TWI815077B - 感測器裝置及用於校正微影裝置之處理誤差之方法 - Google Patents

感測器裝置及用於校正微影裝置之處理誤差之方法 Download PDF

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葉伊慈 康斯坦那屈 薛瑪
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Abstract

一種緊湊型感測器裝置，其具有一照明光束、一光束塑形系統、一偏振調變系統、一光束投影系統及一信號偵測系統。該光束塑形系統經組態以塑形自照明系統產生之一照明光束且產生遍及自400nm至2000nm之一波長範圍的該照明光束之一平頂光束點。該偏振調變系統經組態以提供該照明光束之線性偏振狀態之可調諧性。該光束投影系統經組態以投射該平頂光束點朝向一目標，如一基板上之一對準標記。該信號偵測系統經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於該信號光束量測該目標之一特性(例如疊對)。

Description

感測器裝置及用於校正微影裝置之處理誤差之方法
本發明係關於例如用於疊對量測之光學感測器裝置及系統。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如遮罩、倍縮光罩)之圖案投射至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投射於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。與使用例如具有約193nm之波長之輻射的微影裝置相比，使用具有在4nm至20nm之範圍內(例如6.7nm或13.5nm)之波長之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
為了控制微影程序以將器件特徵準確地置放於基板上，通常在例如基板上提供一或多個繞射目標(例如對準標記)，且微影裝置包括一或多個疊對感測器，藉由該一或多個疊對感測器，可基於每一晶圓上的變化之堆疊厚度、材料及/或程序(例如程序變化)利用繞射目標(亦即，以 微繞射為基礎之疊對)準確地量測疊對誤差((例如歸因於感測器之間的相互作用)或程序上準確度誤差(OPAE)。
由於在同一共同平台上可實施數百個感測器，因此緊湊的光學系統可提供降低之硬體複雜度、成本效率及可擴充性。組件(例如，照明源、光纖、鏡面、透鏡、波導、偵測器、處理器等)之整合可提供用於量測基板上之對準標記之特定特性(例如，疊對等)的小型化光學感測器。另外，同一基板之多個對準標記可藉由多個並聯感測器(例如，感測器陣列)來研究，且可同時或即時進行不同量測。
因此，需要在感測器裝置中之光學照明及收集系統中達成此緊湊性，且提供可擴充且能夠精確量測以微繞射為基礎之疊對的緊湊型感測器系統。
在一些實施例中，揭示一種緊湊型感測器裝置，其包括一照明光束、一光束塑形系統、一偏振調變系統、一光束投影系統及一信號偵測系統。該光束塑形系統經組態以塑形自照明系統產生之一照明光束且產生遍及自400nm至2000nm之一波長範圍的該照明光束之一平頂光束點。該偏振調變系統經組態以提供該照明光束之線性偏振狀態之可調諧性。該光束投影系統經組態以投射該平頂光束點朝向一目標，諸如一基板上之一對準標記。該信號偵測系統經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於該信號光束量測該目標之一特性(例如疊對)。
本發明之一態樣提供一種感測器裝置，其包含：一光束塑形系統，其經組態以塑形自一照明系統產生之一照明光束且產生該照明光 束之一平頂光束點；一光束投影系統，其經組態以投射該平頂光束點朝向一基板上之一目標；及一信號偵測系統，其經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於所收集之該信號光束量測該目標之一特性。
在一些實施例中，該目標係該基板上之一對準標記，且該目標之該特性係一疊對量測。
在一些實施例中，垂直於該感測器裝置之一光軸的該感測器裝置之一橫截面平面之一大小不大於約5mm乘5mm。
在一些實施例中，該照明光束之該平頂光束點係遍及自400nm至2000nm之一波長範圍。
在一些實施例中，該照明系統包含耦合至該光束塑形系統之一光子晶體光纖。
在一些實施例中，該光束塑形系統包含一準直透鏡、一空間光調變器及一聚焦透鏡。
在一些實施例中，該光束塑形系統包含耦合至該光子晶體光纖之一光子元件、一準直透鏡、一聚焦透鏡。
在一些實施例中，該光子元件為包含與該光子晶體光纖相同的一帶隙之一正方形芯光子晶體波導。
在一些實施例中，該光束塑形系統包含一準直透鏡及一非球面光束塑形器。
在一些實施例中，該感測器裝置進一步包含一偏振調變系統，該偏振調變系統配置於該光束塑形系統之後且經組態以提供該照明光束之線性偏振狀態之可調諧性。
在一些實施例中，該偏振調變系統包含一固定線性偏振器、一四分之一波片及一可旋轉線性偏振器。
在一些實施例中，該偏振調變系統包含一固定線性偏振器及一可旋轉半波片。
在一些實施例中，該信號偵測系統包含一中心透鏡、一反射器及一信號偵測器。
在一些實施例中，該中心透鏡為由該光束投影系統及該信號偵測系統共用之一共同組件。
在一些實施例中，該光束投影系統包含一場光闌、一繞射光柵、該中心透鏡上之兩個反射表面、兩個凹面鏡及一機械遮光片。
在一些實施例中，該光束投影系統包含一場光闌、一準直透鏡、一孔徑光闌、一光束分裂器、兩個平面鏡、該中心透鏡上之兩個反射表面、兩個凹面鏡及一機械遮光片。
