KR20000061505A - 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에서 발생하는 미세 스크래치(micro-scratch)를 제거시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 슬러리는, 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류가 첨가되어 이루어진다. 그리고, 상기 슬러리 제조방법은 다음과 같다. 제 1 단계에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입되고, 이와 동시에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올(
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 제조공정 중에 사용되는 슬러리(slurry) 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 제조공정중 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에 사용되어 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치(micro-scratch)가 감소될 수 있는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재, 반도체 소자가 점차적으로 미세화, 고밀도화 및 고속화되고 있고, 이에 따라 반도체 소자의 구조도 다층배선의 구조로 다양화되고 있다. 한편, 이상적인 리소그래피(lithograpHy)를 위해서는 웨이퍼 표면을 평탄화시키는 것이 필요하고, 이러한 평탄화 기술로는 여러 가지 기술이 있지만 이중 CMP(chemical mechanical polishing) 공정의 사용이 점차적으로 증가하고 있다. 또한, 상기 CMP 공정과 더불어 최적의 공정 확보를 위한 새로운 기술의 개발이 진행되고 있다.
상기 CMP 공정에 있어서는 미세 스크래치(micro-scratch)가 주요 결함으로 나타나고 있고, 이를 해결하기 위한 방법으로는 설비의 개선, 공급장치 및 공급방법의 개선, 필터(filter)의 사용 등이 제공되어 적용되고 있다.
상기 미세 스크래치를 유발시키는 근본적인 원인으로 슬러리(slurry)가 고려되고 있고, 이에 따라 슬러리 자체의 조성물 개량을 통해 CMP 공정에서 미세 스크래치의 결함 문제를 해결하고자 하는 추세이다. 한편, 슬러리 개량을 통한 CMP 공정 특성의 개선으로는 주로 연마속도(polishing rate)를 향상시키는 목적으로 진행되었었다.
이와 관련된 종래의 기술로서, 미합중국특허 제 4,169,337 호에는 aminoethylethanolamine 등과 같은 에칭제를 첨가하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 미합중국특허 제 3,262,766 호와 제 3,768,989 호에는입자의 슬러리 제조시에와 같은 다른 성분 입자를 소량 공침시킨 후 제조하는 방법이 개시되어 있다.
그리고, Mechanism of glass polishing, Vol.52, 1729, 1971에는 제조된 슬러리에,,등과 같은 무기염을 첨가하는 방법이 개시되어 있다. 또한, 미합중국특허 제 5,382,272 호에는슬러리에와등의 금속이온을 첨가한 후 분산시키는 방법이 개시되어 있다.
상기한 바와 같은 종래의 기술에서는 연마속도는 개선되었지만 강한 에칭성에 의해 절연막과 금속배선에 손상을 주거나, 입자 제조비용이 높다거나, 슬러리 안정성의 저하 등의 문제점을 발생하게 되었다. 또한, 연마 설비 조건의 변경에 의한 보상은 가능하지만, 연마속도 이외의 슬러리의 중요한 특성인 미세 스크래치 특성에 대해서는 고려되고 있지 않은 문제점이 있다.
이에 본 발명은 상기한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 반도체 웨이퍼의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에서 발생하는 미세 스크래치(micro-scratch)를 제거시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 에탄올() 첨가에 의한 웨이퍼 내 평탄도와 연마속도를 나타낸 그래프,
도 2는 본 발명에 따른 에탄올() 첨가에 의한 연마공정 후 결함발생의 변화를 나타낸 그래프,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 웨이퍼상의 미세 스크래치(micro-scratch) 감소를 위한 슬러리 제조방법을 설명하기 위한 동작흐름도,
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 웨이퍼상의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법을 설명하기 위한 동작흐름도,
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 웨이퍼상의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법을 설명하기 위한 동작흐름도,
도 6은 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예에서 사용된 에탄올()이 직접 반도체 웨이퍼의 연마공정에 첨가되는 과정을 설명하기 위한 동작흐름도이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리는, 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류가 첨가되어 이루어진다.
