KR20000021299A - 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치 - Google Patents

건식식각 장비의 챔버 냉각 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000021299A
KR20000021299A KR1019980040315A KR19980040315A KR20000021299A KR 20000021299 A KR20000021299 A KR 20000021299A KR 1019980040315 A KR1019980040315 A KR 1019980040315A KR 19980040315 A KR19980040315 A KR 19980040315A KR 20000021299 A KR20000021299 A KR 20000021299A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
valve
chamber
line
cooling line
Prior art date
Application number
KR1019980040315A
Other languages
English (en)
Inventor
박해균
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980040315A priority Critical patent/KR20000021299A/ko
Publication of KR20000021299A publication Critical patent/KR20000021299A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

냉각장치 내부에서 누설지점(leakage area)을 효과적으로 탐지(detection)할 수 있는 건식식각 장비의 챔버(chamber) 냉각 장치에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 헬륨 공급원으로부터 아노오드로 연결되는 배관내에 설치된 복수개의 밸브와, 제1 단위 압력 컨트롤러(UPC) 및 헬륨가스(He gas) 압력을 모니터하는 게이지(guage)가 직렬로 연결된 제1 냉각라인과, 상기 제1 냉각라인에서 아노오드와 가장 가까운 곳의 배관 일단에 연결되어 밸브(valve)를 걸쳐 펌프 안정기(Pump Ballast)로 연결되는 제2 냉각라인과, 상기 제2 냉각라인과 병렬로 연결된 배관에 밸브와 제2 단위 압력 컨트롤러(UPC) 및 가스캣이 직렬연결된 바이패스(by-pass)라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치를 제공한다.

Description

건식식각 장비의 챔버 냉각 장치
본 발명은 반도체 소자의 제조공정에 사용되는 장비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 건식식각 장비의 챔버 냉각장치에 관한 것이다.
현재 건식식각 장비에서 챔버 배면(Chamber back side)에 대한 냉각 방식은 헬륨(He)을 이용한 클로우즈 루프(closed loop) 방식이다. 이러한 시스템의 단점은 헬륨(He)이 플루(flow)될 때, 실질적으로 챔버 배면(chamber backside)에 플루되는 양과 챔버 배면에서 누설(leak)되어 소모되는 양, 그리고 펌프(pump)로 빠져나가는 양을 알 수 없다는 것이다. 모든 설비가 항상 일정한 비율로 펌프 및 챔버 배면으로 플루되지 않기 때문에, 이러한 차이는 미세 패턴을 식각하는 공정에 영향을 줄 수 있다. 예를 들면, 10sccm의 헬륨을 플루했을 때, 어느 설비가 챔버배면: 펌프에 9:1의 양으로 플루되었다면, 또 다른 어느 설비는 9.5: 0.5의 상태로 플루될 수 있기 때문이다. 이러한 변화는 챔버내의 아노오드(anode) 및 척킹 포스(chucking force)등의 미세한 변화에 주로 영향을 받게 된다.
도 1은 종래기술에 의한 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 기존의 클로우즈 루프(closed loop) 방식을 갖는 냉각장치에서는, 헬륨의 설정값(Torr)을 정했을 때, 단위압력컨트롤러(UPC: Unit Pressure Controller, 51)가 헬륨압력게이지(53)에서 기 설정된 값에 도달하기 까지 헬륨을 플루시킨다. 이때, 아노오드(anode, 55)에 문제가 있거나, 0.013㎜과 같이 특정 구경을 갖는 개스캣(57) 구멍에 변화가 있을 때 실제로 어느 지점에 문제가 발생했는지 모니터링(monitoring)하기 쉽지 않다. 또한, 아노오드(55)에 헬륨의 누설이 있어도 개스캣(57) 구멍이 작아진다면 이를 탐지(detecting)하기가 쉽지 않아, 이로 인해 공정에 냉각 불량(burning)과 같은 문제를 야기할 수 있다. 도면에서 참조부호 59는 자동밸브(auto valve)를, 61은 수동밸브(manual valve)를 각각 나타내며, 참조부호 63은 헬륨공급원(69)에서 아노오드(55)로 연결되는 제1 냉각라인을, 65는 아노오드(55)에 인접한 제1 냉각라인에서 펌프안정기(pump ballast, 71)로 연결되는 제2 냉각라인을, 67은 상기 제2 냉각라인과 병렬로 연결된 바이패스 라인(by-pass line)을 각각 나타낸다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 냉각장치 내부에서 누설지점(leakage area)을 효과적으로 탐지(detection)할 수 있는 건식식각 장비의 챔버(chamber) 냉각 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래기술에 의한 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명에 의한 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 헬륨가스 공급원으로부터 아노오드로 연결되는 배관내에 설치된 복수개의 밸브와, 제1 단위 압력 컨트롤러(UPC) 및 상기 배관내의 헬륨가스(He gas) 압력을 모니터하는 게이지(guage)가 직렬로 연결된 제1 냉각라인과, 상기 제1 냉각라인에서 아노오드와 가장 가까운 곳의 배관 일단에 연결되어 밸브(valve)를 걸쳐 펌프 안정기(Pump Ballast)로 연결되는 제2 냉각라인과, 상기 제2 냉각라인과 병렬로 연결된 배관에 밸브와 제2 단위 압력 컨트롤러(UPC) 및 가스캣이 직렬연결된 바이패스(by-pass)라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 바이패스 라인에 구성된 밸브는 상기 제1 냉각라인에 설치된 밸브중 어느 하나와 연결된 것이 적합하다.
본 발명에 따르면, 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치에서 헬륨이 어느곳에서 누설되는지를 효과적으로 탐지하여 이를 보완함으로써 냉각장치에서 발생할 수 있는 공정변수를 영향을 줄여 공정의 안정도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치를 설명하기 위해 도시한 개략도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치는 헬륨가스 공급원(106)으로부터 아노오드(anode, 108)로 연결되는 배관내에 설치된 복수개의 밸브와, 제1 단위 압력 컨트롤러(UPC, 100) 및 상기 배관내의 헬륨가스(He gas) 압력을 모니터하는 게이지(guage, 102)가 직렬로 연결된 제1 냉각라인(104)과, 상기 제1 냉각라인(104)에서 아노오드(108)와 가장 가까운 곳의 배관의 일단(A)에 연결되어 밸브(valve)를 걸쳐 펌프 안정기(Pump Ballast, 110)로 연결되는 제2 냉각라인(112)과, 상기 제2 냉각라인(112)과 병렬로 연결된 배관에 밸브와 제2 단위 압력 컨트롤러(UPC, 114) 및 가스캣(116)이 직렬연결된 바이패스(by-pass)라인(118)으로 이루어진다. 여기서 참조부호 120은 자동 밸브(auto valve)를 가리키고, 122는 수동밸브(manual valve)를 가리킨다. 그리고 본발명에 의한 변화가 표시된 영역(B)에서 도시되었듯이 제1 냉각라인(104)의 임의 자동밸브(120)은 바이패스 라인의 자동밸브(120)와 'T'자로 물려 서로 연결된다. 이것은 챔버내의 폴리머(polymer)가 적층되는 것을 방지하기 위함이다. 따라서 아노오드(108)를 중심으로 헬륨까지가 챔버 배면에 플루되기 전후의 헬륨의 제어정도를 제1 단위 압력 컨트롤러(100) 및 제2 단위 압력 컨트롤러(114)에서 모니터링함으로써 헬륨의 누설지점을 효과적으로 탐지하여 이를 보완함으로써 공정의 안정도를 개선할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명이 속한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함이 명백하다.
따라서, 상술한 본 발명에 따르면, 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치에서 헬륨이 어느곳에서 누설되는지를 효과적으로 탐지하여 이를 보완함으로써 냉각장치에서 발생할 수 있는 공정변수를 영향을 줄여 공정의 안정도를 향상시킬 수 있다.

Claims (2)

  1. 헬륨 공급원으로부터 아노오드로 연결되는 배관내에 설치된 복수개의 밸브와, 제1 단위 압력 컨트롤러(UPC) 및 헬륨가스(He gas) 압력을 모니터하는 게이지(guage)가 직렬로 연결된 제1 냉각라인과,
    상기 제1 냉각라인에서 아노오드와 가장 가까운 곳의 배관 일단에 연결되어 밸브(valve)를 걸쳐 펌프 안정기(Pump Ballast)로 연결되는 제2 냉각라인과,
    상기 제2 냉각라인과 병렬로 연결된 배관에 밸브와 제2 단위 압력 컨트롤러(UPC) 및 가스캣이 직렬연결된 바이패스(by-pass)라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 바이패스 라인에 구성된 밸브는 상기 제1 냉각라인에 설치된 밸브중 어느 하나와 연결된 것을 특징으로 하는 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치.
KR1019980040315A 1998-09-28 1998-09-28 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치 KR20000021299A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980040315A KR20000021299A (ko) 1998-09-28 1998-09-28 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980040315A KR20000021299A (ko) 1998-09-28 1998-09-28 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000021299A true KR20000021299A (ko) 2000-04-25

Family

ID=19552213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980040315A KR20000021299A (ko) 1998-09-28 1998-09-28 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000021299A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020032173A (ko) * 2000-10-26 2002-05-03 윤종용 웨이퍼 냉각을 위한 냉각 가스 공급장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020032173A (ko) * 2000-10-26 2002-05-03 윤종용 웨이퍼 냉각을 위한 냉각 가스 공급장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1096009A (en) Electronic fluid pipeline leak detector and method
US20030037821A1 (en) Leak control valve
US6513542B1 (en) Liquid supply or drain pipe equipped with a leakage detector
KR20000021299A (ko) 건식식각 장비의 챔버 냉각 장치
KR20220061559A (ko) 상하수도관 누수감지 장치
JPH10281914A (ja) 冷却水の漏水検出方法
KR200169091Y1 (ko) 가스 누설점검 장치
KR100431332B1 (ko) 반도체 설비의 냉각 가스 공급 장치
KR20070084829A (ko) 반도체 제조용 식각설비의 리크검출장치 및 그 방법
KR19980034573U (ko) 반도체 웨이퍼 식각장비의 냉각장치
KR200266364Y1 (ko) 가스 공급 시스템의 실시간 가스 모니터링 장치
KR20180066016A (ko) 3방밸브의 누출감지 시스템
KR100286339B1 (ko) 반도체웨이퍼증착장비의펌프압력측정장치
KR20020054509A (ko) 포토레지스트 도포를 위한 프라이밍 처리 장치에서의 2중인터록 장치
KR200269069Y1 (ko) 플라즈마 식각 장비의 냉각 가스 공급장치
KR100258819B1 (ko) 반도체 웨이퍼 코팅장비에 사용되는 케미칼 공급방법
KR20030006544A (ko) 반도체 가스 공급 시스템
JP2002181653A (ja) ガス検知システム
KR20010077328A (ko) 반도체 웨이퍼의 표면온도 감지기능을 갖는 반도체 웨이퍼제조 장치
KR100195218B1 (ko) 반도체 제조장비의 안전장치
KR19980021930A (ko) 반도체설비 탈기시스템
KR20070047140A (ko) 반도체 제조 장비의 배기 장치
KR19980015717A (ko) 반도체 제조용 초순수의 용존산소 측정장치
KR20070091408A (ko) 반도체 제조설비의 유체압력변화 모니터링장치 및 그 방법
KR20000026271A (ko) 압력 조절 장치를 구비한 벤트리 펌프

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination