KR20000035626A - 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산 및 방사선 경화성실리콘 조성물에서의 이의 용도 - Google Patents

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리치-롱
통웬-홍
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맥켈러 로버트 루이스
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Abstract

본 발명은 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산의 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 방법에 의해 수득한 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산, 양이온성 광개시제, 유리 라디칼 광개시제 및 도데실페놀을 포함하는 방사선 경화성 실리콘 조성물도 기술되어 있다. 이러한 방사선 경화성 실리콘 조성물은 박리 피복 조성물로서 유용하고 감압성 접착제를 박리시키는데 특히 적합하다.

Description

비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산 및 방사선 경화성 실리콘 조성물에서의 이의 용도 {Vinyl ether functional organopolysiloxanes and their use in radiation curable silicone compositions}
본 발명은 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 본 발명의 방법에 의해 수득한 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산, 양이온성 광개시제, 유리 라디칼 광개시제 및 도데실페놀을 포함하는 방사선 경화성 실리콘 조성물도 기술되어 있다. 본 발명의 조성물은 규소 원자를 함유하지 않는 비닐 에테르 화합물을 추가로 포함한다. 이러한 방사선 경화성 실리콘 조성물은 감압성 접착제를 박리시키는데 특히 적합한 박리 피복 조성물로서 유용하다.
피복 적용 또는 접착 적용을 위한 방사선 경화성 실리콘 조성물의 경화 속도는 조성물의 유효성을 측정하는데 매우 중요한 인자이다. 유리 라디칼 경화 시스템이 갖는 문제점은 산소 존재하의 경화의 억제이다. 따라서, 이러한 시스템에서는 만족스러운 경화 속도를 보장하기 위한 고가의 불활성 기체 설비가 필요하다. 양이온성 경화 시스템은 또한 일반적이고 산소 억제 문제를 전혀 갖지 않으나, 감습성의 문제를 갖는다.
이러한 문제점을 극복하기 위한 노력은 당해 기술분야에서 기술되어 있다. 또한, 비닐 에테르 작용성 오가노실리콘 화합물을 함유하는 방사선 경화성 조성물은 또한 당해 기술분야에서 기술되어 있다. 예를 들면, 미국 특허 제4,617,238호에서는 (a) 화학식 H2C=CH-O-G-[여기서, G는 알킬렌(예: 프로필렌), 또는 -O-, 2가 페닐렌 또는 치환된 2가 페닐렌으로부터 선택된 하나 이상의 2가 헤테로라디칼 또는 이러한 헤테로라디칼의 배합물에 의해 연결된 알킬렌이다]의 하나 이상의 규소 결합된 비닐옥시 작용성 그룹을 갖는 오가노폴리실록산 및 (b) 오늄 염 촉매를 포함하는 광중합성 조성물을 기술하고 있다. 비닐 에테르 그룹이 알릴 및 비닐 에테르 그룹을 갖는 화합물을 백금 촉매의 존재하에 오가노폴리실록산의 SiH 그룹에 첨가(하이드로실릴화 반응)함으로써 오가노폴리실록산으로 도입되는 방법이 기술되어 있다. 이러한 방법에서, 알릴 그룹만이 SiH 그룹에 첨가되나 비닐 에테르 그룹은 보존되고 따라서 각각의 SiH 그룹에 대한 하나의 비닐 에테르 그룹만이 임의의 주어진 시간에 실록산 분자로 도입될 수 있다.
유럽 특허 공보 제0462389호에서는 오가노폴리실록산을 SiOC 그룹에 의해 결합된 옥시알킬렌 비닐 에테르 그룹과 열경화시키는 것을 기술하고 있고, 비닐 그룹은 알킬 그룹에 의해 치환될 수 있다. 또한, 여기서는 이러한 화합물의 제조 방법 및 캡슐화 화합물에서 광화학적 열경화성 폴리실록산으로서, 평면 담체용 비점성 피복 화합물로서 또는 라디칼적으로, 양이온적으로 또는 UV 또는 전자 방사선에 의해 열경화될 수 있는 화합물에서 개질된 첨가제로서의 이들의 용도를 교시하고 있다.
미국 특허 제5,270,423호에서는 방사선 경화성 조성물에서 유용한, SiOC 결합을 통해 결합된 화학식 OR'OCH=CHR"(여기서, R'은 2가 탄화수소 라디칼이고, R"은 수소 또는 알킬 라디칼이다)의 실록산 부분을 갖는 유기규소 화합물을 기술하고 있고, 이들은 개시제와 혼합된다. 조성물은 특히 UV 방사선 경화성 피복물에서 유용하다.
미국 특허 제5,594,042호에서는 자외선 또는 전자 빔 방사선에 노출시키자 마자 경화되는 비닐 에테르 작용성 실록산과 방향족 요오도늄 염 또는 방향족 설포늄 염 광개시제를 포함하는 방사선 경화성 조성물을 기술하고 있다. 비닐 에테르 그룹은 실록산 상의 규소 원자에 SiOC 결합을 통해서 결합되고 광개시제는 설폰산의 디아릴요오도늄 염 또는 설폰산의 트리아릴설포늄 염이 바람직하다고 기술되어 있다.