在一些實施例中，該光束投影系統包含一場光闌、一準直透鏡、一孔徑光闌、一光束分裂器、一第一對平面鏡、兩個凹面鏡、一第二對平面鏡及一機械遮光片。
本發明之另一態樣提供一種用於校正一微影裝置之一處理誤差之方法，其包含：藉由複數個感測器量測一基板上之複數個目標之特性，每一感測器包含：一光束塑形系統，其經組態以塑形自一照明系統產生之一照明光束且產生該照明光束之一平頂光束點；一光束投影系統，其經組態以投射該平頂光束點朝向該基板上之一目標；及一信號偵測系統，其經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於所收集之該信號光束量測該目標之一特性；藉由耦合至該複數個感測器之 一處理器判定該複數個目標之該等特性；及基於該複數個目標之該等特性校正該微影裝置或該基板之該處理誤差。
在一些實施例中，該方法進一步包含藉由使用該光束塑形系統中之一傅立葉(Fourier)變換器或一光子元件或一非球面透鏡來塑形該照明光束。
在一些實施例中，該方法進一步包含將包含反射表面之一透鏡用作該光束投影系統及該信號偵測系統兩者之一共同組件。
下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
10:琢面化場鏡面器件
11:琢面化光瞳鏡面器件
13:鏡面
14:鏡面
200:感測器裝置
200-1:感測器裝置
200-2:感測器裝置
200-3:感測器裝置
210:照明系統
212:照明源
214:照明耦合件
216:光子晶體光纖(PCF)
220:光束塑形系統
220-1:光束塑形系統/偏振調變系統/實施
220-2:光束塑形系統/偏振調變系統/實施
220-3:光束塑形系統/實施
230:偏振調變系統
230-1:偏振調變系統/實施
230-2:偏振調變系統/實施
240:光束投影系統
250:信號偵測系統
290:目標
311:準直透鏡
313:空間光調變器(SLM)
315:聚焦透鏡
322:光子元件
324:準直透鏡
326:聚焦透鏡
337:準直透鏡
339:非球面光束塑形器
432:固定線性偏振器
434:四分之一波片
436:可旋轉線性偏振器
452:固定線性偏振器
454:可旋轉半波片
511:場光闌
513:繞射光柵
520:照明光束
522:第一照明子光束
524:第二照明子光束
530:中心透鏡
532:反射表面
534:反射表面
542:凹面鏡
544:凹面鏡
560:機械遮光片
570:信號光束
580:反射器
590:信號偵測器
611:場光闌
613:準直透鏡
615:孔徑光闌
617:光束分裂器
620:照明光束
622:第一照明子光束
624:第二照明子光束
630:中心透鏡
632:反射表面
634:反射表面
642:凹面鏡
644:凹面鏡
652:平面鏡
654:平面鏡
660:機械遮光片
670:信號光束
680:反射器
690:信號偵測器
711:場光闌
713:準直透鏡
715:孔徑光闌
717:光束分裂器
720:照明光束
722:第一照明子光束
724:第二照明子光束
730:中心透鏡
735:反射器
752:平面鏡
754:平面鏡
760:機械遮光片
772:凹面鏡
774:凹面鏡
782:平面鏡
784:平面鏡
790:信號偵測器
795:信號光束
800:流程圖
802:步驟
804:步驟
806:步驟
B:極紫外線(EUV)輻射光束
B':經圖案化極紫外線(EUV)輻射光束
IL:照明系統
LA:微影裝置
MA:圖案化器件
MT:支撐結構
PS:投影系統
SO:輻射源
W:基板
WT:基板台
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。
圖1為根據一例示性實施例之微影裝置的示意性說明。
圖2說明根據一例示性實施例之感測器裝置的示意圖。
圖3A至圖3C說明根據一些例示性實施例的圖2之感測器裝置中之光束塑形系統之三個實施的示意圖。
圖4A及圖4B說明根據一些例示性實施例的圖2之感測器裝置中之偏振調變系統之兩個實施的示意圖。
圖5至圖7說明根據一些例示性實施例的使用各種光束投影系統之圖2之感測器裝置的各種實施的示意圖。
圖8說明根據一例示性實施例之用於校正處理誤差的流程圖。
根據下文結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相同元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。另外，通常，元件符號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及本說明書中對「一項實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指相同實施例。另外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
為了易於描述，空間相對術語，諸如「在...之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「在…之上」、「上部」及其類似者可在本文中用以描述如圖中所說明一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵的關係。除了圖中所描繪之定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋器件在使用或操作中之不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使 用之空間相對描述符可同樣相應地進行解譯。
