KR20030043198A - 절연층 연마용 슬러리 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 절연층 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탈이온수, 금속산화물, 암모니아 염기, 사급알킬암모늄 염기, 셀룰로오스 및 아민을 포함하는 절연층 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이며, 본 발명에 의해 잔류 LPD 를 감소시키고, 웨이퍼 후면의 오염을 줄이며, 연마속도 및 연마균일도가 개선된 연마용 슬러리 조성물을 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 절연층 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 디바이스 제조시 CMP 기술이 적용되고 있는 층간 절연막 연마에 있어서, 연마후 웨이퍼 연마 표면에 μ-스크래치성 LPD를 일으키지 않으면서, 연마속도 및 웨이퍼내 표면 균일도를 개선하는 특성을 가진 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
반도체 디바이스는 고성능, 고집적화를 통해 256M 및 1G bit급의 DRAM으로 대표되는 ULSI시대로 돌입하고 있으며 디바이스 제조의 최소가공 사이즈가 점점 작아짐에 따라 차세대 디바이스의 경우 0.18um, 0.12um등의 선폭이 적용되고 있다. 이와 같은 고집적 디바이스의 경우 사진 공정(photolithography)시 원하는 해상도를 얻기 위해서 스텝퍼의 고성능화, 렌즈 개구수 증대와 빛의 단파장화가 필요하다. 그러나 이러한 조건을 진행시키면 DOF(Depth Of Focus)가 얕아지고 디바이스 표면의 단차로 인해 충분한 해상도를 얻을 수 없게 된다. 또한 이러한 배선구조의 미세화와 더불어 고밀도의 집적회로를 구성하고자 할때 배선층수의 다층화도 진행되는데 로직(Logic)의 경우 층수가 6~7층으로 증가하고 DRAM의 경우 2~3층으로 증가할 전망이다. 이처럼 배선층수가 많다는 사실은 소재의 표면구조가 복잡하게 되고 표면 요철의 정도가 심해진다는 것을 의미한다.
평탄화 기술은 이처럼 사진 공정시 초점 심도의 여유 감소와 배선구조의 다층화에 따른 문제점을 해결할 중요한 기술로 채택되고 있다. 이것은 광역 평탄화로 구현되는 표면은 사진공정과 배선형성을 쉽고 정확하게 할 수 있는 이상적인 상태이기 때문이다.
평탄화에는 Reflow, SOG, Etch Back, ECR, Depo & Etch 등 여러 가지 방법이 제안되어 일부 실용화되고 있으나 부분 평탄화(local planarization)가 그 주류를 있다. 따라서 광역 평탄화를 실현할 수 있는 가장 능률적인 방법으로 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)가 디바이스 웨이퍼의 평탄화 기술로서 각광 받고 있다.
CMP 기술의 원리는 웨이퍼를 연마패드 표면위에 접촉하도록 한 상태에서 연마액(Slurry)을 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 연마패드와 웨이퍼를 상대운동시켜 물리적으로 웨이퍼 표면의 요철부분을 평탄화하는 것이다.
반도체 CMP공정에 사용되는 슬러리는 탈이온수, 금속산화물, pH 조절을 위한 염기 또는 산 그리고 연마속도 개선을 위한 산화제 등을 포함하고 있다. 금속 산화물은 발연법 또는 졸-겔법으로 제조되어진 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO2), 티타니아(TiO2) 등이 주로 사용된다. 첨가제로는피연마재질에 따라 피연마재질이 SiO2의 절연층일 경우 수산화 칼륨, 수산화 나트륨, 아민 등의 염기성 화합물을 사용하며 피연마재질이 배선이나 플러그(plug)처럼 금속일 경우 황산, 질산, 아세트산과 같은 산과 함께 과산화 수소 등의 산화제 등을 첨가하여 사용할 수가 있다.
