KR20000073514A - 반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리 장치 - Google Patents

반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리 장치 Download PDF

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Abstract

독성 가스 및 분진의 제거효율을 향상시키고 필터의 수명을 연장할 수 있는 반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리장치가 개시되어 있다. 분진은 가스 유입관과 연통된 분진 처리실 내에 배치된 필터에 의해 여과되며, 상기 분진 처리실로부터 유입되는 가스에 포함된 유해 요소는 히터에 의해 연소된다. 상기 분진 처리실 내의 압력이 소정치 이상으로 상승되면, 모터에 의해 회전 브러쉬가 회전하여 상기 필터에 부착된 분진들을 털어낸다. 상기 필터로부터 떨어지는 분진들은 상기 필터의 하부에 배치된 제1 집진실에 포집되며, 상기 히터에 의해 연소된 가스의 잔해들은 상기 히터의 하부에 배치된 제2 집진실 및 상기 제2 집진실의 상부에 제공되는 제3 집진실에 포집된다. 상기 제1 및 제3 집진실에 포집된 분진들은 진공장치를 사용하여 흡입, 배출시킨다. 상기 분진 및 가스 처리장치는 필터의 눈막힘 현상을 해소하여 가스 및 분진의 처리 효율을 향상시키며, 히터를 사용하여 유해 가스를 연소시키므로 화학물질의 사용으로 인한 환경오염을 감소시킬 수 있다.

Description

반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING FINE PARTICLES AND TOXIC GAS USED IN MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS}
본 발명은 반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 독성 가스 및 분진의 제거효율을 향상시킬 수 있음은 물론 필터의 수명을 연장하고 장치의 운용비용을 감소시킬 수 있는 가스 및 분진 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체소자는 반도체 칼럼을 형성하는 칼럼 형성 공정, 상기 칼럼을 절단하여 웨이퍼로 만드는 웨이퍼 형성 공정, 상기 웨이퍼를 마스킹하는 마스킹 공정, 상기 웨이퍼 상에 박막을 입히는 박막 처리 공정, 도핑 및 식각 공정, 그리고 처리된 웨이퍼를 소자의 형태로 절단하는 절단공정과 같은 일련의 처리공정을 통해 제조된다.
공지되어 있는 바와 같이, 상기 반도체소자 제조 공정이 진행되는 중에 0.01-50μm 크기의 미세분진 및 가스가 발생하게 되는데, 이러한 미세분진은 환경오염 문제를 야기하기 때문에 그 처리가 매우 중요한 사안으로서 대두되고 있다. 특히, 상기 반도체소자 제조 공정 중에 배출되는 가스는 발화성 및 폭발성이 강하며, 인체에 유해한 요소들을 함유하고 있기 때문에, 상기 미세분진의 처리와 아울러 유독성 배출가스의 처리문제가 반도체소자 제조 공정에 있어서 매우 중요하게 부각되고 있는 실정이다.
도3에는 이러한 미세분진 및 배출가스를 처리하기 위한 종래 가스 및 분진 처리 장치(300)가 도시되어 있다.
도3에 도시되어 있는 바와 같이, 종래 가스 및 분진 처리 장치(300)는 분진을 필터링하기 위한 제1 및 제2 필터(335, 345)가 각각 설치되어 있는 제1 및 제2 분진 처리실(330, 340)과 상기 제1 및 제2 분진 처리실(330, 340)의 하부에 설치되며, 가스 제거용 촉매제가 각각 충전되어 있는 제1 및 제2 촉매실(350, 360)을 구비한다.
상기 제1 분진 처리실(330)은 가스 유입관(310)의 출구에 연결되어 있으며, 상기 제2 분진 처리실(330)은 상기 가스 유입관(310)으로부터 분기된 가스 안내관(317)의 출구에 연결되어 분진을 포함한 가스를 수납한다.
상기 제1 및 제2 촉매실(350, 360)의 저부는 배기관(380)과 연통되므로써, 상기 촉매제와 반응하여 정화된 가스가 외부로 배출될 수 있도록 되어 있다.
