KR20010002338A - 고주파 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

고주파 플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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KR20010002338A
KR20010002338A KR1019990022090A KR19990022090A KR20010002338A KR 20010002338 A KR20010002338 A KR 20010002338A KR 1019990022090 A KR1019990022090 A KR 1019990022090A KR 19990022090 A KR19990022090 A KR 19990022090A KR 20010002338 A KR20010002338 A KR 20010002338A
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유은호
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구자홍
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Abstract

본 발명은 비교적 낮은 주파수를 갖는 고주파 신호로써 유지 방전을 일으킬 수 있는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀의 길이 방향의 일측단에 형성되는 고주파전극과, 고주파전극과 대향되게끔 방전셀의 길이 방향의 타측단에 형성되는 스캔전극을 구비한다.
이와 같은 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서는 유지방전시 전자들이 고주파전극과 스캔전극 사이에서 방전셀의 길이 방향으로 진동운동을 하게 됨으로써 격벽 높이를 증가시키지 않고도 비교적 낮은 주파수의 고주파 신호로써 유지 방전을 일으킬 수 있게 된다.

Description

고주파 플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel Drived with Radio Frequency Signal}
본 발명은 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 비교적 낮은 주파수를 갖는 고주파 신호로써 유지 방전을 일으킬 수 있는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 가스방전에 의해 발생되는 자외선이 형광체를 여기시켜 형광체로부터 가시광선이 발생되는 것을 이용한 표시장치이다. PDP는 지금까지 표시수단의 주종을 이루어왔던 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)에 비해 두께가 얇고 가벼우며 고선명 대형화면의 구현이 가능하다는 점과 넓은 시야각을 갖는다는 점등의 장점이 있다. PDP에서는 유지방전의 횟수를 조절함에 의해 화상표시에 필요한 단계적인 밝기, 즉 그레이 스케일(Gray Scale)을 구현한다. 종래의 교류 면방전 PDP에서는 유지방전을 수행하기 위해 통상 듀티(Duty)비가 1인 교류구형펄스를 방전유지전극에 주기적으로 인가한다.
도 1은 종래의 교류 면방전 PDP의 방전셀 구조를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 상판(20)과 하판(22)이 일정한 거리를 두고 평행하게 설치되어 있다. 상판(20)을 구성하는 상부기판(24)의 배면에는 교류 구동 신호가 공급되어 면방전을 이루는 방전유지전극(26)쌍이 나란하게 형성된다. 방전유지전극(26)쌍 상에 형성되는 유전층(28)은 방전시 전하를 축적하는 기능을 갖는다. 유전층(28) 상에 전면 도포되는 보호층(30)은 방전시 외부충격으로부터 방전유지전극(26)쌍과 유전층(28)을 보호하여 화소셀의 수명을 연장시킨다. 하판(22)을 구성하는 하부기판(32) 상에는 어드레스 방전을 위한 데이터전극(34)이 방전유지전극(26)쌍과 상호 직각으로 교차되도록 형성된다. 하부기판(32)과 데이터전극(34) 상에는 방전시 벽전하 형성을 위한 유전층(36)이 전면 도포된다. 또한 상판(20)과 하판(22) 사이에는 도면에 도시되지 않은 격벽이 수직으로 형성된다. 격벽은 상판(20) 및 하판(22)과 함께 셀의 방전영역(38)을 형성하고, 방전셀들을 서로 구분하여 이웃한 셀 간의 상호 간섭을 차단한다. 하판(22)의 유전층(36)과 도면에 도시되지 않은 격벽 상에는 형광체(40)가 도포된다. 방전영역(38) 내에는 He+Xe 또는 Ne+Xe의 혼합가스가 충진된다.
빛이 방출되는 과정을 간략히 설명하면, 먼저 방전유지전극(26)과 데이터전극(34) 간에 어드레스 방전이 일어나 상/하 유전층(28,36)에 벽전하가 형성된다. 형성된 벽전하는 면방전에 필요한 방전전압을 낮추는 역할을 한다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들에서는 방전유지전극(26)쌍에 공급된 교류 신호에 의해 방전유지전극(26) 간에 면방전이 일어난다. 교류 신호로는 보통 주파수가 200㎑ - 300㎑인 구형 펄스가 공급된다. 이 때 방전영역(38)에서는 방전가스가 여기된 후 천이되는 과정에서 자외선이 발생한다. 발생된 자외선은 형광체(40)를 여기시켜 가시광선을 발생시키게 되고, 이로써 PDP의 화상이 구현되어진다.