그리고, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 제 1 단계에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입되고, 이와 동시에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올이 상기 초순수 워터에 첨가된다. 이후, 제 2 단계에서는 예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되고, 제 3 단계에서는 상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행된다. 다음에, 제 4 단계에서는 pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되고, 제 5 단계에서는 다시 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행된다. 그리고, 제 6 단계에서는 상기 단계 S5에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리를 생성하고, 이후 제 7 단계에서의 패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성된다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법은, 제 10 단계에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입되고, 제 11 단계에서는 예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합된다. 그리고, 제 12 단계에서는 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올이 첨가된다. 다음에, 제 13 단계에서는 상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행되고, 제 14 단계에서는 pH의 조절을 위해 KOH가 첨가된다. 그후, 제 15 단계에서는 다시 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행되고, 제 16 단계에서는 상기 제 15 단계에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성된다. 이후, 제 17 단계에서의 패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성된다.
그리고, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법은, 제 20 단계에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입된다. 이후, 제 21 단계에서는 예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되고, 제 22 단계에서는 상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행된다. 다음에, 제 23 단계에서는 pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되고, 이와 동시에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올이 상기 초순수 워터에 첨가된다. 그후, 제 24단계에서는 다시 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행되고, 제 25 단계에서는 상기 제 24 단계에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성된다. 그리고, 제 26 단계에서의 패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성된다.
상기와 같이 구성된 본 발명은, 지방족 알콜이 슬러리 제조공정중 1%∼10% 범위로 첨가됨으로써 반도체 웨이퍼의 CMP 공정에서 미세 스크래치가 제거될 수 있는 슬러리가 제조된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 슬러리(slurry)는 연마입자, 예를 들면 실리카(silica)와 초순수 워터(D.I. Water; de ionized water) 및, pH 조절용 KOH 등으로 이루어진다. 또한, 상기 슬러리에는 분산 안정성이나 공정능력을 향상시키기 위해 첨가제 등이 포함된다. 일반적으로, 슬러리내의 연마입자 크기와 그 분포가 조절됨으로써 미세 스크래치(micro-scratch)가 제거될 수 있고, 또한 분산입자의 응집 등에 의해 형성 가능한 거대입자의 존재를 최소화시킴으로써 미세 스크래치가 제거될 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 분산내의 연마입자들간의 응집을 최소화하는 방법으로 입자표면의 화학적, 물리적 상태가 변형되도록 하기 위해 첨가제가 도입된다. 이러한 첨가제로서는 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올()이 사용된다.
상기 첨가제로 에탄올()을 첨가하는 경우 슬러리의 연마능력이 용이하게 확인될 수 있다. 따라서, 에탄올() 첨가에 의한 연마시 미세 스크래치 및 결함 특성이 확인될 수 있다. 이때, 상기 에탄올()의 첨가량이 1%∼10%의 범위에서 슬러리의 특성 개선이 확인된다.
한편, 에탄올()의 첨가에 의한 결점으로는 연마속도(polishing rate or removal rate)가 감소되는데, 이때 최대 10%의 에탄올()을 첨가시에 600Å/min 정도의 연마속도가 감소된다. 그러나, 상기 연마속도의 감소는 연마시 연마공정의 변경에 의해 보완되게 되어 슬러리의 기본 공정능력에는 영향이 거의 없다. 따라서, 본 발명에서는 실리카 슬러리(silica slurry) 제조시 일정량의 알콜을 첨가하는 경우에 슬러리의 결함 및 미세 스크래치 특성이 개선된다.
다음에, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법을 설명한다. 먼저, 에탄올()의 첨가량이 1%∼10% 범위이다. 이후,슬러리를 일반적인 분산방법으로 제조하고, 각각의 슬러리에 대한 연마능력을 평가한다. 그리고, 연마장치로는 Strasbaugh 6EC 설비가 사용되고, 상기 슬러리가 퍼리스탈틱 펌프(Peristaltic pump)에 의해 공급되면서 6"P-TEOS(Tetraethoxysilicate) 막질에 대한 연마가 수행된다.
