KR20000077309A - 세정 장치, ｃｖｄ 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

세정 장치, ｃｖｄ 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20000077309A
KR20000077309A KR1020000026571A KR20000026571A KR20000077309A KR 20000077309 A KR20000077309 A KR 20000077309A KR 1020000026571 A KR1020000026571 A KR 1020000026571A KR 20000026571 A KR20000026571 A KR 20000026571A KR 20000077309 A KR20000077309 A KR 20000077309A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning liquid
container body
cleaning
belt
ultrasonic
Prior art date
Application number
KR1020000026571A
Other languages
English (en)
Inventor
고가도모히로
Original Assignee
이데이 노부유끼
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데이 노부유끼, 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 이데이 노부유끼
Publication of KR20000077309A publication Critical patent/KR20000077309A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

벨트 또는 다른 피세정 부재 상에 부착된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고 재부착의 문제점을 제거할 수 있는 세정 장치가 제공되어, 반도체 제품의 품질을 향상시킨다. 세정 장치는 세정액 및 반송 벨트를 내부에 수용 가능한 용기 본체와, 용기 본체 내에 수용되는 반송 벨트에 진동을 인가하기 위한 초음파 발진 수단과, 용기 본체 내에 세정액을 공급하기 위한 공급 수단과, 용기 본체 내의 세정액을 배출하기 위한 배출 수단과, 세정액의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 검출 수단과, 오물 검출 수단에 의해 얻어진 검출 결과를 기초로 하여 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛 제어 및 공급 수단으로부터의 세정액의 공급량을 제어하기 위한 제어 수단을 포함한다.

Description

세정 장치, ＣＶＤ 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{CLEANING APPARATUS, CVD APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES}
본 발명은 초음파를 이용한 세정 장치에 관한 것이고, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼를 반송하는 반송 벨트 등을 효과적으로 세정할 수 있는 세정 장치, 그러한 세정 장치를 이용한 CVD 장치 및 CVD 장치에 의해 수행된 세정 공정을 채용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조하는 공정에서, 특히 CVD 장치와 같은 반도체 제조 장치를 이용한 막 성형 공정에서, 반도체 장치가 그 위에서 제조되는 반송 벨트 상에서 웨이퍼를 CVD(화학 증착) 장치의 막성형부를 향해 반송할 필요가 있다.
이 웨이퍼의 반송 과정에서는, 여러 가지 요인에 의해 이물질이 반송벨트에 부착되고, 그후 웨이퍼 상으로 옮겨질 수 있어, 이러한 이물질을 효과적으로 제거하기 위한 대책이 요구된다.
이물질을 제거하기 위한 방법은 일예로 일본 특허 공개 평10-284571호 공보에 개시되어 있다. 이 기술은 순환하는 반송 벨트 상에서 반도체 웨이퍼를 소정의 처리부까지 반송하는 반도체 제조 장치에 관한 것이고, 그 장치에서 초음파 수단과 자석 수단은 반송 벨트의 순환 경로의 도중에 마련된다. 초음파 수단은 반송 벨트 상에 부착된 이물질을 액체속에서 초음파에 의해 제거하도록 마련되고, 자석 수단은 액체 내에 부유되거나 액체의 표면 상에 떠있는 분리된 이물질을 자력에 의해 수집하도록 마련된다.
위의 공보에 개시된 기술은 자화되는 금속계 이물질의 제거에 있어서는 확실히 효과적이지만, 다른 형태의 이물질의 제거에는 너무 효과적이지 못하다. 그 이유 중 하나는 액체 내에 부유되거나 액체의 표면 상에 떠있는 금속계 이물질을 자석 수단에 의해 제거한 후에도, 다른 형태의 이물질이 액체 내에 또는 액체의 표면에 잔존하고, 반송 벨트에 재부착될 수 있다는 점이다.
반도체 제조 장치가 웨이퍼 상에 박막을 성형하는 경우에, 막 성형 공정 중에 부산물로서 반송 벨트 상에 또한 동시에 전착될 수 있는 막은 다른 형태의 이물질로 될 수 있다. 부산물로서 벨트 상에 형성된 막은 초음파 세정 장치를 이용한 물로 대개 세척된다.