이들 슬러리들의 조성에 대한 기공지된 방법을 금속산화물 종류 및 첨가제 별로 예를 들면, 금속 배선 및 플러그 연마용 슬러리로서 알루미나/과산화수소로 구성된 슬러리(US 544,523), 실리카/K3Fe(CN))6로 구성된 슬러리(US 5,340,370), 질화실리콘/디카르복실산으로 구성된 슬러리(EP 786,504), 금속산화물/산화제/불소이온으로 구성된 슬러리(WO 9,743,070)등이 있고, 절연층 연마용 슬러리로서 실리카/아민/무기염/폴리하이드릭 알콜(Polyhydric alcohol)로 구성된 슬러리(US 4,169,337), 실리카/사급암모늄염으로 구성된 슬러리(US 5,139,571), 세리아/카르복시산/실리카로 구성된 슬러리(US5,759,917), 테트라메틸암모늄염/과산화 수소로 구성된 슬러리(US 5,938,505), 전자주게 화합물/TMAH/실리카로 구성된 슬러리(US 6,009,604)등이 있는데 이들 슬러리는 안정제로 알칼리 염기를 사용하는게 일반적이다. 그러나 알칼리 염기는 웨이퍼로의 침투성이 좋기 때문에 CMP 공정조건에 따라서는 연마중 웨이퍼 후면(back side)을 식각시키는 치명적인 문제를 유발시키는 단점이 발생하기도 한다. 그밖에 금속산화물 연마제(abrasive)를 분쇄·분산하는 기술은 슬러리의 연마 품질을 좌우하기 때문에 제조사들은 생산 고유의 분산기술(US 5,904,159)을 확보하는데 주력하고 있다.
이들 슬러리들은 피연마 재질 및 CMP 요구 공정에 따라 각각 반도체 생산에 실제로 적용되고 있는 것으로 연마성능 평가 항목중에서 연마속도, 균일도, 평탄도, 선택비 등을 개선하기 위한 조성물로서 이들 슬러리에 대한 평가도 어느 정도 만족할 만한 수준에 도달한 것으로 평가되고 있다. 그러나 디바이스의 고집적화가 가속될수록 이들 단위 항목에 대한 품질 요구는 더욱 엄격해지기 때문에 반도체 제조사들로부터 지속적인 성능 개선이 요구되고 있는 실정이고 단일 제품으로 이러한 품질 항목을 동시에 만족시키기에는 어려움이 여전히 남아있다. 더욱이 연마후의 웨이퍼 표면에 생성되는 μ-스크래치성의 LPD(Light Point Defect)가 다량 발생되는 단점은 여전히 해결해야 할 과제로 상존하고 있어 개선의 여지가 크다 할 수 있겠다.
CMP 후 웨이퍼 전면(front side)에 생기는 LPD 결함, 특히 크기가 0.3 미크론 이상인 LPD 결함은 대부분 슬러리에 포함되어 있는 일부 큰 금속산화물 연마제 입자에 의해 발생되는 것으로 알려져 있다. STI (Shallow Trench Isolation) 공정에 있어서 μ-스크래치성 LPD의 발생은 디바이스 고장(Device fail)을 유발하게 됨으로 치명적인데, 이는 STI공정이 트렌치를 이루는 구조가 200nm 정도로 얇고 미세하여 μ-스크래치성 LPD가 발생할 경우 STI 구조 자체가 파괴되고, 위층에 형성되는 트랜지스터나 커패시터 등에 영향을 미치게 되어 디바이스 고장(Device fail)을 유발시키게 된다.
또한 회로 밀도가 조밀해질수록 CMP 공정을 거친 표면의 평탄도(planarity)나 균일성(uniformity)은 저하되는 경향이 있고 나아가서는 연마 속도의 저하현상을 일으키는 것으로 알려져있다. 반도체 가공의 이러한 특성은 CMP 안정성(reproducibility) 확보를 위하여 슬러리의 분산성 연마제(abrasive) 입자의 특성은 중요한 요인이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 잔류 LPD 를 감소시키고 웨이퍼 후면의 오염을 줄이며, 연마속도 및 연마균일도가 개선된 절연층 연마용 연마용 슬러리 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 탈이온수, 금속산화물, 암모니아 염기, 사급알킬암모늄 염기, 셀룰로오스 및 아민을 포함하는 절연층 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
이하에서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 슬러리 조성물에서 금속산화물로는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO2), 티타니아(TiO2) 등을 사용할 수 있으며, 이들 금속산화물은 발연법이나 졸-겔법 등으로 만들어질 수 있다. 상기 금속산화물의 일차 입자 크기는 10~80nm, 바람직하게는 20~40nm(TEM 측정 결과)이고, 비표면은 50~200 ㎡/g, 바람직하게는 80~130 ㎡/g 범위가 되는 것이 표면 균일도가 크게 증진된 효과를 얻을 수 있어 바람직하다. 1차 입자의 크기가 10nm 미만이면연마속도(Removal Rate)가 떨어져 생산성(Throughput) 측면에서 바람직하지 못하고, 반대로 80nm를 초과하는 경우 연마속도가 증가하여 생산성 측면에서는 유리하나, 분산에 어려움이 있고 큰 입자가 다량 존재하여 μ-스크래치를 다량 유발함으로 바람직하지 않다.
