KR20010005781A - 일체형 자기탄성 트랜스듀서 제조 방법 - Google Patents

일체형 자기탄성 트랜스듀서 제조 방법 Download PDF

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Abstract

샤프트의 비틀림 응력의 표시를 측정가능한 정도로 왜곡시키는 원주 방향으로 정위된 자기장을 가지는 자기탄성 피복을 샤프트에 인가시키기 위한 방법이 개시되어 있다. 피복은 자기변형 물질의 입자가 그 물질의 퀴리 온도 이상인 온도에서 샤프트 표면에 충돌하는 분사 공정에 의해 도포된다. 냉각후 피복은 원주 방향으로 자기적으로 극성화된다.

Description

일체형 자기탄성 트랜스듀서 제조 방법 {METHOD OF MAKING INTEGRAL MAGNETOELASTIC TRANSDUCER}
부재에 접촉없이 토크를 가진 부재의 비틀림 응력을 검출하는 것이 필요한 많은 응용 분야들이 있다. 이를 행하기 위한 장치들 중 한 종류는 토크를 가지는 부재에 직접 접착되는 자기탄성 물질과, 자기탄성 물질을 통과하는 미리 한정된 자기장에서의 변화들을 검출하기 위해 자기탄성 물질에 근접하여 배치된 하나 이상의 자기장 검출기를 포함한다. 이러한 변화들은 토크를 가지는 부재 내의 비틀림 응력을 나타낸다.
이러한 종류의 많은 형태의 자기탄성 토크 센서가 제안되었다.
그러나, 출원인이 알기에 널리 채택된 것은 아무 것도 없다.
이러한 종래의 자기탄성 토크 센서들의 알려진 단점들은 미국특허 제 5,520,059호에서 지적되었다. 이 특허는 자기변형 물질로 만들어지고 원주 방향으로 극성화된 링의 형태로 하나 이상의 토크 트랜스듀서를 사용하는 토크 센서를 제안하며, 토크 트랜스듀서는 토크를 가지는 부재에 부착되고, 각각의 토크 트랜스듀서는 부재에 포함된 토크의 함수로써 변하는 방향을 갖는 각각의 자기장을 발생시킨다. 이 토크는 하나 이상의 링들에 의해 발생되는 가변성 자기장을 검출하기 위해 자기장 검출 수단을 사용하는 것에 의해 간접적으로 측정된다.
1996년 12월 4일자 미국 특허출원 제 08/768,739호에서는 토크 검출 성능을 향상시키기 위해 소형의 차폐 및 자속 안내 구조를 가진 자기탄성 토크 센서가 개시된다. 이러한 구조는 강한 주위 자기장들에 토크 센서가 노출된 환경에서 특히 유용하며, 여기서 강한 주위의 자기장들은 공지된 자기변형 물질의 토크 트랜스듀서 링들에 의해 발생된 자기장들보다 실제적으로 더 강할 수도 있다.
그럼에도 불구하고, 더 강한 자기장을 발생시키는 자기탄성 토크 트랜스듀서를 제공하는 것이 여전히 필요하다. 또한, 비틀림 응력들이 검출되는 부재에 강제끼워맞춤되는 자기탄성 링과 관련된 문제를 제거하는 것도 필요하다. 강제끼워맞춤 링은 부재에 부착하는 것이 어려우며, 본질적으로 큰 내부 응력을 가지고 있고, 깨지기 쉬운 경향이 있으며, 그리고 자동차 또는 산업 분야와 같이 험한 용도에는 적절하지 않다.
본 발명은 토크 검출에 관한 것이며, 특히 부재 내부의 비틀림 응력을 측정하기 위한 트랜스듀서를 제조하는 방법에 관한 것이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따라 제조된 토크 트랜스듀서를 채택한 토크 검출 장치의 바람직한 실시예를 도시한, 부분적으로 단면을 가지는 정면도이고,
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 토크 트랜스듀서를 제조하는 방법을 보인 도면이고, 그리고
도 3은 도 2b에 도시된 자화 장치를 보다 상세하게 도시한 도면이다.
본 발명의 목적은 자기장 강도가 증가된 자기탄성 토크 트랜스듀서를 제조하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 비틀림 응력이 검출될 부재에 일체로 접착되고 험한 용도에 적절한 토크 트랜스듀서를 제공하는데 있다.
