KR20010006879A - Cleaning device and cleaning method of carrier for semiconductor - Google Patents

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KR20010006879A
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스즈끼다쯔야
후지이아쯔히로
곤도히로시
도꾸나가겐지
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고미야 히로요시
가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스
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Abstract

PURPOSE: To clean and dry a carrier for a semiconductor efficiently in a short time in an apparatus for cleaning the carrier used, for example, for housing a semiconductor wafer. CONSTITUTION: An organic solvent 4 is supplied to a closed chamber 1 for housing the main body of a carrier for a semiconductor and a door 8 (Fig.(a)). After the main body 7 and the door 8 being cleaned, the solvent 4 is discharged (Fig.(b)). By passing an inactive gas 11 through the chamber 1. the solvent 4 adherent to the main body 7 and the door 8 is dried up (Fig.(c)).

Description

반도체용 캐리어의 세정 장치 및 세정 방법{Cleaning device and cleaning method of carrier for semiconductor}Cleaning device and cleaning method of carrier for semiconductor

본 발명은, 반도체용 캐리어의 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 제조시에 웨이퍼의 수납, 운반, 혹은 보관 등을 위해 이용되는 반도체용 캐리어의 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method for a semiconductor carrier, and more particularly, to a cleaning apparatus and a cleaning method for a semiconductor carrier used for storing, transporting, or storing a wafer during semiconductor manufacturing.

최근에는, 반도체 웨이퍼의 대구경화에 따른 웨이퍼의 수납, 운반, 또는 보관 등을 위한 반도체용 캐리어도 대형화, 복잡화되고 있다. 도5는, 종래의 반도체용 캐리어로서 공지의 횡도어 개폐 일체형 웨이퍼 캐리어(Front Opening Unified Pod:이하「FOUP」라 칭한다)의 구성도이다. 보다 구체적으로는, 도5의 (a)는 웨이퍼를 수납하는 본체(7)를, 또, 도5의 (b)는 본체에 수납된 웨이퍼를 클린룸 분위기로부터 격리하기 위한 도어(8)를 도시한 도면이다.In recent years, semiconductor carriers for storing, transporting, or storing wafers due to large diameters of semiconductor wafers have also been enlarged and complicated. 5 is a configuration diagram of a known horizontal door opening and closing integrated wafer carrier (hereinafter referred to as "FOUP") as a conventional carrier for semiconductors. More specifically, Fig. 5 (a) shows the main body 7 which houses the wafer, and Fig. 5 (b) shows the door 8 for isolating the wafer housed in the main body from the clean room atmosphere. One drawing.

웨이퍼는, 반도체 제조 장치의 이동 탑재기구에 의해 웨이퍼 서포트(27)에 횡 배치 상태로 수납된다. 웨이퍼가 웨이퍼 서포트(27)에 수납되면, SEMI Std. E62에 규정된 FIMS(Front Opening Mechanical Interface Standard), 및 SEMI Std. E63에 규정된 BOLTS(Box Opener/Loader Too1 Standard)기구를 갖는 포드 오프너에 의해 도어(8)가 본체(7)에 압박된다. FIMS 기구는 도어(8)의 래치기구(30)를, 도어간극(31)을 통해서 도5의 (b)에 도시한 화살표의 방향으로 동작시킨다. 그 결과, 래치기구(30)가 본체(7)의 오목부(29)에 끼고, 도어(8)와 본체(7)가 고정 된다.The wafer is accommodated in the horizontal direction in the wafer support 27 by the moving mounting mechanism of the semiconductor manufacturing apparatus. When the wafer is stored in the wafer support 27, SEMI Std. Front Opening Mechanical Interface Standard (FIMS) as defined in E62, and SEMI Std. The door 8 is pressed against the main body 7 by a pod opener having a BOLTS (Box Opener / Loader Too1 Standard) mechanism specified in E63. The FIMS mechanism operates the latch mechanism 30 of the door 8 in the direction of the arrow shown in Fig. 5B through the door gap 31. As a result, the latch mechanism 30 is fitted into the recess 29 of the main body 7, and the door 8 and the main body 7 are fixed.

도어(8)와 본체(7)가 고정되면, 본체(7)의 내부에 수납되어 있는 웨이퍼는, 시일(32)에 의해서 클린룸 분위기로부터 격리된다. 웨이퍼가 이러한 상태로 반송되는 경우, 클린룸의 청정도가 낮더라도 높은 비율을 유지할 수 있다. 이 때문에, 상기한 FOUP를 사용하면, 디바이스의 비율을 낮추는 일없이, 클린룸의 건설비용이나 운전비용을 낮출 목적으로 클린룸의 청정도를 낮추는 것도 가능하다.When the door 8 and the main body 7 are fixed, the wafer accommodated in the main body 7 is isolated from the clean room atmosphere by the seal 32. When the wafer is conveyed in this state, a high ratio can be maintained even if the cleanliness of the clean room is low. For this reason, if the above-described FOUP is used, the cleanliness of the clean room can be lowered for the purpose of lowering the construction cost and operating cost of the clean room without lowering the device ratio.

상술한 기능을 갖는 FOUP가 실공정에서 반복 사용되면, 도어(8)나 본체(7)의 내면에 파티클이나 화학적인 오염물질이 부착하는 것이 있다. 이들의 오염물질이 본체(7)에 수납되어 있는 웨이퍼에 재부착하면, 결과로서 디바이스의 비율이 열화한다. 이 때문에, 몇번의 사용이 반복되면, FOUP를 세정하여 청정한 형태로 복귀시키는 것이 필요한다.When the FOUP having the above-mentioned function is repeatedly used in the actual process, particles or chemical contaminants may adhere to the inner surface of the door 8 or the main body 7. When these contaminants reattach to the wafer housed in the main body 7, the proportion of the device is deteriorated as a result. For this reason, if several uses are repeated, it is necessary to wash | clean a FOUP and return to a clean form.

도6는, 종래의 FOUP 세정 방법의 일례를 설명하기 위한 도면를 도시한다. 보다 구체적으로는, 도6의 (a)는 종래의 FOUP의 세정에 따른 순수의 흐름을, 또, 도6의 (b)는 그 세정에 따른 에어의 흐름을 도시한다. 도6에 도시한 바와 같이, 종래의 세정 방법으로서는 FOUP 본체(7)가 도어(8)와 같이 래크(6) 상에 놓여진다. 래크(6)의 상하에는 회전하는 스프레이 노즐(17)이 배치되어 있다. 본체(7) 및 도어(8)는, 펌프(20)에 의해서 퍼 올려진 순수(18)가 스프레이 노즐(17)로부터 분무됨으로써 세정된다.Fig. 6 shows a diagram for explaining an example of the conventional FOUP cleaning method. More specifically, Fig. 6 (a) shows the flow of pure water according to the conventional FOUP cleaning, and Fig. 6 (b) shows the flow of air according to the cleaning. As shown in Fig. 6, in the conventional cleaning method, the FOUP main body 7 is placed on the rack 6 like the door 8. Rotating spray nozzles 17 are disposed above and below the rack 6. The main body 7 and the door 8 are cleaned by spraying the pure water 18 pumped by the pump 20 from the spray nozzle 17.

순수(18)는, 세정 효율을 높이기 위해서 50∼70℃로 가열된 상태로 공급된다. 또한, 경우에 따라서는, 순수(18)에는 계면 활성제가 첨가된다. 이 경우, 순수(18)는 장치의 내부를 순환하도록 이용된다. 세정공정 후, 순수 린스가 행하여진다. 이 때, 순수(18)는 필터(19)를 통함으로써 청정도를 유지하면서 순환하여 본체(7) 및 도어(8)에 공급된다. 이들 공정이 종료하면, 다음에 건조 공정이 시작된다.Pure water 18 is supplied in the state heated at 50-70 degreeC, in order to improve the washing | cleaning efficiency. In some cases, a surfactant is added to the pure water 18. In this case, pure water 18 is used to circulate inside the apparatus. After the washing step, pure water rinse is performed. At this time, the pure water 18 is circulated and supplied to the main body 7 and the door 8 while maintaining the cleanliness through the filter 19. When these processes are complete | finished, a drying process starts next.

건조 공정은, 에어 히터(22)에 의해 50℃∼70℃ 정도로 가열된 온풍(21)과, 국소적으로 잔존하는 물방울의 제거를 주목적으로 하는 크린드라이에어(26)를 이용하여 행해진다. 온풍(21)은, 블로워(24)에 의해 90% 이상이 재순환으로 회전되고, 나머지 약10%는 배기구(25)로부터 폐기된다. 블로워(24)로부터 송출되는 에어는 에어 히터(22)에 의해 재가열되고, 필터(23)에 의해 청정화된 후, 다시 FOUP의 건조로 제공된다.The drying step is performed using the warm air 21 heated by the air heater 22 to about 50 ° C to 70 ° C, and the clean dry air 26 whose primary purpose is to remove locally remaining water droplets. 90% or more of the warm air 21 is rotated by the blower 24 by recirculation, and about 10% of the remaining air is discarded from the exhaust port 25. The air sent out from the blower 24 is reheated by the air heater 22, cleaned by the filter 23, and then provided again by drying of the FOUP.

FOUP의 본체(7) 및 도어(8)에 있어서, 예를 들면 수지와 수지의 사이에 끼워진 부분등에는 건조 공정에서 이용되는 온풍이 도달하기 어렵다. 구체적으로는, 본체(7)에 있어서는 도6의 (a) 중에 부호(28)을 붙여 도시하는 부분 등에, 또, 도어(8)에 있어서는 도6의 (b)중에 부호(33)을 붙여 도시하는 부분 등에 온풍이 도달하기 어렵다. 상술한 종래의 기술을 이용하여 FOUP를 세정한 경우, 이들의 부분(8, 33)에 물방울이 잔류하기 쉽다. 이 때문에, 종래의 방법으로 반도체용 캐리어, 특히 FOUP를 세정할 때는, 가능한 한 온풍을 고온으로 하고, 또한, 긴 건조 시간을 확보하는 것이 필요했다.In the main body 7 and the door 8 of the FOUP, the warm air used in the drying step hardly reaches a part sandwiched between the resin and the resin, for example. Specifically, in the main body 7, the part shown by attaching the code | symbol 28 is shown in (a) of FIG. 6, etc., and the code | symbol 33 is attached | subjected to (b) of FIG. Warm air is hard to reach parts to be made. When the FOUP is cleaned using the above-described conventional technique, water droplets tend to remain in these portions 8 and 33. For this reason, when cleaning a carrier for semiconductors, especially FOUP by the conventional method, it was necessary to make a warm air as high temperature as possible and to ensure a long drying time.

반도체용 캐리어는 보통 수지제조이기 때문에, 변형의 위험성을 고려하면, 온풍의 온도늘 70℃ 정도가 상한으로 된다. 온풍 온도가 70℃ 정도이면 1∼2시간의 건조 시간이 필요하게 되고, 작업 처리량이 현저히 낮게 된다. 이 때문에, 종래의 방법으로서는, 대량 생산 공장에서, 생산계획으로부터 결정되는 필요한 캐리어 재생 갯수를 채우기 어렵게 된다고 하는 문제가 있었다.Since carriers for semiconductors are usually made of resin, considering the risk of deformation, the temperature limit of the warm air temperature of about 70 ° C is the upper limit. When the warm air temperature is about 70 ° C, a drying time of 1 to 2 hours is required, and the throughput is significantly lower. For this reason, the conventional method has a problem that it becomes difficult to fill the required number of carrier regenerations determined from the production plan in a mass production plant.

본 발명은, 상기와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 단시간에서 효율적으로 반도체용 캐리어를 세정하고, 또 건조시킬 수 있는 반도체용 캐리어의 세정 장치 및 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in order to solve the above subjects, and an object of this invention is to provide the cleaning apparatus and cleaning method of the carrier for semiconductors which can wash | clean and dry a carrier for semiconductors efficiently in a short time.

도1은 본 발명의 실시 형태 1의 세정 방법을 설명하기 위한 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure for demonstrating the washing | cleaning method of Embodiment 1 of this invention.

도2는 본 발명의 실시 형태 2의 세정 방법을 설명하기 위한 도면.2 is a diagram for explaining a cleaning method of Embodiment 2 of the present invention;

도3은 본 발명의 실시 형태 3의 세정 방법을 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining a cleaning method of Embodiment 3 of the present invention;

도4는 본 발명의 실시 형태 5의 세정 방법을 설명하기 위한 도면.4 is a diagram for explaining a cleaning method of Embodiment 5 of the present invention;

도5는 반도체용 캐리어의 본체와 도어를 도시한 도면.Fig. 5 shows the main body and the door of the carrier for semiconductors.

도6은 종래의 세정 방법을 설명하기 위한 도면.6 is a view for explaining a conventional cleaning method.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

1 : 진공 챔버1: vacuum chamber

2 : 용제 공급 밸브2: solvent supply valve

3 : 폐액 밸브3: waste liquid valve

4 : 유기 용제4: organic solvent

5 : 세정액5: cleaning liquid

7 : 본체7: body

8 : 도어8: door

9 : 불활성 가스 공급 밸브9: inert gas supply valve

10 : 배기 밸브10: exhaust valve

12 : 진공 배기 밸브12: vacuum exhaust valve

16, 17 : 세정 공정16, 17: cleaning process

18, 19 : 건조 공정18, 19: drying process

상기한 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,In order to achieve the said objective, invention of Claim 1 is a washing | cleaning apparatus of the carrier for semiconductors which accommodates a semiconductor wafer,

반도체용 캐리어를 저장하는 밀폐 챔버와,An airtight chamber for storing a carrier for semiconductors,

상기 밀폐 챔버 내에 유기 용제를 공급하는 용제 공급 기구와,A solvent supply mechanism for supplying an organic solvent into the sealed chamber;

상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 유기 용제를 배출하는 폐액 기구와,A waste liquid mechanism for discharging the organic solvent in the hermetically sealed chamber after washing the carrier for semiconductors;

상기 밀폐 챔버 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 기구와,An inert gas supply mechanism for supplying an inert gas into the closed chamber;

상기 반도체용 캐리어의 건조 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 불활성 가스를 배출하는 배기 기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.And an exhaust mechanism for discharging the inert gas in the hermetically closed chamber after drying the carrier for semiconductors.

또한, 청구항 2에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,Moreover, invention of Claim 2 is a washing | cleaning apparatus of the carrier for semiconductors which accommodates a semiconductor wafer,

반도체용 캐리어를 저장하는 밀폐 챔버와,An airtight chamber for storing a carrier for semiconductors,

상기 밀폐 챔버 내에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구와,A cleaning liquid supply mechanism for supplying a cleaning liquid into the closed chamber;

상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 세정액을 배출하는 폐액 기구와,A waste liquid mechanism for discharging the washing liquid in the hermetically sealed chamber after washing the carrier for semiconductors;

상기 밀폐 챔버 내를 감압하는 감압 기구를 구비하는 것을 특징으로 한다.A decompression mechanism for depressurizing the inside of the hermetic chamber is provided.

또한, 청구항 3에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,Moreover, invention of Claim 3 is a washing | cleaning apparatus of the carrier for semiconductors which accommodates a semiconductor wafer,

반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 세정액이 원심력으로 제거되도록, 상기 반도체용 캐리어를 회전시키는 스핀 건조 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.After the cleaning of the semiconductor carrier, a spin drying mechanism for rotating the carrier for semiconductor is provided so that the cleaning liquid attached to the carrier for semiconductor is removed by centrifugal force.

또한, 청구항 4에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 본체와, 상기 본체의 개구부를 폐색하는 도어를 구비하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,Moreover, the invention of Claim 4 is a washing | cleaning apparatus of the carrier for semiconductors provided with the main body which accommodates a semiconductor wafer, and the door which blocks the opening part of the said main body,

상기 본체를 상기 도어와 별개로 세정하고, 또한 건조시키는 제1 세정 수단과,First cleaning means for cleaning and drying the main body separately from the door;

상기 도어를 상기 본체와 별개로 세정하고, 또 건조시키는 제2 세정 수단을 구비하고,Second cleaning means for cleaning and drying the door separately from the main body,

상기 제1 세정 수단은, 상기 청구항 3에 기재된 세정 장치이고,The first cleaning means is a cleaning device according to claim 3,

상기 제2 세정 수단은, 상기 청구항 1 또는 2에 기재된 세정 장치인 것을 특징으로 한다.The said 2nd washing | cleaning means is a washing | cleaning apparatus of the said Claim 1 or 2, It is characterized by the above-mentioned.

또한, 청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 4의 어느 한 항에 기재된 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,Moreover, invention of Claim 5 is a washing | cleaning apparatus of the carrier for semiconductors in any one of Claims 1-4,

순수를 세정액으로서 상기 반도체용 캐리어를 세정한 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 순수를 유기 용제로 치환하는 치환 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.After cleaning the said carrier for semiconductors with pure water as a washing | cleaning liquid, it characterized by including the substitution means which substitutes the organic solvent for the pure water adhering to the said carrier for semiconductors.

또한, 청구항 6에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,Moreover, the invention of Claim 6 is a washing | cleaning method of the carrier for semiconductors which accommodates a semiconductor wafer,

반도체용 캐리어를 밀폐 챔버 내에 저장하는 스텝과,Storing the carrier for the semiconductor in a sealed chamber,

상기 밀폐 챔버 내에 유기 용제를 공급하는 스텝과,Supplying an organic solvent into the closed chamber;

상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 유기 용제를 배출하는 스텝과,Discharging the organic solvent in the closed chamber after cleaning the carrier for semiconductors;

상기 밀폐 챔버 내에 불활성 가스를 공급하는 스텝과,Supplying an inert gas into the closed chamber;

상기 반도체용 캐리어의 건조 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 불활성 가스를 배출하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 한다.And drying the inert gas in the hermetic chamber after drying the carrier for semiconductors.

또한, 청구항 7에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,Moreover, the invention of Claim 7 is a washing | cleaning method of the carrier for semiconductors which accommodates a semiconductor wafer,

반도체용 캐리어를 밀폐 챔버 내에 저장하는 스텝과,Storing the carrier for the semiconductor in a sealed chamber,

상기 밀폐 챔버 내에 세정액을 공급하는 스텝과,Supplying a cleaning liquid into the closed chamber;

상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 세정액을 배출하는 스텝과,Discharging the cleaning liquid in the hermetically sealed chamber after cleaning the carrier for semiconductors;

상기 밀폐 챔버 내를 감압하여 상기 반도체용 캐리어를 건조시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 한다.And depressurizing the inside of the hermetic chamber to dry the carrier for the semiconductor.

또한, 청구항 8에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,Moreover, the invention of Claim 8 is a washing | cleaning method of the carrier for semiconductors which accommodates a semiconductor wafer,

반도체용 캐리어를 세정하는 스텝과,Washing the carrier for the semiconductor,

상기 세정의 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 세정액이 원심력으로 제거되도록, 상기 반도체용 캐리어를 회전시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 한다.And after the cleaning, rotating the carrier for the semiconductor so that the cleaning liquid attached to the carrier for the semiconductor is removed by centrifugal force.

또한, 청구항 9에 기재된 발명은, 반도체 웨이퍼를 수납하는 본체와, 상기 본체의 개구부를 폐색하는 도어를 구비하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,Moreover, the invention of Claim 9 is a cleaning method of the carrier for semiconductors provided with the main body which accommodates a semiconductor wafer, and the door which blocks the opening part of the said main body,

상기 본체를 상기 도어와 별개로 세정하는 스텝과,Washing the body separately from the door;

상기 본체를 상기 도어와 별개로 건조시키는 스텝과, 상기 도어를 상기 본체와 별개로 세정하는 스텝과,Drying the main body separately from the door, washing the door separately from the main body,

상기 도어를 상기 본체와 별개로 건조시키는 스텝을 구비하고,And drying the door separately from the main body,

상기 본체의 세정 및 건조는, 상기 청구항 8에 기재된 세정 방법으로 실행되고,The washing and drying of the main body are performed by the washing method according to claim 8,

상기 도어의 세정 및 건조는, 상기 청구항 6 또는 7에 기재된 세정 방법으로 실행되는 것을 특징으로 한다.The cleaning and drying of the door are performed by the cleaning method according to claim 6 or 7.

또한, 청구항 10에 기재된 발명은, 청구항 6 내지 9의 어느 한 항에 기재된 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,Moreover, invention of Claim 10 is a washing | cleaning method of the carrier for semiconductors in any one of Claims 6-9,

상기 반도체용 캐리어를 순수로 세정하는 스텝과,Washing the semiconductor carrier with pure water,

상기 세정의 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 순수를 유기 용제로 치환하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.After the said washing | cleaning, the process of substituting the organic solvent for the pure water adhering to the said carrier for semiconductors is characterized by the above-mentioned.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 관해서 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 공통되는 요소에는, 동일한 부호를 붙여 중복 설명을 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the element which is common in each figure, and overlapping description is abbreviate | omitted.

실시 형태 1.Embodiment 1.

도1은, 본 발명의 실시 형태 1의 세정 방법을 설명하기 위한 개념도를 도시한다. 본 실시 형태의 세정 방법에 있어서, FOUP의 본체(7) 및 도어(8)는, 도1에 도시한 밀폐 챔버(1)의 내부에서 세정된다. 밀폐 챔버(1)에는, 용제 공급 밸브(2), 폐액 밸브(3), 불활성 가스 공급 밸브(9), 및 배기 밸브(10)가 설치된다.1 is a conceptual diagram for explaining the cleaning method of Embodiment 1 of the present invention. In the cleaning method of the present embodiment, the main body 7 and the door 8 of the FOUP are cleaned inside the sealed chamber 1 shown in FIG. In the closed chamber 1, a solvent supply valve 2, a waste liquid valve 3, an inert gas supply valve 9, and an exhaust valve 10 are provided.