먼저, P-TEOS 막에 대한 연마속도(removal rate)와 웨이퍼내 평탄도(WIWNU; with in wafer non-uniformity)가 다음의 표 1과 같다.
[표 1]
| 에탄올() 농도 | 연마속도(removal rate) | 웨이퍼내 평탄도(WIWNU) |
| 무 첨 가 | 3228 | 4.46 |
| 1wt. % | 3075 | 4.39 |
| 2wt. % | 3018 | 3.98 |
| 3wt. % | 2923 | 4.33 |
| 4wt. % | 2877 | 4.04 |
| 5wt. % | 2823 | 4.13 |
| 6wt. % | 2776 | 3.80 |
| 7wt. % | 2756 | 3.70 |
| 8wt. % | 2714 | 3.59 |
| 9wt. % | 2712 | 3.54 |
| 10wt. % | 2692 | 3.42 |
상기 표 1은 에탄올() 농도에 따른 CMP(chemical mechanical polishing) 공정의 성능 변화를 나타낸 것으로, 슬러리내 에탄올() 농도의 증가에 의해 연마속도는 점차적으로 감소하는 경향을 나타내고 있지만, 웨이퍼내 평탄도(WIWNU)는 다소 개선되는 경향을 나타내고 있다. 그리고, 도 1은 상기 표 1의 결과를 나타낸 그래프이다.
다음에, CMP 공정에 있어서 에탄올() 농도에 따른 전체 결함 발생정도와 미세 스크래치의 발생정도는 다음의 표 2와 같다.
[표 2]
| 에탄올() 농도 | 전체발생정도(total) | micro-scratch 발생정도 |
| 무 첨 가 | 78 | 49 |
| 1wt. % | 74 | 33 |
| 2wt. % | 63 | 37 |
| 3wt. % | 52 | 32 |
| 4wt. % | 50 | 31 |
| 5wt. % | 47 | 36 |
| 6wt. % | 49 | 30 |
| 7wt. % | 46 | 28 |
| 8wt. % | 43 | 26 |
| 9wt. % | 48 | 29 |
| 10wt. % | 45 | 27 |
상기한 바와 같이, 슬러리의 공정능력에 있어서 중요한 미세 스크래치 특성에 대한 평가가 상기 표 2에 나타나 있다. 상기 표 2에 의하면, 에탄올() 농도에 따라 결함의 발생정도가 일정한 경향으로 감소되는 것으로 확인되고 있다. 상기 에탄올()의 양이 10%까지는 결함이 감소되는 효과를 나타내지만, 그 이상의 농도에서는 더 이상의 감소된 효과가 나타나지 않게 된다. 그리고, 도 2는 상기 표 2의 결과를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법을 설명하기 위한 동작흐름도이다. 먼저, 단계 S1에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입되고, 이와 동시에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올()이 상기 초순수 워터에 첨가된다.
이후, 단계 S2에서는 예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱(pre-mixing)이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되고, 단계 S3에서는 상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행된다.
다음에, 단계 S4에서는 pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되고, 단계 S5에서는 다시 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행된다. 그리고, 단계 S6에서는 상기 단계 S5에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기(도시되지 않음)를 통해 여과되도록 하여 슬러리를 생성하고, 이후 단계 S7에서의 패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성된다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법을 설명하기 위한 동작흐름도이다. 먼저, 단계 S10에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입된다.
이후, 단계 S11에서는 예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되고, 단계 S12에서는 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올()이 첨가된다.
다음에, 단계 S13에서는 상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행되고, 단계 S14에서는 pH의 조절을 위해 KOH가 첨가된다. 그리고, 단계 S15에서는 다시 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행되고, 단계 S16에서는 상기 단계 S15에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성된다. 이후, 단계 S17에서의 패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성된다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법을 설명하기 위한 동작흐름도이다. 먼저, 단계 S20에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입된다.
이후, 단계 S21에서는 예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되고, 단계 S22에서는 상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행된다.