그러나, 그러한 종래의 초음파 세정 장치는 일정한 세정 능력, 비교적 낮은 세정 기술 및 불량한 세정액의 순환으로 인해 전착막이 재부착될 수 있다. 즉, 종래의 초음파 세정 장치에서, 웨이퍼는 제거되지 않는 전착막을 그 위에 구비한 반송 벨트 상에서 운반되어, 이러한 전착막 상의 이물질이 웨이퍼에 쉽게 부착된다.
또한, 벨트 상의 전착막의 두께가 증가하거나 벨트를 장시간 사용하게 될 때, 순환 불량으로 인해 세정액을 저장하는 탱크의 부식이 때때로 발생하여, 제조된 반도체 제품은 신뢰성이 떨어지게 된다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 초음파 발진 수단 및 세정액 공급 수단이 세정 결과에 대응하여 자동 제어되도록 구성되는 세정 장치를 제공하기 위한 것이다. 이에 따라, 본 발명의 세정 장치는 벨트 또는 다른 피세정 부재 상에 부착된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 제거 후의 재부착의 문제점을 해결하고, 그 결과 반도체 제품의 품질을 향상시킨다.
본 발명의 제2 목적은 그러한 세정 장치를 이용한 CVD 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 제3 목적은 그러한 세정 기술을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
제1 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 세정 장치는 세정액 및 피세정 부재를 내부에 수용 가능한 용기 본체와, 용기 본체 내에 수용되는 피세정 부재에 진동을 인가하기 위한 초음파 발진 수단과, 용기 본체 내에 세정액을 공급하기 위한 공급 수단과, 용기 본체 내의 세정액을 배출하기 위한 배출 수단과, 세정액의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 검출 수단과, 오물 검출 수단에 의해 얻어진 검출 결과를 기초로 하여 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛 제어 및 공급 수단으로부터의 세정액의 공급량을 제어하기 위한 제어 수단을 포함한다.
세정액의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 검출 수단과 제어 수단을 갖춘 그러한 구성으로 인해 초음파 발진 수단의 자동 제어가 가능하게 되고 세정 장치의 세정액 공급 수단은 세정 결과에 순응하게 된다. 또한, 용기 본체 내의 세정액의 오물 정도에 따라 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛 및 세정액의 공급량과 같은 세정 상태를 최적으로 결정하는 것이 가능해진다. 이로 인해 벨트 또는 다른 피세정 부재 상에 부착된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 제거 후에 재부착되는 문제점을 제거하여, 반도체 제품의 품질을 향상시킨다.
바람직한 구성예에서, 초음파 발진 수단은 제어 수단이 동시에 작동하는 다수의 발진 유닛을 제어할 수 있도록 다수의 발진 유닛을 구비할 수 있다.
그러한 구성에서, 다수의 발진 유닛은 피세정 부재의 전체 폭에 걸쳐 정렬될 수 있어 효율적 세정을 가능하게 한다. 세정 효율의 향상은 또한 다수의 발진 유닛 또는 동력의 조절을 용이하게 함으로써 이루어진다.
더 바람직한 구성예에서, 세정액의 배출 수단은 용기 본체 내의 수위가 소정 수위를 초과할 때 세정액을 배출하도록 설정된다.
그러한 구성으로 인해 세정액의 낭비를 성공적으로 방지하여 가동 비용을 현저히 절약하게 된다.
계속해서 더 바람직한 구성예에서, 피세정 부재는 순환 경로를 취하는 반송 벨트이고, 반송 벨트는 순환 경로의 도중에 용기 본체 내의 세정액을 통과하게 된다.
반송 벨트가 순환 경로의 도중에 세정액을 경유하게 되는 그러한 구성으로 인해 장치 작동 중에 안정된 세정을 가져와, 장치 운용 면에서 효율을 상당히 향상시킨다.
또한 더 바람직한 구성예에서, 반송 벨트는 반도체 제조 장치에서 반도체 웨이퍼를 반송하도록 구성될 수 있다.
그러한 구성으로 인해 반송 벨트의 전체면에 걸쳐 효율적인 세정을 가능하게 할 뿐만 아니라, 벨트를 거쳐 반도체 웨이퍼 상에 부착되는 이물질의 정밀 제거를 가능하게 한다.