본 발명에 따라, 자기탄성 트랜스듀서는 내부에 포함된 자기장을 발생시키기 위하여 길이 방향의 축선을 갖는 부재 상에 제공되며, 여기서, 자기장은 부재가 정지 상태에 있을 때에는 축선 둘레의 원주 방향 정위를 가지지만, 상당한 비틀림 응력이 축선 주위의 부재에 인가될 때에는 원주 방향 정위로부터 왜곡되어 상기 응력을 나타내는 측정가능한 외부 자기장 성분을 발생시킨다. 트랜스듀서는 축선을 둘러싸는 부재의 표면 영역에 본질적으로 자기탄성 물질로 이루어진 원주 피복을 도포하는 것에 의해 제공되며, 이 도포는 자기탄성 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서 이루어진다. 이는 자기변형 물질의 자구 형성의 자유도를 증가시킨다. 그리고 나서, 피복은 자기변형 물질의 퀴리 온도보다 낮은 온도로 냉각된다. 피복의 원주 형태 때문에, 자구는 원주 방향으로 선택적으로 형성된다. 각각의 자구는 서로 반대인 두 원주 방향들 중 한 방향으로 정위될 것이다. 자기장은 두 원주 방향들 중 희망하는 한 방향으로 자구를 극성화하기 위해 피복에 인가된다. 자기장은 적어도 피복 온도가 퀴리 온도보다 낮은 상태에 있는 동안 인가된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 극성화 자기장은 또한 피복이 도포되는 동안 인가된다.
도 1a는 본 발명에 따라 제조된 트랜스듀서를 가지는 토크 검출 장치의 바람직한 실시예를 도시한다. 본 실시예에서, 토크를 가지는 부재는 중앙의 길이 방향 축선(12)에 인가되는 토크를 가지는 원통형 샤프트(10)의 형태를 가진다. 바람직하게는, 샤프트는 스테인레스 스틸 또는 알루미늄과 같은 비자성 투과성 물질을 포함한다. 토크 검출 장치는 애뉼러(14) 형태를 갖는 자기탄성 트랜스듀서, 자기장 안내 하우징(16), 자기장 안내링(18), 그리고, 제 1 및 제 2 자기장 검출기(20 및 22)를 각각 포함한다. 검출기(20, 22) 및 링(18)은 나일론과 같은 수지 물질로 성형한 환형 위치 지정 부재(23)에 의해 그 자리에 지지된다.
자기탄성 애뉼러(14)는 샤프트(10)의 응력 수용부에 직접 접착된 자기 이방성 물질의 제 1 및 제 2 환형부(141 및 142)를 포함한다. 이 환형부들 각각은 길이 방향 축선(12) 둘레의 원주 방향으로 정위된 완만한 축선들을 가진다. "직접 접착"에 의해 환형부가 샤프트에 의해 운반되는 비틀림 응력을 받도록 샤프트(10)에 충분히 근접하여 부착된다. 애뉼러(14)의 두 환형부(141 및 142)는 별도의 환형 요소들일 수도 있고, 또는 단일 연속 요소의 부분들로 형성될 수도 있다. 두 경우 모두, 이 환형부들은 도 1a의 화살표에 의해 지시된 바와 같이, 축(12) 주위에 서로 반대의 원주 방향으로 자기적으로 극성화된다. 자기탄성 애뉼러(14)의 원형 단부들은 환형부(141 및 142)의 먼 경계선들(141r, 142r)을 각각 한정한다. 이 경계선들은 각각 서로에 대해서는 근접해 있는 경계선(141p 및 142p)에 대해 원거리에 있다. 환형부(141 및 142)가 단일 연속 요소의 부분들인 경우, 경계선(141p 및 142p)은 구조를 간단화하도록 연속적인 것이 바람직하다. 대안적으로, 이 경계선들은 별도의 환형부들을 형성하도록 떨어져 이격될 수도 있다.
도 2a 및 도 2b는 샤프트 부재(10)의 응력 수용부에 자기 탄성 애뉼러(14)를 제공하기 위한 바람직한 방법을 도시한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 자기탄성 물질(M)이 분사 장치의 노즐(N)로부터 샤프트(10)에 분사된다. 물질(M)은 그 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서 샤프트에 분사된다. 이는 예를 들어, 열 분사 또는 냉 분사 공정을 사용하는 것에 의해 행해질 수 있다. 만약 열 분사 공정이 사용되면, 물질(M)은 노즐(N)을 통해 분사되기 전에 가소성 상태가 되는 온도로 예열된다. 만약 냉 분사 공정이 사용되면, 물질(M)의 고형 입자들은 입자들의 융점보다는 상당히 낮은 온도의 가스의 초음속 제트에 의해 가속된다. 이러한 형식의 분사들 모두에서, 샤프트에 충돌시 입자들은 즉시 퀴리 온도 이상의 온도로 가열된다.