이들 금속 산화물들은 수용성 분산상태에서의 2차 평균 입자는 100~200nm가 되도록 분산하는 것이 바람직하고 장기간 분산성을 유지하기 위해서는 금속산화물 표면의 수산기 농도가 0.5~4/nm2인 것이 바람직하다.
이들 금속산화물의 함유량은 조성물 전량에 대해 0.1~50 중량% 범위이다. 일반적으로 실리카를 연마제로 한 슬러리 조성물로서 반도체 웨이퍼의 절연층 연마용으로 사용할 경우에는 9~15중량%을, 금속배선 및 플러그 등을 연마할 경우에는 3~6중량%을 사용한다.
피연마 물질로서 절연층을 연마하는 경우에는, pH 조절과 연마속도 개선을 위한 첨가제로 일반적으로 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH)과 같은 알칼리 염기 또는 유기 아민(R3N,R=탄소치환기)과 같은 염기를 사용하나, 본 발명에서는 알칼리 염기에 의해 웨이퍼 후면이 손상되는 문제를 제거하기 위하여 표면 확산성이 작은 암모니아를 0.2∼2 중량% 범위에서 사용하여, pH가 10∼12가 되도록 한다. 한편 암모니아를 첨가함에 의해 약화된 연마력을 보상하기 위하여 사급알킬암모늄(R4N+, R=탄소치환체) 염기를 0.01~2중량%의 범위로 첨가하여 슬러리 조성물의 pH가10.5~12가 되도록 조절하였다. 상기 범위보다 적게 사용되는 경우는 첨가효과를 발휘하기 어렵고, 상기 범위보다 많이 사용되는 경우는 실리카의 분산성을 저해하게 된다. 상기 사급알킬암모늄 염기에 부착된 알킬기는 탄소수가 3 이내인 것을 사용하는 것이 좋다. 탄소수가 4 이상인 경우에는 계면활성력이 부가되어 기포가 과량발생하고 표면장력이 감소하는 문제점이 있다. 이러한 사급알킬암모늄 염기는 연마 촉진제의 역할 이외에, 연마 품질 특히 웨이퍼 표면의 잔류 LPD(Light Point Defect) 농도와 표면 균일도의 개선에 핵심적인 작용을 한다.
사급알킬암모늄 화합물의 일종인 TMAH(테트라메틸암모늄 하이드록사이드)는, 최근의 미국 특허 US 6,099,604에서 연마 제거물인 실록산류 부가물의 반응성을 감소시켜 이들이 피연마 재질에 재흡착되지 않고 쉽게 웨이퍼상에서 제거 되도록 하는 계면활성제로서의 역할이 언급된 바 있는데, 본 발명을 위한 연구의 결과 상기와 같은 장점을 확인 할 수 있었고 특히 암모니아 염기와 혼용하는 경우에 더욱 효과가 있는 결과를 얻을 수 있었다.
그러나 연마제 입자의 분산 안정화 측면에서 고려한다면, 강염기인 사급알킬암모늄 염기는 연마제 입자의 전기이중층을 급격히 약화시켜 분산성을 저해하는 것으로 알려져 있는데, 본 발명에서는 분산 방식의 최적화를 통하여, 화학적으로 균일한 입자간 분배와 입자와의 반응이 진행되어 질소염기의 알킬기가 입자표면의 입체 장애물로서 작용하도록 하였고 결과적으로 분산성의 개선된 것을 다양한 평가를 통하여 확인할 수 있었다.