제2 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 CVD 장치는 반송 벨트와, 막 성형부와, 제1 벨트 세정부 및 제2 벨트 세정부를 포함하고; 제2 벨트 세정부는 세정액 및 피세정 부재를 내부에 수용 가능한 용기 본체와, 용기 본체 내에 수용되는 피세정 부재에 진동을 인가하기 위한 초음파 발진 수단과, 용기 본체 내에 세정액을 공급하기 위한 공급 수단과, 용기 본체 내의 세정액을 배출하기 위한 배출 수단과, 세정액의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 검출 수단과, 오물 검출 수단에 의해 얻어진 검출 결과를 기초로 하여 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛 제어 및 공급 수단으로부터의 세정액의 공급량을 제어하기 위한 제어 수단을 더 포함한다.
세정액의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 검출 수단과 제어 수단을 갖춘 그러한 구성으로 인해 초음파 발진 수단의 자동 제어가 가능하게 되고 제2 세정부의 세정액 공급 수단은 세정 결과에 순응하게 된다. 또한, 용기 본체 내의 세정액의 오물 정도에 따라 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛 및 세정액의 공급량과 같은 세정 상태를 최적으로 결정하는 것이 가능해진다. 이로 인해 반송 벨트 상에 부착된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 제거 후에 재부착되는 문제점을 제거하여, 반도체 제품의 품질을 향상시킨다.
바람직한 구성예에서, 초음파 발진 수단은 제어 수단이 동시에 작동하는 다수의 발진 유닛을 제어할 수 있도록 다수의 발진 유닛을 구비할 수 있다.
그러한 구성에서, 다수의 발진 유닛은 피세정 부재의 전체 폭에 걸쳐 정렬될 수 있어 효율적 세정을 가능하게 한다. 세정 효율의 향상은 또한 다수의 발진 유닛 또는 동력의 조절을 용이하게 함으로써 이루어진다.
더 바람직한 구성예에서, 세정액의 배출 수단은 용기 본체 내의 수위가 소정 수위를 초과할 때 세정액을 배출하도록 설정된다.
그러한 구성으로 인해 세정액의 낭비를 성공적으로 방지하여 가동 비용을 현저히 절약하게 된다.
계속해서 더 바람직한 구성예에서, 반송 벨트는 순환 경로를 따라 루우트가 정해지고, 순환 경로의 도중에 용기 본체 내의 세정액을 통과하게 된다.
반송 벨트가 순환 경로의 도중에 세정액을 경유하게 되는 그러한 구성으로 인해 장치 작동 중에 안정된 세정을 가져와, 장치 운용 면에서 효율을 상당히 향상시킨다.
또한 더 바람직한 구성예에서, 반송 벨트는 반도체 제조 장치에서 반도체 웨이퍼를 반송하도록 구성될 수 있다.
그러한 구성으로 인해 반송 벨트의 전체면에 걸쳐 효율적인 세정을 가능하게 할 뿐만 아니라, 벨트를 거쳐 반도체 웨이퍼 상에 부착되는 이물질의 정밀 제거를 가능하게 한다.
또한 더 바람직한 구성예에서, CVD 장치는 대기압 CVD 장치이다.
이는 그 장치가 대기 중에서 생성될 수 있기 때문에 특별한 대책 없이도 CVD 장치의 소형 구성을 가능하게 한다.
본 발명의 제3 목적을 달성하기 위해, 반도체 장치의 제조 방법은 반송 벨트 상에서 반도체 장치 상의 막을 형성하는 단계와, 용기 본체 내에 반송 벨트를 수용하는 단계와, 용기 본체 내에 수용된 반송 벨트에 초음파 발진에 의한 진동을 인가하는 단계와, 용기 본체 내에 세정액을 공급하는 단계와, 용기 본체 내의 세정액을 배출하는 단계와, 세정액의 오물 정도를 검출하는 단계와, 오물 정도를 기초로 하여 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛 제어 및 세정액의 공급량을 제어하는 단계를 포함한다.
세정액의 오물 정도를 검출하는 단계를 갖춘 그러한 구성으로 인해 반송 벨트에 진동을 인가하는 단계의 자동 제어가 가능하게 되고 세정액을 공급하는 단계는 세정액의 오물 정도에 순응하게 된다. 또한, 용기 본체 내의 세정액의 오물 정도에 따라 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛 및 세정액의 공급량과 같은 세정 상태를 최적으로 결정하는 것이 가능해진다. 이로 인해 반송 벨트 상에 부착된 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 제거 후에 재부착되는 문제점을 제거하여, 반도체 제품의 품질을 향상시킨다.