如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術而變化之給定數量之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光、聲或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)及其他者。另外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他器件引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
例示性微影系統
圖1展示包含輻射源SO及微影裝置LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影裝置LA。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA(例如遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節該EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡 面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向EUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。
在因此經調節之後，EUV輻射光束B與圖案化器件MA相互作用。作為此相互作用之結果，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4或8之縮減因數。儘管投影系統PS在圖1中被說明為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影裝置LA將由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。
輻射源SO可為雷射產生電漿(LPP)源、放電產生電漿(DPP)源、自由電子雷射(FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。
例示性感測器裝置
如上文所論述，程序上準確度誤差(OPAE)係由每一晶圓上的變化之堆疊厚度、材料及/或程序(亦即程序變化)及歸因於感測器之間的相互作用之疊對誤差引起。程序變化會改變自基板上之對準標記反射之光的光學屬性，其引起OPAE。儘管存在各種技術，諸如校正對準標記中之不對稱性之標記不對稱性重建構(MAR)、改良之感測器及預測性模型化，但晶圓堆疊屬性變化(亦即，程序變化)亦會造成OPAE之下限且無法使用當前技術及系統來進一步減小。
所揭示之緊湊型感測器系統可提供減小之硬體複雜度、較佳準確度、成本效率及可擴充性。實施於同一共同平台(例如20mm×100mm)上之大約2mm×2mm之緊湊型感測器可形成數百個感測器之感測器陣列。此等小型化感測器(例如，2mm×2mm)可量測基板上之對準標記之特定特性(例如疊對誤差、OPAE等)。
又，單一感測器裝置中之組件(例如，照明源、光纖、鏡面、透鏡、偵測器、處理器等)之整合可改良小型化。另外，整合式透鏡可用以進一步減少用於以繞射為基礎之量測之收集系統的大小限定。另外，同一基板之多個對準標記可藉由多個感測器(例如，感測器陣列)來研究，且可同時或即時進行不同量測。
圖2說明根據一例示性實施例之感測器裝置200的示意圖。感測器裝置200經組態以量測基板202上之繞射目標204之特性(例如，疊對誤差、OPAE等)且可校正處理誤差(例如，OPAE等)及改良例如微影裝置LA中之疊對。
感測器裝置200可包括照明系統210、光束塑形系統220、偏振調變系統230、光束投影系統240及信號偵測系統250。儘管感測器裝 置200在圖2中被展示為單機裝置，但本發明之實施例不限於此實例，且本發明之感測器裝置200實施例可與其他光學系統(諸如但不限於微影裝置LA及/或其他光學系統)一起使用或在該等其他光學系統中使用。
照明系統210可經組態以朝向光束塑形系統220透射照明光束。照明系統210包括照明源212、照明耦合件214及光子晶體光纖(PCF)216。照明源212產生照明光束且經由照明耦合件214(例如，光纜)耦合至PCF 216。
光源212可經組態以提供具有一或多個通帶之電磁寬頻帶照明光束。在一實例中，一或多個通帶可在約400nm至約2000nm之間的波長之光譜內。在一實例中，一或多個通帶可在約10nm至約700nm之間的波長之光譜內。在另一實例中，一或多個通帶可在約700nm至約2000nm之間的波長之光譜內。照明系統210可經進一步組態以提供遍及長時間段(例如，遍及照明系統210之壽命)具有實質上恆定中心波長(CWL)值的一或多個通帶。照明系統210之此組態可有助於防止實際CWL值在當前對準系統中自所要CWL值移位，如上文所論述。且結果，相比於當前裝置，恆定CWL值之使用可改良感測器系統(例如，感測器裝置200)之長期穩定性及準確度。
在一些實施例中，照明系統210可使用用於輻射源之寬頻帶光源(亦即，具有廣泛範圍之光頻率或波長，且因此具有廣泛範圍之顏色的光源)，其可給出大的光展量(亦即，光之散佈，例如源之面積(A)與系統之入射光瞳對向之立體角(Ω)(如自源所看到)的乘積)，從而允許多個波長混合。在一些實施例中，照明光束201可包括寬頻帶中之複數個波長，其較佳可各自具有為△λ之頻寬及至少2△λ(亦即，頻寬之兩倍)之間 距。在一些實施例中，照明系統210可包括用於已使用光纖束分裂的延伸之輻射源之不同部分之若干輻射「源」。以此方式，可平行地在多個波長下量測角度解析散射光譜。舉例而言，可量測3-D光譜(波長及兩個不同角度)，其相比於2-D光譜含有更多資訊。此允許量測更多資訊，此情形增加度量衡程序穩固性。全文係以引用方式併入本文中之EP 1628164 A2中更詳細地描述此情形。
光子晶體光纖(PCF)為基於光子晶體之屬性的一類光纖，該等光子晶體影響光子歸因於其週期性光學奈米結構之運動，且為微結構化光纖之子類，其中藉由結構改質來導引光子。PCF被劃分為兩種類別：(1)高折射率導引光纖(例如，固體芯-高折射率芯)；及(2)低折射率導引光纖(例如，光子帶隙(PBG)-低折射率芯)。一類特殊的低折射率導引光纖包括空芯光纖，該等空芯光纖進一步劃分為兩種類別：(1)PBG光纖；及(2)反共振光纖(例如，「負曲率」芯包層(core surround)、反共振無節點管狀晶格光纖(ANF))。光子帶隙(PBG)光纖藉由帶隙效應而限制光。歸因於包圍光纖之芯的包覆層中之高度週期性結構，產生光子帶隙，以使得具有在PBG內之頻率的光子無法經由包覆層傳播出且被限制至芯。
PCF 216可經組態以自照明耦合件214接收照明光束且將照明光束透射至光束塑形系統220。PCF 216可為能夠形成光子帶隙(PBG)之任何合適的光學材料。舉例而言，PCF 216可為半導體(例如，Si、Ge、SiGe、GaAs、InP等)或介電質。PCF 216耦合至光束塑形系統220。舉例而言，PCF 216之輸出埠鄰近於光束塑形系統220之準直透鏡，如下文所描述。
光束塑形系統220可經組態以自照明系統210接收照明光束 且塑形該照明光束。舉例而言，光束塑形系統220可調變來自PCF 216之輸出埠之照明光束，以提供遍及400nm至2000nm之波長範圍具有良好均質性的平頂光束點。在一些實施例中，光束塑形系統220具有嚴格緊密大小。圖3A至圖3C說明根據一些例示性實施例之光束塑形系統220之三個實施的示意圖。
如圖3A中所展示，在一個實施中，光束塑形系統220-1可包括準直透鏡311、空間光調變器(SLM)313及聚焦透鏡315。準直透鏡311在PCF 216之輸出之後配置以將照明光束變換為平行光束。SLM 313在準直透鏡311之後配置，且經組態以基於波長調變平行光束之強度及/或相位。SLM 313及聚焦透鏡315可形成傅立葉變換器。因而，光束塑形系統220-1可充當光瞳平面處之可組態變跡器以獲得用於給定照明剖面之平頂光束點。光瞳平面為輻射之徑向位置定義入射角且角度位置定義輻射之方位角的平面。應注意，光束塑形系統220-1可為消色差的且獨立於入射光束剖面。視情況，接通/切斷照明臂(圖中未繪示)可配置於光束塑形系統220-1中。
如圖3B中所展示，在另一實施中，光束塑形系統220-2可包括光子元件322、準直透鏡324及聚焦透鏡326。光子元件322經配置為連接至PCF 216之輸出且經組態以產生再成像之頂帽(top hat)。舉例而言，光子元件322可為正方形芯光子晶體波導(PCW)，或光纖。準直透鏡324及聚焦透鏡326可在光子元件322之後配置且經組態為中繼透鏡。此實施可極其緊湊。另外，由於藉由使用光子元件322進行光束塑形，因此光束塑形系統220-2可易於設計及製作。
如圖3C中所展示，在第三實施中，光束塑形系統220-3可 包括準直透鏡337及非球面光束塑形器339。準直透鏡337在PCF 216之輸出之後配置以將入射照明光束準直為平行光束。在一些實施例中，平行光束可具有高斯分佈且具有在1/e^2下約0.5mm的光束腰，該光束腰橫越操作光譜帶係恆定的。非球面光束塑形器339在準直透鏡311之後配置，且經組態以調變平行光束之波前及光點剖面兩者。在一些實施例中，非球面光束塑形器339可為熔融矽石非球面透鏡。非球面光束塑形器339之聚焦長度可在80mm至110mm之範圍內，諸如約100mm。應注意，由於控制波前及光點剖面兩者使得所產生之平頂光束點對波長極敏感，因此製作非球面透鏡表面以使熔融矽石非球面透鏡在寬頻帶操作中工作且消除色效應係挑戰的。
偏振調變系統230可在光束塑形系統220之後配置，且經組態以提供照明光束之線性偏振狀態之可調諧性。在一些實施例中，偏振調變系統230可為任何合適的偏振光學器件總成。圖4A及圖4B說明根據一些例示性實施例之偏振調變系統230之兩個實施的示意圖。如圖4A中所展示，在一個實施中，偏振調變系統230-1可包括固定線性偏振器432、四分之一波片434及可旋轉線性偏振器436。四分之一波片434在固定線性偏振器432之後且相對於固定線性偏振器432成45度地配置。可旋轉線性偏振器436在四分之一波片434之後配置，且經組態以在正交於偏振調變系統230之光軸的平面中以任意定向提供線性偏振器。在一些實施例中，可旋轉線形偏振器436可包括可旋轉平台及可旋轉平台上之線性偏振器。如圖4B中所展示，在另一實施中，偏振調變系統230-2可包括固定線性偏振器452及可旋轉半波片454。
光束投影系統240可在偏振調變系統230之後配置，且經組 態以接收經偏振照明光束且朝向基板上之目標290透射該經偏振照明光束，且產生信號光束。
在一些實施例中，目標290可為基板上之對準標記。在一些實施例中，基板可由載物台支撐且沿著對準軸線居中。在一些實施例中，基板上之目標290可為1-D光柵，其經印刷使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。在一些實施例中，目標290可為2D陣列或光柵，其經印刷使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。舉例而言，長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中。
