KR20000050392A - 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법 - Google Patents

배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토리소그래피 공정에서 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법을 개재한다. 본 발명에 따른 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법은 정밀한 정렬을 할 수 없는 적외선 광원을 이용한 기존 방식의 배면 정렬공정을 한 번만 수행하고 식각 공정을 하면 그 이후의 배면정렬 공정은 적외선 없이 상당히 정밀하게 할 수 있는 반도체 소자 제작 방법으로서, 기존 방법과는 달리 반도체 기판의 전면에 배면정렬용 마크를 형성 한 후 반도체 기판의 이 부분을 식각하여 배면 정렬용 마크가 바로 보이게 함으로써 굳이 적외선을 사용하지 않더라도 기존의 현미경을 통하여 정렬용 마크를 직접 볼 수 있도록 한다. 그리고 배면정렬용 마크를 이용하여 새로운 정렬용 마크를 반도체 기판의 배면에 형성하는 방법은 배면공정 중 정렬공정이 많을 때 마스크와 새로운 정렬용 마크 간의 거리를 가깝게 하여 둘 다 동시에 잘 보이도록 하여 정렬을 좀 더 용이하게 한다.

Description

배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법{A method for fabricating a semiconductor using bottom-side alignment}
본 발명은 포토리소그래피 공정에서 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법에 관한 것으로, 상세하게는 정밀한 정렬을 할 수 없는 적외선 광원을 이용한 기존 방식의 배면 정렬공정을 한 번만 수행하고 식각 공정을 하면 그 이후의 배면정렬 공정은 적외선 없이 상당히 정밀하게 할 수 있는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제작하는 경우에 가장 많이 수행되는 공정 중의 하나가 포토리소그래피(Photolithography) 공정이다. 이 공정에 관해 개략적으로 설명하면 다음과 같다. 반도체 기판의 표면에 감광성 물질인 포토레지스트(Photoresist)를 코팅하고 소프트 베이크(Softbake)를 행한 후 패턴이 새겨져 있는 마스크의 적당한 위치에 반도체 기판을 정렬시키고 자외선을 쪼여주면 빛을 받은 포토레지스트의 성질이 바뀌어 현상액으로 처리하면 마스크의 패턴과 똑같은 패턴을 얻을 수 있다.
이 포토리소그래피 공정은 반도체 소자 제작 과정에서 여러 번 사용되는데 마스크를 정확히 정렬을 하려면 반도체 기판에 표시한 정렬용 마크(Align Key 혹은 Align Mark)가 필요하다. 이 정렬용 마크와 마스크에 새겨진 또 다른 정렬용 마크의 위치를 현미경을 통해 보면서 일치시킴으로써 설계자가 원하는 위치에 반도체 소자 형성 공정이 행해질 수 있게 된다.
대개의 정렬 공정은 전면정렬(Topside Alignment) 방식으로 반도체 기판에 있는 정렬용 마크와 마스크에 새겨진 정렬용 마크 사이에 포토레지스트 밖에 없어 일반적인 현미경을 통해 보면서 정렬이 가능하다. 그러나 기판의 밑면과 윗면을 관통시키는 공정인 Via-hole(관통홀) 제작 공정에 필요한 배면정렬(Bottomside Alignment) 방식은, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(1)의 전면(2)에 있는 정렬용 마크(5)와 마스크(9)에 새겨진 정렬용 마크(9') 사이에 포토레지스트(4; 감광막) 외에 반도체 기판(1)이 위치하고 있기 때문에 빛이 투과하지 않아 기존의 현미경으로는 정렬이 불가능하다. 따라서, 적외선 광원(8)을 이용하여 반도체 기판(1)에서 포토레지스트를 코팅한 배면(3)에 적외선(8')을 조사시킨 후에 투과된 적외선을 감지하여 모니터를 통해 정렬하게 된다.
그러나 이 방식은 아무래도 반도체 기판(1)에 흡수되고 남은 적은 량의 투과된 적외선을 감지하여 보는 것이므로 모니터에 나타난 반도체 기판(1)에 있는 정렬용 마크(5)의 해상도가 크게 떨어져 정밀한 정렬이 불가능한 문제점이 있다.