자기변형 물질(M)이 분사되는 동안, 노즐(N)은 X 방향으로 축 이동되고, 샤프트(10)는 축선(12)을 중심으로 회전된다. 샤프트의 회전비에 대한 노즐의 축 속도는 애뉼러(14)를 형성하는 피복의 두께를 결정한다. 대안적으로, 샤프트는 노즐이 축방향으로 이동되는 동안 그 자리에 지지되고, 물질의 선이 샤프트 상에 놓여지는 각 시기에 인접한 축 위치로 인덱스될 수도 있다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 바람직하게는 샤프트(10)가 중공 도전체(C) 둘레에 동축선상으로 배열된다. 이는 피복(14)의 자구를 원주 방향으로 극성화시키기 위한 간단하지만 효율적인 배열이다. 샤프트를 회전시키는 한가지 방법은 샤프트가 지지되는 벨트 구동 척을 통하는 것이다. 도전체(C)는 구리와 같이 낮은 자기 투과성을 가지는 도전성 재질의 파이프다. 중공 도전체(C)는 축방향으로 별도의 지점(T1 및 T2)에서 전류(I)의 전원(A)에 전기적으로 연결되어 있다. 도전체(C)를 통하여 직류 전류가 흐르는 것에 의해, 원주 방향의 자기장이 도전체 주위에 발생된다. 샤프트(10) 및 도전체(C)의 물질들에 비하여 높은 피복 물질의 자기 투과성 때문에, 원주 방향의 자기장은 피복(14)에 집중된다. 도전체(C)는 속이 비어 있기 때문에, 높은 전류가 사용되는 것이 가능하도록 도전체를 통해 냉매가 흐를 수도 있다. 대안적으로, 부재(14)가 속이 완전히 채워져 있거나 파이프를 수용할 수 있도록 충분히 큰 내부 중공을 가지지 않으며 또한 우수한 도전체이면, 전류는 부재(14)를 통하여 직접 흐를 수 있다.
부재(14)를 원주 방향으로 극성화시키기 위하여, 분사가 완료되고 피복이 자기탄성 물질(M)의 퀴리 온도 이하로 냉각된 다음 직류 전류가 도전체(C)를 통해 흐른다. 바람직하게는, 직류는 또한 분사 공정 동안 도전체(C)를 통해 흐른다. 화살표로 지시된 방향으로 전류(I)를 이용하는 것에 의해 피복(14)은 주위의 원주 방향 자기장을 통하여 분사되고, 피복상에 화살표로 지시된 원주 방향으로 자기 극성화된다.
다음은 상술된 바와 같이 수냉식 내부 구리 파이프를 가지는 중공 샤프트 상에 형성되고 원주 방향으로 극성화된 자기탄성 트랜스듀서 피복을 위한 예시 데이터다.
열 분사 건 = 콩코드, 엔에취에 소재한 타파 사의 모델 5220
입자 속도 = 3000 - 3400 ft/sec
M = 콩코드, 엔에취에 소재한 타파 사의 #1166F 니켈 분말
퀴리 온도 = 360℃
X 방향으로의 노즐(N)의 축 속도 = 120 inch/min
샤프트의 RPM = 600
피복(14)의 두께 = 0.010 inch
분사 동안 파이프(C)를 통한 전류(I) = 직류 500 A
냉각후 파이프(C)를 통한 전류(I) = 2분 동안 500 A
도 2b는 환형부(141 및 142)를 형성하도록 피복(14)(또는 각각 경계선(141p 및 142p)에 인접해 있는 별도의 제 1 및 제 2 피복)을 자화시키는 다른 방법을 도시한다. 이 환형부들은 각 환형부 상에 화살표로 지시된 서로 반대의 원주 방향으로 축선(12) 둘레에서 자기적으로 극성화된다. 이 환형부들의 반대 방향 자화는 제 1 및 제 2 플럭스 안내 자화기(F1 및 F2)의 사용에 의해 달성된다. 이중 한 개가 도 3에 확대되고 좀더 상세하게 도시되어 있다.
