른 유전체 다층막 코팅이 이루어져 있다.
그러나, CCD(4)상에 입사하는 기준광의 프린지를 형성하는 광속의 일부와, 피파장 측정광의 프린지를 형성하는 광속의 일부는 이 실시예에서는 CCD(4)상에서 중첩하도록 동시에 입사하는데, 그 모습의 일례를 도 2에 도시한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 양 광속은 CCD(4)상에서 일부 겹치지만, 각각의 광속의 중심(O1, O2)(집광렌즈(31, 32)의 광축에 일치한다)은 평면(P)상에서 CCD(4)의 1차원 어레이 배치방향에 어긋나게 입사하고, 이들의 중심(O1, O2)을 중심으로 하여 형성된 기준광의 프린지(F1)와 피파장 측정광의 프린지(F2)는 CCD(4) 각각의 분할영역(A)와 (B)에 입사하도록 조정된다. 이 때문에, 하나의 CCD(4)에서 양 프린지(F1, F2)의 프린지 간격을 측정하여 기준광의 파장을 기준으로 하여 피파장 측정광의 파장을 동시에 고정밀도로 측정할 수 있다. 이하, 그 측정순서의 일례를 설명한다. 또, 프린지(F1, F2)의 이들의 중심(O1, O2)으로부터 센 차수를 1차, 2차, 3차 …로 한다.
(1) 에타론(1)의 반사경간의 거리(카탈로그 값:출발값)을 d, 기준광의 파장을 λ1, 기준광에 대한 공기의 굴절률을 n1, 기준광의 프린지(F1)를 형성하는 집광렌즈(31)의 초점거리를 f1로 한다.
(2) 기준광의 프린지(F1)의 1차 줄무늬에 관한 광로차를 결정하는 정수를 결정하기 위해, 에타론(1)의 간섭조건을 나타내는 식:
msλ1= 2n1dcosθs… (a)
에서, θs=0으로 하여, ms를 구한다. 구한 ms에 근접하여 그 이하의 정수를 구하여, 그 정수를 ms로 한다.
(3) 기준광의 프린지(F1)의 1차, 2차 줄무늬에 관한 입사각 θs 1, θs 2는, 식(a)로부터,
θs 1=cos-1(Msλ1/2n1d)
θs 2=cos-1{(Ms-1)λ1/2n1d)}
가 된다.
(4) CCD(4) 상에서 프린지(F1)의 1차 줄무늬의 위치를 Xs1, 2차의 줄무늬의 위치를 Xs2라 하면,
Xs2,-Xs1= △Xs= f1(tanθs2-tanθs1)
= f1[tan(cos-1{(Ms-1)λ1/2n1d}]
-tan{cos-1(Msλ1/2n1d}]
이 된다.
(5) CCD(4)상에서 실제 기준광의 프린지(F1)의 1차 줄무늬 위치와 2차 줄무늬 위치의 차(△Xs')를 측정한다(도 2).
(6) 측정값(△Xs')과 계산값(△Xs)의 차(△Xs'-△Xs)를 계산한다.
(7) 이 (△Xs'-△Xs)가 최소값이 되기까지, 에타론(1)의 반사경간의 간격(d)의 값을 예컨대, λ1/20마다 변화시켜, 상기 (3)∼(6)을 반복한다.
(8) (7)에서 최종적으로 얻어진 d를 d'로 한다.
(9) │d-d'│를 계산한다.
(10) 예를 들면, │d-d'│≤λ1/10인 때에, 에타론(1)의 반사경간의 간격을 d'로 확정한다.
(11) 예를 들면, │d-d'│> λ1/10인 때, Ms를 1줄여 (Ms-1) 새로운 Ms로 하여, 상기 (3)∼(9)를 반복한다.
(12) 피파장 측정광의 파장을 λ2, 피파장 측정광에 대한 공기의 굴절률을 n2, 피파장 측정광의 프린지(F2)를 형성하는 집광렌즈(32)의 초점거리를 f2로 한다.
(13) 피파장 측정광의 프린지(F2)의 1차 줄무늬에 관한 광로차를 결정하는 정수를 결정하기 위해, 에타론(1)의 간섭조건을 나타내는 식:
2=2n2d'cosθ … (b)
에서, θ=0으로 하여, m을 구한다. 구한 m에 근접하여 그 이하의 정수를 구하여, 그 정수를 M으로 한다.
(14) 피파장 측정광의 프린지(F2)의 1차, 2차 줄무늬에 관한 입사각(θ1, θ2)은, 식(b)로부터,
θ1= cos-1(Mλ2/2n2d')
θ2= cos-1{(M-1)λ2/2n2d'}
가 된다.
(15) CCD(4)상에서의 프린지(F2)의 1차 줄무늬의 위치를 X1, 2차 줄무늬의 위치를 X2라 하면,
X2-X1= △X = f2(tanθ2- tanθ1)
= f2[tan[cos-1{(M-1)λ2/2n2d'}]
- tan{cos-1(Mλ2/2n2d')}]
가 되는 것이다.
(16) CCD(4)상에서의 실제 피파장 측정광의 프린지(F2)의 1차 줄무늬의 위치와 2차 줄무늬의 위치의 차(△X')를 측정한다(도 2).
(17) 측정값(△X')과 계산값(△X)의 차(△X'-△X)를 계산한다.
(18) 이 (△X'-△X)가 최소값이 되기까지, λ2를 예컨대, 0.05pm마다 변화시키고, 상기 (14)∼(17)을 반복하여 그 결과 얻어진 λ2를 측정파장으로 한다.