상기 가스 유입관(310)의 소정 위치에는 가스의 유입을 허용 또는 차단하기 위한 가스밸브(315)가 설치되어 있다. 또한, 상기 가스 유입관(310)의 상부에는 상기 가스 및 분진 처리 장치(300)에 문제가 생겼을 경우 가스를 배기시키기 위한 바이패스관(320)이 제공된다. 상기 바이패스관(320)은 상기 가스 배기관(380)과 연통되어 있으며, 그 소정 위치에는 가스의 유입을 허용 또는 차단하기 위한 파이패스 밸브(325)가 설치된다.
상기 구조를 갖는 종래 분진 및 가스 처리 장치(300)에서는, 상기 가스 유입관(310)을 통해 유입된 가스에 포함된 분진이 상기 제1 및 제2 필터(335, 345)를 통과하는 동안 상기 제1 및 제2 필터(335, 345)에 의해 여과된다. 또한, 잔여 가스는 상기 제1 및 제2 촉매실(350, 360) 내에서 촉매와 반응하여 유독성이 제거된 후, 배기관(380)을 통해 외부로 배출된다.
그러나, 이러한 구성을 갖는 종래 분진 및 가스 처리 장치(300)는 장시간 사용시 상기 제1 및 제2 필터(335, 345)가 분진에 의해 막히게 되므로 필터링 효율을 향상시키기 위해서는 상기 필터를 자주 교체해주어야 한다는 문제가 있다.
또한, 유독성 가스를 제거효율을 향상시키기 위해서 촉매제를 자주 교체해주어야 하기 때문에 이러한 교체 작업은 매우 번거로울 뿐만 아니라 운용비용이 많이 소요된다는 단점이 있다.
이러한 문제를 극복하기 위하여, 분진 및 가스를 회전 브러쉬를 사용하여 1차로 여과하고, 필터 및 가스 처리 장치를 사용하여 2차로 여과, 처리하는 분진 및 가스 제거 장치가 제안되었다.
예컨대, 미합중국 특허 제 5,536,298호는 이러한 회전 브러쉬 및 필터를 채용하여 반도체소자 제조공정 중에 발생하는 분진 및 가스를 제거하는 장치를 개시하고 있다. 도4에는 상기 미합중국 특허에 개시된 분진 및 가스 제거장치(500)가 도시되어 있다.
도4에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 분진 및 가스 제거장치(500)는 가스 공급원(1)에 연결되어 있는 챔버(3)를 구비한다. 상기 챔버(3) 내에는 모터(37)에 연결되어 있는 회전 브러쉬(36)가 설치되어 있으며, 상기 챔버(3)의 상부 양측에는 필터(53)가 설치되어 있는 한 쌍의 집진실(5)이 형성된다. 상기 한 쌍의 집진실(5)은 각각 가스 밸브(59)를 통해 배기덕트(6)와 연통된다.
상기 배기덕트(6)의 소정 위치에는 가스의 유동을 활성화시키기 위한 블로어(blower; 7)가 설치되며, 상기 블로어(7)의 하부에는 유해가스 처리 장치(13)가 설치된다. 도면부호(8, 9)는 가스 중에 포함되어 있는 오일 및 수분을 처리하기 위한 폴리머 부재이다.
상기 구조의 분진 및 가스 제거 장치(500)에서는, 가스 공급원(1)을 통해 유입되는 가스 및 분진이 회전 브러쉬(36)의 회전에 의해 원심력을 부여받아 상기 챔버(3)의 측벽을 향해 부세된다. 이때, 상기 가스에 포함되어 있던 액체들도 상기 측벽으로 부세된 후 중력에 의해 하향 이동하여 폴리머부재(8,9)에 흡수되는데, 상기 분진들 중의 일부가 상기 액체에 흡수되어 폴리머부재(8,9)로 흡수되므로 필터(53)로 안내되는 분진의 양이 감소되게 된다.
상기 분진들은 집진실(5)에 배치된 필터(53)에 의해 추가로 여과되는데, 이때 필터(53)로 안내되는 분진들의 양이 감소된 상태이므로 필터(53)의 사용 수명이 연장될 수 있다.
상기 필터(53)를 통과한 가스는 밸브(59) 및 블로어(7)를 통해 가스 처리 장치(13)로 안내되는데, 상기 가스 처리 장치(13) 산화, 환원, 중화, 흡수 등과 같은 화학적 처리 방식을 이용하여 유해가스를 제거한 후 정화된 가스를 배기덕트(6)를 통해 외부로 배출한다.
그러나, 상기 가스 및 분진 처리 장치(500)는 필터(53)의 수명을 다소 연장시킬 수는 있지만, 필터(53)에 눈막힘 현상이 발생할 경우에는 전체 장비를 해체하여 필터를 교체해주어야 한다는 문제가 존재한다.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점들을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 독성 가스 및 분진을 효과적으로 제거할 수 있으며, 필터의 수명을 연장시킬 수 있고, 장치의 운용비용을 감소시킬 수 있는 가스 및 분진 처리장치를 제공하는 것이다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 및 분진 처리 장치의 구성을 보여주는 개략도이다.
도2는 도1에 도시된 필터 장치의 평단면도이다.
도3은 필터와 촉매장치를 구비한 종래 가스 및 분진 처리 장치의 구성을 보여주는 개략도이다.
도4는 필터와 회전브러쉬를 구비한 종래 가스 및 분진 처리 장치의 구성을 보여주는 개략도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 가스 및 분진 처리 장치 110 : 가스 유입관
115 : 제1 밸브 120 : 바이패스관
122 : 필터 125 : 바이패스 밸브
130 : 모터 134 : 상부 브러쉬
135 : 분진 처리실 136 : 하부 브러쉬
140 : 제1 집진실 150 : 제1 가스 가이드관
160 : 히터 170 : 제2 가스 가이드관
175 : 제2 밸브 180 : 제2 집진실
190 : 제3 가스 가이드관 200 : 제3 집진실
210 : 배기관
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 가스 유입관과 연통된 분진 처리실 내에 배치되는 필터, 상기 분진 처리실 내의 압력이 소정치 이상으로 상승될 때 상기 필터에 부착된 분진들을 털어내는 제1 수단, 상기 필터로부터 떨어지는 분진들을 포집, 배출하기 위한 제2 수단, 상기 분진 처리실과 연통되어 있으며, 상기 분진 처리실로부터 유입되는 가스에 고온을 인가하여 유입가스에 수반된 유해 요소 및 유해 가스를 연소시키는 히터, 및 상기 히터에 의해 제거된 유해 요소의 잔해를 포집 및 배출하는 제3 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리장치를 제공한다.
상기 필터는 원통형으로 형성된다. 상기 제1 수단은 상기 분진 처리실 내의 압력이 소정치 이상으로 될 때 정방향 또는 역방향으로 회전하는 정역모터를 구비하며, 상기 정역모터는 상기 원통형 필터의 내부를 통과하여 상기 필터의 바닥부까지 연장하는 모터축을 갖는다. 상기 모터축의 상부 및 하부에는 상부 및 하부 브러쉬가 고정적으로 부착되어 상기 모터축이 회전함에 따라 상기 필터에 부착된 분진을 털어낸다.
상기 제2 수단은 상기 분진 처리실과 연통된 제1 집진실 및 상기 제1 집진실 내에 배치되는 포집통을 포함한다. 상기 포집통의 소정 위치에는 상기 제1 집진실의 외부로 연장하는 제1 덕트가 형성되어 있는데, 제1 진공장치가 상기 덕트를 통해 상기 포집통에 포집된 분진을 흡입 제거한다.