특히, 기판 전이(Transferred-Substrate) 방식의 반도체 소자 제작 과정에는 배면 정렬 공정이 많고, 경우에 따라서는 적외선을 투과하지 못하는 캐리어 기판을 사용한다던가 캐리어 기판에 반도체 소자가 있는 기판을 부착하는 과정에서 적외선이 투과할 수 없는 접착물질을 바르는 경우가 있는데 이 경우에는 적외선광을 이용한 배면정렬이 불가능하다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창안한 것으로, 반도체 소자가 집적된 기판을 캐리어 기판에 접착시키기 전에 기존 방식의 정밀한 정렬을 할 수 없는 적외선광원을 이용한 배면정렬공정을 한 번만 수행하고 식각공정을 하면 그 이후의 배면정렬공정부터는 적외선광원이 필요없이 기존의 전면정렬 방식으로 상당히 정밀하게 할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 기판을 캐리어 기판에 부착시 적외선광이 투과할 수 없는 접착물질을 사용한다던가 적외선광을 투과하지 못하는 캐리어 기판을 사용하더라도 아무런 문제가 없는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법을 개략적으로 보여주는 공정 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법을 개략적으로 보여주는 공정 단면도,
도 3은 도 2의 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법을 기판 전이(Transferred-Substrate) 반도체 소자의 제작에 적용한 것으로, 기판 전이 반도체 소자의 제작 공정을 개략적으로 보여주는 공정 단면도,
그리고 도 4a 내지 도 4l은 본 발명에 따라 반도체 소자를 기존의 배면 정렬공정에 적외선 광을 사용하지 않고 전면정렬 방식으로 정렬하기 위한 공정 순서도로서,
도 4a는 반도체 기판을 보여주는 단면도,
도 4b는 도 4a의 반도체 기판에 광투과성 물질막을 형성한 구조를 보여주는 단면도,
도 4c는 도 4b의 구조에서 배면 정렬용 마크를 형성한 구조를 보여주는 단면도,
도 4d는 도 4c의 구조에서 배면 정렬용 마크 위에 색깔 대비막를 형성한 구조를 보여주는 단면도,
도 4e는 도 4d의 구조에서 보호막을 형성한 구조를 보여주는 단면도,
도 4f는 도 4e의 구조에서 배면 정렬용 마크와 그 주변을 제외한 나머지 부분의 광투과성 물질막과 보호막을 식각한 구조를 보여주는 단면도,
도 4g는 도 4f의 구조에서 기판 전면에 반도체 소자를 제작한 모습을 보여주는 단면도,
도 4h는 도 4g의 구조에서 반도체 기판의 배면을 래핑(Lapping)한 모습을 보여주는 단면도,
도 4i는 도 4h의 구조에서 기존의 적외선 정렬방식으로 패터닝을 한 후 배면 정렬용 마크 부분의 반도체 기판을 식각하여 관통홀을 형성한 모습을 보여주는 단면도,
도 4j는 도 4i의 구조에서 반도체 기판을 캐리어 기판에 부착한 모습을 보여주는 단면도,
도 4k는 도 4j의 구조에서 배면 정렬용 마크를 이용하여 새로운 정렬용 마크를 형성한 모습을 보여주는 단면도,
도 4l은 도 4k의 구조에서 반도체 기판의 배면에 반도체 소자를 형성한 모습을 보여주는 단면도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
1. 반도체 기판 2. 반도체 기판의 전면
3. 반도체 기판의 배면 4. 감광막
5. 배면정렬용 마크 6. 전면 반도체 소자
7. 대물렌즈 8. 적외선 광원
9. 마스크
11. 반도체 기판 12. 반도체 기판의 전면
13. 반도체 기판의 배면 14. 광투과성 물질막
15. 배면정렬용 제1마크 16. 색깔대비막
17. 보호막 18. 전면 반도체 소자
19. 접착물 20. 캐리어 기판
22. 대물렌즈 25. 마스크
26. 배면정렬용 제2마크 28. 배면 반도체 소자
110. 관통홀
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제조 방법은, 반도체 기판의 전면에 정렬용 마크를 형성하고, 이 마크를 이용하여 반도체 기판의 배면에 마스크를 정렬하여 패터닝을 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법에 있어서, (가) 상기 반도체 기판의 전면에 광투과성 물질로 광투과성 물질막을 형성한 다음 상기 광투과성 물질막 상에 배면 정렬용 마크를 형성하는 단계; (나) 상기 배면 정렬용 마크가 형성된 상기 반도체 기판의 배면을 갈아내는 배면 래핑(Backside Lapping) 공정을 실시하는 단계; 및 (다) 적외선을 이용한 배면 정렬 공정을 