在一些實施例中，信號光束可包括自目標290產生之繞射階子光束。舉例而言，信號光束可包括一次繞射階(例如，0)子光束、二次繞射階(例如，-1)子光束及三次繞射階(例如，+1)子光束。信號光束可由信號偵測系統250收集。信號偵測系統250可經組態以基於信號光束量測目標290之特性。在一些實施例中，藉由信號偵測系統250量測之目標290之特性為疊對量測(例如，疊對誤差)。在一些實施例中，信號偵測系統250耦合至處理器(圖中未繪示)，該處理器經組態以基於由信號偵測系統250偵測到之目標290之特性判定處理誤差(例如疊對量測、OPAE等)。
圖5至圖7說明根據一些例示性實施例的使用各種光束投影系統240之感測器裝置200的各種實施的示意圖。
參看如圖5中所展示之感測器裝置200-1之第一實施，照明光束520可自照明系統210產生，經過如上文所描述之光束塑形系統220及偏振調變系統230。應注意，光束塑形系統220可為上文關於圖3A至圖3C所描述之三個實施220-1、220-2及220-3中之任一者，且偏振調變系統230可為上文關於圖4A至圖4B所描述之兩個實施230-1及230-2中之任一 者。
在光束塑形及偏振調變之後，照明光束520可經過場光闌511及繞射光柵513，且被分裂成第一照明子光束522及第二照明子光束524，如圖5中所展示。
照明子光束522及524可分別由中心透鏡530上之兩個反射表面532及534反射，且接著分別由兩個凹面鏡542及544反射。兩個凹面鏡542及544可為成角度、抛物面或橢圓形的鏡。應注意，中心透鏡530之反射表面532及凹面鏡542可形成第一自由形式消球差史瓦西望遠鏡(aplanatic Schwarzchild telescope)以將第一子光束522聚焦至目標290，且中心透鏡530之反射表面534及凹面鏡544可形成第二自由形式消球差史瓦西望遠鏡以將第二子光束524聚焦至目標290。機械遮光片560可配置於第一子光束522及第二子光束524之光學路徑中以替代地控制兩個照明通道接通/斷開。可使用任何合適之整合式光學器件來實施機械遮光片560。
包括自目標290產生之繞射階子光束的信號光束570可由中心透鏡530聚焦且接著由反射器580反射至信號偵測器590。在一些實施例中，信號偵測器590可為攝影機。如上文所描述，由於光束塑形系統220提供遍及覆蓋感測器裝置200之整個操作頻帶之側波長範圍的平頂光束點，因此在量測繞射階(例如+及-)子光束之強度之差的過程中包括不準確的潛在位移可得以避免。
如圖5中所展示，場光闌511、繞射光柵513、中心透鏡530之反射表面532及534、凹面鏡542及544以及機械遮光片560可構成光束投影系統240，而中心透鏡530、反射器580及信號偵測器590可構成信號偵測系統250。應注意，中心透鏡530由光束投影系統240及信號偵測系統 250兩者共用。
參看如圖6中所展示之感測器裝置200-2之第二實施並與上文所描述之感測器裝置200-1之第一實施比較，差異包括在光束塑形系統220之後且在中心透鏡630(圖5中所展示之530)之前配置的光束投影系統240之組件。
如圖6中所展示，在照明光束620藉由塑形系統220塑形之後，照明光束620可經過場光闌611及準直透鏡613以形成平行光束。可藉由如上文所描述之偏振調變系統230調變平行光束之偏振。應注意，光束塑形系統220可為上文關於圖3A至圖3C所描述之三個實施220-1、220-2及220-3中之任一者，且偏振調變系統230可為上文關於圖4A至圖4B所描述之兩個實施230-1及230-2中之任一者。
在偏振調變之後，照明光束620可經過孔徑光闌615及光束分裂器617，且分裂成第一照明子光束622及第二照明子光束624，如圖6中所展示。照明子光束622及624可分別由兩個平面鏡652及654反射，且接著分別由中心透鏡630上之兩個反射表面632及634反射，且接著分別由兩個凹面鏡642及644反射。兩個凹面鏡642及644可為成角度、抛物面或橢圓形的鏡。中心透鏡630之反射表面632及凹面鏡642可形成第一自由形式消球差史瓦西望遠鏡以將第一子光束622聚焦至目標290，且中心透鏡630之反射表面634及凹面鏡644可形成第二自由形式消球差史瓦西望遠鏡以將第二子光束624聚焦至目標290。機械遮光片660可配置於第一子光束622及第二子光束624之光學路徑中以替代地控制兩個照明通道接通/斷開。可使用任何合適之整合式光學器件來實施機械遮光片660。
包括自目標290產生之繞射階子光束的信號光束670可由中 心透鏡630聚焦且接著由反射器680反射至信號偵測器690。在一些實施例中，信號偵測器690可為攝影機。如上文所描述，由於光束塑形系統220提供遍及覆蓋感測器裝置200之整個操作頻帶之側波長範圍的平頂光束點，因此在量測繞射階(例如+及-)子光束之強度之差的過程中包括不準確的潛在位移可得以避免。
如圖6中所展示，場光闌611、準直透鏡613、孔徑光闌615、光束分裂器617、平面鏡652及654、中心透鏡630之反射表面632及634、凹面鏡642及644以及機械遮光片660可構成光束投影系統240，而中心透鏡630、反射器680及信號偵測器690可構成信號偵測系統250。應注意，偏振調變系統230配置於光束投影系統240之組件之間，且中心透鏡630係由光束投影系統240及信號偵測系統250兩者共用。
參看如圖7中所展示之感測器裝置200-3之第三實施並與上文所描述之感測器裝置200-2之第二實施比較，差異包括在光束分裂器717(圖6中所展示之617)及目標290之後配置的光束投影系統240之組件。
