KR20010004475A - 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법 및 이 방법을 이용하는 장치에 관한 것으로, 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법은 공정용 공기를 유입시키는 단계와; 유입되는 공기를 분사되는 물에 통과시켜 제습 및 가습을 동시에 실시하는 단계와; 상기 제습 및 가습이 실시된 공기를 가열하는 단계와; 상기 가열된 공기를 반도체 설비측으로 배출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 장치는 하우징과; 공정용 공기가 흡입되는 통로를 이루고 상기 하우징의 내부로 공기를 분사하는 노즐부가 구비된 공기 흡입 파이프와; 상기 공기흡입파이프의 노즐부를 통해 상기 하우징의 내부에 분사되는 공기가 물 분자와 충돌하면서 제습 및 가습이 동시에 이루어지도록 상기 하우징의 내부로 물을 공급하는 물 공급 수단과; 상기 물 공급 수단의 물을 이슬점 온도로 냉각시키는 냉각 수단과; 상기 물 공급 수단에 의해 제습 및 가습이 실시된 공기를 소정의 온도로 가열하기 위한 가열 수단과; 상기 가열 수단에 의해 가열된 공기를 반도체 설비측으로 공급하는 공기 배출 파이프를 포함하여서 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 다단계 과정에서 발생하는 에너지 손실을 줄이고, 시스템 전체의 오차를 최소화함과 아울러 안정된 동작을 수행할 수 있으며, 장치의 구성이 간단하여 고장을 최소화되고, 가열에 필요한 에너지 소모와 제어의 안정성을 증가시킬 수 있다.

Description

반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS OF TEMPERATURE HUMIDITY CONTROLLER FOR SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치(THC :Temperature Humidity Controller)에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 공정용 공기가 이슬점 온도로 냉각된 물줄기를 통과하면서 항온항습 과정에서 필요로 하는 제습과 가습 과정이 동시에 수행되도록 한 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법 및 장치에 관한 것이다.

통상, 반도체 소자를 제조할 때에는 매우 정밀한 공정 조건이 요구되는 것이 일반적이며, 정밀한 공정 조건을 만족시키기 위해서는 반도체 설비로 공급되는 공정용 공기 또한 그 온도 및 습도가 적정 수준으로 제어되어야 하므로, 종래의 반도체 생산 라인에서는 반도체 설비의 공기 공급단에 공정용 공기의 온도 및 습도를 알맞게 조절할 수 있는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치를 설치하고, 이를 통해 공정용 공기의 온도 및 습도를 균일화 한 후 온도·습도가 균일화된 공정용 공기를 반도체 설비로 신속하게 공급하므로써, 소정의 기준 조건을 만족하는 우수한 반도체 소자가 양호하게 제조될 수 있도록 노력하고 있다.

이러한 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치는 일반적으로 도 1에 도시한 바와 같이, 케미컬 필터, 제습 수단, 가열 수단, 가습 수단으로 구성되며, 이들은 서로 개별/배치된 상태로 덕트를 통해 연결된다. 이에 따라, 외부로부터 공정용 공기가 공급되면, 공정용 공기내의 특정 성분, 예컨대, 암모니아가 케미컬 필터를 통하면서 필터링되고, 암모니아가 필터링된 공정용 공기는 덕트를 통해 제습 수단으로 공급된다.

이어서, 공정용 공기는 공기에 포함된 일정량의 수분이 제거되도록 제습 수단에 의해 냉각되고, 수분이 제거된 공정용 공기는 덕트를 통해 가열 수단으로 공급되어 적정 수준의 온도로 가열되며, 이후 덕트를 통해 가습 수단으로 공급되어 제습 수단에 의해 과잉 제습된 공정용 공기 내의 수분이 보충된 후, 덕트를 통해 반도체 설비로 공급된다.

따라서, 반도체 설비에는 상술한 과정을 통해 적정한 온도·습도(예를 들어 23℃, 40%)로 조절된 공정용 공기가 공급된다.

상기한 항온항습 공기 공급장치에 있어서, 제습 기능을 수행하기 위한 제습 수단은 일반적으로 압축기 및 냉각관을 포함하도록 구성되는바, 이러한 제습 수단은 냉각관으로 소정의 냉각용 공기, 예컨대, 프레온 가스를 플로우시키고, 냉각관과 접촉되도록 공정용 공기를 플로우시켜 공기를 냉각시킴으로써, 공정용 공기 내의 수분이 양호하게 제거될 수 있도록 구성되어 있다.

그런데, 상기와 같이 프레온 가스를 이용하는 제습 수단에 있어서는, 프레온 가스의 사용으로 인해 환경 문제 및 소음 문제가 크게 대두되고, 장치의 점유 면적이 증가하는 문제점이 있었다.

또한, 장치를 구성하는 제습 수단, 가열 수단, 가습 수단 등이 하나의 유닛으로 묶이지 못하고 서로 개별/배치된 상태로 덕트를 통해 연결되기 때문에, 장치를 전체적으로 관리하기가 매우 어려웠다.

이에 따라, 최근에는 공정용 공기의 냉각 방식을 프레온 가스 플로우 방식에서 반도체 소자들을 이용한 방식으로 개선하므로써 상기 문제점들을 해결할 수 있도록 한 항온항습 공기 공급장치가 개발되었는바, 이를 도 2를 참조로 설명하면 다음과 같다.

도 2는 종래 기술에 따른 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치의 구성을 나타내기 위한 사시도를 도시한 것이다.

도시한 바와 같이, 하우징(101)의 일측면, 예컨대, 상측면에는 공정용 공기를 공급받는 공기 공급구(102)가 배치되며, 공기 공급구(102)의 저부에는 하우징(101)으로 공급되는 공정용 공기의 암모니아 성분을 일정량(예를 들어, 1ppb 미만)으로 필터링하는 케미컬 필터(110)가 배치된다.

한편, 하우징(101)의 측벽에 형성된 개구(A)에는 제습 기능을 갖는 제습 수단(120)이 쌍을 이루어 끼워지는 데, 이러한 제습 수단(120)은 반도체 소자들의 동작에 의해 그 표면이 신속히 냉각되어, 플로우되는 공정용 공기의 온도를 드롭시키는 역할을 수행함으로써, 공정용 공기에 포함되어 있는 다량의 수분을 제거한다.

상기 제습 수단(120)은 연속하여 배열된 다수개의 냉각핀들(121a) 및 도시하지 않은 반도체 소자들이 구비된 냉각판(121)과, 반도체 소자들 사이에 불필요한 열 교환이 이루어는 것을 방지하기 위한 열차단판(122)과, 반도체 소자들로부터 발생하는 열을 외부로 방출하는 기능을 수행하는 방열판(123)과, 외부의 충격으로부터 반도체 소자들을 보호하기 위한 커버판(124)의 연속된 적층구조로 형성된다.

그리고, 하우징(101)에 형성된 다른 개구(B)에는 가열 기능을 갖는 가열 수단(130)이 쌍을 이루어 끼워지는 데, 가열 수단(130)은 코일(131)로 전달되는 열에너지에 의해 신속히 가열되어, 플로우되는 공정용 공기의 온도를 상승시키는 역할을 수행하므로써 제습 수단(120)에 의해 냉각된 공정용 공기의 온도를 보상한다.

또한, 하우징(101)의 저부에는 가습 기능을 갖는 가습 수단(140)이 배치되는 데, 가습 수단(140)은 초음파기를 통해 수분을 분무하여, 플로우되는 공정용 공기의 수분을 보충하는 역할을 수행하므로써, 제습 수단(120)에 의해 과잉 제습된 공정용 공기 내의 수분을 보강한다.

이와 같이, 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치(100)를 구성하는 제습 수단(120), 가열 수단(130), 가습 수단(140) 등은 모두 하우징(101)에 끼워지거나 탑재되어 하나의 유닛을 이룬다.

여기서, 반도체 소자들은 열전 기능이 탁월한 Bi₂Te₃, Bi₂Se₃, Sb₂Te₃중의 어느하나, 예컨대, Bi₂Te₃로 구성될 수 있다.

이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 항온항습 공기 공급장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

공기 공급구(102)를 통해 하우징으로 유입된 공정용 공기는 케미컬 필터(110)에 의해 필터링된 후 제습 수단(120)으로 플로우되고, 제습 수단(120)으로 유입된 공정용 공기는 냉각핀들(121a)을 경유하여 플로우되면서 냉각되며, 공기가 냉각되면 공기에 함유되어 있던 기체 상태의 수분이 급격히 액화되어 하우징(101)의 저부로 드롭된다.

그리고, 제습 수단(120)의 제습 과정을 통해 제습된 공정용 공기는 가열 수단(130)으로 유입되어 제습 수단(120)에 의해 냉각된 공정용 공기의 온도가 보상되며, 가열 수단(130)의 가열 과정을 통해 온도가 보상된 공정용 공기는 하우징(101)의 저부에 배치된 가습 수단(140)으로 유입된다.

이때, 가습 수단(140)은 초음파기를 통해 수분을 분무하므로써, 제습 수단(120)에 의해 과잉 제습된 수분이 보강되도록 한다.

이후, 가습 수단(140)의 가습 과정을 통해 습도가 보상된 공정용 공기는 송풍기(미도시)를 거쳐 외부의 반도체 설비로 공급되고, 반도체 설비는 상술한 과정을 통해 온도·습도가 조절된 공정용 공기를 공급받아 양호한 반도체 소자 제조공정을 진행시킨다.

그런데, 상기와 같이 구성된 종래의 항온항습 공기 공급장치에 의하면, 다음과 같은 문제점이 있었다.

먼저, 종래의 공기 공급장치는 공정용 공기를 제습한 후 원하는 습도와 온도로 다시 가습과 가열하도록 되어 있으므로 공정용 공기를 만들기 위한 과정이 복잡하며, 제습과 가습 과정이 강제적인 방식으로 진행되기 때문에 에너지 손실이 많다.

또한, 가습을 위해 별도로 설치하여야 하는 가습기(가열식 또는 초음파식)는 정밀한 제어가 필요하며, 원하는 정밀도를 얻기가 쉽지 않고, 고장이 자주 발생된다.

그리고, 제습과 가열 및 가습을 각각 제어해야 하므로 제어가 복잡하고 일률적인 제어가 어렵다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 공정용 공기가 이슬점 온도 이하로 냉각된 물줄기를 통과하면서 항온항습 과정에서 필요로 하는 제습과 가습 과정이 동시에 수행되도록 한 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치를 제공함을 목적으로 한다.

도 1은 일반적인 반도체 설비용 항온항습 공기 공급방법의 공정도.

도 2는 종래 기술에 따른 항온항습 공기 공급장치의 사시도.

도 3은 본 발명에 의한 반도체 설비용 항온항습 공기 공급방법의 공정도.

도 4는 본 발명에 따른 항온항습 공기 공급장치의 구성을 개략적으로 보인 단면도.

도 5는 도 4에서 순환파이프의 노즐부의 확대도.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

11 : 하우징 12 : 노즐부

13 : 공기흡입파이프 14 : 공기배출파이프

15 : 순환파이프 16 : 반도체 소자

17 : 열선 18 ; 가변저항 및 저항조절레버

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법은 공정용 공기를 유입시키는 단계와; 유입되는 공기를 분사되는 물에 통과시켜 제습 및 가습을 동시에 실시하는 단계와; 상기 제습 및 가습이 실시된 공기를 가열하는 단계와; 상기 가열된 공기를 반도체 설비측으로 배출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 공정용 공기로 분사되는 물을 이슬점 온도로 냉각시키는 단계가 더 포함되는 것이 바람직하다.

한편, 본 발명에 따른 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법을 이용한 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 장치는 하우징과; 공정용 공기가 흡입되는 통로를 이루고 상기 하우징의 내부로 공기를 분사하는 노즐부가 구비된 공기 흡입 파이프와; 상기 공기흡입파이프의 노즐부를 통해 상기 하우징의 내부에 분사되는 공기가 물 분자와 충돌하면서 제습 및 가습이 동시에 이루어지도록 상기 하우징의 내부로 물을 공급하는 물 공급 수단과; 상기 물 공급 수단의 물을 이슬점 온도로 냉각시키는 냉각 수단과; 상기 물 공급 수단에 의해 제습 및 가습이 실시된 공기를 소정의 온도로 가열하기 위한 가열 수단과; 상기 가열 수단에 의해 가열된 공기를 반도체 설비측으로 공급하는 공기 배출 파이프를 포함하여서 이루어지는 것을 특징으로 한다.