실시한 다음, 상기 배면 정렬용 마크에 대응하는 부분의 상기 반도체 기판 만을 선택적으로 식각하여 관통홀(Via-hole)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 (가) 단계에서 상기 광투과성 물질은 상기 (다) 단계의 관통홀 식각시 식각 저지막(Etch Stop Layer)으로 사용될 수 있는 물질이고,상기 배면 정렬용 마크는 상기 광투과성 물질막과 접착성(Adhesion)이 있는 금속으로 형성되거나, 상기 광투과성 물질막과 접착성이 있는 물질과 상기 광투과성 물질막과 접착성이 없는 물질막의 다중층으로 형성되며, 상기 (가) 단계 다음에 상기 배면 정렬용 마크 위에 상기 배면정렬용 마크와 색깔대비가 뚜렷한 물질로 색깔 대비막을 형성하는 단계;를 더 포함하며, 상기 (가) 단계 다음에 상기 배면 정렬용 마크를 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 (다) 단계 다음에, 상기 반도체 기판의 전면에 캐리어 기판을 접착하는 단계; 및 상기 반도체 기판의 배면에 반도체 소자를 형성하는 단계;를 더 포함하되, 상기 캐리어 기판 접착 단계 다음에, 상기 반도체 기판의 배면에 상기 배면 정렬용 마크를 이용하여 새로운 정렬용 마크를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제조 방법을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법은, 도 2에 도시된 바와 같이, 기존 구조에서와 마찬가지로 모든 정렬용 마크를 반도체 전면(12)에 형성하고, 배면 정렬 공정에서 적외선을 투과시켜 감지하는 방식을 피하기 위해, 반도체 기판(11)의 전면(12)에 배면 정렬용 마크(15)를 형성 한 다음, 이 배면 정렬용 마크(15)에 대응하는 부분의 반도체 기판을 식각하여 굳이 적외선을 사용하지 않더라도 기존의 현미경(대물렌즈 (22))을 사용하여 육안으로 직접 볼 수 있도록 한점에 특징이 있다. 특히, 식각 과정에서 배면 정렬용 마크(15)가 반도체 기판(11)으로부터 떨어지는 것을 방지하기 위해 광투과성 물질로 막(14)을 형성하고, 반도체 기판(11)의 전면(12)에 대한 소자 제작 공정 과정에서 이 마크(15)가 손상되는 것을 막기 위해 다시 보호용 막(17)을 더 형성한다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(11)의 전면(12)에 캐리어 기판(20)을 부착하는 경우, 캐리어 기판(20) 또는 캐리어 기판(20)에 부착하기 위한 접착물(19)과 배면정렬용 마크(15)의 색깔이 비슷하여 정렬이 어려울 때를 대비하여 배면정렬용 마크(15)와 색깔이 잘 대비되는 색깔 대비막(16)을 배면정렬용 마크(15) 바로 위에 형성하기도 한다. 그리고, 배면공정 중 정렬 공정이 많을 때 정렬을 좀 더 용이하게 하기 위하여 이 배면 정렬용 마크(15)를 이용하여 새로운 정렬용 마크(도 4k 및 도 4l의 부재번호 26 참조)를 반도체 기판(11)의 배면(13)에 형성하기도 한다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 전이 방식의 반도체 소자 제작 공정 중 포토리소그라피 공정에서 적외선 광원을 이용하지 않는 배면정렬을 위한 정렬용 마크를 형성하기 위한 공정을 차례로 보여준다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같은 반도체 기판(11) 위에, 도 4b에 도시된 바와 같이, 광투과성 물질(예: Si3N4, SiO2)로 막(14')을 형성한다. 이 때, 이 광투과성 물질막(14')은 추후에 행해질 반도체 기판 식각 공정(Via-hole Etching) 과정에서 식각 저지막(Etch Stop Layer)으로 사용되므로 손상을 입지않을 물질이어야 하며, 또한, 이 막은 식각 후 배면 정렬용 마크가 떨어지는 것을 방지하는 역할을 하기도 한다.
다음에, 도 4c에 도시된 바와 같이, 광투과성 물질막(14') 위에 배면 정렬용 마크(15)를 형성한다. 이 배면 정렬용 마크(15)는 금속으로 형성하는데 만일 광투과성 물질막(14')과의 접착성(Adhesion)이 좋으면 상관이 없으나 그렇지 않다면 2층 또는 3층으로 구성하여 광투과성 물질막(14')에 직접적으로 닿는 부분의 금속은 광투과성 물질막(14')과의 접착성이 좋은 것을 사용하여야 한다.
다음에, 도 4d에 도시된 바와 같이, 배면 정렬용 마크(15) 위에 다시 배면정렬용 마크(15)와 색깔대비가 뚜렷한 물질로 색깔 대비막(16)을 형성한다.