如圖7中所展示，在照明光束720藉由塑形系統220塑形之後，照明光束720可經過場光闌711及準直透鏡713以形成平行光束。可藉由如上文所描述之偏振調變系統230調變平行光束之偏振。應注意，光束塑形系統220可為上文關於圖3A至圖3C所描述之三個實施220-1、220-2及220-3中之任一者，且偏振調變系統230可為上文關於圖4A至圖4B所描述之兩個實施230-1及230-2中之任一者。
在偏振調變之後，照明光束720可經過孔徑光闌715及光束分裂器717，且分裂成第一照明子光束722及第二照明子光束724，如圖7中所展示。照明子光束722及724可分別由第一對平面鏡752及754反射， 且接著分別由兩個凹面鏡772及774反射，且接著分別由第二對平面鏡782及784反射。兩個凹面鏡772及774可為成角度、抛物面或橢圓形的鏡。凹面鏡772及平面鏡782可形成第一自由形式消球差史瓦西望遠鏡以將第一子光束722聚焦至目標290，而凹面鏡774及平面鏡784可形成第二自由形式消球差史瓦西望遠鏡以將第二子光束724聚焦至目標290。機械遮光片760可配置於第一子光束722及第二子光束724之光學路徑中以替代地控制兩個照明通道接通/斷開。可使用任何合適之整合式光學器件來實施機械遮光片760。
包括自目標290產生之繞射階子光束的信號光束795可由中心透鏡730聚焦且接著由反射器735反射至信號偵測器790。在一些實施例中，信號偵測器790可為攝影機。如上文所描述，由於光束塑形系統220提供遍及覆蓋感測器裝置200之整個操作頻帶之側波長範圍的平頂光束點，因此在量測繞射階(例如+及-)子光束之強度之差的過程中包括不準確的潛在位移可得以避免。
如圖7中所展示，場光闌711、準直透鏡713、孔徑光闌715、光束分裂器717、第一對平面鏡752及754、凹面鏡772及774、第二對平面鏡782及784以及機械遮光片760可構成光束投影系統240，而中心透鏡730、反射器735及信號偵測器790可構成信號偵測系統250。應注意，偏振調變系統230配置於光束投影系統240之組件之間，且光束投影系統240、信號偵測系統250並不共用組件。
應注意，儘管上文描述僅單一感測器裝置200之各種實施，但多個(例如，10×20、10×40、10×50、20×50等)感測器裝置200可並聯地實施於同一共同平台上以形成感測器陣列。因而，可藉由感測器陣 列研究同一基板上之多個對準標記，且可同時或即時地進行不同量測。所揭示之感測器陣列可具有約20mm×100mm內之緊湊大小，且可提供降低之硬體複雜度、較佳準確度、成本效率及可擴充性。
例示性流程圖
圖8說明根據一些實施例之用於校正處理誤差(例如，疊對量測、OPAE等)的流程圖800。應瞭解，可並不需要圖8中之所有步驟來執行本文所提供之揭示內容。另外，一些步驟可同時或以不同於圖8中所展示之次序執行。應參考圖2描述流程圖800。然而，流程圖800不限於彼等實例實施例。
在步驟802中，可運用複數個感測器來量測基板上之複數個目標之特性。舉例而言，如圖2中所展示，可藉由感測器裝置200之任何所揭示實施之陣列同時或即時地(例如在0.2秒內)執行複數個目標290之特性之量測。
在步驟804中，可藉由處理器判定基板上之每一目標204之特性。舉例而言，在藉由複數個感測器裝置200偵測複數個目標290之特性之後，可由處理器接收及處理資料。
在步驟806中，可基於每一目標之經判定特性來校正處理誤差。舉例而言，經校正之處理誤差可為如圖1中所展示之微影裝置LA、感測器裝置200及/或基板W之疊對誤差。
在一些實施例中，目標290之特性為疊對量測。在一些實施例中，流程圖800進一步包括如圖2、圖3A至圖3C、圖4A至圖4B、圖5至圖7之實例中所展示，調整感測器裝置200之一或多個光學組件，且隨後分別為了離焦量測、判定及校正而重複步驟802、804及806。
在一些實施例中，處理器可將校正回饋至微影裝置LA及/或感測器裝置200以用於校正例如疊對偏移中之誤差，例如藉由將校正饋入至感測器裝置200及/或處理器中且使用經校正處理來處理基板W。可使用由微影投影裝置進行之已知製造程序來處理基板W，且可使圖案(例如倍縮光罩中之疊對標記物或產品圖案)成像至由輻射敏感材料(抗蝕劑)層至少部分地覆蓋之基板W上。在此成像之前，基板W可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之前，可使基板W在經校準感測器裝置200中對準。在曝光之後，可使基板W經受其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經成像特徵之量測/檢測。因此，可運用疊對標記物連同產品圖案來曝光基板W，且可使抗蝕劑顯影以將疊對標記物印刷於堆疊晶圓上。
在一些實施例中，處理器可量測經曝光基板W上之每一對準標記或目標290相對於感測器估計之經印刷圖案位置偏移誤差。量測資訊包括但不限於：產品堆疊剖面、基板W上之每一對準標記或目標290之疊對、臨界尺寸及/或焦點的量測值。處理器可利用叢集演算法以將標記分組成具有相似恆定偏移誤差之集合，且基於該資訊產生疊對誤差偏移校正表。該叢集演算法可基於疊對量測、位置估計及/或與偏移誤差之每一集合相關聯的額外光學堆疊程序資訊。自此經量測疊對及其對應目標之已知經程式化疊對，可推導出疊對誤差。
在一些實施例中，處理器可判定對每一標記之校正且將校正回饋至微影裝置LA及/或感測器裝置200，以用於例如藉由將校正饋入至感測器裝置200中而校正疊對之誤差。因此，程序產生用於校準感測器裝置200之自學習回饋迴路。
可使用以下條項進一步描述實施例：