미국 특허 제5,629,095호에서는 비닐 에테르 작용성 실록산 수지, 비닐 에테르 작용성 실록산 수지와 광분해성 산을 포함하는 방사선 경화성 피복 조성물 및 방사선 경화성 피복 조성물을 기판에 도포한 후, 피복물을, 피복물을 경화시키기에 충분한 양의 방사선에 노출시킴으로써 수득한 피복 제품이 기술되어 있다. 실록산 수지의 비닐 에테르 그룹은 SiOC 결합을 통해 규소 원자에 결합된다.
상기 조성물과는 대조적으로, 본 발명의 방사선 경화성 실리콘 조성물은 습한 공기에서 불활성 기체의 보호를 필요로 하지 않으면서 우수한 경화 속도를 갖는다.
본 발명은 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 본 발명의 방법에 의해 수득한 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산, 양이온성 광개시제, 유리 라디칼 광개시제 및 도데실페놀을 포함하는 방사선 경화성 실리콘 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 방사선 경화성 실리콘 조성물은 규소 원자를 함유하지 않는 비닐 에테르 화합물을 추가로 포함한다.
본 발명은 박리 피복 조성물로서 유용하고 감압성 접착제의 박리에 적합하고 습한 공기하에서 우수한 경화 속도를 갖는 방사선 경화성 실리콘 조성물을 제조하는 것이다.
본 발명의 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산의 제조 방법은 (Ⅰ) (a) 하나 이상의 알킬트리아세톡시실란과 (b) 물을 혼합하는 단계, (Ⅱ) 단계 (Ⅰ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 단계, (Ⅲ) (c) 화학식 HOROCH=CH2(여기서, R은 탄소수 1 내지 20의 2가 탄화수소 그룹이다)의 비닐 에테르 화합물을 단계 (Ⅱ)의 생성물에 첨가하는 단계, (Ⅳ) 단계 (Ⅲ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 단계, (Ⅴ) (d) 하나 이상의 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산을 단계 (Ⅳ)의 생성물에 첨가하는 단계 및 (Ⅵ) 단계 (Ⅴ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 단계를 포함한다.
단계 (Ⅰ)은 (a) 하나 이상의 알킬트리아세톡시실란과 (b) 물을 혼합함을 포함한다. 알킬트리아세톡시실란 (a)의 예는 메틸트리아세톡시실란, 에틸트리아세톡시실란, 프로필트리아세톡시실란, 부틸트리아세톡시실란, 헥실트리아세톡시실란, 옥틸트리아세톡시실란, 데실트리아세톡시실란 또는 이들의 배합물이다. 바람직한 성분 (a)는 메틸트리아세톡시실란, 에틸트리아세톡시실란 또는 메틸트리아세톡시실란과 에틸트리아세톡시실란의 혼합물로부터 선택된다. 메틸트리아세톡시실란과 에틸트리아세톡시실란의 혼합물이 사용되는 경우, 일반적으로 메틸트리아세톡시실란 : 에틸트리아세톡시실란의 중량비가 1:99, 바람직하게는 40:60으로 사용된다.
물 (b)는 바람직하게는 정제수이고, 가장 바람직하게는 증류수, 탈이온수 또는 증류수와 탈이온수의 혼합물이다.
일반적으로 성분 (a) 및 (b)는 성분 (a): 성 분 (b)의 몰비가 1.2:1 내지 2:1, 바람직하게는 1.5:1 내지 2:1을 제공하는 양으로 존재한다.
단계 (Ⅱ)는 단계 (Ⅰ)의 생성물로부터 아세트산을 제거함을 포함한다. 휘발성 성분을 제거하는 방법은 당해 기술분야에서 널리 공지되어 있고 본원에서 광범위하게 기술할 필요는 없다. 휘발성 성분을 제거하는 어떠한 방법도 본 발명에서 사용될 수 있고, 이러한 방법의 예는 가열, 가열 및 진공 적용, 분자량 스틸(still), 로토증발기 및 와이프 필름 증발기이다. 본 발명의 방법에서 아세트산은 70℃ 이상의 온도에서 진공하에 단계 (Ⅰ)의 생성물을 가열함으로써 제거하는 것이 바람직하다.
단계 (Ⅲ)은 (c) 화학식 HOROCH=CH2(여기서, R은 탄소수 1 내지 20의 2가 탄화수소 그룹이다)의 비틸 에테르 화합물을 단계 (Ⅱ)의 생성물에 첨가함을 포함한다. R로서 적합한 2가 탄화수소 그룹의 예는 알킬렌 그룹, 예를 들면 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 트리메틸렌, 2-메틸트리메틸렌, 펜타메틸렌, 헥사메틸렌, 3-에틸-헥사메틸렌, 옥타메틸렌, -CH2(CH3)CH-, -CH2CH(CH3)CH2-, -(CH2)18- 및 사이클로알킬렌 그룹(예: 사이클로헥실렌), 아릴렌 그룹(예: 페닐렌), 벤질렌과 같은 2가 탄화수소 그룹의 배합물이다. 또한 R로서 적합한 2가 탄화수소 그룹은 하나 이상의 수소 원자가 할로겐, 예를 들면 불소, 염소 또는 브롬원자에 의해 치환된 2가 탄화수소 그룹, 예를 들면 CH2CH2CF2CF2CH2CH2-이다. R2는 부틸렌이 바람직하다.