다음에, 도 4e에 도시된 바와 같이, 보호 물질(17')을 증착하고, 도 4f에 도시된 바와 같이, 보호 물질(17')을 선택적으로 식각하여 보호막(17)을 형성한다. 그러나, 이 보호막 형성 공정은 반드시 필요한 것은 아니며 이후의 공정에서 손상을 입는 것을 방지하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 보호막(17)을 형성하지 않을 경우에는 정렬용 마크(15)가 있는 부분을 제외한 나머지 광투과성 물질막(14')을 선택적으로 식각하여 제거함으로써 광투광성 물질막(14) 만을 형성한다.
다음에, 도 4g에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(11)의 전면(12)에서 해야할 반도체 소자(18)를 제작한다. 이 공정은 제작할 소자의 종류에 따라서 달라지며 본 발명과는 무관하다.
반도체 기판 전면의 반도체 소자 형성 공정이 완료된 후에는, 도 4h에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(11)의 배면(13)을 갈아내는 배면 래핑공정(Backside Lapping)을 실시한다.
다음에, 도 4i에 도시된 바와 같이, 적외선을 이용한 배면정렬 공정을 실시하여 포토레지스트(미도시)가 배면 정렬용 마크(15)가 있는 부분만 없어지도록 패터닝을 하고 이 포토레지스트 패턴(미도시)을 이용하여 관통홀(110) 에칭(Via-hole Etching)을 실시한다. 이 적외선 광을 이용한 배면정렬 공정은 이 과정에서 단 한번만 실시되며 이후의 배면정렬공정에서는 사용되지 않는다. 특히 이 공정은 정확한 정렬이 필요없으며 추후의 배면정렬시의 정확도에 아무런 영향을 미치지 않는다.
다음에, 기판 전이 방식의 반도체 소자 제작시 캐리어 기판(20)에 접착물(19)을 바른 후, 도 4j에 도시된 바와 같이, 이 반도체 기판(11)을 부착시킨다. 이 때 사용되는 접착물(19)과 캐리어 기판(20)은 적외선을 투과시키는 성질을 가지고 있지 않더라도 무방하다.
좀 더 정렬공정을 용이하게 수행하기 위하여, 도 4k에 도시된 바와 같이, 이 배면정렬용 마크(15)를 이용하여 새로운 정렬용 마크(26)를 반도체 기판(11)의 배면(13)에 형성하고, 이후의 공정은 새로 만든 정렬용 마크(26)를 기준으로 하면 된다.
도 4l에 도시된 바와 같이, 이후의 배면정렬 공정을 이용한 배면 반도체 소자(28) 제작은 새로운 배면정렬용 마크(26)를 보며 전면정렬 방식으로 수행하면 된다.
이와 같은 공정으로 이루어지는 배면정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법은 기존 방법과는 달리 반도체 기판의 전면에 배면정렬용 마크를 형성 한 후 반도체 기판의 이 부분을 식각하여 굳이 적외선을 사용하지 않더라도 기존의 현미경을 통하여 정렬용 마크를 직접 볼 수 있도록 한다. 특히, 식각과정에서 배면정렬용 마크의 하부에 형성한 광투과성 물질막은 식각과정(Via-hole Etching)에서 식각저지층으로 사용될 뿐만 아니라 이 마크가 떨어지는 것도 방지하며, 배면정렬용 마크 상부에 형성한 보호막은 남은 전면 공정을 수행하는 동안 이 마크가 손상되는 것을 방지하게 된다. 배면정렬용 마크와 색깔이 잘 대비되는 물질막을 배면정렬용 마크 바로 위에 형성하는 방법은 캐리어 기판 또는 캐리어 기판에 부착하기 위한 접착물과 배면정렬용 마크의 색깔이 비슷하여 정렬이 어려울 때를 대비한 것이다. 그리고 배면정렬용 마크를 이용하여 새로운 정렬용 마크를 반도체 기판의 배면에 형성하는 방법은 배면공정 중 정렬공정이 많을 때 마스크와 새로운 정렬용 마크 간의 거리를 가깝게 하여 둘 다 동시에 잘 보이도록 하여 정렬을 좀 더 용이하게 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법은 기존의 배면정렬 방식을 이용한 방법에 비해 다음과 같은 장점들을 갖는다.
첫째, 기존의 배면 정렬이 적외선을 반도체 기판에 조사하여 흡수되고 남은 투과된 빛을 감지하여 정렬하기 때문에 정렬용 마크의 해상도가 떨어지게 되어 정확한 정렬이 불가능한 반면에, 본 발명에 따른 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법을 이용하면 일반적인 현미경 램프에서 나오는 빛을 조사하여 반사되는 빛을 이용하므로 훨씬 더 깨끗한 상을 볼 수 있으므로 정밀한 정렬이 가능해진다.