1.一種感測器裝置，其包含：一光束塑形系統，其經組態以塑形自一照明系統產生之一照明光束且產生該照明光束之一平頂光束點；一光束投影系統，其經組態以投射該平頂光束點朝向一基板上之一目標；及一信號偵測系統，其經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於所收集之該信號光束量測該目標之一特性。
2.如條項1之感測器裝置，其中該目標係該基板上之一對準標記，且該目標之該特性係一疊對量測。
3.如條項1之感測器裝置，其中垂直於該感測器裝置之一光軸的該感測器裝置之一橫截面平面之一大小不大於約5mm乘5mm。
4.如條項1之感測器裝置，其中該照明光束之該平頂光束點係遍及自400nm至2000nm之一波長範圍。
5.如條項1之感測器裝置，其中該照明系統包含耦合至該光束塑形系統之一光子晶體光纖。
6.如條項1之感測器裝置，其中該光束塑形系統包含一準直透鏡、一空間光調變器及一聚焦透鏡。
7.如條項5之感測器裝置，其中該光束塑形系統包含耦合至該光子晶體光纖之一光子元件、一準直透鏡、一聚焦透鏡。
8.如條項7之感測器裝置，其中該光子元件為包含與該光子晶體光纖相同的一帶隙之一正方形芯光子晶體波導。
9.如條項1之感測器裝置，其中該光束塑形系統包含一準直透鏡及 一非球面光束塑形器。
10.如條項1之感測器裝置，其進一步包含一偏振調變系統，該偏振調變系統配置於該光束塑形系統之後且經組態以提供該照明光束之線性偏振狀態之可調諧性。
11.如條項10之感測器裝置，其中該偏振調變系統包含一固定線性偏振器、一四分之一波片及一可旋轉線性偏振器。
12.如條項10之感測器裝置，其中該偏振調變系統包含一固定線性偏振器及一可旋轉半波片。
13.如條項1之感測器裝置，其中該信號偵測系統包含一中心透鏡、一反射器及一信號偵測器。
14.如條項13之感測器裝置，其中該中心透鏡為由該光束投影系統及該信號偵測系統共用之一共同組件。
15.如條項14之感測器裝置，其中該光束投影系統包含一場光闌、一繞射光柵、該中心透鏡上之兩個反射表面、兩個凹面鏡及一機械遮光片。
16.如條項14之感測器裝置，其中該光束投影系統包含一場光闌、一準直透鏡、一孔徑光闌、一光束分裂器、兩個平面鏡、該中心透鏡上之兩個反射表面、兩個凹面鏡及一機械遮光片。
17.如條項13之感測器裝置，其中該光束投影系統包含一場光闌、一準直透鏡、一孔徑光闌、一光束分裂器、一第一對平面鏡、兩個凹面鏡、一第二對平面鏡及一機械遮光片。
18.一種用於校正一微影裝置之一處理誤差之方法，其包含：藉由複數個感測器量測一基板上之複數個目標之特性，每一感測器 包含：一光束塑形系統，其經組態以塑形自一照明系統產生之一照明光束且產生該照明光束之一平頂光束點；一光束投影系統，其經組態以投射該平頂光束點朝向該基板上之一目標；及一信號偵測系統，其經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於所收集之該信號光束量測該目標之一特性；藉由耦合至該複數個感測器之一處理器判定該複數個目標之該等特性；及基於該複數個目標之該等特性校正該微影裝置或該基板之該處理誤差。
19.如條項18之方法，其進一步包含：藉由使用該光束塑形系統中之一傅立葉變換器或一光子元件或一非球面透鏡來塑形該照明光束。
20.如條項18之方法，其進一步包含：將包含反射表面之一透鏡用作該光束投影系統及該信號偵測系統兩者之一共同組件。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統單 元(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明之實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
如本文所使用之術語「基板」描述材料層經添加至之材料。在一些實施例中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲 存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電形式、光形式、聲形式或其他形式之傳播信號，及其他者。另外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅係出於方便起見，且此等動作事實上係由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式及/或指令之其他器件引起。
以下實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多個條件及參數之其他合適修改及調適係在本發明之精神及範疇內。
儘管可在本文中特定地參考根據本發明之裝置及/或系統在IC之製造中的使用，但應明確理解，此類裝置及/或系統具有多種其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替換。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。該描述不意欲限制本發明。
應瞭解，[實施方式]章節而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節意欲用以解譯申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡述如由本發明人預期的本發明之一或多個但並非全部例示性實施例，且因此並不意欲以任何方式限制本發明及所附申請專利範圍。