교류 면방전 PDP에서 유지방전은 하나의 구형펄스에 대해서 극히 짧은 순간에 한 번씩만 발생한다. 면방전시 발생되는 하전입자들은 방전유지전극(26) 간에 형성된 방전경로를 전극 극성에 따라 이동함으로써 벽전하를 형성한다. 형성된 벽전하에 의해 방전영역(38) 내의 방전전압이 감소하게 됨으로써 방전이 멈추게 된다. 이에 따라 교류 면방전 PDP에서는 대부분의 방전 시간이 벽전하 형성 및 다음 방전을 위한 준비 단계로 소비되어 방전효율이 낮아지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 고주파(Radio Frequency) 신호에 의해 방전이 유지되는 PDP(이하 "RF PDP"라 함)가 제안되고 있다. RF PDP에서는 PDP에 공급되는 고주파 신호의 힘을 받아 방전영역 내에서 진동운동을 하는 전자가 방전가스를 연속적으로 이온화시킴으로써 거의 대부분의 방전시간동안 연속적인 방전이 이루어지게 된다.
도 2는 RF PDP의 방전셀 구조를 나타낸 사시도이다. 도 2를 참조하면, RF PDP는 하부기판(60) 상에 형성된 데이터전극(62)과, 하부기판(60) 및 데이터전극(62) 상에 형성된 유전층(64)과, 데이터전극(62)과 직교하도록 유전층(64) 상에 형성된 스캔전극(66)과, 유전층(64) 상에 수직으로 형성되어 각각의 방전셀을 구분하는 격벽(68)과, 격벽(68)의 내벽에 도포된 형광체(70)와, 일정한 공간을 사이에 두고 스캔전극(66)과 나란한 방향으로 상부기판(72)의 배면에 형성된 고주파전극(74)과, 상부기판(72)과 하부기판(60) 및 격벽(68)에 둘러싸여 형성되는 방전영역(76)을 구비한다.
RF PDP의 방전 과정을 개략적으로 설명하면, 데이터전극(62)과 스캔전극(66) 사이에 교류 구동 신호가 공급되어 두 전극(62,66) 간에 어드레스 방전이 일어난다. 이 과정에서 방전영역(76)에는 전자 및 하전입자가 생성된다. 그 다음 도 3에 도시된 바와 같이 고주파전극(74)에 공급되는 고주파 신호에 의해 방전영역(76) 내의 전자(78)들이 진동운동을 하면서 연속적인 유지방전이 일어난다. 이 때 스캔전극(66)이 고주파 신호의 접지전극이 되어 유지방전은 고주파전극(74)과 스캔전극(66) 간에 발생하게 된다. 고주파전극(74)과 스캔전극(66) 사이에서 진동운동을 하는 전자(78)들은 방전영역(76) 내의 방전가스를 여기시키며 연속적으로 방전을 일으키게 된다. 어드레스 방전 및 유지 방전시에 발생되는 자외선이 형광체(70)를 여기시켜 가시광선을 발생시키게 되고, 이에 따라 PDP의 화상이 구현되어진다.