일반적으로, 성분(c)는 비닐 에테르 그룹 : 아세톡시 그룹의 몰비가 0.9:1 내지 1.1:1, 바람직하게는 0.95:1 내지 1:1로 제공하는 양으로 존재한다.
단계 (Ⅳ)는 아세트산을 단계 (Ⅲ)의 생성물로부터 제거함을 포함한다. 단계 (Ⅲ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 방법은 이의 바람직한 양태를 포함한 단계 (Ⅱ)에 대해 상기한 바와 같다. 본 발명의 방법에서 아세트산은 진공하에 70℃ 이상의 온도로 단계 (Ⅲ)의 생성물을 가열함으로써 제거하는 것이 바람직하다.
단계 (Ⅴ)는 (d) 하나 이상의 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산을 단계 (Ⅳ)의 생성물에 첨가함을 포함한다. 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산의 예는 화학식 HO-(R1 2SiO)n-H(여기서, R1은 각각 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소 그룹이고, n은 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산의 점도가 5 내지 50,000㎜2/s이도록 하는 값이다)의 화합물이다. R1의 1가 탄화수소 그룹의 예는 알킬 그룹(예: 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 헥실, 옥틸 및 데실), 지환족 그룹(예: 사이클로헥실), 아릴 그룹(예: 페닐, 톨릴 및 크실릴), 아르알킬 그룹(예: 벤질 및 페닐에틸) 및 올레핀계 탄화수소 그룹(예: 비닐, 알릴, 메트알릴, 부테닐 및 헥세닐, 옥테닐, 사이클로헥세닐 및 스티릴)이다. 알케닐 그룹은 바람직하게는 말단 불포화된다. R이 메틸인 것이 가장 바람직하다. 1가 탄화수소 그룹은 또한 하나 이상의 이의 수소 원자가 할로겐, 예를 들면 불소, 염소 또는 브롬으로 치환되는 상기 언급한 임의의 1가 탄화수소 그룹일 수 있고, 이러한 1가 탄화수소 그룹의 예는 CF3CH2CH2- 및 C4F9CH2CH2-이다. R은 각각 경우에 따라 동일하거나 상이하다. 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산의 두개 이상의 상이한 유형의 배합물이 사용될 수도 있다. 바람직하게는 (d)가 일반적으로 점도가 5 내지 50,000㎜2/s이고, 바람직하게는 10 내지 1,000㎜2/s인 하이드록시-말단 폴리디메틸실록산이거나 점도가 5 내지 1,000㎜2/s인 하이드록시-말단 폴리디메틸실록산과 점도가 1,000 내지 100,000㎜2/s인 하이드록시-말단 폴리디메틸실록산의 배합물이다. 두개 이상의 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산의 배합물이 사용되는 경우, 이들은 혼합물로서 단계 (Ⅳ)의 생성물에 첨가되거나 연속적으로 단계 (Ⅳ)의 생성물에 첨가될 수 있다.
일반적으로 성분(d)는 하이드록시 그룹 대 아세톡시 그룹이 1.2:1 내지 2:1, 바람직하게는 1.5:1 내지 2:1의 몰비를 제공하는 양으로 존재한다.
단계 (Ⅵ)은 단계 (Ⅴ)의 생성물로부터 아세트산을 제거함을 포함한다. 단계 (Ⅴ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 방법은 이의 바람직한 양태를 포함하는 단계 (Ⅱ)에 대해 상기한 바와 같다. 아세트산이 단계 (Ⅴ)의 생성물을 70℃ 이상의 온도로 진공하에 가열함으로써 제거되는 것이 본 발명의 바람직한 방법이다.
본 발명의 방법은 비 반응성 수용성 희석제를 단계 (Ⅱ) 이전에 첨가함을 추가로 포함한다. 비 반응성 수용성 희석제의 예는 테트라하이드로푸란, 메틸렌 클로라이드, 아세톤, 디에틸 에테르, 디옥산 및 아세토니트릴이다. 희석제가 테트라하이드로푸란인 것이 바람직하다.
비 반응성 수용성 희석제는 수용성 희석제 대 물의 중량비가 0.1:1 내지 10:1, 바람직하게는 8:1 내지 10:1가 되도록 하는 양으로 첨가된다.