上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係之實施的功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置 區塊之邊界。只要恰當地執行指定功能及該等功能之關係，就可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭露本發明之一般性質，使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。
因此，本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。
200:感測器裝置
210:照明系統
212:照明源
214:照明耦合件
216:光子晶體光纖(PCF)
220:光束塑形系統
230:偏振調變系統
240:光束投影系統
250:信號偵測系統
290:目標

Claims (17)

  1. 一種感測器裝置，其包含：一光束塑形系統，其經組態以塑形自一照明系統產生之一照明光束且產生該照明光束之一平頂光束點；一光束投影系統，其經組態以投射該平頂光束點朝向一基板上之一目標；及一信號偵測系統，其經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於所收集之該信號光束量測該目標之一特性，其中該信號偵測系統包含一中心透鏡、一反射器及一信號偵測器，其中該中心透鏡為由該光束投影系統及該信號偵測系統共用之一共同組件。
  2. 如請求項1之感測器裝置，其中該目標係該基板上之一對準標記，且該目標之該特性係一疊對量測。
  3. 如請求項1之感測器裝置，其中垂直於該感測器裝置之一光軸的該感測器裝置之一橫截面平面之一大小不大於約5mm乘5mm。
  4. 如請求項1之感測器裝置，其中該照明光束之該平頂光束點係遍及自400nm至2000nm之一波長範圍。
  5. 如請求項1之感測器裝置，其中該照明系統包含耦合至該光束塑形系 統之一光子晶體光纖。
  6. 如請求項1之感測器裝置，其中該光束塑形系統包含一準直透鏡、一空間光調變器及一聚焦透鏡。
  7. 如請求項5之感測器裝置，其中該光束塑形系統包含耦合至該光子晶體光纖之一光子元件、一準直透鏡、一聚焦透鏡。
  8. 如請求項7之感測器裝置，其中該光子元件為包含與該光子晶體光纖相同的一帶隙之一正方形芯光子晶體波導。
  9. 如請求項1之感測器裝置，其中該光束塑形系統包含一準直透鏡及一非球面光束塑形器。
  10. 如請求項1之感測器裝置，其進一步包含一偏振調變系統，該偏振調變系統配置於該光束塑形系統之後且經組態以提供該照明光束之線性偏振狀態之可調諧性。
  11. 如請求項10之感測器裝置，其中該偏振調變系統包含一固定線性偏振器、一四分之一波片及一可旋轉線性偏振器。
  12. 如請求項10之感測器裝置，其中該偏振調變系統包含一固定線性偏振器及一可旋轉半波片。
  13. 如請求項1之感測器裝置，其中該光束投影系統包含一場光闌(field stop)、一繞射光柵、該中心透鏡上之兩個反射表面、兩個凹面鏡及一機械遮光片，其中該照明光束經過該場光闌且藉由該繞射光柵分裂成一第一照明子光束及一第二照明子光束，及其中該第一照明子光束及該第二照明子光束藉由該中心透鏡上之該兩個反射表面、該兩個凹面鏡及該機械遮光片導引至該目標。
  14. 如請求項1之感測器裝置，其中該光束投影系統包含一場光闌、一準直透鏡、一孔徑光闌、一光束分裂器、兩個平面鏡、該中心透鏡上之兩個反射表面、兩個凹面鏡及一機械遮光片，其中該照明光束經過該場光闌、該準直透鏡及該孔徑光闌，其中該照明光束藉由該光束分裂器分裂成一第一照明子光束及一第二照明子光束，及其中該第一照明子光束及該第二照明子光束藉由該兩個平面鏡、該中心透鏡上之該兩個反射表面、該兩個凹面鏡及該機械遮光片導引至該目標。
  15. 一種感測器裝置，其包含：一光束塑形系統，其經組態以塑形自一照明系統產生之一照明光束且產生該照明光束之一平頂光束點；一光束投影系統，其經組態以投射該平頂光束點朝向一基板上之一目標；及一信號偵測系統，其經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於所收集之該信號光束量測該目標之一特性， 其中該信號偵測系統包含一中心透鏡、一反射器及一信號偵測器，其中該光束投影系統包含一場光闌、一準直透鏡、一孔徑光闌、一光束分裂器、一第一對平面鏡、兩個凹面鏡、一第二對平面鏡及一機械遮光片，其中該照明光束經過該場光闌、該準直透鏡及該孔徑光闌，其中該照明光束藉由該光束分裂器分裂成一第一照明子光束及一第二照明子光束，及其中該第一照明子光束及該第二照明子光束藉由該第一對平面鏡、該兩個凹面鏡、該第二對平面鏡及該機械遮光片導引至該目標。
  16. 一種用於校正一微影裝置之一處理誤差之方法，其包含：藉由複數個感測器量測一基板上之複數個目標之特性，每一感測器包含：一光束塑形系統，其經組態以塑形自一照明系統產生之一照明光束且產生該照明光束之一平頂光束點；一光束投影系統，其經組態以投射該平頂光束點朝向該基板上之一目標；及一信號偵測系統，其經組態以收集包含自該目標產生之繞射階子光束的一信號光束，且基於所收集之該信號光束量測該目標之一特性；藉由耦合至該複數個感測器之一處理器判定該複數個目標之該等特性；基於該複數個目標之該等特性校正該微影裝置或該基板之該處理誤差，及將包含反射表面之一透鏡用作該光束投影系統及該信號偵測系統兩 者之一共同組件。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包含：藉由使用該光束塑形系統中之一傅立葉變換器或一光子元件或一非球面透鏡來塑形該照明光束。
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