TMAH과 같은 사급알킬암모늄 염기를 사용하는 경우, 이 화합물들이 연마제거물인 실록산(Siloxane)류의 Si-OH와 수소결합 혹은 이온결합을 통하여 Si-OH의 반응성을 감소시키기 때문에, 이러한 연마제거물이 표면에 재흡착하거나 연마제거물 간의 고분자화 축중합에 의해 콜로이드 크기의 불안정한 무정형 입자로 성장하거나 더욱 치명적으로는 이들 반응 활성의 중합체가 연마제 입자와 입자간의 가교화 반응을 진행하여 입자의 불안정화를 촉진하는 경우에 진행되는, 연마 속도 감소 μ-스크래치의 발생 그리고 입자의 잔류와 같은 바람직하지 않은 연마의 반응 경로가 감소되어 연마속도 증가는 물론 표면 결함인 μ-스크래치성 LPD가 감소되는 연마특성을 발휘하는 것이다.
본 발명의 연마용 슬러리에는, 연마제 금속산화물의 분산 안정성을 연장하고 표면 거칠기(roughness)개선하기 위해 수용성 고분자인 셀룰로오스를 첨가한다. 상기 셀룰로오스는 바람직하게는 슬러리가 층류(laminar)를 생성하도록 분자량이 10만 이상, 보다 바람직하게는 30만 내지 100만 범위 이내이고 긴 사슬구조를 가진 것을 사용하였다. 구체적으로는 히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시부틸메틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 친유성으로 조절된 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스 등을 들수 있으며, 더욱 바람직하게는 히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 특히 친유성으로 조절된 히드록시에틸셀룰로오스를 사용하면 분산성과 표면 거칠기 개선에 좋은 결과를 얻을 수 있다. 상기 셀룰로오스 고분자의 함량은 전체 슬러리 중 0.001∼1중량%가 되도록 사용한다. 또한 슬러리의 표면장력이30~65dyne/cm2, 더욱 바람직하게는 50~60dyne/cm2이 되도록 10~1,000 ppm으로 사용하는 것이 바람직하다. 상기의 고분자는 일반적으로 수용성인데, 응집 침하 현상이 두드러진 금속산화물의 표면간을 효과적으로 차단하는 입체 장애물 역할을 하기 때문에 분산성을 증진시켜 침하속도를 현저히 감소시킬 수 있다. 셀룰로오스 고분자를 1중량%를 초과하여 사용한 경우에는 기포가 과량으로 발생하여 연마공정의 작업성과 연마품질을 저해할 수 있으므로, 파포성 등의 특성을 고려하여 최적량을 선택하는 것이 중요하다.
본 발명의 슬러리 조성물에서는 기포성과 침하 방지의 효과를 개선하고 연마후 웨이퍼의 세정성을 향상시키기 위하여 히드록시프로필셀룰로오스에 알킬기(탄소수 15이하)가 3% 이내인 친유성으로 조절된 히드록시에틸셀룰로오스에서 탁월한 효과를 얻었다. 그러나 이 경우에는 친유기로 인하여 수화가 원활하지 않은 단점있다. 본 발명자들은 고분자를 쉽게 수화시키면서 본연의 성능을 발휘하는 첨가물에 관한 연구를 거듭한 결과 디에틸글리콜에테르류를 친유성으로 조절된 히드록시에틸셀룰로오스와 혼용하는 경우에 퓸드 실리카나 콜로이드 실리카의 연마제의 분산안정화에 특히 효과가 있음을 알게 되었다. 상기 디에틸글리콜에테르의 구체적인 예로서는 디에틸글리콜디에틸에테르, 디에틸글리콜디부틸에테르, 디에틸글리콜에틸에테르, 디에틸글리콜도데실에테르 혹은 디에틸글리콜헥실에테르를 들 수 있으며, 더욱 바람직하게는 디에틸글리콜도데실에테르 혹은 디에틸글리콜헥실에테르를 사용한다. 이러한 분산 안정화로 인하여, LPD, 연마속도, 표면 균일도를 개선시키는 조성의 슬러리가 장기적으로도 균일한 연마품질을 발휘할 수 있도록 한다. 전체조성물 중 디에틸글리콜에테르류의 함량은 0.05∼1중량%범위가 되도록 함이 바람직하다.
본 발명의 슬러리 조성물에서는 연마속를 개선하기 위한 연마 촉진제로서 아민을 첨가할 수 있다. 구체적으로는 1차 알콜 아민, 2차 알콜 아민, 3차 알콜 아민을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 트리에탄올아민 또는 모노에탄올아민을 사용한다. 전체 슬러리 조성물 중 아민의 사용 농도는 0.05~1중량%, 보다 바람직하게는 0.08~0.5중량%로 한다.
이하 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예들은 예시적 의미를 지니며 본 발명의 보호 범위를 제한하는 것은 아니다.
실시예에서 사용된 실리카의 종류는 다음과 같다.
| 실리카 | 종류 | 일차입자(nm) | 비표면적(m2/g) |
| A | 퓸드 실리카 | 40 | 75∼95 |
| B | 퓸드 실리카 | 20 | 120∼140 |
| C | 퓸드 실리카 | 50 | 60∼80 |
| D | 콜로이달 실리카 | 102 | 20∼40 |
| 상용슬러리 | 퓸드 실리카 |
실시예 1, 2
25%-TMAH 40g, HEC 0.6g, 디에틸글리콜 에틸에테르 2g, 트리에탄올 아민 4g을 친유성으로 조절된 히드록시기 에틸 셀룰로오스 0.6g이 담긴 4ℓ의 폴리에틸렌 용기에 적가하고, 50rpm으로 10분간 교반하였다. 수용액을 500rpm으로 교반을 하면서 240g의 퓸드 실리카 A 및 B를 적가하여 30분 동안 교반하여 1차 혼합을 완료하였다. 본 발명에서는 1차 혼합 슬러리를 고압으로 가속시켜 오리피스내에서 전단력(Shearing force), 충돌력(Impact) 및 공동화(Cavitation)등을 일으키게 하는 방법(대한민국 특허출원 98-39212, 대한민국 특허출원 99-34608)을 사용하여 분산시켰다. 분산 슬러리는 폴리에틸렌 용기에서 30rpm 교반하에 29%-암모니아수 69g과 혼합하여 제조를 완료하였다. 이 슬러리는 1미크론 필터를 사용하여 여과한 후 아래와 같은 조건에서 2분간 연마하였다. 연마에 의해 제거된 웨이퍼의 두께 변화로 연마속도를 측정하였다. 표면의 LPD 발생량은 KLA-TENCOR사의 Surfscan 6420을 이용하였고 5㎛×5㎛ 범위의 AFM 분석으로 거칠기를 측정하였다. 결과는 표 1과 2에 나타내었다.
▷ 연마기 Model : Lapmaster LGP-381
▷ 연마 패드 : IC1400(Rodel社)
▷ 연마 대상 : TEOS , 6" blanket wafer
▷ 연마조건
| 평탄화속도 | 스핀들속도 | 하강압력 | 등압 | 슬러리흐름 | 온도 | 오실레이션 |
| 300rpm | 30rpm | 300 g/cm2 | 0psi | 200ml/min | 25℃ | ±10mm |
비교예 1~6
첨가제를 표 1에 나타나 바와 같이 첨가하는 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일한 방법으로 실시하였다.
| 실리카 | 첨가제(중량%) | pH | 침하속도 | 연마성능 | ||||||||
| NH3 | TMAH | HEC | Ether | 아민 | 산화막연마속도(Å/min) | 불균일도(%) | LPD>0.3㎛(개) | 거칠기(nm) | ||||
| 실시예1 | A | 1 | 0.5 | 0.03 | 0.1 | 0.2 | 11.2 | 0.07 | 780 | 11 | 75 | 1.0 |
| 실시예2 | B | 1 | 0.5 | 0.03 | 0.1 | 0.2 | 11.0 | 0.05 | 730 | 5 | 50 | 0.6 |
| 비교예1 | A | 1 | 0.5 | × | × | × | 10.9 | 0.06 | 740 | 6 | 87 | 1.1 |
| 비교예2 | A | × | 0.5 | × | × | × | 11.0 | 0.05 | 690 | 13 | 165 | 1.3 |
| 비교예3 | A | 1 | × | × | × | × | 11.1 | 0.12 | 620 | 12.5 | 250 | 1.8 |
| 비교예4 | A | 1 | 0.5 | 0.03 | × | × | 11.1 | 0.05 | 730 | 10 | 90 | 0.8 |
| 비교예5 | A | 1 | 0.5 | 0.03 | 0.1 | × | 11.1 | 0.03 | 740 | 9 | 45 | 0.6 |
| 비교예6 | A | 1 | 0.5 | × | × | 0.2 | 11.2 | 0.10 | 810 | 9 | 100 | 1.5 |
※침하속도측정법: 직경 1cm, 길이 13cm의 유리 실험관에 슬러리를 11cm 까지 동일하게 채우고 3개월 방치. 상단 표면으로부터 투명해진 높이를 시기별로 계측함.
| 실시예1 | 실시예2 | 비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | 비교예4 | 비교예5 | 비교예6 | ||
| shakingstability(ppm) | LP1) | 130 | 30 | 250 | 210 | 100 | 80 | 70 | 110 |
| LP2) | 168 | 52 | 600 | 420 | 120 | 110 | 78 | 180 |
※ 평가 방법: 시료가 담긴 용기를 진동기에 고정시키고 24시간 작동함. 시간 단위로 시료를 채취하여 3㎛ 이상의 거대입자 농도를 분석함.
1) LP : 1시간 후 채취한 시료의 거대 입자량
2) LP : 24시간 후 채취한 시료의 거대 입자량
비교예 7∼9
실리카와 첨가제의 종류를 표 3에 나타난 바와 같이 첨가하는 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일하게 실시하였다.
| 금속산화물 | 첨가제(중량%) | pH | 침하속도mm/day | 연마성능 | |||||||||
| KOH | NH3 | TMAH | HEC | Ether | 아민 | 산화막연마속도(Å/min) | 불균일도(%) | LPD>0.3㎛(개) | 거칠기(nm) | ||||
| 비교예7 | C | 0.5 | × | × | × | × | × | 11.2 | 0.17 | 780 | 12 | 172 | 1.1 |
| 비교예8 | C | × | 1 | × | × | × | × | 10.9 | 0.2 | 670 | 14 | 350 | 1.8 |
| 비교예9 | D | × | 1 | 0.5 | 0.03 | 0.1 | 0.2 | 11.2 | 침하없음 | 620 | 6.5 | 59 | 0.4 |
| 비교예7 | 비교예8 | 비교예9 | ||
| shaking stability(ppm) | LP1) | 250 | 210 | 100 |
| LP2) | 600 | 420 | 120 |
본 발명에 의해 잔류 LPD 를 감소시키고 웨이퍼 후면의 오염을 줄이며, 연마속도가 향상되며, 특히 상용 슬러리에 비하여 표면의 균일도가 크게 개선된 연마용 슬러리 조성물을 제공할 수 있다.
Claims (5)
- 탈이온수, 금속산화물, 암모니아 염기, 사급알킬암모늄 염기, 셀룰로오스 및 아민을 포함하는 절연층 연마용 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속산화물의 함량이 0.1∼50중량%, 상기 암모니아의 함량이 0.2∼2 중량%, 상기 사급알킬질소 화합물의 함량이 0.01∼2 중량%, 상기 셀룰로오스의 함량이 0.001∼1중량%, 상기 알콜시 아민의 함량이 0.05∼1중량%이고, 나머지 성분이 탈이온수이며, 상기 조성물의 pH가 10.5∼11.5인 것을 특징으로 하는 절연층 연마용 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 금속산화물이 실리카이고, 그 일차 입자의 크기가 10~80nm, 비표면적이 50~200 m2/g 이며, 수용성 분산상태에서의 2차 평균 입자가 100~200nm이고, 실리카 표면의 수산기 농도가 0.5~4/nm2인 것을 특징으로 하는 절연층 연마용 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 사급알킬암모늄 염기에 부착된 알킬기의 탄소수가 3이하이고, 상기 셀룰로오스는 분자량이 10만 이상이며, 긴 사슬구조의 고분자인 히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시부틸메틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오스 또는 메틸셀룰로오스이며, 상기 아민은 1차 알콜 아민, 2차 알콜 아민, 또는 3차 알콜 아민인 것을 특징으로 하는 절연층 연마용 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 셀룰로오스는 분자량이 10만 이상이며, 긴 사슬구조의 고분자인 친유성으로 조절된 히드록시에틸셀룰로오스이고, 조성물이 상기 친유성으로 조절된 히드록시에틸셀룰로오스를 수화시키기 위하여 디에틸글리콜디에틸에테르, 디에틸글리콜디부틸에테르, 디에틸글리콜에틸에테르, 디에틸글리콜도데실에테르, 및 디에틸글리콜헥실에테르로 이루어지는 군에서 선택된 디에틸글리콜에테르를 0.05∼1중량% 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 절연층 연마용 슬러리 조성물.
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