상기 제3 수단은 그 일단부가 가스 안내관을 통해 상기 히터에 연결되어 있으며, 그 타단부는 가스 배기관에 연결되어 있는 제2 집진실을 구비한다. 상기 제2 집실실의 상부에는 제3 집진실이 형성되어 있으며, 상기 제3 집진실의 일측에는 배출공이 형성되어 있다. 제2 진공장치는 상기 배출공을 통해 상기 제3 집진실 내에 포집된 분진을 흡입 배출한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리장치(100)가 도시되어 있다. 도1에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 가스 및 분진 처리장치(100)는 가스 유입관(110)과 연통된 분진 처리실(135) 내에 배치되는 필터(122)를 구비한다. 도2를 통해 알 수 있는 바와 같이, 상기 필터(122)는 중공형 원통체 형상을 갖는다. 또한, 상기 가스 유입관(110)의 소정 위치에는 상기 분진 처리실(135)로 가스가 유입되는 것을 허용 또는 차단하기 위한 제1 밸브(115)가 제공된다.
상기 분진 처리실(135)의 외측에는 모터(130)가 설치되어 있는데, 상기 모터(130)는 상기 분진 처리실(135) 내의 압력이 소정치 이상으로 될 때 작동하며, 정방향 또는 역방향으로 회전하는 정역모터를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 분진 처리실(135) 내의 압력은 상기 필터(122)에 부착된 분진의 양에 따라 가변되는데, 별도의 압력센서를 상기 분진 처리실(135)에 설치하여 상기 분진 처리실(135) 내의 압력을 검출한 후, 검출 압력이 소정치 이상일 경우 상기 모터(130)에 작동신호를 인가하는 방식이 채용된다.
그러나, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 압력센서를 사용하지 않고 소정의 시간 간격을 두고 상기 모터(130)를 정역 방향으로 구동시키는 방식이 채용될 수 있다. 이러한 경우에는, 다수회의 실험을 통하여 상기 분진 처리실(135) 내의 압력 변화 추이를 파악한 후 상기 모터(130)의 구동시기를 선택하면 된다.
상기 모터(130)는 상기 원통형 필터(122)의 내부를 통과하여 상기 필터(122)의 바닥부까지 연장하는 모터축(132)을 갖는다. 상기 모터축(132)의 상부에는 상부 브러쉬(134)가 고정적으로 부착되어 상기 모터축(132)이 회전함에 따라 상기 필터(122)의 상부에 부착된 분진을 털어낸다. 또한, 상기 모터축(132)의 하부에는 하부 브러쉬(136)가 고정적으로 부착되어 상기 모터축(132)이 회전함에 따라 상기 필터(122)의 하부에 부착된 분진을 털어낸다.
도2를 통해 알 수 있는 바와 같이, 상기 상부 브러쉬(134)와 상기 하부 브러쉬(136)는 서로 대향되는 방향으로 배치된다.
상기 분진 처리실(135)의 하부에는 상기 분진 처리실(135)과 연통된 제1 집진실(140)이 배치된다. 상기 제1 집진실(140) 내에는 포집통(142)이 배치되어 있으며, 상기 포집통(142)의 소정 위치에는 상기 제1 집진실(140)의 외부로 연장하는 제1 덕트(144)가 형성된다. 제1 진공장치(145)는 상기 덕트(144)를 통해 상기 포집통(142)에 포집된 분진들을 흡입, 배출한다.
한편, 상기 필터(122)와 상기 포집통(142)은 클램프(146)를 개재하여 서로 결합되는데, 상기 클램프(146)에 의해 상기 필터(122)와 포집통(142) 사이에서 분진의 누설이 발생하지 않게된다.
상기 분진 처리실(135)은 제1 가스 가이드관(150)을 통해 히터(160)에 연결되어 있다. 상기 히터(160)는 상기 분진 처리실(135)로부터 유입되는 가스에 고온을 인가하여 유입가스에 수반된 유해 요소 및 유해 가스(SiH4계열의 가스, PH3, 및 NH3)를 연소시킨다.