다음에, 단계 S23에서는 pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되고, 이와 동시에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류, 예를 들면 에탄올()이 상기 초순수 워터에 첨가된다.
그후, 단계 S24에서는 다시 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행되고, 단계 S25에서는 상기 단계 S24에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성된다. 그리고, 단계 S26에서의 패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성된다.
도 6은 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예에서 사용된 에탄올()이 직접 반도체 웨이퍼의 연마공정에 첨가되는 과정을 설명하기 위한 동작흐름도이다. 먼저, 단계 S30에서는 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입된다.
이후, 단계 S31에서는 예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되고, 단계 S32에서는 상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행된다.
다음에, 단계 S33에서는 pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되고, 단계 S34에서는 다시 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행된다. 그리고, 단계 S35에서는 상기 단계 S34에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성되고, 단계 S36에서의 패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성된다.
상기한 바와 같이, 일반적인 슬러리 제조공정에 의해 일반적인 슬러리가 완성되면, 단계 S37에서는 상기 슬러리가 슬러리 공급장치를 통해 CMP 연마기(polisher)로 공급되고, 이와 동시에 상기 에탄올()이 상기 초순수 워터에 첨가되어 상기 연마기로 공급된다. 이후, 단계 S38에서는 상기 연마기가 반도체 웨이퍼에 대한 연마작업을 수행하여 미세 스크래치가 없는 웨이퍼가 완성된다.
한편, 본 발명은 상기한 특정 실시예에 한정되는 것이 아니라 본원의 요지와 범주를 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지로 변형 및 수정하여 실시할 수 있는 것이다.
상기한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 및 그 제조방법에 의하면, 지방족 알콜이 슬러리 제조공정중 1%∼10% 범위로 첨가되어 슬러가 제조되고, 이 슬러리가 반도체 웨이퍼의 CMP 공정에 사용됨으로써 미세 스크래치가 제거된다.
또한, 연마속도가 개선되고 절연막과 금속배선에 손상을 주지 않으며 슬러리 안정성이 향상되게 된다. 그리고, 연마 설비 조건의 변경에 의한 보상이 가능하면서, 연마속도 이외의 슬러리의 중요한 특성인 미세 스크래치 특성이 고려될 수 있게 된다.
Claims (7)
- 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류가 첨가되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,상기 지방족 알콜은 에탄올()인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리.
- 제 1 항에 있어서,상기 지방족 알콜이 1%∼10%로 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리.
- 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입되고, 이와 동시에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류가 상기 초순수 워터에 첨가되는 단계와;예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱(pre-mixing)이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되는 단계;상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행되는 단계;pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되는 단계;상기 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행되는 단계;상기 단계 S5에서의 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성되는 단계 및;패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성되는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 지방족 알콜이 상기 패키징 작업후 연마공정중에 첨가되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법.
- 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입되는 단계와;예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되는 단계;소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류가 첨가되는 단계;상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행되는 단계;pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되는 단계;상기 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행되는 단계;상기 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성되는 단계 및;패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성되는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법.
- 실리카와 같은 연마입자와 초순수 워터로 이루어진 원료가 투입되는 단계와;예비적으로 미리 상기 원료를 혼합시키는 프리 믹싱이 수행됨으로써 상기 원료가 혼합되는 단계;상기 연마입자를 포함하는 원료의 분포를 최적화시키는 1차 분산이 수행되는 단계;pH의 조절을 위해 KOH가 첨가되고, 이와 동시에 소수성 알킬기와 친수성 작용기를 동시에 갖고 있는 지방족 알콜류가 상기 초순수 워터에 첨가되는 단계;상기 원료의 분포가 최적화되도록 2차 분산이 수행되는 단계;상기 원료의 2차 분산후 상기 원료가 여과기를 통해 여과되도록 하여 슬러리가 생성되는 단계 및;패키징 작업을 통해 슬러리의 제조가 완성되는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 미세 스크래치 감소를 위한 슬러리 제조방법.
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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-
1999
- 1999-03-26 KR KR1019990010574A patent/KR20000061505A/ko not_active Application Discontinuation
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