본 발명의 방법은 추가로 물을 단계 (Ⅵ)의 생성물에 첨가함을 포함할 수 있 다. 물은 바람직하게는 정제수이고, 가장 바람직하게는 증류수, 탈이온수 또는 증류수와 탈이온수의 혼합물이다. 단계 (Ⅵ)의 생성물에 첨가된 물의 양은 물 대 아세톡시 그룹의 몰비가 1:1 내지 1.5:1, 바람직하게는 1:1 내지 1.1:1로 제공하는 양으로 존재한다.
또한, 본 발명은 (A) (Ⅰ) (a) 하나 이상의 알킬트리아세톡시실란과 (b) 물을 혼합하는 단계, (Ⅱ) 아세트산을 단계 (Ⅰ)의 생성물로부터 제거하는 단계, (Ⅲ) (c) 화학식 HOROCH=CH2(여기서, R이 탄소수 1 내지 20의 2가 탄화수소 그룹이다)의 비닐 에테르 화합물을 단계 (Ⅱ)의 생성물에 첨가하는 단계, (Ⅳ) 아세트산을 단계 (Ⅲ)의 생성물로부터 제거하는 단계, (Ⅴ) (d) 하나 이상의 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산을 단계 (Ⅳ)의 생성물에 첨가하는 단계 및 (Ⅵ) 아세트산을 단계 (Ⅴ)의 생성물로부터 제거하는 단계를 포함하는 방법에 의해 수득한 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산, (B) 양이온성 광개시제, (C) 유리 라디칼 광개시제 및 (D) 도데실페놀을 포함하는 방사선 경화성 실리콘 조성물에 관한 것이다. 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산을 수득하는 방법은 비 반응성 수용성 희석제를 단계 (Ⅱ) 이전에 첨가함을 추가로 포함할 수 있다.
성분 (A)에 있어서, 단계 (Ⅰ) 내지 (Ⅵ) 및 성분 (a) 내지 (d) 및 비 반응성 수용성 희석제는 바람직한 양태 및 이의 양을 포함하는 본 발명의 방법에서 상기한 바와 같다.
본 발명의 목적을 위해, 방사선 경화성 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산 (A)가 20 내지 99중량%가 사용되는 것이 바람직하고, 85 내지 90중량%가 사용되는 것이 매우 바람직하다.
본 발명의 조성물에서 성분 (B)는 양이온성 광개시제이다. 적합한 양이온성 광개시제는 오늄 염, 설폰산의 디아릴요오도늄 염, 설폰산의 트리아릴설포늄 염, 붕산의 디아릴요오도늄 염 또는 붕산의 트리아릴설포늄 염으로부터 선택된다.
오늄 염은 바람직하게는 R3 2I+MXn -, R3 3S+MXn -, R3 3Se+MXn -, R3 4P+MXn -및 R3 4N+MXn -로 부터 선택되고, 여기서 R3은 각각 탄소수 1 내지 30의 유기 그룹, 예를 들면 탄소수 6 내지 20의 방향족 카보사이클릭 그룹이다. R3은 각각 1가 내지 4가의 탄화수소 그룹(예: 탄소수 1 내지 8의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹), 니트로, 클로로, 브로모, 시아노, 카복실, 머캅토 및 방향족 헤테로사이클릭 그룹(예: 피리딜, 티오페닐 및 피라닐)으로 치환될 수 있다. 상기 화학식에서 기호 M은 금속, 또는 전이 금속, 예를 들면 Sb, Fe, Sn, Bi, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sc, V, Cr, Mn, Cs, 희토류 금속, 예를 들면 란탄계(예: Cd, Pr 및 Nd)를 포함하는 메탈로이드 및 B, P 및 As와 같은 메탈로이드이다. MXn -은 비 염기성, 비 친핵성 음이온, 예를 들면 BF4 -, PF6 -, AsF6 -, SbF6 -, SbCl6 -, HSO4 -, ClO4 -, FeCl4 -2, SnCl6 -및 BiCl5 -2이다.
바람직한 오늄 염은, 예를 들면 비스디아릴 요오도늄 염[예: 비스(도데실 페닐)요오도늄 헥사플루오로아르세네이트, 비스(도데실페닐)요오도늄 헥사플루오로안티모네이트 및 디알킬페닐 요오도늄 헥사플루오로안티모네이트이다.
설폰산의 디아릴요오도늄 염, 설폰산의 트리아릴설포늄 염, 붕산의 디아릴요오도늄 염 및 붕산의 트리아릴설포늄 염은 또한 양이온성 광개시제 (B)로서 적합하다. 바람직한 설폰산의 디아릴요오도늄 염은 퍼플루오로알킬설폰산의 디아릴요오도늄 염 및 아릴 설폰산의 디아릴요오도늄 염이다. 바람직한 퍼플루오로알킬설폰산의 디아릴요오도늄 염은, 예를 들면 퍼플루오로부탄설폰산의 디아릴요오도늄 염, 퍼플루오로에탄설폰산의 디아릴요오도늄 염, 퍼플루오로옥탄설폰산의 디아릴요오도늄 염 및 트리플루오로메탄설폰산의 디아릴요오도늄 염이다. 바람직한 아릴 설폰산의 디아릴요오도늄 염은, 예를 들면 파라-톨루엔 설폰산의 디아릴요오도늄 염, 도데실벤젠 설폰산의 디아릴요오도늄 염, 벤젠설폰산의 디아릴요오도늄 염 및 3-니트로벤젠설폰산의 디아릴요오도늄 염이다.
바람직한 설폰산의 트리아릴설포늄 염은 퍼플루오로알킬설폰산의 트리아릴설포늄 염 및 아릴 설폰산의 트리아릴설포늄 염이다. 바람직한 퍼플루오로알킬설폰산의 트리아릴설포늄 염은, 예를 들면 퍼플루오로부탄설폰산의 트리아릴설포늄 염, 퍼플루오로에탄설폰산의 트리아릴설포늄 염, 퍼플루오로옥탄설폰산의 트리아릴설포늄 염 및 트리플루오로메탄설폰산의 트리아릴설포늄 염이다. 바람직한 아릴 설폰산의 트리아릴설포늄 염은, 예를 들면 파라-톨루엔 설폰산의 트리아릴설포늄 염, 도데실벤젠 설폰산의 트리아릴설포늄 염, 벤젠 설폰산의 트리아릴설포늄 염 및 3-니트로벤젠 설폰산의 트리아릴설포늄 염이다.
바람직한 붕산의 디아릴요오도늄 염 및 붕산의 트리아릴설포늄 염은 유럽 특허원 제0562922호에 기술된 화합물이다. 바람직한 붕산의 디아릴요오도늄 염은 퍼할로아릴붕산의 디아릴요오도늄 염을 포함하고, 바람직한 붕산의 트리아릴설포늄 염은 퍼할로아릴붕산의 트리아릴설포늄 염이다.
바람직하게는 양이온성 광개시제 (B)의 양은 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.1 내지 5중량%이고, 방사선 경화성 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여 1 내지 3중량%를 사용하는 것이 배우 바람직하다.
성분 (C)는 유리 라디칼 광개시제이다. 본 발명의 유리 라디칼 광개시제는 임의의 벤조인(예: 벤조인 알킬 에테르), 아세토페논(예: 디알콕시아세토페논, 디클로로아세토페논 및 트리클로로아세토페논), 벤질(예: 벤질 케탈), 퀴논 및 O-아실화-α-옥시미노케톤일 수 있다. 바람직하게는 유리 라디칼 광개시제는 화학식의 화합물이고, 여기서 R'은 -H, 알콕시 그룹 또는 할로겐 원자로부터 선택되고, R"은 -OH, 알콕시 그룹 또는 할로겐 원자로부터 선택되고, R"'은 -H, 알킬 그룹 또는 할로겐 원자로부터 선택된다. 이러한 화합물의 바람직한 양태는 (ⅰ) R'이 -H이고 R"이 -OH이고 R"'이 메틸 또는 페닐인 화합물, (ⅱ) R'이 -H이고 R"이 알콕시 그룹이고 R"'이 페닐인 화합물(예: 벤조인 알킬 에스테르), (ⅲ) R' 및 R" 둘다가 알콕시 그룹이고 R"이 페닐인 화합물(예: 벤질 케탈), (ⅳ) R' 및 R" 둘다가 알콕시 그룹이고 R"'이 -H인 화합물(예: 디알콕시아세토페논) 및 (ⅴ) R' 및 R" 둘다가 -Cl이고 R"'이 -Cl 또는 -H인 화합물(예: 디- 및 트리-클로로아세토페논)이다. 성분 (C)가 다로큐어(Darocure™) 1173 (2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온)인 조성물이 특히 바람직하다.
바람직하게는 유리 라디칼 광개시제 (C)의 양이 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.5 내지 5중량%이고, 방사선 경화성 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 1 내지 3중량%를 사용하는 것이 매우 바람직하다.
본 발명의 조성물에서 성분 (D)는 도데실페놀이다. 본 발명의 목적에서, "도데실페놀"은 화학식 C12H25C6H4OH의 화합물 또는 화학식 C12H25C6H4OH의 화합물의 이성체를 포함하는 혼합물을 의미한다.
도데실페놀 (D)의 양은 바람직하게는 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.5 내지 10중량%이고, 방사선 경화성 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 1 내지 5중량%를 사용하는 것이 매우 바람직하다.