본 실시 형태에 있어서, FOUP의 본체(7) 및 도어(8)는, 밀폐 챔버(1)의 내부에서, 래크(6)의 위에 놓여진다. 세정 공정이 시작되면, 우선 용제 공급 밸브(2)가 개방하여 세정용 유기 용제(4)(예를 들면, IPA 등)가 밀폐 챔버(1)의 내부에 공급된다[도1의 (a)]. 본체(7) 및 도어(8)가 충분히 침지될 때까지 유기 용제(4)가 공급되면, 용제 공급 밸브(2)가 개방된 채로 폐액 밸브(3)의 밸브가 개방된다. 그 후, 유기 용제(4)를 유통시키면서, 본체(7) 및 도어(8)의 세정이 행하여진다.In the present embodiment, the main body 7 and the door 8 of the FOUP are placed on the rack 6 in the sealed chamber 1. When the cleaning process starts, first, the solvent supply valve 2 is opened so that the cleaning organic solvent 4 (for example, IPA, etc.) is supplied into the sealed chamber 1 (Fig. 1 (a)). . When the organic solvent 4 is supplied until the main body 7 and the door 8 are sufficiently immersed, the valve of the waste liquid valve 3 is opened with the solvent supply valve 2 open. Thereafter, the body 7 and the door 8 are washed while the organic solvent 4 is passed through.

상술한 세정 공정이 종료하면, 용제 공급 밸브(2)의 밸브가 폐쇄된다. 폐액 밸브(3)는, 밀폐 챔버(1)내의 유기 용제(4)가 배출될 때까지 개방 밸브 형태로 유지된다. 유기 용제(4)가 배출되면, 폐액 밸브(3)가 폐쇄된 후, 불활성 가스 공급 밸브(9)의 밸브가 개방됨과 동시에 배기 밸브(10)의 밸브가 개방한다. 그 결과, 밀폐 챔버(1)내의 분위기가 질소로 치환된다.When the above-mentioned washing | cleaning process is complete | finished, the valve of the solvent supply valve 2 is closed. The waste liquid valve 3 is maintained in the form of an open valve until the organic solvent 4 in the sealed chamber 1 is discharged. When the organic solvent 4 is discharged, after the waste liquid valve 3 is closed, the valve of the inert gas supply valve 9 opens and the valve of the exhaust valve 10 opens. As a result, the atmosphere in the closed chamber 1 is replaced with nitrogen.

본 실시 형태의 세정 방법에서는, 밀폐 챔버(1)내의 분위기가 완전히 질소로 치환된 후, 소정 시간이 경과할 때까지 질소의 유통이 계속된다. 유기 용제(4)는, 순수에 비하여 높은 휘발성을 갖고 있기 때문에, FOUP의 표면에 잔류하고 있는 유기 용제(4)는, 온풍의 힘을 빌지 않더라도, 비교적 용이하게 증발시킬 수 있다. 또한, 밀폐 챔버(1)의 내부가 질소 분위기로 치환되면, 분위기중의 유기 용제(4)의 농도가 저하하여 그 증발이 더욱 촉진된다.In the washing | cleaning method of this embodiment, after the atmosphere in the airtight chamber 1 is completely substituted by nitrogen, nitrogen flow is continued until predetermined time passes. Since the organic solvent 4 has higher volatility than pure water, the organic solvent 4 remaining on the surface of the FOUP can be evaporated relatively easily even without the force of warm air. Moreover, when the inside of the airtight chamber 1 is substituted by nitrogen atmosphere, the density | concentration of the organic solvent 4 in atmosphere will fall, and the evaporation will be accelerated further.

이 때문에, 본 실시 형태의 세정 방법으로서는, 예를 들면, 질소 유량 30m3/분, 질소 온도 실온, 건조 시간 10분의 조건으로, FOUP의 건조하기 어려운 부분, 즉, 도5에 도시한 본체(7)나 도어(8)의 부분(28, 33)의 유기 용제를 완전히 제거할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 고온의 온풍을 이용하는 일없이, 복잡한 구조를 갖는 FOUP를 단시간에 완전히 건조시킬 수 있다.For this reason, as the washing | cleaning method of this embodiment, the part which is hard to dry of FOUP on the conditions of nitrogen flow volume 30m <3> / min, nitrogen temperature room temperature, drying time 10 minutes, ie, the main body (shown in FIG. 7) and the organic solvent of the parts 28 and 33 of the door 8 can be removed completely. Thus, according to the washing | cleaning method of this embodiment, FOUP which has a complicated structure can be completely dried in a short time, without using a high temperature warm air.

그런데, 상기한 실시 형태에 있어서는, 건조 공정에서 밀폐 챔버(1) 내의 분위기를 질소 가스로 치환하는 것으로 하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 건조 공정에서 이용되는 가스는 불활성 가스라면 좋다.By the way, in said embodiment, although the atmosphere in the airtight chamber 1 is substituted by nitrogen gas in a drying process, this invention is not limited to this, The gas used in a drying process should just be an inert gas.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서는, 용제 공급 밸브(2)을 거쳐서 유기 용제를 공급하는 기구가 상기 청구항 1에 기재된「용제 공급 기구」에, 폐액 밸브(3)로부터 유기 용제를 배출시키는 기구가 상기 청구항 1에 기재된「폐액기구」에, 불활성 가스 공급 밸브(9)을 거쳐서 질소가스를 공급하는 기구가 상기 청구항 1에 기재된「불활성 가스 공급 기구」에, 배기 밸브(10)로부터 질소가스를 배출시키는 기구가 상기 청구항 1에 기재된「배기 기구」에, 각각 상당하고 있다.In the above embodiment, the mechanism for supplying the organic solvent via the solvent supply valve 2 to the "solvent supply mechanism" according to claim 1 is a mechanism for discharging the organic solvent from the waste liquid valve 3. A mechanism for supplying nitrogen gas to the "waste liquid mechanism" according to claim 1 via an inert gas supply valve 9 causes the "inert gas supply mechanism" according to claim 1 to discharge nitrogen gas from the exhaust valve 10. The mechanism corresponds to the "exhaust mechanism" described in claim 1, respectively.

실시 형태 2.Embodiment 2.

이어서, 도2를 참조하여 본 발명의 실시 형태 2에 관해서 설명한다.Next, Embodiment 2 of this invention is described with reference to FIG.

도2는, 본 발명의 실시 형태 2의 세정 방법을 설명하기 위한 개념도를 도시한다. 도2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 진공 챔버(1)에는, 용제 공급 밸브(2), 폐액 밸브(3), 및 진공 배기 밸브(12)가 설치된다. 본 실시 형태의 세정 방법으로서는, 실시 형태 1의 경우와 같은 순서로 세정[도2의 (a)] 및 폐액[도2의 (b)]이 행하여지지만, 세정액(5)으로서 유기 용제(4) 대신 순수를 이용하는 것도 가능하다.2 is a conceptual diagram for explaining the cleaning method of Embodiment 2 of the present invention. As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the solvent supply valve 2, the waste liquid valve 3, and the vacuum exhaust valve 12 are provided in the vacuum chamber 1. As the washing method of the present embodiment, washing (Fig. 2 (a)) and waste liquid (Fig. 2 (b)) are performed in the same order as in the first embodiment, but the organic solvent (4) is used as the washing liquid (5). It is also possible to use pure water instead.

본 실시 형태의 세정 방법의 특징은, 건조 공정[도2의 (c)]이, 실시 형태 1의 경우와 다르고 진공 분위기속에서 행해지는 일이다. 즉, 본 실시 형태의 세정 방법으로서는, 건조 공정이 개시하면, 진공 배기 밸브(12)의 밸브가 개방하여 진공 펌프 등에 의해, 밀폐 챔버(1) 안이 예를 들면 수십torr 정도로 될 때까지 배기가 행하여진다.The characteristic of the washing | cleaning method of this embodiment is that a drying process (FIG. 2 (c)) differs from the case of Embodiment 1, and is performed in a vacuum atmosphere. That is, in the cleaning method of the present embodiment, when the drying process starts, the valve of the vacuum exhaust valve 12 is opened, and the exhaust is performed until the inside of the sealed chamber 1 becomes about tens of torr, for example, by a vacuum pump or the like. Lose.

건조 공정이 상압에서 행해지는 경우에 비해, 건조 분위기가 진공인 경우는 수분의 증발이 촉진된다. 이 때문에, 본 실시 형태의 세정 방법으로서는, 예를 들면, 실온의 건조 온도, 챔버 내 압력 10torr, 건조 시간 10분의 조건으로, FOUP의 건조하기 어려운 부분, 즉, 도5에 도시한 본체(7)나 도어(8)의 부분(28, 33)의 물방울을 완전히 제거할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 고온의 온풍을 이용하는 일 없이, 복잡한 구조를 갖는 FOUP를 단시간에서 완전히 건조시킬 수 있다.Compared with the case where the drying step is performed at ordinary pressure, evaporation of water is promoted when the drying atmosphere is vacuum. For this reason, as the washing | cleaning method of this embodiment, the part which is hard to dry of FOUP on the conditions of the drying temperature of room temperature, the pressure in a chamber of 10 torr, and the drying time of 10 minutes, ie, the main body 7 shown in FIG. ) And the water droplets of the parts 28 and 33 of the door 8 can be completely removed. Thus, according to the washing | cleaning method of this embodiment, FOUP which has a complicated structure can be completely dried in a short time, without using a high temperature warm air.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서는, 순수 또는 유기 용제가 상기 청구항 2에 기재된「세정액」에, 용제 공급 밸브(2)을 거쳐서 세정액을 공급하는 기구가 상기 청구항 2에 기재된「세정액 공급 기구」에, 상기 폐액 밸브(3)로부터 세정액을 배출하는 기구가 상기 청구항 2에 기재된「폐액 기구」에, 진공 배기 밸브(12)을 거쳐서 밀봉 챔버(1) 내부를 감압시키는 기구가 상기 청구항 2에 기재된「감압 기구」에, 각각 상당하고 있다.Moreover, in said embodiment, the mechanism which supplies a cleaning liquid to a "cleaning liquid" of Claim 2 through the solvent supply valve 2 in the "cleaning liquid supply mechanism" of Claim 2, The mechanism for depressurizing the inside of the sealing chamber 1 via the vacuum exhaust valve 12 by the mechanism for discharging the cleaning liquid from the waste liquid valve 3 via the vacuum exhaust valve 12 is described in It is equivalent to the mechanism, "respectively.

실시 형태 3.Embodiment 3.

이어서, 도3를 참조하여 본 발명의 실시 형태 2에 관해서 설명한다.Next, Embodiment 2 of this invention is described with reference to FIG.

도3는, 본 발명의 실시 형태 3의 세정 방법을 설명하기 위한 개념도를 도시한다. 보다 구체적으로는, 도3의 (a)는 FOUP의 본체(7)를 상면에서 나타낸 도면(평면도)이고, 도3의 (b)는 도어(8)를 정면에서 나타낸 도면(정면도)이다.3 is a conceptual diagram for explaining the cleaning method of Embodiment 3 of the present invention. More specifically, Fig. 3A is a view (top view) showing the main body 7 of the FOUP from the top, and Fig. 3B is a view (front view) showing the door 8 from the front.

본 실시 형태의 세정 방법은, 세정 장치의 형식을 막론하고 적용할 수 있고, 예를 들면, 도6에 도시한 종래의 세정 장치에도 적용할 수 있다. 본 실시 형태의 세정 방법의 특징은, 건조 공정에서, FOUP의 본체(7) 및 도어(8)를 회전시키는 스핀 건조가 행하여지는 것이다.The washing method of the present embodiment can be applied regardless of the type of washing apparatus, and can be applied to the conventional washing apparatus shown in FIG. 6, for example. The characteristic of the washing | cleaning method of this embodiment is that spin drying which rotates the main body 7 and the door 8 of a FOUP in a drying process is performed.

도3에 있어서, 부호(13)을 붙여 나타내는 화살표는 본체(7)의 회전 방향을, 또, 부호(14)을 붙여 나타내는 화살표는 도어(8)의 회전 방향을, 각각 나타내고 있다. 또한, 도3의 (b)에 있어서의 부호(15)는, 스핀 건조 시에 도어(8)를 고정하는 지그를 도시한다. 도어(8)에 대해서는, 그 내부에 잔류하고 있는 물방울을 래치 간극(31)으로부터 배출시키기 위해, 화살표(14)의 회전 방향에서 스핀 건조시켰다.In Fig. 3, arrows indicated by reference numerals 13 denote rotation directions of the main body 7, and arrows denoted by reference numerals 14 denote rotation directions of the doors 8, respectively. Reference numeral 15 in Fig. 3B shows a jig for fixing the door 8 during spin drying. The door 8 was spin-dried in the rotational direction of the arrow 14 in order to discharge the water droplets remaining therein from the latch gap 31.

스핀 건조에 따르면, 건조하기 어려운 부분(28, 33)에 잔류하는 물방울을 원심력에 의해 제거할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 예를 들면, 30m3/분의 유량으로 70℃의 온풍을 순환시키면서 1000rpm의 회전수로 스핀 건조를 함으로써, 10분의 건조 시간으로 본체(7)나 도어(8)를 완전히 건조시킬 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 온풍 온도를 70℃ 정도로 억제하면서, 복잡한 구조를 갖는 FOUP를 단시간에 완전히 건조시킬 수 있다.According to the spin drying, water droplets remaining in the parts 28 and 33 that are difficult to dry can be removed by centrifugal force. For this reason, according to the washing | cleaning method of this embodiment, the main body 7 is carried out by the drying time of 10 minutes by spin-drying at the rotation speed of 1000 rpm, for example, circulating 70 degreeC warm air at the flow volume of 30 m <3> / min. The door 8 can be completely dried. Thus, according to the washing | cleaning method of this embodiment, FOUP which has a complicated structure can be completely dried in a short time, suppressing warm air temperature about 70 degreeC.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서는, 건조 공정에서, 본체(7) 및 도어(8)를, 각각 상기한 방향으로 회전시키는 기구가 상기 청구항 3에 기재된「스핀 건조 기구」에 상당하고 있다.In addition, in said embodiment, in the drying process, the mechanism which rotates the main body 7 and the door 8 in the said direction, respectively is corresponded to the "spin drying mechanism" of the said Claim 3.

실시 형태 4.Embodiment 4.

이어서, 본 발명의 실시 형태 4에 관해서 설명한다. 실시 형태 1 내지 3의 세정 방법으로서는, 세정액으로서 유기 용제를 이용할 수 있다. 이들의 세정 방법에 있어서 유기 용제가 이용되는 경우는, ①유기 용제에 의한 세정, ②유기 용제의 폐액, ③유기 용제 제거를 위한 건조가 차례로 행해진다.Next, Embodiment 4 of this invention is described. As the washing | cleaning method of Embodiments 1-3, the organic solvent can be used as a washing | cleaning liquid. When an organic solvent is used in these washing methods, (1) washing with an organic solvent, (2) waste liquid of an organic solvent, and (3) drying for removing an organic solvent are performed in order.

이에 대하여, 본 실시 형태의 세정 방법은, 세정액으로서 순수를 이용하여, 세정에 이용한 순수를 전부 폐액하고 나서 유기 용제를 흘려 FOUP에 부착되어 있는 순수를 유기 용제로 치환하고, 그 후 건조 공정에 들어 가는 것을 말하는 것이다. 상술한 순서에 따르면, 유기 용제의 사용량을 대폭 저감시키면서, 세정액으로서 유기 용제가 이용된 경우와 같은 정도로 건조 시간을 단축할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 실시의 형태 1 내지 3에 있어서 유기 용제가 단독으로 사용되는 경우에 비하여 대폭 물약 비용을 낮추면서, 이들의 경우와 같은 작업 처리량을 실현할 수 있다.In contrast, in the washing method of the present embodiment, pure water is used as the washing liquid, and then all of the pure water used for washing is disposed of, and then the organic solvent is flown to replace the pure water attached to the FOUP with the organic solvent, and then the drying step is carried out. I'm talking about going. According to the above-described procedure, the drying time can be shortened to the same extent as when the organic solvent is used as the cleaning liquid while greatly reducing the amount of the organic solvent used. For this reason, according to the washing | cleaning method of this embodiment, compared with the case where the organic solvent is used independently in embodiment 1-3, the throughput of such a case can be implement | achieved while reducing cost significantly.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서는, FOUP가 순수로 세정된 후에, 본체(7) 또는 도어(8)에 부착되어 있는 물방울을 유기 용제로 치환하는 기구가, 상기 청구항 5에 기재된 치환 수단에 상당하고 있다.In addition, in said embodiment, after the FOUP is wash | cleaned with pure water, the mechanism which replaces the water droplet adhering to the main body 7 or the door 8 with the organic solvent is equivalent to the substitution means of Claim 5, have.

실시 형태 5.Embodiment 5.

이어서, 도4를 참조하여 본 발명의 실시 형태 5에 관해서 설명한다.Next, Embodiment 5 of this invention is described with reference to FIG.

도4는, 본 실시 형태의 세정 방법을 설명하기 위한 개념도를 도시한다. 실시 형태 1 내지 4의 세정 방법으로서는, FOUP의 본체(7)와 도어(8)가 동일한 세정 공정 및 동일한 건조 공정로 처리된다. 이에 대하여, 본 실시 형태의 세정 방법은, 도4에 도시한 바와 같이, 본체(7) 및 도어(8)를 각각 별도의 세정 공정(16, 17)으로 세정하고, 또, 별도의 건조 공정(18, 19)으로 건조시킨 후에, 양자를 조합시켜 세정 장치에서 반출한다고 하는 것이다.4 shows a conceptual diagram for explaining the cleaning method of this embodiment. As the cleaning method of Embodiments 1 to 4, the main body 7 and the door 8 of the FOUP are treated in the same cleaning process and the same drying process. In contrast, in the cleaning method of the present embodiment, as illustrated in FIG. 4, the main body 7 and the door 8 are each cleaned by separate cleaning steps 16 and 17, and further drying steps ( 18, 19), it is said that they are carried out in a washing | cleaning apparatus combining them together.

본 실시 형태에 있어서, 본체(7)의 세정 공정(16)으로서는, 유기 용제를 세정액으로서, 브러시 세정이나 초음파 세정 등의 수법으로 본체(7)의 세정이 행하여진다. 한편, 도어(8)의 세정 공정(17)으로서는, 유기 용제를 세정액으로서, 실시 형태 1 또는 2의 경우와 같이, 도어(8)를 세정액에 침지시키는 방법으로 세정이 행하여진다. 본체(7)의 오물은 도어(8)의 오물에 비하여 제거가 곤란하지만, 상기한 세정 공정(16)에 따르면, 본체(7)를 단시간에서 충분히 청정화시킬 수 있다. 또한, 도어(8)는 본체(7)에 비하여 구조가 복잡하기 때문에 파손이 생기기 쉽지만, 상기한 세정 공정(17)에 따르면, 파손을 생기게하는 일 없이 도어(8)를 충분히 청정화시킬 수 있다.In this embodiment, as the washing | cleaning process 16 of the main body 7, the main body 7 is wash | cleaned by methods, such as brush washing and ultrasonic washing, using an organic solvent as a washing | cleaning liquid. On the other hand, as the washing | cleaning process 17 of the door 8, washing is performed by the method of immersing the door 8 in the washing | cleaning liquid like the case of Embodiment 1 or 2 as an organic solvent as a washing | cleaning liquid. Although dirt of the main body 7 is difficult to remove compared with the dirt of the door 8, according to the cleaning process 16 mentioned above, the main body 7 can be fully cleaned in a short time. Moreover, since the door 8 has a complicated structure compared with the main body 7, the breakage tends to occur, but according to the cleaning process 17 described above, the door 8 can be sufficiently cleaned without causing breakage.

그런데, 본체(7)의 세정에는, 도어(8)의 세정에 비하여 다량의 세정액을 필요로 한다. 이 때문에, 본체(7)의 세정 공정(16)으로서는, 도어(8)의 세정 공정에 비하여 세정액의 충전 및 배출에 장시간이 필요하다. 또한, 본체(7)의 세정은, 상기한 바와 같이 도어(8)의 세정에 비하여 곤란한 때문에, 세정 시간 자체도, 본체(7)의 세정에 요하는 시간이 도어(8)의 세정에 요하는 시간에 비하여 장시간이다. 이 때문에, 본체(7)의 세정 공정(16)으로서는, 도어(8)의 세정공정(17)에 비하여 긴 시간이 필요하게 된다.By the way, the washing | cleaning of the main body 7 requires a large amount of washing | cleaning liquid compared with the washing | cleaning of the door 8. For this reason, as the washing | cleaning process 16 of the main body 7, compared with the washing | cleaning process of the door 8, a long time is required for the filling and discharge of a washing | cleaning liquid. In addition, since the cleaning of the main body 7 is more difficult than the cleaning of the door 8 as described above, the time required for the cleaning of the main body 7 also requires the cleaning of the door 8. It is a long time compared to time. For this reason, as the washing | cleaning process 16 of the main body 7, long time is needed compared with the washing | cleaning process 17 of the door 8. As shown in FIG.

이에 대하여, 본체(7)의 구조는 도어(8)의 구조에 비하여 간단하기 때문에, 본체(7)의 건조 공정(18)에 요하는 시간은, 도어(8)의 건조 공정(19)에 요하는 시간에 비하여 단시간이다. 따라서, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 세정공정(16, 17)에 요하는 시간의 차를, 건조 공정(18, 19)으로 단축할 수 있다.On the other hand, since the structure of the main body 7 is simpler than the structure of the door 8, the time required for the drying step 18 of the main body 7 is required for the drying step 19 of the door 8. It is a short time compared to the time. Therefore, according to the washing | cleaning method of this embodiment, the time difference which the washing | cleaning process 16 and 17 requires can be shortened to the drying process 18 and 19. FIG.

그런데, 상술한 실시 형태 1 또는 2에 이용된 건조 공정, 즉, 밀폐 챔버(1)의 내부를 질소 분위기로 하는 공정, 또는 그 내부를 진공으로 하는 공정은, 실시 형태 3으로 이용되는 건조 공정, 즉, 스핀 건조를 이용하는 공정에 비하여 도어(8)를 단시간에 건조시키는 데 알맞은 공정이다. 또한, 실시의 형태 3의 건조 공정은, 실시 형태 1 또는 2의 건조 공정에 비하여 본체(7)를 단시간에 건조시키는 데 알맞은 공정이다.By the way, the drying process used in Embodiment 1 or 2 mentioned above, ie, the process of making the inside of the sealed chamber 1 into a nitrogen atmosphere, or the process making it inside into a vacuum, the drying process used in Embodiment 3, That is, it is a process suitable for drying the door 8 in a short time compared with the process using spin drying. In addition, the drying process of Embodiment 3 is a process suitable for drying the main body 7 in a short time compared with the drying process of Embodiment 1 or 2.

본 실시 형태에 있어서, 본체(7)의 건조 공정(18)으로서는 실시 형태 3 의 건조 공정(스핀 건조)이, 또, 도어(8)의 건조 공정(19)으로서는 실시 형태 1 또는 2의 건조 공정이, 각각 이용된다. 본체(7)와 도어(8)를, 상기한 바와 같이 별도의 공정에서 건조시키는 것에 의하면, 본체(7) 및 도어(8)를, 각각 효율적으로 단시간에서 건조시킬 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 본체(7) 및 도어(8)를 동일한 공정에서 건조시키는 경우에 비하여 건조 시간을 단축할 수 있다.In this embodiment, as the drying process 18 of the main body 7, the drying process (spin drying) of Embodiment 3 is used, and as the drying process 19 of the door 8, the drying process of Embodiment 1 or 2 is carried out. Each of these is used. By drying the main body 7 and the door 8 in a separate process as mentioned above, the main body 7 and the door 8 can be dried efficiently in a short time, respectively. Therefore, according to the washing | cleaning method of this embodiment, drying time can be shortened compared with the case where the main body 7 and the door 8 are dried in the same process.

상술한 세정 공정(16, 17) 및 건조 공정(18, 19)의 조합에 따르면, 각각의 공정의 시간차를 상쇄하여 본체(7)의 세정·건조에 요하는 접촉 시간과, 도어(8)의 세정·건조에 요하는 접촉 시간을 맞출 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태의 세정 방법에 따르면, 본체(7)와 도어(8)의 쌍방을, 치우침 없이 단시간에 효율적으로 세정할 수 있다.According to the combination of the cleaning process 16 and 17 and the drying process 18 and 19 mentioned above, the contact time required for the washing | cleaning and drying of the main body 7, and the door 8 of the door 8 are offset by offsetting the time difference of each process. The contact time required for washing and drying can be set. For this reason, according to the washing | cleaning method of this embodiment, both the main body 7 and the door 8 can be cleaned efficiently in a short time without bias.

상기한 실시 형태로서는, 본체(7) 및 도어(8)를 유기 용제로 세정하는 것으로 하고 있지만, 도어(8)의 세정은 순수로 행하는 것으로도 좋다. 또한, 본체(7)의 건조 공정(18)에 있어서 실시 형태 2의 방법이 이용되는 경우는, 본체(7)의 세정도 순수로 행하는 것으로서도 좋다. 또, 본체(7) 및 도어(8)를 순수로 세정한 후, 건조 공정(18, 19)의 앞에 이에 부착되어 있는 물방울을 유기 용제로 치환하는 것으로 해도 좋다.In the above embodiment, the main body 7 and the door 8 are cleaned with an organic solvent. However, the door 8 may be cleaned with pure water. In addition, when the method of Embodiment 2 is used in the drying process 18 of the main body 7, you may perform the washing | cleaning of the main body 7 also in pure water. In addition, after the main body 7 and the door 8 are cleaned with pure water, the water droplets adhering to them in front of the drying steps 18 and 19 may be replaced with an organic solvent.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서는, 세정 공정(16) 및 건조 공정(18)을 실현하는 기구가 상기 청구항 4에 기재된「제1 세정 수단」에, 또, 세정 공정(17) 및 건조 공정(19)을 실현하는 기구가 상기 청구항 4에 기재된「제2 세정 수단」에, 각각 상당하고 있다.In addition, in said embodiment, the mechanism which implements the washing | cleaning process 16 and the drying process 18 is carried out to the "first washing | cleaning means" of Claim 4, and also the washing | cleaning process 17 and the drying process (19). The mechanism for realizing () corresponds to the "second cleaning means" described in claim 4, respectively.

청구항 1 또는 6에 기재된 발명에 따르면, 세정액으로서 유기 용제가 이용되기 때문에, 밀폐 챔버 내의 분위기를 불활성 가스로 치환하는 것으로, 고온의 온풍을 이용하는 일 없이, 단시간에 효율적으로 반도체용 캐리어를 건조시킬 수 있다.According to invention of Claim 1 or 6, since the organic solvent is used as a washing | cleaning liquid, the carrier for a semiconductor can be dried efficiently in a short time, without using a high temperature warm air, by replacing the atmosphere in a closed chamber with inert gas. have.

청구항 2 또는 7에 기재된 발명에 따르면, 반도체 캐리어를 세정한 후에 밀폐 챔버 내를 감압시킴으로써 세정액(순수 또는 유기 용제)의 증발을 촉진시킬 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 따르면, 고온의 온풍을 이용하는 일 없이, 단시간에 효율적으로 반도체용 캐리어를 건조시킬 수 있다.According to the invention according to claim 2 or 7, the evaporation of the cleaning liquid (pure or organic solvent) can be promoted by depressurizing the inside of the closed chamber after cleaning the semiconductor carrier. For this reason, according to this invention, a carrier for a semiconductor can be dried efficiently in a short time, without using a high temperature warm air.

청구항 3 또는 8에 기재된 발명에 따르면, 반도체 캐리어를 세정한 후에 스핀 건조를 행함으로써, 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 세정액을 원심력에 의해 제거할 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 따르면, 고온의 온풍을 이용하는 일 없이, 단시간에서 효율적으로 반도체용 캐리어를 건조시킬 수 있다.According to the invention according to claim 3 or 8, after the semiconductor carrier is washed, spin drying is performed to remove the cleaning liquid attached to the carrier for the semiconductor by centrifugal force. For this reason, according to this invention, a carrier for a semiconductor can be dried efficiently in a short time, without using a high temperature warm air.

청구항 4 또는 9에 기재된 발명에 따르면, 반도체용 캐리어를 구성하는 본체와 도어를, 각각 별개로 세정하고, 또 건조시킬 수 있다. 본체의 세정에는 도어의 세정에 비하여 긴 시간이 필요하게 된다. 한편, 본체는, 도어에 비하여 짧은 건조 시간으로 건조시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 지나친 처리 시간을 생기게하는 일 없이, 본체의 세정·건조에 요하는 합계 시간과, 도어의 세정·건조에 요하는 합계 시간을 맞출 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는, 본체의 건조 공정 및 도어의 건조 공정에서, 각각을 단시간에 건조시키는 데 알맞은 방법이 이용된다. 이 때문에, 본 발명에 따르면, 본체 및 도어를, 치우침 없이 균등하게 단시간에 효율적으로 세정할 수 있다.According to invention of Claim 4 or 9, the main body and the door which comprise the carrier for semiconductors can be wash | cleaned separately, and it can dry. Cleaning the body requires a longer time than cleaning the door. On the other hand, the main body can be dried in a shorter drying time than in the door. Therefore, according to the present invention, the total time required for washing and drying of the main body and the total time required for washing and drying of the door can be matched without causing excessive processing time. Moreover, in this invention, the method suitable for drying each in a short time is used in the drying process of a main body and the drying process of a door. For this reason, according to this invention, the main body and the door can be efficiently and efficiently cleaned in a short time without bias.

청구항 5 또는 10에 기재된 발명에 따르면, 반도체용 캐리어를 순수로 세정한 후에, 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 물방울을 유기 용제로 치환한 후에 건조 공정을 개시할 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 따르면, 유기 용제의 사용량을 억제하면서 효율적인 건조 공정을 실현할 수 있다.According to invention of Claim 5 or 10, after wash | cleaning a semiconductor carrier with pure water, a drying process can be started after replacing the water droplet adhering to the semiconductor carrier with the organic solvent. For this reason, according to this invention, an efficient drying process can be implement | achieved, suppressing the usage-amount of an organic solvent.

Claims (10)

반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,A cleaning device for a semiconductor carrier for storing a semiconductor wafer, 반도체용 캐리어를 저장하는 밀폐 챔버와,An airtight chamber for storing a carrier for semiconductors, 상기 밀폐 챔버 내에 유기 용매를 공급하는 용제 공급 기구와,A solvent supply mechanism for supplying an organic solvent into the closed chamber; 상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 유기 용제를 배출하는 폐액 기구와,A waste liquid mechanism for discharging the organic solvent in the hermetically sealed chamber after washing the carrier for semiconductors; 상기 밀폐 챔버 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 기구와,An inert gas supply mechanism for supplying an inert gas into the closed chamber; 상기 반도체용 캐리어의 건조 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 불활성 가스를 배출하는 배기 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 장치.And an exhaust mechanism for discharging the inert gas in the hermetically closed chamber after drying of the carrier for semiconductor. 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,A cleaning device for a semiconductor carrier for storing a semiconductor wafer, 반도체용 캐리어를 저장하는 밀폐 챔버와,An airtight chamber for storing a carrier for semiconductors, 상기 밀폐 챔버 내에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구와,A cleaning liquid supply mechanism for supplying a cleaning liquid into the closed chamber; 상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 세정액을 배출하는 폐액 기구와,A waste liquid mechanism for discharging the washing liquid in the hermetically sealed chamber after washing the carrier for semiconductors; 상기 밀폐 챔버 내를 감압하는 감압 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 장치 .A decompression device for a semiconductor carrier, comprising a decompression mechanism for depressurizing the inside of the hermetic chamber. 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,A cleaning device for a semiconductor carrier for storing a semiconductor wafer, 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 세정액이 원심력으로 제거되도록, 상기 반도체용 캐리어를 회전시키는 스핀 건조 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 장치 .And a spin drying mechanism for rotating the carrier for the semiconductor so that the cleaning liquid attached to the carrier for the semiconductor is removed by centrifugal force after cleaning the carrier for the semiconductor. 반도체 웨이퍼를 수납하는 본체와, 상기 본체의 개구부를 폐색하는 도어를 구비하는 반도체용 캐리어의 세정 장치로서,A cleaning device for a semiconductor carrier comprising a main body that houses a semiconductor wafer and a door that closes an opening of the main body, 상기 본체를 상기 도어와 별개로 세정하고, 또 건조시키는 제1 세정 수단과,First cleaning means for cleaning and drying the main body separately from the door; 상기 도어를 상기 본체와 별개로 세정하고, 또 건조시키는 제2 세정 수단을 구비하고,Second cleaning means for cleaning and drying the door separately from the main body, 상기 제1 세정 수단은, 제3항에 기재된 세정 장치이고,The said 1st washing | cleaning means is a washing | cleaning apparatus of Claim 3, 상기 제2 세정 수단은, 제1항 또는 제2항에 기재된 세정 장치인 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 장치 .The said 2nd washing | cleaning means is the washing | cleaning apparatus of Claim 1 or 2, The cleaning apparatus of the carrier for semiconductors characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 순수를 세정액으로서 상기 반도체용 캐리어를 세정한 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 순수를 유기 용제로 치환하는 치환 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 장치.The cleaning device according to any one of claims 1 to 4, further comprising: a substitution means for replacing pure water adhered to the semiconductor carrier with an organic solvent after washing the carrier for semiconductor with pure water as a cleaning liquid. Cleaning apparatus for carriers for semiconductors. 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,As a cleaning method for a semiconductor carrier for storing a semiconductor wafer, 반도체용 캐리어를 밀폐 챔버 내에 저장하는 스텝과,Storing the carrier for the semiconductor in a sealed chamber, 상기 밀폐 챔버 내에 유기 용제를 공급하는 스텝과,Supplying an organic solvent into the closed chamber; 상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 유기 용제를 배출하는 스텝과,Discharging the organic solvent in the closed chamber after cleaning the carrier for semiconductors; 상기 밀폐 챔버 내에 불활성 가스를 공급하는 스텝과,Supplying an inert gas into the closed chamber; 상기 반도체용 캐리어의 건조 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 불활성 가스를 배출하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 방법.And a step of discharging the inert gas in the hermetically sealed chamber after drying the carrier for semiconductors. 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,As a cleaning method for a semiconductor carrier for storing a semiconductor wafer, 반도체용 캐리어를 밀폐 챔버 내에 저장하는 스텝과,Storing the carrier for the semiconductor in a sealed chamber, 상기 밀폐 챔버 내에 세정액을 공급하는 스텝과,Supplying a cleaning liquid into the closed chamber; 상기 반도체용 캐리어의 세정 후에, 상기 밀폐 챔버 내의 세정액을 배출하는 스텝과,Discharging the cleaning liquid in the hermetically sealed chamber after cleaning the carrier for semiconductors; 상기 밀폐 챔버 내를 감압하여 상기 반도체용 캐리어를 건조시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 방법.And drying the carrier for the semiconductor by depressurizing the inside of the hermetic chamber. 반도체 웨이퍼를 수납하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,As a cleaning method for a semiconductor carrier for storing a semiconductor wafer, 반도체용 캐리어를 세정하는 스텝과,Washing the carrier for the semiconductor, 상기 세정의 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 세정액이 원심력으로 제거되도록, 상기 반도체용 캐리어를 회전시키는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 방법.And after the cleaning, rotating the carrier for the semiconductor so that the cleaning liquid attached to the carrier for the semiconductor is removed by centrifugal force. 반도체 웨이퍼를 수납하는 본체와, 상기 본체의 개구부를 폐색하는 도어를 구비하는 반도체용 캐리어의 세정 방법으로서,A cleaning method of a carrier for a semiconductor comprising a main body accommodating a semiconductor wafer and a door closing the opening of the main body, 상기 본체를 상기 도어와 별개로 세정하는 스텝과,Washing the body separately from the door; 상기 본체를 상기 도어와 별개로 건조시키는 스텝과,Drying the main body separately from the door; 상기 도어를 상기 본체와 별개로 세정하는 스텝과,Washing the door separately from the main body, 상기 도어를 상기 본체와 별개로 건조시키는 스텝을 구비하고,And drying the door separately from the main body, 상기 본체의 세정 및 건조는, 제8항에 기재된 세정 방법으로 실행되고,The washing and drying of the main body are performed by the washing method according to claim 8, 상기 도어의 세정 및 건조는, 제6항 또는 제7항에 기재된 세정 방법으로 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 방법.Cleaning of said door and drying are performed by the washing | cleaning method of Claim 6 or 7, The cleaning method of the carrier for semiconductors characterized by the above-mentioned. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체용 캐리어를 순수로 세정하는 스텝과,The method according to any one of claims 6 to 9, wherein the step of washing the semiconductor carrier with pure water, 상기 세정의 후에, 상기 반도체용 캐리어에 부착되어 있는 순수를 유기 용제로 치환하는 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체용 캐리어의 세정 방법.And a step of replacing the pure water adhering to the carrier for the semiconductor with the organic solvent after the cleaning.
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