상기 히터(160)의 하부에는 상기 히터(160)에 의해 연소된 유해 가스의 잔해를 포집, 배출하며, 정화된 가스가 외부로 배출될 수 있도록, 배기관(210)에 연결되어 있는 제2 집진실(180)이 배치되어 있다. 상기 제2 집진실(180)은 제2 가스 안내관(170)을 통해 상기 히터(160)에 연결되어 있다. 상기 제2 가스 안내관(170)의 소정 위치에는 히터(160)를 통과한 가스 및 분진을 제2 집진실(180) 또는 배기관(210)으로 안내하는 제2 밸브(175)가 설치되어 있다.
또한, 상기 제2 집진실(180)은 상기 제2 가스 안내관(170)에 착탈가능하게 장착된다. 상기 제2 집진실(180) 내에 포집된 분진은 상기 제2 집진실(180)을 상기 제2 가스 안내관(170)으로부터 탈거하여 배출시킨다.
상기 배기관(210)의 소정 위치에는 제3 집진실(200)이 형성되어 있다. 상기 제3 집진실(200)은 상기 제2 집진실(180)에 포집되지 않고 배기관(180)으로 유입되는 분진들을 포집하기 위한 것이다. 따라서, 상기 제3 집진실(200)에는 매우 적은 양의 분진만이 포집된다. 상기 제3 집진실(200)의 일측에는 배출공(205)이 형성되며, 제2 진공장치(155)는 상기 배출공(205)을 통해 상기 제3 집진실(200) 내에 포집된 분진을 흡입, 제거한다.
한편, 상기 가스 유입관(110)의 상부에는 바이패스관(120)이 분기되어 있는데, 상기 바이패스관(120)은 상기 가스 및 분진 처리장치(100)에 결함이 발생할 경우 가스를 배기관(210)으로 유도하기 위한 것이다. 이를 위하여, 상기 바이패스관(120)의 소정 위치에는 바이패스 밸브(125)가 설치되어 있다.
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 가스 및 분진 처리장치(100)는 다음과 같이 작동한다.
먼저, 상기 제1 밸브(115)는 개방되고, 바이패스 밸브(125)는 폐쇄된 상태에서 가스 유입관(110)을 통해 가스 및 분진이 유입된다. 유입된 가스 및 분진은 분진 처리실(135)로 안내되는데, 상기 분진 처리실(135)을 통과하는 동안 가스에 포함된 분진은 필터(122)에 의해 여과되고, 가스는 제1 가스 가이드관(150)을 통해 히터(160)로 안내된다.
상기 히터(160)는 유입되는 가스에 고온을 인가하여 가스 중에 포함되어 있는 유해가스를 연소시킨다. 이때, 상기 제2 밸브(175)는 배기관(210)을 폐쇄하고 제2 집진실(180)을 개방하여 연소가스의 잔재가 상기 제2 집진실(180) 내에 포집될 수 있도록 한다. 이어서, 상기 제2 밸브(175)는 배기관(210)을 개방하고 제2 집진실(180)을 폐쇄하여 정화된 가스를 배기관(210)으로 안내한다.
상기 배기관(210)으로 안내된 가스 중에 포함된 분진은 상기 배기관(210)의 소정위치에 형성된 제3 집진실(200)을 통과하는 동안 상기 제3 집진실(200) 내에 포집된다. 상기 제3 집진실(200)에 포집된 분진은 제2 진공장치(155)를 사용하여 흡입, 배출시킨다.
상기 가스 및 분진 처리장치(100)의 사용중 필터(122)에 부착되는 분진의 양이 많아지게 되면, 상기 분진 처리실(135) 내의 압력이 상승하게 된다. 상기 분진 처리실(135) 내의 압력이 소정치 이상으로 상승하게 되면, 압력센서(도시 안됨)의 신호에 의해 상기 모터(130)가 구동하게 되는데, 상기 모터(130)의 구동에 따라 모터축(132)이 회전하여 상기 상부 및 하부 브러쉬(134, 136)를 회전시키게 된다.
따라서, 상기 필터(122)에 부착되어 있던 분진들이 상기 상부 및 하부 브러쉬(134, 136)에 의해 낙하되어 상기 포집통(142)에 포집된다. 상기 모터(130)는 정역방향으로 구동되므로, 상기 필터(122)에 부착된 분진들이 상기 상부 및 하부 브러쉬(134, 136)에 의해 보다 효율적으로 제거된다.