바람직한 구성예에서, 초음파 발진은 다수의 발진 유닛에 의해 수행될 수 있고, 그 제어는 동시에 작동하는 다수의 발진 유닛을 조절함으로써 실행될 수 있다.
그러한 구성에서, 다수의 발진 유닛은 피세정 부재의 전체 폭에 걸쳐 정렬될 수 있어 효율적 세정을 가능하게 한다. 세정 효율의 향상은 또한 다수의 발진 유닛 또는 동력의 조절을 용이하게 함으로써 이루어진다.
더 바람직한 구성예에서, 세정액을 배출하는 단계는 용기 본체 내의 수위가 소정 수위를 초과할 때 세정액을 배출하도록 설정된다.
그러한 구성으로 인해 세정액의 낭비를 성공적으로 방지하여 가동 비용을 현저히 절약하게 된다.
계속해서 더 바람직한 구성예에서, 반송 벨트는 순환 경로를 따라 루우트가 정해지고, 순환 경로의 도중에 용기 본체 내의 세정액을 통과하게 된다.
반송 벨트가 순환 경로의 도중에 세정액을 경유하게 되는 그러한 구성으로 인해 장치 작동 중에 안정된 세정을 가져와, 장치 운용 면에서 효율을 상당히 향상시킨다.
도1은 본 발명의 일실시예에 따른 세정 장치를 이용한 반도체 제조 장치를 도시한 개략 평면도.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 세정 장치를 이용한 반도체 제조 장치를 도시한 개략 측면도.
도3은 본 발명의 일실시예에 따른 세정 장치를 도시한 개략 측면도.
도4는 본 발명의 일실시예에 따른 세정 장치의 제어 시스템을 도시한 플로우차트.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
1 : 반송 벨트
2 : 반도체 웨이퍼
3, 4 : 구동 풀리
6 : 가스 헤드
23, 24 : 공급 수단
25 : 배출 수단
231, 241 : 전자기 밸브
본 발명의 바람직한 실시예에 대해서는 이후에 도면을 참고로 하여 설명하기로 한다.
도1은 대기압 CVD 장치의 구성을 도시한 개략 평면도이고, 도2는 그 장치의 측면도이다. 도3은 본 발명의 세정 장치의 구성을 도시한 개략 측면도이고, 도4는 세정 장치의 제어 시스템을 도시한 플로우차트이다.
우선 도1을 참조하면, CVD 장치는 반도체 웨이퍼(2)를 반송하기 위한 반송 벨트(1)를 구비하고, 그 장치에서 벨트는 거의 루우프 형태의 순환 경로를 형성하고 구동 풀리(3, 4)의 도움으로 화살표(5) 방향으로 주행한다. 그 장치는 또한 반도체 웨이퍼(2) 상에 막을 형성하는 가스를 분사하기 위한 가스 헤드(6)를 갖추고 있다. 다수의 가스 헤드(6)는 막 성형부(7)를 구성하도록 정렬된다. 막 성형부(7)는 히터 블록(19)을 갖추고 있다.
따라서 막은 반송 벨트(1) 상의 각각의 반도체 웨이퍼(2) 상으로의 막 성형부(7) 내에 형성된다. 반도체 웨이퍼(2) 상의 타깃 막 성형 외에, 이물질의 원인이 되는 조합 막 성형이 또한 벨트 상에 발생한다. 이물질을 제거하기 위해, HF(불산) 머플(muffle) 유닛(불산 세정 장치)(10)이 배치된다.
HF 머플 유닛(10)은 가동 반송 벨트(1)의 중앙부를 둘러싸는 박스형 용기 본체(11)와, N2가스와 함께 증발된 HF를 용기 본체(11)에 공급하기 위한 HF 공급 장치(12)를 포함하고, 그들 모두 기포 시스템을 서로 구성한다. HF 공급 장치(12)는 HF의 기포 발생이 일어나도록 그리고 증기 형태의 HF를 용기 본체(11) 내로 공급하도록 조절기(13)와 밸브(14)를 거쳐 탱크(15) 내로 N2가스를 도입하도록 구성된다. HF 머플 유닛(10)은 HF 공급 라인 상에 조절 밸브(16)를 구비한다.