상기 물 공급 수단은, 양단부가 상기 하우징의 상하부에 연결되어 물의 순환통로를 이루는 순환파이프와, 상기 순환파이프의 소정부위에 설치되어 순환파이프 내의 물을 순환시키는 펌프를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 냉각 수단은 흡열부와 방열부를 구비하는 반도체 소자로서, 상기 흡열부에 상기 순환파이프가 통과되도록 설치되는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 공기 배출 파이프는 제습 및 가습이 실시된 공기가 상기 가열수단에 의해 가열되기 전에 예열이 실시되도록 상기 냉각수단의 방열부를 통과하도록 설치되는 것이 바람직하다.

아울러 상기 가열 수단은, 상기 공기 배출 파이프의 출구측에 설치되는 열선과, 상기 열선에 공급되는 전류량을 가변하기 위한 가변저항 및 가변저항 조절용 레버로 구성되는 것이 바람직하다.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법 및 장치에 의하면, 제습, 가습, 가열 과정의 3단계를 제습 및 가습, 가열 과정의 2단계로 감소시킬 수 있으므로 다단계 과정에서 발생하는 에너지 손실을 줄일 수 있고, 제습 과정과 가습 과정을 정밀하게 제어할 필요가 없으므로 시스템 전체의 오차를 최소화함과 아울러 안정된 동작을 수행할 수 있다.

또한, 장치의 구성이 간단하여 고장을 최소화할 수 있고, 가열에 필요한 에너지 소모와 제어의 안정성을 증가시킬 수 있는 등의 효과가 있다.

이하, 첨부도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 항온항습 공기 공급장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 본 발명에 따른 항온항습 공기 공급장치 이해를 돕기 위해 본 발명의 원리를 간단히 설명한다.

일반적으로, 상대습도(relative humidity)는 하기 식 (1)에서 보이는 바와 같이 포화수증기압과 현재 수증기압의 비로 나타낼 수 있다.

상대습도={현재 수증기압/포화수증기압}×100 ---------- (1)

그런데, 포화수증기압은 그 온도에서의 공기안에 포함된 수증기의 양을 의미하는 것이므로 온도에 비례하여 그 값이 달라지며, 온도가 하강하면 그 온도에서의 포화수증기압도 하강한다.

따라서, 포화수증기압이 하강하면 상대습도는 상승되며, 만일 온도가 계속 하강하여 상대습도가 100%가 된 이후로는 온도가 더이상 하강되어도 상대습도는 상승되지 않고, 여분의 수증기는 응결의 과정을 거치게 된다.

이와 같이 상대습도가 100%가 되는 온도를 이슬점(dew point)이라고 하며, 이 온도 이하로의 냉각은 공기중의 수증기량을 감소시키는 역할을 한다.

이에 따라, 종래의 항온항습 공기 공급장치는 반도체 소자(또는 프레온 가스)를 이용하여 공기 온도를 이슬점 이하로 냉각하므로써 공기중의 습도를 최소화한 후에 가습 과정과 가열 과정을 거치도록 되어 있었다.

이에 반하여, 본 발명의 항온항습 공기 공급장치는 원하는 온도에 맞는 이슬점으로 공기를 냉각하는 과정이 소정의 온도로 냉각된 물에 의해 수행되도록 하므로써, 제습 과정과 가습 과정과 동시에 수행되도록 한 것이다.

이를 도 4 및 도 5를 참조로 상세히 설명하면, 하우징(11)의 하부측에는 하우징(11)의 상부측으로 공기를 분사하기 위한 노즐부(12)가 설치되어 있고, 노즐부(12)는 공기 흡입 파이프(13)에 연결되어 있으며, 하우징(11)의 상부측에는 공정용 공기를 반도체 설비측으로 공급하기 위한 공기 배출 파이프(14)가 설치되어 있다.

그리고, 하우징의 상부측에는 노즐부(12)를 통해 분사되는 공기와 충돌됨으로써 공기가 소정의 온도(이슬점)로 냉각되도록 하우징의 내부로 물줄기를 공급하는 순환파이프(15)의 일단부에는 노즐부(15a)가 설치되어 있고, 순환파이프(15)의 타단부는 하우징(11)의 저부 측면에 연결되어 있으며, 순환파이프(15)의 중간 부분에는 하우징(11)의 저부에 고인 물을 펌핑하여 하우징의 상부측으로 공급하기 위한 펌프(P)가 설치되어 있다.

이에 따라, 하우징(11)의 내부로 공급되는 물은 순환파이프(15)를 통해 계속적으로 순환되게 된다.

한편, 하우징(11)의 상부에는 방열부와 흡열부를 구비하는 반도체 소자(16)가 설치되어 있고, 순환파이프(15)는 반도체 소자(16)의 흡열부를 통과하도록 설치되어 있으며, 공기 배출 파이프(14)는 반도체 소자(16)의 방열부를 통과하도록 설치되어 있다.

그리고, 공기 배출 파이프(14)의 내부에는 공정용 공기를 소정의 온도(예를 들어 23℃)로 가열하기 위한 열선(17)이 설치되어 있고, 열선 및 상기 열선에 전원을 공급하는 전원 공급 수단 사이에는 가변저항 및 저항 조절 레버(18)가 설치되어 있다.

이하, 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면 다음과 같다.

일반적으로, 반도체 공정에서 요구하는 공정용 공기의 온도 및 습도값은 23℃, 40%이므로, 이를 이슬점 도표에서 환산해보면 이슬점 온도는 8.8℃이다.

즉, 8.8℃에서 100%의 상대습도를 갖는 공기는 23℃에서 40%의 습도를 갖게 된다.

따라서, 반도체 소자(16)의 흡열부를 통과하면서 소정의 온도(공정용 공기를 8.8℃로 냉각하기 위한 온도)로 냉각된 물이 하우징(11)의 내부로 공급될 때, 공기 흡입 파이프(13)를 통해 유입된 공정용 공기는 노즐부(12)를 통해 하우징의 상부측으로 분사되면서 저온의 물줄기를 통과하게 되며, 이때, 공기 입자가 물 분자와 충돌하게 되어 공정용 공기가 이슬점(8.8℃)으로 냉각된다.

여기에서, 공정용 공기를 이슬점으로 냉각하는 과정은 물의 온도를 조절하거나, 공기 입자와 물 분자간에 충분한 충돌이 일어나도록 경로를 조절하는 것에 의해 달성될 수 있다.

본 발명에서는 상기와 같은 공기 냉각 과정에서 제습과 가습이 동시에 이루어지는바, 공정용 공기가 이슬점 온도로 냉각되었을 때 공기중의 수증기량이 너무 많은 경우에는 여분의 수증기가 응결되고, 수증기량이 부족할 경우에는 상대습도가 100%가 될 때까지 수분을 흡수하게 되므로, 공기 배출 파이프로 공급되는 공정용 공기는 8.8℃의 이슬점 온도하에서 100%의 상대습도를 갖게 된다.

상기와 같은 가습 과정에 의하면, 여분의 습기는 이슬점하에서 응결하게 되므로 아무리 습기가 많이 제공되어도 상대습도는 변화하지 않게 된다.

따라서, 공정용 공기에 필요량 이상의 습기만 제공하면 되므로 가습 과정에 정밀한 제어가 필요없다.

이와 같이 이슬점을 이용한 방식은 기존의 강제 제습 및 가습이 가지는 문제점을 최소화할 수 있는바, 우선 과도로 제습하고 다시 가습함으로써 생기는 불필요한 에너지의 낭비를 막고 원하는 목표치에 바로 다다를 수 있는 가장 자연스런 경로를 제공한다. 따라서, 강제 방식에서 생기는 부품의 과도한 부하와 고장을 막고 정밀 제어에 따른 오차 범위를 좁힐 수 있으므로, 습도의 정밀한 조절과 안정성이 보장되며, 또한 간단한 조절 요소로 인한 경비와 에너지 효율의 향상, 그리고 동작시의 안정도를 높일 수 있다.

그리고, 공정용 공기를 냉각한 후 하우징(11)의 저부에 고인 물은 펌프(P)에 의해 펌핑되어 반도체 소자(16)의 흡열부를 통과하면서 재냉각된 후 하우징의 내부로 다시 공급된다.

한편, 8.8℃의 이슬점 온도하온도에서 100%의 상대습도를 갖게된 공정용 공기는 공기 배출 파이프(14)를 통과하면서 반도체 소자(16)의 방열부에 의해 예열되며, 이후, 열선(17)을 통과하면서 23℃의 온도로 가열된다.

이와 같이 하면, 가열을 위한 열선의 부담을 줄일 수 있으므로, 열효율을 증대시킬 수 있다.

따라서, 열선을 통과한 후 반도체 설비로 공급되는 공정용 공기는 23℃의 온도와 40%의 습도를 가지게 된다.

이상에서는 본 발명의 실시예에서는 공정용 공기가 하우징의 하측에서 상측으로 분사되는 경우를 설명하였으나, 그 외에도 상측에서 하측으로 분사되는 경우나, 다른 방향으로 분사되는 경우도 가능한 것으로, 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.

그리고, 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치에 의하면, 제습, 가습, 가열 과정의 3단계를 제습 및 가습, 가열 과정의 2단계로 감소시킬 수 있으므로 다단계 과정에서 발생하는 에너지 손실을 줄일 수 있고, 제습 과정과 가습 과정을 정밀하게 제어할 필요가 없으므로 시스템 전체의 오차를 최소화함과 아울러 안정된 동작을 수행할 수 있으며, 장치의 구성이 간단하여 고장을 최소화할 수 있고, 가열에 필요한 에너지 소모와 제어의 안정성을 증가시킬 수 있는 등의 효과가 있다.

Claims (9)

1. 공정용 공기를 유입시키는 단계와;

   유입되는 공기를 분사되는 물에 통과시켜 제습 및 가습을 동시에 실시하는 단계와;

   상기 제습 및 가습이 실시된 공기를 가열하는 단계와;

   상기 가열된 공기를 반도체 설비측으로 배출시키는 단계를 포함하는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 분사되는 물에 의하여 공정용 공기의 온도를 이슬점 온도로 냉각시키는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 분사되는 물을 반도체 소자에 의해 냉각시키는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법.
4. 제 2 항에 있어서,

   상기 분사되는 물을 프레온 가스에 의해 냉각시키는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 방법.
5. 하우징과;

   공정용 공기가 흡입되는 통로를 이루고 상기 하우징의 내부로 공기를 분사하는 노즐부가 구비된 공기 흡입 파이프와;

   상기 공기흡입파이프의 노즐부를 통해 상기 하우징의 내부에 분사되는 공기가 물 분자와 충돌하면서 제습 및 가습이 동시에 이루어지도록 상기 하우징의 내부로 물을 공급하는 물 공급 수단과;

   상기 물 공급 수단의 물을 이슬점 온도로 냉각시키는 냉각 수단과;

   상기 물 공급 수단에 의해 제습 및 가습이 실시된 공기를 소정의 온도로 가열하기 위한 가열 수단과;

   상기 가열 수단에 의해 가열된 공기를 반도체 설비측으로 공급하는 공기 배출 파이프;

   를 포함하여서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치.
6. 제 3 항에 있어서, 상기 물 공급 수단은, 양단부가 상기 하우징의 상하부에 연결되어 물의 순환통로를 이루는 순환파이프와, 상기 순환파이프의 소정부위에 설치되어 순환파이프 내의 물을 순환시키는 펌프를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치.
7. 제 4 항에 있어서,

   상기 냉각 수단은 흡열부와 방열부를 구비하는 반도체 소자로서, 상기 흡열부에 상기 순환파이프가 통과되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치.
8. 제 5 항에 있어서,

   상기 공기 배출 파이프는 제습 및 가습이 실시된 공기가 상기 가열수단에 의해 가열되기 전에 예열이 실시되도록 상기 냉각수단의 방열부를 통과하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급 장치.
9. 제 3 항에 있어서,

   상기 가열 수단은, 상기 공기 배출 파이프의 출구측에 설치되는 열선과, 상기 열선에 공급되는 전류량을 가변하기 위한 가변저항 및 가변저항 조절용 레버로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 설비용 항온항습 공기 공급장치.