한편, 이러한 작업을 통해 상기 분진 처리실(135) 내의 압력이 설정된 값 이하로 떨어지게 되면 상기 모터(130)의 작동이 정지한다. 상기 포집통(142)에 포집된 분진은 제1 진공장치(145)를 사용하여 흡입, 배출시킨다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 가스 및 분진 처리장치는 반도체소자 제조 공정이 진행되는 중에 필터에 부착되는 분진을 자동으로 제거시킬 수 있으므로 필터의 눈막힘 현상에 의한 효율 저하를 방지할 수 있다는 장점을 갖는다.
아울러, 브러쉬를 사용하여 상기 필터를 수시로 청소할 수 있기 때문에 필터의 수명이 연장되고 필터성능이 향상된다는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 가스 및 분진 처리 장치는 포집된 분진들을 용이하게 흡입 배출시킬 수 있으며, 유해가스의 제거를 위해 화학물질을 사용하지 않으므로 환경오염을 방지할 수 있다는 효과가 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서 다양한 개량이나 변형이 가능하고, 이러한 개량이나 변형 또한 본 발명에 속한다는 것은 당업자라면 인지할 수 있을 것이다.

Claims (3)

  1. 가스 유입관과 연통된 분진 처리실 내에 배치되어 유입되는 가스에 포함된 분진을 필터링하는 필터;
    상기 분진 처리실 내의 압력이 소정치 이상으로 상승될 때 상기 필터에 부착된 분진들을 털어내는 제1 수단;
    상기 필터로부터 떨어지는 분진들을 포집, 배출하기 위한 제2 수단;
    상기 분진 처리실과 연통되어 있으며, 상기 분진 처리실로부터 유입되는 가스에 고온을 인가하여 유입가스에 수반된 유해 요소 및 유해 가스를 연소시키는 히터; 및
    상기 히터에 의해 제거된 유해 요소의 잔해를 포집 및 배출하기 위한 제3 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조 공정에 사용되는 가스 및 분진 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필터는 원통형으로 형성되며, 상기 제1 수단은 상기 분진 처리실 내의 압력이 소정치 이상으로 될 때 정방향 또는 역방향으로 회전하는 정역모터, 상기 원통형 필터의 내부를 통과하여 상기 필터의 바닥부까지 연장하는 모터축, 상기 모터축의 상부에 고정적으로 부착되어 상기 모터축이 회전함에 따라 상기 필터의 상부에 부착된 분진을 털어내는 상부 브러쉬, 및 상기 상부 브러쉬에 대향되는 방향으로 상기 모터축의 하부에 고정적으로 부착되며, 상기 모터축이 회전함에 따라 상기 필터의 하부에 부착된 분진을 털어내는 하부 브러쉬를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 및 분진 처리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 수단은 상기 분진 처리실과 연통되도록 상기 분진 처리실의 하부에 배치되는 제1 집진실, 상기 제1 집진실 내에 배치되는 포집통, 상기 포집통의 소정 위치에 형성되어 상기 제1 집진실의 외부로 연장하는 제1 덕트, 상기 덕트를 통해 상기 포집통에 포집된 분진을 흡입, 배출하는 제1 진공장치, 및 상기 필터와 상기 포집통 사이에서 분진이 누설되지 않도록 상기 필터와 포집통을 결합시키는 클램프를 포함하며, 상기 제3 수단은 그 일단부가 가스 안내관을 통해 상기 히터에 연결되어 있으며, 그 타단부는 가스 배기관에 연결되어 있는 제2 집진실, 상기 배기관의 소정위치에 형성되며, 상기 제2 집진실의 상부에 제공되고, 그 일측에 배출공이 형성되어 있는 제3 집진실, 및 상기 배출공을 통해 상기 제3 집진실 내에 포집된 분진을 흡입, 배출하는 제2 진공장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 및 분진 처리장치.
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