HF 머플 유닛(10)으로 미리 세정된 반송 벨트(1)는 그후 잔류 HF를 제거하기 위해 히터(17)로 가열되고 본 발명의 세정 장치(20)로 철저히 세정된다.
세정 장치(20)의 전형적인 구성은 도3에 도시되어 있다. 세정 장치(20)는 세정액와 반송 벨트(1)를 내부에 수용 가능한 용기 본체(21)와, 용기 본체(21) 내에 수용되는 반송 벨트(1)에 진동을 인가하기 위한 초음파 발진 유닛(22)과, 용기 본체(21) 내에 세정액(S)을 공급하기 위한 공급 수단(23, 24)과, 용기 본체(21) 내의 세정액(S)을 배출하기 위한 배출 수단(25)과, 세정액(S)의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 센서(26)와, 오물 센서(26)에 의해 얻어진 검출 결과를 기초로 하여 다수의 초음파 발진 유닛(22) 제어 및 공급 수단(23, 24)으로부터의 세정액(S)의 공급량을 제어하기 위한 컨트롤러(27)를 포함한다.
용기 본체(21)는 개방된 천장을 구비하고 내부에 포함된 세정액(S)으로서 순수를 이용한다. 초음파 발진 유닛(22)은 컨트롤러(27)가 동시에 작동되는 다수의 초음파 발진 유닛(22)을 제어할 수 있도록 복수로 제공된다. 그러한 구성에서, 다수의 초음파 발진 유닛(22)은 세정액(S) 내에 침지된 반송 벨트(1)의 전체 폭에 걸쳐 정렬되어 효율적 세정을 가능하게 한다. 이는 또한 다수의 초음파 발진 유닛(22) 또는 동력의 조절을 용이하게 한다.
세정액(S)을 배출하기 위한 배출 수단(25)은 배수관을 포함하고 세정액(S)이 소정 수위에 도달할 때 오버플로함으로써 세정액(S)을 배출하도록 제공되어 세정액(S)의 낭비를 억제하도록 배려하고 있다.
순환 경로를 따라 루우트가 정해진 반송 벨트(1)는 그 도중에 용기 본체(21) 내의 세정액(S)을 통과하게 된다. 용기 본체(21)에서, 반송 벨트(1)는 데드 웨이트(dead-weight) 롤러(30)를 이용하여 세정액(S) 내에 잠긴 상태로 가동한다. 반송 벨트(1)가 순환 경로의 도중에 세정액(S)을 경유하게 되는 그러한 구성으로 인해 장치 작동 중에 안정된 세정을 가져와, 장치 운용 면에서 효율을 상당히 향상시킨다.
세정액(S)을 공급하기 위한 공급 수단(23, 24)은 공급관을 각각 포함하기는 하나, 공급 수단(23)은 용기 본체(21)의 상부에 부착되고 공급 수단(24)은 하부에 부착된다. 이는 용기 본체(21) 내의 세정액(S)의 철저한 교반을 증진시키고, 배수관을 직접 거쳐 세정액(S)의 표면 상에 떠오르는 이물질의 배출을 용이하게 하기 위한 장치이다. 공급 수단(23, 24)은 전자기 밸브(231, 241)에 각각 부착되고, 개폐 작동이나 그 구멍 제어는 컨트롤러(27)에 의해 수행된다.
오물 센서(26)는 일예로 세정액의 오물 정도를 그러한 오물 정도에 대응하는 투과 광의 강도를 검출함으로써 출력되는 전기 신호로 변환할 수 있는 광 센서를 포함한다.
도4에 도시된 대로 컨트롤러(27)는 공급수량을 제어하기 위해 오물 센서(26)에 의해 얻어진 검출 결과를 기초로 하여 개폐 신호 또는 구멍 제어 신호를 전자기 밸브(231, 241)에 보내는 기능을 하고, 발진수와 그 결과 그 출력을 제어하도록 신호를 초음파 발진 유닛(22)에 부수적으로 보내는 기능을 한다. 따라서, 컨트롤러(27)는 반송 벨트(1)가 세정될 때 최적 상태를 얻도록 하는 제어 프로그램으로 설치되어야 한다. 제어 프로그램의 완성을 위해 요구되는 데이터는 실험 결과로부터 쉽게 수집될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 이하와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(1) 용기 본체(21) 내의 오물 정도에 따라 초음파의 발진수 및 공급수량과 같은 최적 세정 상태를 얻을 수 있어, 막의 부착 및 용기 본체(21)로의 손상을 억제할 수 있고 장치 관리를 용이하게 함;
(2) 물의 낭비를 억제함으로써 운전 비용의 상당한 절약을 가능하게 함;
(3) 발진수를 적절히 조절함으로써 오물 정도나 스탠바이 모드를 제어할 수 있음;
(4) 반송 벨트(1)의 전체 폭에 걸쳐 효율적 세정을 가능하게 함;
(5) 장치 가동 중에 있더라도 안정된 세정을 할 수 있어, 장치 운용면에서 효율을 상당히 향상시킬 수 있음;
(6) 소형 시스템 구성을 가능하게 함.