본 발명의 조성물은 추가로 (E) 규소 원자를 함유하지 않는 비닐 에테르 화합물을 포함할 수 있다. 성분 (E)는, 예를 들면 에틸 비닐 에테르, 프로필 비닐 에테르, 부틸 비닐 에테르, 이소부틸 비닐 에테르, 도데실 비닐 에테르, 옥타데실 비닐 에테르, 에틸렌 글리콜 모노비닐 에테르, 디에틸렌 글리콘 디비닐 에테르, 부탄디올 모노비닐 에테르, 부탄디올 디비닐 에테르, 헥산디올 디비닐 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 비닐 에테르, 트리에틸렌 글리콜 메틸 비닐 에테르, 사이클로헥산디메탄올 디비닐 에테르, 2-에틸헥실 비닐 에테르, 폴리-THF-디비닐 에테르 290, 플루리올(Pluriol)-E-200-디비닐 에테르, 사이클로헥실 비닐 에테르, 3급-부틸 비닐 에테르, 3급-아밀 비닐 에테르, 에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노비닐 에테르, 헥산디올 모노비닐 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디비닐 에테르, 트리메틸올 프로판 트리비닐 에테르, 아미노프로필 비닐 에테르 및 2-디에틸아미노에틸 비닐 에테르이다. 바람직한 성분 (E)는 화학식 (CH2=CHOR4)dCR5 4-d의 화합물이고, 여기서, R4는 탄소수 1 내지 20의 2가 탄화수소 그룹이고, R5는 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소 그룹이고, d는 1 내지 3의 값이다. 1가 및 2가 탄화수소 그룹은 이의 바람직한 양태를 포함하는 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산에 대해 상기한 바와 같다. R4가 화학식 -(CH2)n-(여기서, n은 1 내지 20의 값이다)의 알킬렌 그룹이고 d가 1의 값이고 R5가 수소인 화합물이 바람직하다. 성분 (E)가 화학식 CH2=CHO(CH2)11CH3의 화합물(도데실 비닐 에테르)이 매우 바람직하다.
유기 비닐 에테르 (E)의 양은 바람직하게는 1 내지 20중량부이고, 방사선 경화성 실리콘 조성물 100 중량부 당 1 내지 5중량부를 사용하는 것이 매우 바람직하다.
본 발명의 조성물은 추가로 박리 개질제를 포함할 수 있다. 바람직한 박리 개질제는 화학식의 비닐 에테르 작용성 실록산 수지이고, 여기서 R은 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소 그룹이고, R6은 탄소수 1 내지 8의 1가 탄화수소 또는 화학식 R7OCH=CH2(여기서, R7은 탄소수 2 내지 20의 2가 탄화수소 그룹이다)의 그룹으로부터 선택되고, e는 1 내지 3의 값이고, f는 0 내지 100몰%이고, g는 0 내지 100몰%이고, 단, f+g의 합은 100몰%이다)이나 단, 몰당 하나 이상의 -OR7OCH=CH2그룹을 갖는다. R6의 1가 탄화수소 그룹과 R7의 2가 탄화수소 그룹이 이의 바람직한 양태를 포함하는 상기 기술한 바와 같다. R6이 메틸이고 R7이 부틸렌이고, e가 1 또는 2의 값인 화합물이 본 발명의 목적에 있어서 바람직하다. 비닐 에테르 작용성 실록산 수지는 미국 특허 제5,629,095호에서 기술되어 있으며, 여기서는 본 발명의 조성물에서 박리 개질제로서 유용한 비닐 에테르 작용성 실록산 수지를 교시한다.
박리 개질제의 양은 방사선 경화성 실리콘 조성물 100 중량부 당 10 내지 80중량부인 것이 바람직하고, 20 내지 50중량부를 사용하는 것이 매우 바람직하다.
본 발명의 방사선 경화성 실리콘 조성물 또한, 예를 들면 강화 및 연장 충전제, 탄화수소 및 할로탄화수소, 착색제, 염료, 보존제, 방향제, 안정화제, 접착 개질제 또는 희석제와 같은 성분을 함유할 수 있다.
본 발명의 방사선 경화성 실리콘 조성물은 상기한 물질과 임의의 성분을 임의의 적합한 혼합 수단, 예를 들면 스파튤러, 드럼 롤러, 기계적 교반기, 3롤 분쇄기, 시그마 블레이드 혼합기, 브레드 도우 혼합기 또는 2롤 분쇄기를 사용하여 임의의 순서로 혼합함으로써 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 성분 (A) 내지 (D)를 혼합함을 포함하는 방사선 경화성 실리콘 조성물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 당해 방법은 또한, 단계 (I) 동안 (E) 규소 원자를 함유하지 않는 비닐 에테르 화합물 및 상기 언급된 임의의 성분을 첨가함을 포함할 수 있다. 성분 (A) 내지 (E) 및 임의의 성분은 바람직한 양태와 이의 양을 포함한, 상기한 바와 같다.
본 발명은 (Ⅰ) 상기한 성분 (A) 내지 (D)를 포함하는 방사선 경화성 실리콘 조성물을 고체 기판에 도포하여 피복물을 형성하는 단계 및 (Ⅱ) 피복물을 (ⅰ) 화학선 또는 (ⅱ) 피목물을 경화시키기에 충분한 양의 열과 함께 사용되는 화학선으로부터 선택된 에너지원에 노출시키는 단계를 추가로 포함하여, 제품을 제조하는 방법에 관한 것이다.
단계 (Ⅰ)의 조성물이 추가로 (E) 규소 원자를 함유하지 않는 비닐 에테르 화합물과 상기 언급한 임의의 성분을 포함할 수 있다. 성분 (A) 내지 (E)와 임으의 성분은 바람직한 양태와 이의 양을 포함한, 상기한 바와 같다.
피복물은 당해 기술분야의 공지된 적합한 방법, 예를 들면 도포, 브러싱, 압출, 분사, 그라비어, 키스-롤 및 에어-나이프에 의해 도포될 수 있다.
바람직한 양태에서, 고체 기판은 가요성 시트 물질, 예를 들면 종이, 폴리올레핀 필름, 폴리올레핀-피복지 또는 호일이다. 본 발명의 방법에 의해 피복될 수 있는 기타 적합한 고체 기판은 기타 셀룰로즈성 물질, 예를 들면 나무, 보드지 및 면; 금속성 물질, 예를 들면 알루미늄, 구리, 강철 및 은; 규소성 물질, 예를 들면 유리 및 석재; 및 합성 중합체 물질, 예를 들면 폴리올레핀, 폴리아미드, 폴리에스테르 및 폴리아크릴레이트를 포함한다. 형태에 따라, 고체 기판은 실질적으로, 예를 들면 감압 접착제용 박라가능한 박리 라이너와 같은 시트형; 직물 또는 호일일 수 있거나 3차원 형태일 수 있다.
화학성은 자외선광, 전자 빔 방사선 또는 알파, 베타-, 감마- 또는 X-선을 의미한다. 열은 적외선, 고온 공기, 마이크로웨이브 방사선 등을 의미한다. 화학성은 열을 종종 수반하고 본 발명의 범위내에서 2가지 방사선의 배합을 사용한다. 본원에서, 본 발명의 조성물 및 방법에 적용된 "경화"란 용어는 일반적으로 조성물을 액체에서 고체상태로 변화시키는 화학적 변화를 의미한다. 경화 그 자체는 피복 기판을 목적하는 방사선원, 예를 들면 UV 램프하에 예정된 속도로 통과시키고 피복 기판을 예정된 시간동안 목적하는 에너지원 상에서 스위칭함으로써 방사선에 완전히 노출시킴을 포함하는 공지된 방법으로 달성될 수 있다.
바람직한 양태에서, 가요성 시트 물질, 예를 들면 종이, 금속 호일 또는 테이프스톡은 방사선 경화성 실리콘 조성물의 얇은 피복층으로, 바람직하게는 연속 방법으로 피복되고, 이어서 상기한 피복 물질은 가열되거나 조사되어 피복물을 신속하게 경화시켜 하나 이상의 이의 표면상에 함유하는 시트형 물질과 접착성 박리 피복층을 제공한다. 접착성 박리 피복층은, 바람직하게는 인-라인 방식으로 접착제와 연속적으로 접촉시켜 박리가능한, 즉 이형성 접착제/피복 표면을 갖는 제품을 형성시킨다. 이러한 제품의 예는 롤 형태의 박리가능한 배킹, 접착 테이프를 갖는 접착 라벨 및 제거가능한 용기내에 패킹된 접착제를 포함한다. 접착제는 널리 공지된 아크릴계 또는 고무 유형과 같은 비실리콘계 감압성 접착제 또는 퍼옥사이드 또는 백금-경화성 폴리디오가노실록산계 접착제와 같은 실리콘계 감압성 접착제일 수 있다. 접착제는 식품, 아스팔트 및 검 중합체에서 사용되는 접착제일 수 있다. 본 발명의 조성물은 감압성 접착제용 박리 피복제로서, 보호 피복층 및 장식 피복층으로서 유용하다.
하기 실시예에서, 모든 양(부 및 %)는 다른 언급이 없는 한 중량 기준이다. 얼룩 없고, 움직임 없으며 마찰 제거되지 않는 조건을 수득하기 위해서 S2S 크래프트(Kraft) 종이 또는 폴리프로필렌 필름 상에 두께가 종이 또는 필름의 ㎡ 당 실리콘 0.7g으로 피복되는 경우, 조성물에 대한 경화 시간은 조성물에 대해 필요한 시간 간격을 의미한다. 점도는 밀리파스칼-초(1 밀리파스칼-초 = 1 centipoise)로 측정된다.
실시예 1
교반기, 적하 깔대기, 응축기 및 건조 튜브가 장착된 환저 플라스크에 메틸트리아세톡시실란 44중량%, 에틸트리아세톡시실란 49중량%, HOAc 1중량% 및 고 비등 불순물 6중량%의 혼합물 45.2g을 넣는다. 플라스크에 첨가 깔대기로부터 THF 18g에 희석된 물 1.8g을 1시간 동안 적가한다. 반응은 0.5시간 동안 더 교반시킨다. 아세트산 및 THF를 70℃에서 감압하에 제거시킨다. 물과 아세트산을 제거한 후, 4-하이드록시 부틸 비닐 에테르 (HO(CH2)4OCH=CH2) 32g을 첨가 깔대기를 사용하여 15분 동안 첨가한다. 4-하이드록시 부틸 비닐 에테르의 첨가가 완료된 후 추가로 1.5시간 동안 실온에서 반응시킨다. 아세트산을 70℃에 감압하에 제거시킨다. 점도가 50㎜2/s인 하이드록시-말단 폴리디메틸실록산 120g을 플라스크에 첨가하고 실온에서 밤새 반응시킨다. 아세트산을 70℃에서 감압하에 제거시켜 최종 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산을 수득한다.
실시예 2
하기 조성물을 상기 최종 생성물로부터 제조한다. 적합한 용기에 실시예 1에서 제조된 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산 9.7g을 첨가한다. 이어서, 도데실페놀에 희석된 톨릴(도데실페닐)요오도늄 트리플루오로메탄설포네이트의 혼합물 60/40 중량 대 중량 0.20g을 첨가하고 완전히 혼합한다. 이어서, 다로큐어™ 1173(2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 시바 가이기 제조, Terrytown, N.Y.) 0.1g을 첨가하고 완전히 혼합한다. 이 샘플 약 1.1㎎을 알루미늄 차등 주사 열량계 팬으로 이동시킨다. 팬을 고 강도 수은 아크 램프가 장착되고 35mW/㎠의 강도로 조사시키는 차등 주사 광열량계(DPC)에 넣는다. 습윤 공기 조건, 슬로프하에서 생성된 열의 속도에 의해 측정된 반응 속도 및 경화 정도는 각각 302watt/g/분, 최대 피크 11watt/g/분이다.
본 발명의 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산의 제조 방법으로 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산, 양이온성 광개시제, 유리 라디칼 광개시제 및 도데실페놀을 포함하는 경화성 실리콘 조성물을 수득하며, 이러한 방사선 경화성 실리콘 조성물은 감압성 접착제를 박리시키는데 특히 적합한 박리 피복 조성물로서 유용하다.

Claims (11)

  1. (Ⅰ) (a) 하나 이상의 알킬트리아세톡시실란과 (b) 물을 혼합하는 단계,
    (Ⅱ) 단계 (Ⅰ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 단계,
    (Ⅲ) (c) 화학식 HOROCH=CH2(여기서, R은 탄소수 1 내지 20의 2가 탄화수소 그룹이다)의 비닐 에테르 화합물을 단계 (Ⅱ)의 생성물에 첨가하는 단계,
    (Ⅳ) 단계 (Ⅲ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 단계,
    (Ⅴ) (d) 하이드록시-말단 폴리디오가노실록산을 단계 (Ⅳ)의 생성물에 첨가하는 단계 및
    (Ⅵ) 단계 (Ⅴ)의 생성물로부터 아세트산을 제거하는 단계를 포함하여, 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 비반응성 수용성 희석제를 단계 (Ⅱ) 이전에 첨가함을 추가로 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 물을 단계 (Ⅵ)의 생성물에 첨가함을 추가로 포함하는 방법.
  4. 제2항에 있어서, 물을 단계 (Ⅵ)의 생성물에 첨가함을 추가로 포함하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 따른 방법에 의해서 수득한 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산.
  6. (A) 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 따른 방법에 의해서 수득한 비닐 에테르 작용성 오가노폴리실록산,
    (B) 양이온성 광개시제,
    (C) 유리 라디칼 광개시제 및
    (D) 도데실페놀을 포함하는 방사선 경화성 실리콘 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 성분 (C)가 화학식(여기서, R'은 -H, 알콕시 그룹 및 할로겐 원자로부터 선택되고, R"은 -OH, 알콕시 그룹 및 할로겐 원자로부터 선택되고, R"'은 -H, 알킬 그룹 및 할로겐 그룹으로부터 선택된다)의 화합물인 조성물.
  8. 제6에 있어서, (E) 규소 원자를 함유하지 않는 비닐 에테르 화합물을 추가로 포함하는 조성물.
  9. 제6항 또는 제8항에 있어서, 화학식(여기서, R은 탄소수 1 내지 20의 1가 탄화수소 그룹이고, R6은 탄소수 1 내지 8의 1가 탄화수소 그룹 또는 화학식 -R7OCH=CH2의 그룹으로부터 선택되고, R7은 탄소수 2 내지 20의 2가 탄화수소 그룹이고, e는 1 내지 3의 값이고, f는 0 내지 100몰%이고, g는 0 내지 100몰%이고, 단, f+g의 합이 100몰%이다)을 갖고, 단 1분자당 하나 이상의 -OR7OCH=CH2그룹을 갖는 비닐 에테르 작용성 실록산 수지를 추가로 포함하는 조성물.
  10. (Ⅰ) 제6항, 제8항 또는 제9항 중의 어느 한 항에 따른 방사선 경화성 조성물을 고체 기판에 도포하여 피복층을 형성하는 단계 및
    (Ⅱ) 피복층을 (ⅰ) 화학선 또는 (ⅱ) 피목물을 경화시키기에 충분한 양의 열과 함께 사용되는 화학선으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 에너지원에 노출시키는 단계를 포함하여, 제품을 제조하는 방법.
  11. 제10항에 따른 방법에 의해 수득한 제품.
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