이 자화기들 각각은 높은 자기 투과성 물질의 플레이트를 포함하며, 이 플레이트는, 끝에서 보아, 개방단을 가지는 사다리꼴과 유사한 형태로 휘어져있다. 개방단은 자화기가 자기탄성 피복(14)에 결합되는 것에 의해 자기장이 발생되는 공극(g)을 형성한다. 자기장은 전원(A)에 의해 직류 전류를 공급받는 권선(W)을 통해 자화기 내에 전개된다. 자화기(F1 및 F2)를 위한 권선들에는, 도 2b에 화살표로 도시된 반대 극성의 자기장이 발생되도록 서로 반대 방향으로 흐르는 각각의 직류 전류들이 공급된다. 제 1 및 제 2 환형부(141 및 142)의 원주 방향 자화는, 환형부들에 매우 근접하여 위치된 자화기(F1 및 F2)의 공극(g)을 가지고 샤프트를 축(12) 둘레로 회전시키는 것에 의해 달성된다.
도 1a의 토크 검출 장치의 작동은 도 1a와 도 1b를 함께 참조하는 것에 의해 더 잘 이해될 수 있다. 도 1a는 어떤 토크도 샤프트(10)에 인가되지 않을 때 존재하는 상태를 도시한다. 이 상태에서, 자기탄성 애뉼러(14)는 평형 상태로 있고, 제 1 및 제 2 환형부(141 및 142) 내의 분극화된 자기장은 각각의 화살표로 지시된 방향으로 길이 방향 축선(12) 둘레의 원주 방향으로, 그러나 서로 반대로, 정위된다.
도 1b는 토크가 축선(12) 둘레의 샤프트(10)에 인가되고 그러므로 비틀림 응력을 자기탄성 애뉼러(14)에 인가할 때, 존재할 수 있는 두 개의 다른 상태들을 도시한다. 만약 토크가 샤프트의 양단에 시계방향으로 인가되면, 그 결과로 인한 제 1 및 제 2 환형부(141 및 142)의 응력은 각각의 극성화된 자기장이 실선 화살표로 지시된 방향에서 나선형으로 정위하게 되도록 야기한다. 이 자기장들 각각은 가까운 경계선(141p, 및 142p)의 각 하나로부터 먼 경계선(141r 및 142r)의 각 하나까지 정위하는 축 요소를 가진다. 이 축 요소들은 하우징(16)을 통해, 검출기(20 및 22)를 통해 반경 내측 방향으로 먼 경계선들에서, 애뉼러(14)의 외측에 결합되고, 링(18)에 의해 가까운 경계선들에서 애뉼러에 다시 결합된다. 반대로, 만약 토크가 샤프트의 양단에 반시계 방향으로 인가되면, 그 결과로 인한 제 1 및 제 2 환형부(141 및 142)의 응력은 각각의 극성화된 자기장이 점선 화살표로 지시된 방향에서 나선형으로 정위하게 되도록 야기한다. 이 자기장들 각각은 먼 경계선(141r 및 142r)의 각 하나로부터 가까운 경계선(141p 및 142p)의 각 하나까지 정위하는 축 요소를 가진다. 이 축요소들은 가까운 경계선들에서 링(18)을 통해, 검출기(20 및 22)를 통해 반경 외측으로, 애뉼러(14)의 외측으로 결합되고, 하우징(16)에 의해 먼 경계선들에서 애뉼러에 다시 결합된다.

Claims (30)

  1. 내부에 포함된 자기장이 부재가 정지 상태에 있을 때에는 축선 둘레의 원주 방향 정위를 가지지만 상당한 비틀림 응력이 축선 주위에서 부재에 인가될 때에는 원주 방향 정위로부터 왜곡되어 상기 응력을 나타내는 측정가능한 외부 자기장 성분을 발생시키며 내부에 포함된 자기장을 발생시키기 위한 자기탄성 트랜스듀서를 길이 방향의 축선을 갖는 부재 상에 제공하기 위한 방법에 있어서,
    a. 자기변형 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서, 축선을 둘러싸는 부재의 표면 영역에 본질적으로 자기변형 물질로 이루어진 원주 피복을 인가하는 단계와,
    b. 상기 퀴리 온도보다 낮은 온도로 상기 피복을 냉각시키는 단계와, 그리고
    c. 적어도 상기 피복 온도가 상기 퀴리 온도보다 낮은 상태에 있는 동안, 축선 둘레의 미리 결정된 원주 방향으로 상기 피복을 자기적으로 극성화하도록 상기 피복에 자기장을 인가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 자기변형 물질이 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 피복이 자기변형 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서 자기변형 물질을 도포하는 것에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 피복이 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 피복이 열 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 피복이 냉 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 분사 공정은 적어도 피복이 형성되는 공간 내의 축선을 원주 방향으로 둘러싸는 자기장을 통과하여 자기변형 물질을 분사하는 것에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 피복이 적어도 상기 피복에 의해 점유된 공간 내의 축선을 원주 방향으로 둘러싸는 자기장을 발생시키는 것에 의해 자기적으로 극성화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 부재가 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 피복의 제 1 및 제 2 축선 방향 연장부가 축선 둘레의 서로 반대의 제 1 및 제 2 원주 방향으로 자기 극성화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 내부에 포함된 자기장이 부재가 정지 상태에 있을 때에는 축선 둘레의 원주 방향 정위를 가지지만 상당한 비틀림 응력이 축선 주위에서 부재에 인가될 때에는 원주 방향 정위로부터 왜곡되어 상기 응력을 나타내는 측정가능한 외부 자기장 성분을 발생시키며 내부에 포함된 자기장을 각각 발생시키기 위한 제 1 및 제 2 자기탄성 트랜스듀서부를 길이 방향의 축선을 갖는 부재 상에 제공하기 위한 방법에 있어서,
    a. 자기변형 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서, 축선을 둘러싸는 부재의 제 1 및 제 2 표면 영역에 본질적으로 자기변형 물질로 각각 이루어진 제 1 및 제 2 원주 피복을 각각 인가하는 단계와,
    b. 상기 퀴리 온도보다 낮은 온도로 상기 제 1 및 제 2 피복을 냉각시키는 단계와, 그리고
    c. 적어도 상기 피복 온도가 상기 퀴리 온도보다 낮은 상태에 있는 동안, 축선 둘레의 서로 반대의 제 1 및 제 2 원주 방향으로 각각의 상기 피복들을 자기적으로 극성화하도록 상기 제 1 및 제 2 피복에 각각의 자기장을 인가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 피복이 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 자기변형 물질이 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 피복이 자기변형 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서 자기변형 물질을 도포하는 것에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 피복이 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 피복이 열 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 피복이 냉 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 분사 공정은 적어도 피복이 형성되는 공간 내의 축선을 원주 상으로 둘러싸는 자기장을 통과하여 자기변형 물질을 분사하는 것에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 11 항에 있어서, 상기 피복이 적어도 상기 피복에 의해 점유된 공간 내의 축선을 원주 상으로 둘러싸는 자기장을 발생시키는 것에 의해 자기적으로 극성화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 부재가 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 내부에 포함된 자기장이 부재가 정지 상태에 있을 때에는 축선 둘레의 원주 방향 정위를 가지지만 상당한 비틀림 응력이 축선 주위에서 부재에 인가될 때에는 원주 방향 정위로부터 왜곡되어 상기 응력을 나타내는 측정가능한 외부 자기장 성분을 발생시키며 내부에 포함된 자기장을 각각 발생시키기 위한 제 1 및 제 2 자기탄성 트랜스듀서를 길이 방향의 축선을 갖는 부재 상에 제공하기 위한 방법에 있어서,
    a. 자기변형 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서, 축선을 둘러싸는 부재의 표면 영역에 본질적으로 자기변형 물질로 이루어진 원주 피복을 인가하는 단계와,
    b. 상기 퀴리 온도보다 낮은 온도로 상기 피복을 냉각시키는 단계와, 그리고
    c. 적어도 상기 피복 온도가 상기 퀴리 온도보다 낮은 상태에 있는 동안, 축선 둘레의 서로 반대의 제 1 및 제 2 원주 방향으로 각각의 제 1 및 제 2 피복부를 자기적으로 극성화하도록 피복의 축선 방향으로 인접한 제 1 및 제 2 피복부에 제 1 및 제 2 자기장을 각각 인가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 피복이 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 21 항에 있어서, 상기 자기변형 물질이 니켈을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 21 항에 있어서, 상기 피복이 자기변형 물질의 퀴리 온도를 초과하는 온도에서 자기변형 물질을 도포하는 것에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 21 항에 있어서, 상기 피복이 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 피복이 열 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 25 항에 있어서, 상기 피복이 냉 분사 공정에 의해 상기 부재 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 25 항에 있어서, 상기 분사 공정은 적어도 피복이 형성되는 공간 내의 축선을 원주 상으로 둘러싸는 자기장을 통과하여 자기변형 물질을 분사하는 것에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 21 항에 있어서, 상기 피복이 적어도 상기 피복에 의해 점유된 공간 내의 축선을 원주 상으로 둘러싸는 자기장을 발생시키는 것에 의해 자기 극성화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 21 항에 있어서, 상기 부재가 샤프트를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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