그런데, 도 1의 배치에서 도 3에 도시한 바와 같이, 기준광의 프린지(F1)를 형성하는 광속과 피파장 측정광의 프린지(F2)를 형성하는 광속은 CCD(4) 각각의 영역(A, B)에 입사하도록 해도 물론 좋다. 이 경우에는, 각 영역(A, B)의 가장 가장자리에 위치하는 줄무늬의 위치간의 거리(a-b, c-d)를 구하고, 선분(a-b), 선분(c-d)의 중점의 위치를 프린지(F1, F2)의 중심(O1, O2)으로 구하고, 그 중심 (O1, O2)에 가장 근접하고 있는 한 쪽의 줄무늬의 위치를 1차 줄무늬로 인식하고, 그 1차 줄무늬 바깥쪽의 줄무늬의 위치를 2차 줄무늬로 인식하여, 양 줄무늬간의 간격을 측정하여 상기 △XS', △X'로 하면 된다.
이렇게 본 발명에서는 공통의 단일 에타론(1) 각각의 영역에 기준광과 피파장 측정광을 동시에 입사시키고, 기준광의 파장을 기준으로 하여 피파장 측정광의 파장을 측정하므로, 고정밀도로 동시 측정을 할 수 있게 된다. 따라서, 종래의 He-Ne 레이저광에 의한 에타론의 교정후에 엑시머 레이저광의 파장측정을 행하는 경우의 각 측정간의 시간적 차이에 의해 발생하는 측정오차의 영향을 제거할 수 있다.
또, 단일 1차원 어레이 광센서(CCD)(4)를 이용하는 경우, 도 2, 도 3과 같은 배치로 기준광의 프린지와 피파장 측정광의 프린지를 서로 중첩하지 않고 위치측정할 수 있으므로, 고정밀도로 측정을 행할 수 있으면서도, 종래예와 같이 He-Ne 레이저광과 엑시머 레이저광을 절환하는 셔터기구를 설치할 필요가 없다.
또, 단일 에타론(1)의 코팅 영역을 2분할하여, 한 쪽의 영역에 기준광(He-Ne 레이저광)용의 코팅을, 다른 쪽의 영역에 피파장 측정광(ArF 엑시머 레이저 광)용의 코팅을 하면 되고, 종래예와 같이 2파장에 대응한 코팅일 필요없이, 각각 단일 파장에 대응한 반사 코팅을 하면 되므로, 각 파장의 광에 대해서 충분한 반사율과 저손실 특성을 얻을 수 있다.
또, 이상의 실시예에서는 기준광의 광속과 피파장 측정광의 광속이 적어도 일부가 겹쳐 단일 CCD(4)에 입사하는 것으로 했지만, 물론 기준광이 입사하는 1차원 어레이 광센서와, 피파장 측정광이 입사하는 1차원 어레이 광센서를 별개의 것으로 하여, 각각의 광속에 전용의 것으로 해도 좋다. 또, 에타론(1)에 기준광과 피파장 측정광을 입사시키는 광학계로서는, 발산광으로 하는 오목 렌즈로 한정되지 않고, 집속광에 의한 볼록렌즈 등의 광학계, 확산광으로 하는 불투명 유리 등의 광학계이어도 좋다.
이상, 본 발명의 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치를 실시예를 따라 설명했지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않고, 여러 변형이 가능하다. 특히, ArF 엑시머 레이저광뿐만 아니라, 불소 레이저광에도 적용할 수 있다.
이상의 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치에 의하면, 반도체 노광용 레이저 광은 기준광을 서로 중심축을 어긋나게 하여 단일 에타론의 각각의 영역에 입사시키고, 에타론을 투과한 광의 간섭 줄무늬를 두 집광광학계에 의해 1차원 어레이 광센서상에 발생시키므로, 기준광의 파장을 기준으로 하여 피파장 측정광의 파장을 고정밀도로 동시에 측정을 행할 수 있게 되어, 각 측정간의 시간적 차이에 의해 발생하는 측정오차의 영향을 제거할 수 있다. 또, 단일 에타론 코팅 영역을 2분할하여 한 쪽의 영역에 기준광용의 코팅을, 다른 쪽의 영역에 피파장 측정광용 코팅을 해도 좋고, 에타론의 반사 코팅을 하기 쉬워진다.

Claims (5)

  1. 반도체 노광용 레이저 광과 기준광을 서로 중심축을 어긋나게 하여 단일 에타론 각각의 영역에 발산광, 집속광 또는 확산광으로서 입사시키는 입사측 광학계와, 상기 에타론을 투과한 상기 두 광의 중심축에 대략 같은 축에 설치된 두 집광 광학계와, 상기 집광 광학계의 뒷쪽 초점면에 배치되어 상기 두 광에 의해 발생한 간섭 줄무늬를 수광하는 1차원 어레이 광센서로 이루어지고, 상기 1차원 어레이 광 센서상의 간섭 줄무늬의 위치를 검출하여 상기 반도체 노광용 레이저 광의 파장을 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 1차원 어레이 광센서는 단일 1차원 어레이 광 센서로 이루어지고, 상기 반도체 노광용 레이저광에 의한 간섭 줄무늬와, 상기 기준광에 의한 간섭 줄무늬가 서로 중첩하지 않고, 상기 1차원 어레이 광센서 각각의 분할영역에 입사하는 것을 특징으로 하는 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 에타론의 반도체 노광용 레이저광이 입사하는 영역과, 상기 기준광이 입사하는 영역에 각각의 반사 코팅이 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 에타론 반도체 노광용 레이저 광이 입사하는 영역과, 상기 기준광이 입사하는 영역에 각각의 반사 코팅이 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 노광용 레이저 광을 위한 파장 모니터 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 노광용 레이저 광은 ArF 엑시머 레이저 광 또는 불소 레이저 광이고, 상기 기준광은 He-Ne 레이저 광인 것을 특징으로 하는 반도체 노광용 레이저광을 위한 파장 모니터 장치.
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