RF PDP에서 유지방전을 일으키는 고주파 신호의 주파수와 전극 간의 거리, 즉 격벽(68)의 높이는 서로 밀접한 관련이 있다. 고주파전극(74)과 스캔전극(66) 간의 간격이 너무 좁아 그 사이에서 상하로 진동운동을 하는 전자(78)가 방전셀 내벽에 부딪히게 되면 그 전자는 유전층(64)에 벽전하로 형성되어 더 이상의 진동운동을 하지 못하게 된다. 이에 따라 전자(78)들의 운동에 의한 연속적인 방전을 더 이상 일으킬 수 없게 되어 방전효율이 저하된다. 또한 운동하는 전자의 스퍼터링에 의해 내벽이나 전극들이 충격을 받게 되어 방전셀의 열화를 초래할 수도 있다. 그리하여 방전영역(76) 내에서 상하로 진동운동을 하는 전자(78)들이 상부 및 하부 내벽에 충돌하지 않도록 하기 위해 전자(78)들에 힘을 가하는 고주파 신호의 주파수를 가능한 높게 하여야 한다. 주파수가 높아지면 고주파 신호의 극성이 빠르게 바뀐다. 그러면 상하로 교번하여 진동하는 전자(78)들의 진행 방향도 빠르게 바뀌게 되므로 전자(78)들이 벽에 부딪히기 전에 진행 방향을 바꾸도록 함으로써 전자(78)들이 방전셀 내의 상부 또는 하부 벽에 부딪히는 것을 방지할 수 있게 된다. 하지만 기술이나 비용면에서 볼 때에는 고주파 신호의 주파수가 높아짐에 따라 높은 주파수의 신호를 처리하는 RF PDP 시스템을 구현하는 것이 더욱 어려워진다. 한편 PDP에서 전자(78)들이 진동운동을 하게 되는 고주파전극(74)과 스캔전극(66) 사이의 간격은 곧 격벽(68)의 높이와 같다. 전자(78)들이 내벽에 부딪치지 않도록 하는 범위에서 고주파 신호의 주파수와 방전셀 격벽(68)의 높이는 서로 반비례 관계를 갖는다. 종래의 셀 구조에서 격벽(68)의 높이는 수십㎛ 정도로써 전자(78)들이 진동운동을 하기에는 매우 낮은 높이이다. 이와 같이 좁은 간격 사이에서 전자(78)들이 상부 및 하부 내벽에 부딪치지 않고 진동운동을 하도록 하기 위해서는 전자(78)들을 진동시키는 고주파 신호의 주파수가 수백㎒ 이상이 되어야 한다. 그리하여 고주파 신호의 주파수를 낮추기 위해 전자들의 진동 간격이 되는 격벽(68)의 높이를 최대한 높게 하기 위한 연구가 계속되고 있다. 하지만 종래의 격벽(68) 제조 기술면에서도 그 높이를 높이는 데에는 어느 정도 한계가 있고 상당한 어려움이 따르고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명의 목적은 비교적 낮은 주파수를 갖는 고주파 신호로써 유지 방전을 일으킬 수 있는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 격벽 높이의 증가없이 고주파 유지 방전을 일으킬 수 있는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널을 제공함에 있다.
도 1은 종래의 교류 면방전 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타낸 종단면도.
도 2는 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타낸 사시도.
도 3은 종래의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서의 방전셀 내부에서 발생하는 방전 메카니즘을 개략적으로 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타낸 사시도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀과 전극 배치 구조를 나타낸 패널의 평면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 내부에서 발생하는 방전 메카니즘을 개략적으로 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 전체적인 전극 라인 및 방전셀 배치 구조를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타낸 사시도.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 내부에서 발생하는 방전 메카니즘을 개략적으로 나타낸 도면.
도 10은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타낸 사시도.
도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 내부에서 발생하는 방전 메카니즘을 개략적으로 나타낸 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
20 : 상판 22 : 하판
24,72,104 : 상부기판 26 : 방전유지전극
28,36,64,110 : 유전층 30 : 보호층
32,60,106 : 하부기판 38,76,114 : 방전영역
40,70 : 형광체 34,62,108 : 데이터전극
66,102,142,182 : 스캔전극 68,112 : 격벽
74,100,180 : 고주파전극 78,118,158,198 : 전자
116 : 방전셀 120 : 주사 라인
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀의 길이 방향의 일측단에 형성되는 고주파전극과, 고주파전극과 대향되게끔 방전셀의 길이 방향의 타측단에 형성되는 스캔전극을 구비한다.
본 발명의 고주파 플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀 내의 대각선 방향에서 서로 대향되게끔 배치되어진 고주파전극 및 스캔전극을 구비한다.