둘째, 기판 전이형 반도체 소자에서 반도체 기판을 캐리어 기판에 부착시 기존 방식의 배면 정렬에서는 접착물과 캐리어 기판 모두가 반드시 적외선을 투과시켜야 하나 본 발명에 의한 방법에서는 접착물에 적외선광이 투과하는지의 여부를 고려할 필요가 없어 사용 가능한 접착물의 선택범위가 넓어진다.
셋째, 기판 전이형 반도체 소자에서 반도체 기판을 캐리어 기판에 부착시 기존 방식의 배면 정렬에서는 적외선이 캐리어 기판을 잘 투과하도록 하기 위해 미리 캐리어 기판을 얇게 래핑해서 공정을 행해야 하므로 캐리어 기판을 다루는 과정에서 깨어져 수율을 떨어뜨리는 단점이 있으나, 본 발명에 따른 방법에서는 일반적인 현미경을 사용하므로 캐리어 기판을 래핑할 필요가 없어 공정 과정에서 깨질 우려가 없으므로 수율(Yield)이 월등하게 높아진다.
넷째, 본 발명에 따른 정렬용 마크를 이용하여 반도체 기판의 배면에 새로운 정렬용 마크를 형성하면 그 이후의 정렬공정은 이 새로운 정렬용 마크를 사용하면 되므로 마스크와 정렬용 마크가 더욱 가까워지므로 두 패턴이 동시에 잘 보이게 되어 훨씬 더 정밀하게 정렬공정을 수행할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의한 배면 정렬을 이용한 반도체 소자 제작 방법을 배면 정렬 공정, 특히 기판 전이 방식의 반도체 소자 제작시 채택하면 기존의 적외선을 이용한 배면정렬 방식에 비해 훨씬 더 정밀하면서도 접착물과 캐리어 기판의 적외선 투과 여부에 관계없이 사용할 수 있으며 캐리어 기판을 미리 얇게 래핑할 필요가 없으므로 공정 과정에서 기판이 깨어질 우려가 적어 수율(Yield)를 향상시키게 된다.

Claims (10)

  1. 반도체 기판의 전면에 정렬용 마크를 형성하고, 이 마크를 이용하여 반도체 기판의 배면에 마스크를 정렬하여 패터닝을 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법에 있어서,
    (가) 상기 반도체 기판의 전면에 광투과성 물질로 광투과성 물질막을 형성한 다음 상기 광투과성 물질막 상에 배면 정렬용 마크를 형성하는 단계;
    (나) 상기 배면 정렬용 마크가 형성된 상기 반도체 기판의 배면을 갈아내는 배면 래핑 공정을 실시하는 단계; 및
    (다) 적외선을 이용한 배면 정렬 공정을 실시한 다음, 상기 배면 정렬용 마크에 대응하는 부분의 상기 반도체 기판 만을 선택적으로 식각하여 관통홀을 형성하는 단계;를
    포함하는 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (가) 단계에서 상기 광투과성 물질로 Si3N4혹은 SiO2를 사용하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (가) 단계에서 상기 광투과성 물질은 상기 (다) 단계의 관통홀 식각시 식각 저지막으로 사용될 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배면 정렬용 마크는 상기 광투과성 물질막과 접착성이 있는 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 배면 정렬용 마크는 상기 광투과성 물질막과 접착성이 있는 물질과 상기 광투과성 물질막과 접착성이 없는 물질막의 다중층으로 형성된 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 (가) 단계 다음에 상기 배면 정렬용 마크 위에 상기 배면정렬용 마크와 색깔대비가 뚜렷한 물질로 색깔 대비막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 (가) 단계 다음에 상기 배면 정렬용 마크를 보호하기 위한 보호막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 (가) 단계 다음에 상기 반도체 기판의 전면에 반도체 소자를 제작하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 (다) 단계 다음에,
    상기 반도체 기판의 전면에 캐리어 기판을 접착하는 단계; 및
    상기 반도체 기판의 배면에 반도체 소자를 형성하는 단계;를
    더 포함하는 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 캐리어 기판 접착 단계 다음에, 상기 반도체 기판의 배면에 상기 배면 정렬용 마크를 이용하여 새로운 정렬용 마크를 형성하는 단계;를
    더 포함하는 것을 특징으로 하는 배면 정렬을 이용한 반도체 소자의 제작 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102081312B (zh) * 2009-11-26 2012-08-29 上海微电子装备有限公司 双面对准装置及其对准方法

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