위의 실시예는 반도체 웨이퍼를 반송하는 반송 벨트를 세정하기 위한 전형적인 세정 장치에 관한 것이지만, 본 발명은 벨트 세정을 할 필요가 있는 임의의 다른 반도체 제조 장치 또은 임의의 다른 유사한 장치에 대하여도 적용할 수 있다. 본 발명은 또한 반도체 웨이퍼 이외에 LCD 제조에 이용되는 수정 또는 유리로 제조된 절연 웨이퍼, 유기적 EL 디스플레이등을 반송하는 경우에 적용될 수 있다.
위로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 초음파 발진 수단 및 세정액 공급 수단이 세정 결과에 대응하여 자동 제어될 수 있도록 구성되어, 벨트 또는 다른 피세정 부재에 부착한 이물질의 효율적 제거를 할 수 있고, 제거 후에 있어서 재부착되는 문제점을 해결하여, 반도체 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 세정 장치를 제공할 수 있다.

Claims (15)

  1. 세정액 및 피세정 부재를 내부에 수용 가능한 용기 본체와,
    용기 본체 내에 수용되는 피세정 부재에 진동을 인가하기 위한 초음파 발진 수단과,
    용기 본체 내에 세정액을 공급하기 위한 공급 수단과,
    용기 본체 내의 세정액을 배출하기 위한 배출 수단과,
    세정액의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 검출 수단과,
    오물 검출 수단에 의해 얻어진 검출 결과를 기초로 하여 상기 초음파 발진 수단의 동력 제어 및 공급 수단으로부터의 세정액의 공급량을 제어하기 위한 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 초음파 발진 수단은 다수의 발진 유닛을 구비하고, 제어 수단은 동시에 작동되는 다수의 발진 유닛을 변경함으로써 상기 초음파 발진 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 세정액의 배출 수단은 용기 본체 내의 수위가 소정 수위를 초과할 때 세정액을 배출하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 피세정 부재는 순환 경로를 따라 취하는 반송 벨트이고, 순환 경로의 도중에 용기 본체 내의 세정액을 통과하게 되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  5. 제4항에 있어서, 반송 벨트는 반도체 제조 장치에서 반도체 웨이퍼를 반송하기 위한 벨트인 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  6. 반송 벨트와, 막 성형부와, 제1 벨트 세정부 및 제2 벨트 세정부를 포함하는 CVD 장치에 있어서,
    제2 벨트 세정부는,
    세정액 및 피세정 부재를 내부에 수용 가능한 용기 본체와,
    용기 본체 내에 수용되는 피세정 부재에 진동을 인가하기 위한 초음파 발진 수단과,
    용기 본체 내에 세정액을 공급하기 위한 공급 수단과,
    용기 본체 내의 세정액을 배출하기 위한 배출 수단과,
    세정액의 오물 정도를 검출하기 위한 오물 검출 수단과,
    오물 검출 수단에 의해 얻어진 검출 결과를 기초로 하여 상기 초음파 발진 수단의 동력 제어 및 공급 수단으로부터의 세정액의 공급량을 제어하기 위한 제어 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
  7. 제6항에 있어서, 초음파 발진 수단은 다수의 발진 유닛을 구비하고, 제어 수단은 동시에 작동되는 초음파 발진 수단의 다수의 발진 유닛을 제어하는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
  8. 제6항에 있어서, 세정액의 배출 수단은 용기 본체 내의 수위가 소정 수위를 초과할 때 세정액을 배출하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
  9. 제6항에 있어서, 반송 벨트는 순환 경로를 따라 루우트가 정해지고, 순환 경로의 도중에 용기 본체 내의 세정액을 통과하게 되는 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
  10. 제9항에 있어서, 반송 벨트는 반도체 제조 장치에서 반도체 웨이퍼를 반송하기 위한 벨트인 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
  11. 제6항에 있어서, CVD 장치는 대기압 CVD 장치인 것을 특징으로 하는 CVD 장치.