상기 목적들 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 RF PDP의 방전셀 구조를 나타낸 사시도이다. 이 구조에서는 도 2에 도시된 종래의 RF PDP 셀 구조와는 달리 유지방전을 일으키기 위한 고주파전극(100)과 스캔전극(102)이 상부기판(104)의 배면에 방전셀의 폭 방향으로 나란하게 형성된다. 즉 기존의 교류 면방전 PDP의 셀 구조에서 방전유지전극쌍이 상부기판의 배면에 나란하게 형성되는 것과 유사한 형태로 형성이 된다. 이 때 고주파전극(100)과 스캔전극(102)은 상부기판(104) 상에서 방전셀의 길이 방향으로 최대의 간격을 갖도록 양 측 가장자리에 각각 배치된다. 하부기판(106) 상에는 상부기판(104) 상의 고주파전극(100) 및 스캔전극(102)과 일정 공간을 사이에 두고 상호 수직으로 교차되도록 데이터전극(108)이 형성된다. 또한 하부기판(106) 상에는 유전층(110)이 전면 도포되어 데이터전극(108)을 덮게 된다. 유전층(110)이 도포된 하부기판(106) 상에는 격벽(112)이 수직으로 형성되고, 격벽(112) 상에는 도면에 도시되지 않은 형광체가 도포된다. 상부기판(104)이 격벽(112)을 사이에 두고 하부기판(106)과 평행하게 설치되면 방전영역(114)을 구비한 방전셀이 완성된다. 격벽(112)의 높이는 기존의 교류 면방전 PDP의 경우와 마찬가지로 수십㎛ 정도가 된다. 도면에 표시된 길이 d는 방전셀의 길이 방향으로의 길이로서 현재 교류 면방전 PDP에서 설계되는 방전셀의 길이는 대략 1000 ~ 1200㎛ 정도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 RF PDP의 방전셀과 전극 배치 구조를 나타낸 패널의 평면도이다. 상부기판(104)에 형성되는 고주파전극(100) 및 스캔전극(102)과 하부기판(106) 상에 형성되는 데이터전극(108)이 상호 교차되는 지점마다 PDP의 방전셀(116)이 마련되게 된다. 상부기판(104)의 배면에 서로 나란하게 형성되는 고주파전극(100)과 스캔전극(102)은 도면에 도시된 바와 같이 방전셀(116) 길이 방향으로 양 측 가장자리에 서로 대향되도록 배치된다. 그리하여 고주파전극(100)과 스캔전극(102) 간의 간격은 대략 방전셀(116)의 길이 d 정도가 된다. 이 길이는 종래의 RF PDP에서 고주파전극과 스캔전극 사이의 간격이 되는 격벽의 높이에 비해 훨씬 큰 값이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 RF PDP의 방전셀 내부에서 발생하는 방전 메카니즘을 개략적으로 나타낸 도면이다. 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 방전은 상부기판(104) 상에 형성된 스캔전극(102)과 하부기판(106) 상에 형성된 데이터전극(108) 간에 발생한다. 어드레스 방전에 의해 방전영역(114)에는 전자(118) 등의 하전입자들이 생성되며, 유전층(110)에는 벽전하가 형성된다. 형성된 벽전하는 고주파 유지방전시 방전전압을 낮추는 역할을 수행한다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들에서는 고주파전극(100)에 공급되는 고주파 신호에 의해 유지방전이 일어난다. 방전영역(114) 내에 생성된 하전입자 중에서 상대적으로 이동도가 높은 전자(118)들은 극성이 교번적으로 바뀌는 고주파 신호에 의해 진동운동을 하게 된다. 도 3에 도시된 바와 같이 종래의 RF PDP에서는 유지방전이 상부기판에 형성된 고주파전극과 하부기판에 형성된 스캔전극 간에 발생함으로써 방전영역 내의 전자는 상하로 진동운동을 한다. 하지만 본 발명에 따른 RF PDP에서는 도 6에 도시된 바와 같이 유지방전을 일으키는 고주파전극(100)과 스캔전극(102)이 상부기판(104) 상의 양 측 가장자리에 위치하고 있다. 고주파 신호의 힘을 받는 전자들은 고주파전극(100)과 스캔전극(102) 사이에서 좌우로 진동운동을 하며 연속적으로 방전을 일으키게 된다. 그리하여 좌우로 진동하는 전자들의 진동폭을 방전셀의 길이인 1000 ~ 1200㎛ 정도까지 확장시킬 수 있게 되고, 이에 따라 수십㎒의 비교적 낮은 주파수를 갖는 고주파 신호로써 충분히 유지방전을 수행할 수 있게 된다. 또한 본 발명의 RF PDP에서는 전자들이 상하로 진동하지 않고 좌우로 진동하게 되므로 격벽(112)의 높이를 굳이 높게 할 필요가 없어지고, 기존의 교류 면방전 PDP의 셀 구조를 그대로 사용할 수 있다.
한편 도 4 내지 도 6은 RF PDP의 단위셀 구조만을 나타낸 도면이다. 본 발명의 실시 예에 따른 RF PDP의 한 셀 내에서는 고주파전극과 스캔전극 간의 간격이 가장 길도록 구성되어 있다. 이러한 단위셀들이 모여 플라즈마 표시 패널을 구성할 경우, 지적될 수 있는 문제점은 인접한 셀 간의 오방전 문제이다. 즉, 어느 한 셀에 형성된 스캔전극과 인접한 다른 셀에 형성된 고주파전극이 서로 더 가깝게 위치하게 됨으로써 서로 다른 방전셀에 위치한 두 전극 간에 오방전이 발생할 소지가 있게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 RF PDP의 각각의 전극 라인들은 도 7에 도시된 바와 같은 구조로 형성되어야 한다. 도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 RF PDP의 전체적인 전극 라인 및 방전셀 배치 구조를 나타낸 도면이다. 도 7을 살펴보면, 각각의 주사 라인(120)마다 형성되는 고주파전극(100) 라인과 스캔전극(102) 라인은 패널의 로우(Row)방향을 따라 그 위치가 서로 교번적으로 바뀌도록 설계되어야 한다. 즉 어느 한 주사 라인에서 고주파전극이 라인 상단부에 위치하고 스캔전극이 라인 하단부에 위치한다면, 그 위 또는 아래에 인접한 주사 라인에서는 스캔전극이 라인 상단부에 위치하고 고주파전극이 라인 하단부에 위치하도록 설계되어야 한다. 그러면 어느 한 방전셀에 형성된 고주파전극과 인접한 다른 방전셀에 형성된 스캔전극은 서로 멀리 떨어지게 된다. 이 경우 서로 인접하게 되는 고주파전극들 사이나 스캔전극들 사이에는 항상 동위상, 동레벨의 신호가 동시에 인가되므로 오방전은 발생하지 않는다. 이와 같이 전극 라인을 형성하게 되면 어느 한 셀에 위치하는 고주파전극은 그 셀에 형성된 스캔전극 사이에서만 정상적인 방전을 일으키게 됨으로써 인접한 셀 간의 오방전을 방지할 수 있게 된다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 RF PDP의 방전셀 구조를 나타낸 도면들이다. 이 구조를 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예의 경우와 대비해보면, 스캔전극(142)이 하부기판(106) 상에 형성된다는 점을 제외하고는 모든 구조적인 특징들이 실질적으로 동일하다. 고주파전극(100)과 스캔전극(142)은 서로 최대한 멀리 떨어지도록 방전셀 내의 길이방향 대각선상에서 양 끝단에 각각 배치된다. 스캔전극(142)은 하부기판(106) 상에서 유전층(110)을 사이에 두고 데이터전극(108)과 서로 직각으로 교차되도록 형성된다.
도 9에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 RF PDP에서는 방전영역(114) 내에 생성된 전자(158)들이 고주파전극(100)과 스캔전극(142) 사이에서 대각선 방향으로 길게 진동운동을 하게 된다. 고주파전극(100)과 스캔전극(142)은 방전셀 내에서 대각선 방향으로의 양 끝단에 각각 위치하므로 이 사이에서 진동하는 전자(158)들의 진동폭은 상술한 제 1 실시 예의 경우보다 좀 더 길어진다. 이 경우에도 유지방전을 일으키기 위한 고주파 신호의 주파수는 수십㎒ 정도로도 충분하게 된다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 RF PDP의 셀 구조를 도시한 도면들이다. 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 RF PDP의 셀 구조에서는 유지방전을 일으키기 위한 고주파전극(180)과 스캔전극(182)이 방전셀을 구성하는 두 격벽(112)의 측면 상에 각각 나란하게 형성된다. 그 밖의 다른 구조적인 특징들은 도 4 및 도 8에 도시된 바와 같은 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 방전셀 구조의 경우와 모두 동일하다.
도 11에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 RF PDP에서는 유지방전시 전자(198)들이 양 쪽 격벽(112) 측면 상에 나란하게 형성된 고주파전극(180)과 스캔전극(182) 사이에서 좌/우 방향으로 진동운동을 하면서 연속적인 방전을 일으키게 된다. 이러한 구조에서도 좌/우로 진동운동하는 전자(198)들의 진동폭이 방전셀의 길이만큼 길어질 수 있으므로 수십㎒의 비교적 낮은 주파수를 갖는 고주파 신호로써 충분히 유지방전을 수행시킬 수 있다.
한편, 도 8 내지 도 11은 본 발명의 제 2 및 제 3 실시 예에 따른 RF PDP의 단위셀 구조만을 나타낸 도면이다. 본 발명의 제 2 또는 제 3 실시 예에 따른 RF PDP의 방전셀 구조에서도 고주파전극과 스캔전극 간의 간격이 가장 길도록 배치되기 때문에 이러한 단위셀들이 모여 패널을 구성할 경우 인접한 셀 간에 오방전이 발생할 수 있다. 즉, 본 발명의 제 1 실시 예의 경우에서 상술한 바와 같이 어느 한 셀에 형성된 고주파전극과 인접한 다른 셀에 형성된 스캔전극의 사이가 더 가깝기 때문에 이들 두 전극 간에 오방전이 발생할 수 있다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위해서는 RF PDP의 전체적인 패널 구조에서 각각의 전극 라인들이 도 7에 도시된 바와 같은 구조 내지는 이와 유사한 구조로 설계되어야 한다. 즉 방전셀(116)의 길이방향으로 보았을 때 방전셀(116)의 양 측 가장자리에 각각 형성되는 고주파전극(100) 라인과 스캔전극 라인(102)은 주사 라인(120)마다 그 위치가 교번적으로 바뀌어 배치되도록 설계되어야 한다. 그러면 어느 한 방전셀에 형성된 고주파전극과 인접한 다른 셀에 형성된 스캔전극이 서로 인접하지 않고 멀리 떨어지게 된다. 본 발명의 제 3 실시 예의 경우와 같이 고주파전극과 스캔전극이 방전셀의 격벽 측면 상에 형성될 경우에는 인접하는 두 주사 라인을 구분하는 어느 한 격벽의 양쪽 각 측면에 고주파전극과 스캔전극이 동시에 배치되지 않도록 하면 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서는 고주파 신호에 의해 진동하는 전자들이 방전영역 내에서 방전셀의 길이 방향으로 진동운동을 하면서 연속적인 방전을 일으킨다. 이에 따라 별도로 격벽의 높이를 높이지 않으면서도 비교적 낮은 주파수의 고주파 신호로써 유지방전을 일으킬 수 있게 된다. 아울러 본 발명에 따른 고주파 플라즈마 디스플레이 패널에서는 어느 한 방전셀에 형성되는 고주파전극과 인접한 다른 방전셀에 형성되는 스캔전극이 서로 멀리 떨어지도록 전극 라인들이 배치됨으로써 인접한 셀 간의 오방전이 방지된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (9)

  1. 방전셀의 길이 방향의 일측단에 형성되는 고주파전극과,
    상기 고주파전극과 대향되게끔 상기 방전셀의 길이 방향의 타측단에 형성되는 스캔전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고주파전극과 상기 스캔전극이 상부기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고주파전극이 어느 한 격벽의 측면 상에 형성되고 상기 스캔전극이 상기 격벽에 대향되는 격벽의 측면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    임의의 주사 라인에 배치되는 상기 스캔전극이 인접한 주사 라인에 배치되는 스캔전극과 근접되게 배치되며,
    임의의 주사 라인에 배치되는 상기 고주파전극이 인접한 주사 라인에 배치되는 고주파전극과 근접되게 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 방전셀의 길이는 1000㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 방전셀 내의 대각선 방향에서 서로 대향되게끔 배치되어진 고주파전극 및 스캔전극을 구비하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 고주파전극이 상부기판 상에 형성되고, 상기 스캔전극이 하부기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 6 항에 있어서,
    임의의 주사 라인에 배치되는 상기 스캔전극이 인접한 주사 라인에 배치되는 스캔전극과 근접되게 배치되며,
    임의의 주사 라인에 배치되는 상기 고주파전극이 인접한 주사 라인에 배치되는 고주파전극과 근접되게 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 방전셀의 길이는 1000㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 디스플레이 패널.
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