  12. 반송 벨트 상에서 반도체 장치 상의 막을 형성하는 단계와,
    용기 본체 내에 반송 벨트를 수용하는 단계와,
    용기 본체 내에 수용된 반송 벨트에 초음파 발진 유닛에 의한 진동을 인가하는 단계와,
    용기 본체 내에 세정액을 공급하는 단계와,
    용기 본체 내의 세정액을 배출하는 단계와,
    세정액의 오물 정도를 검출하는 단계와,
    오물 정도를 기초로 하여 다수의 초음파 발진 유닛 제어 및 세정액의 공급량을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 초음파의 동력은 초음파 발진 유닛의 다수의 발진 유닛에 의해 실행될 수 있고, 그 제어는 동시에 작동되는 다수의 발진 유닛을 조절함으로써 수행될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 세정액을 배출하는 단계는 용기 본체 내의 수위가 소정 수위를 초과할 때 세정액을 배출하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서, 반송 벨트는 순환 경로를 따라 루우트가 정해지고, 순환 경로의 도중에 용기 본체 내의 세정액을 통과하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020000026571A 1999-05-19 2000-05-18 세정 장치, ｃｖｄ 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 KR20000077309A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-138430 1999-05-19
JP11138430A JP2000331972A (ja) 1999-05-19 1999-05-19 洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000077309A true KR20000077309A (ko) 2000-12-26

Family

ID=15221798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000026571A KR20000077309A (ko) 1999-05-19 2000-05-18 세정 장치, ｃｖｄ 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2000331972A (ko)
KR (1) KR20000077309A (ko)
TW (1) TW523821B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883205B1 (ko) * 2007-09-28 2009-02-20 (주)코리아스타텍 패턴 공정의 모재 지지용 지그 세정방법과 그 세정장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110637221B (zh) * 2017-07-19 2022-09-23 平田机工株式会社 标本制作方法及标本制作装置
CN111448005B (zh) * 2017-12-08 2022-07-05 3M创新有限公司 用于洗涤3d打印物体的系统和方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883205B1 (ko) * 2007-09-28 2009-02-20 (주)코리아스타텍 패턴 공정의 모재 지지용 지그 세정방법과 그 세정장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000331972A (ja) 2000-11-30
TW523821B (en) 2003-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7108003B2 (en) Ultrasonic cleaning apparatus
US6539952B2 (en) Megasonic treatment apparatus
KR100629022B1 (ko) 초음파세정장치
US6006765A (en) Megasonic cleaning methods and apparatus
US9070722B2 (en) System and method for the sonic-assisted cleaning of substrates utilizing a sonic-treated liquid
US20080181750A1 (en) Gate valve cleaning method and substrate processing system
US20050211266A1 (en) Wafer drying apparatus
KR101369410B1 (ko) 초음파 세정 장치, 초음파 세정 방법 및 이 초음파 세정 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체
KR920003879B1 (ko) 반도체기판의 표면처리방법
JP2010046590A (ja) 超音波洗浄装置
US20040173248A1 (en) Ultrasonic vibrator, wet-treatment nozzle, and wet-treatment apparatus
KR20000077309A (ko) 세정 장치, ｃｖｄ 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2003093984A (ja) ウエット処理ノズルおよびウエット処理装置
JP4623706B2 (ja) 超音波洗浄処理装置
JP6592351B2 (ja) 基板処理装置
JP2002009033A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2010082621A (ja) 超音波洗浄装置
WO2002083331A1 (fr) Procede et equipement pour nettoyer un substrat
JP2001108977A (ja) 液晶表示装置の製造装置およびその方法
KR100694798B1 (ko) 기판의 세정 방법
JPH11319737A (ja) 板状体の洗浄装置
JP2000254603A (ja) 処理装置および処理方法
KR100812096B1 (ko) 글라스 식각장치 및 식각방법
KR20030046136A (ko) 초음파 세정 장치와 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치및 반도체 소자 제조 장치
JP2000223470A (ja) ウェットエッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination