KR20070047140A

KR20070047140A - 반도체 제조 장비의 배기 장치

Info

Publication number: KR20070047140A
Application number: KR1020050103957A
Authority: KR
Inventors: 최창영
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-11-01
Filing date: 2005-11-01
Publication date: 2007-05-04

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장비의 배기 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 장비에서 가스 누설이 의심되는 경우 가스 누설 위치를 용이하게 찾기 위한 반도체 제조 장비의 배기 장치에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 배기 장치는 공정챔버의 잔류 가스를 배기하는 것으로서, 상기 공정챔버에 연결되어 공정챔버의 압력을 조절하는 스로틀 밸브; 상기 스로틀 밸브에 연결되어 공정챔버를 배기시키는 진공펌프; 및 상기 스로틀 밸브와 진공펌프 사이에 설치된 리크 검출 포트를 포함한다.

가스 누설, 헬륨, 리크 검출기, 배기라인

Description

반도체 제조 장비의 배기 장치{Apparatus of exhausting for semiconductor fabrication equipment}

도1은 반도체 제조 장비에서 사용되는 종래의 반도체 제조 장비의 배기 장치의 구성도.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 배기 장치의 구성도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

10, 100 : 공정챔버 20, 200 : 리크 검출 포트

30, 300 : 배기라인 40, 400 : 스로틀 밸브

50, 500 : 진공펌프

본 발명은 반도체 제조 장비의 배기 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 장비에서 가스 누설이 의심되는 경우 가스 누설 위치를 용이하게 찾기 위한 반도체 제조 장비의 배기 장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자를 생산하는 공정은 노광, 식각, 확산, 증착 등의 공정을 선택적으로 수행하는 일련의 과정에 의해서 이루어지고, 이를 생산하기 위한 반도체 제조 장비들은 공정의 정밀도와 청정도를 향상시키기 위하여 엄격한 조건하에서 사용되고 있다.

식각, 확산 및 증착에 사용하는 반도체 제조 장비의 공정은 주로 고진공의 공정챔버에서 공정가스를 주입하여 이루어지는데 안정된 조건에서 공정을 진행하기 위하여 반도체 제조 장비의 모든 연결부가 잘 밀봉되어야 한다.

특히 공정챔버, 가스라인 연결부 및 배기라인 연결부는 반도체 제조 장비의 예방 정비 작업에 의해서 자주 분해 결합이 실시되기 때문에 연결부분에서 가스 누설이 발생할 수 있다.

가스 누설이 발생하는 경우 반도체 제조 장비의 배기 장치를 작동시키면서 반응하지 않는 불활성 가스를 이용하여 가스 누설부분을 찾는 것이 일반적인 방법이다

도1은 반도체 제조 장비에서 사용되는 종래의 반도체 제조 장비의 배기 장치의 구성도이다.

도1에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장비의 공정챔버(10)에서 잔류 가스를 배기하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 배기 장치는 스로틀 밸브(40) 및 진공펌프(50)를 포함한다.

스로틀 밸브(40)는 공정챔버(10)에 연결되어 공정챔버(10)와 진공펌프(50) 사이에서 공정챔버(10)의 잔류 가스가 배기라인(30)을 통하여 배기구로 배출되는 통로의 면적을 조절하여 공정챔버(10)의 압력을 미세하게 조절하는 역할을 한다.

진공펌프(50)는 배기라인(30)을 통하여 공정챔버(10)에 연결되어 공정챔버(10) 내부의 가스를 배기구로 지속적으로 배출하는 역할을 하여 공정챔버(10)의 압력을 낮추는 기능을 한다.

종래의 반도체 제조 장비의 배기 장치를 적용하는 반도체 제조 장비에서 가스 누설이 의심되는 경우 헬륨 가스 검출기를 이용하여 가스 누설 지점을 조사할 수 있는데 이 경우에 리크 검출 포트(20)는 공정챔버의 덮개 부분에 설치되어 있다.

반도체 제조 장비에서 가스 누설여부를 검사하기 위하여 공정챔버에 설치된 리크 검출 포트(20)에 리크 검출기(도면에 표시하지 않음) 예를 들어 헬륨(He) 가스 검출기를 장착한다.

그리고 반도체 제조 장비를 가동시켜서 공정챔버(10)를 비롯한 반도체 제조 장비를 저압으로 유지하면서 공정챔버(10)를 계속 배기시킨다. 이렇게 반도체 제조 장비의 배기 장치를 계속 가동시키면서 반도체 제조 장비의 주변에서 가스 누설이 의심되는 부분에 헬륨 가스를 분사하면서 헬륨 가스 검출기에 헬륨이 검출되는지를 계속 확인한다.

이때 반도체 제조 장비의 내부가 저압으로 유지되기 때문에 만일 반도체 제조 장비의 주변에 가스가 누설되는 부분이 있으면 헬륨 가스는 압력 차이로 인하여 반도체 제조 장비의 내부를 흡수되어 헬륨 가스 검출기에 검출될 수 있다.

그런데 가스 누설 부분이 배기라인(30)과 진공펌프(50) 사이에 있는 경우 헬 륨 가스가 진공펌프(50)에서 배기시키는 속도에 역류하여 공정챔버(10)에 장착된 리크 검출 포트(20)까지 도달하여야 검출되기 때문에 가스 누설 부분의 검출이 매우 어려운 문제가 있다.

따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 제조 장비에서 가스 누설이 의심스러운 경우 사용되는 헬륨 가스 검출기를 설치하여 가스 누설이 되는 부분에 관계없이 용이하게 가스 누설을 감지하는 반도체 제조 장비의 배기 장치를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 배기 장치는 공정챔버의 잔류 가스를 배기하는 것으로서, 상기 공정챔버에 연결되어 공정챔버의 압력을 조절하는 스로틀 밸브; 상기 스로틀 밸브에 연결되어 공정챔버를 배기시키는 진공펌프; 및 상기 스로틀 밸브와 진공펌프 사이에 설치된 리크 검출 포트를 포함한다.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 배기 장치의 구성도이다.

도2에 도시된 바와 같이, 반도체 제조 장비의 공정챔버(100)에서 잔류 가스를 배기하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 배기 장치는 스로틀 밸브(400), 진공펌프(500) 및 리크 검출 포트(200)를 포함한다.

스로틀 밸브(400)는 공정챔버(100)에 연결되어 공정챔버(100)와 진공펌프(500) 사이에서 공정챔버(100)의 잔류 가스가 배기라인(300)을 통하여 진공펌프(500)로 배출되는 통로의 면적을 조절하여 공정챔버(100)의 압력을 미세하게 조절하는 역할을 한다.

스로틀 밸브(400)는 원통형의 관 내부에 형성된 회전판을 모터로 회전시켜 배기라인(300)을 통하여 배출되는 통로의 면적을 조절한다.

진공펌프(500)는 배기라인(300)을 통하여 공정챔버(100)에 연결되어 공정챔버(100) 내부의 가스를 배기구로 지속적으로 배출하는 흡입력을 제공하여 배기라인(300)을 통하여 연결된 공정챔버(100)의 압력을 낮추는 기능을 한다.

리크 검출 포트(200)는 배기라인(300) 중간에 설치되어 공정챔버(100)로부터 리크 검출 포트(200)까지 연결되는 배기라인(300) 사이의 가스 누설을 검사할 수 있다.

또한 리크 검출 포트(200)는 바람직하게는 스로틀 밸브(400)와 진공펌프(500) 사이에 설치하여 공정챔버(100)로부터 스로틀 밸브(400)를 지나 리크 검출 포트까지 사이의 가스 누설을 검사하는 것이 바람직하다.

본 발명의 반도체 제조 장비의 배기 장치를 이용하여 반도체 제조 장비에서 발생하는 가스 누설을 검사하는 경우에 대하여 설명하겠다.

예를 들어 반도체 제조 장비에서 가스의 누설이 의심스러운 경우 리크 검출 포트(200)에 리크 검출기 예를 들어 헬륨(He) 가스 검출기를 장착한다.

특히 스로틀 밸브(400)와 진공펌프(500) 사이의 리크 검출 포트(200)에 헬륨 가스 검출기를 장착하고, 반도체 제조 장비를 가동시켜서 공정챔버(100)를 비롯한 반도체 제조 장비를 저압으로 유지하면서 공정챔버(100)를 계속 배기시킨다.

그리고 반도체 제조 장비의 주변에서 가스 누설이 의심되는 부분에 헬륨 가스를 분사하면서 헬륨 가스 검출기(도면에 표시하지 않음)에 헬륨이 검출되는지를 계속 확인한다.

이때 반도체 제조 장비의 내부가 저압으로 유지되기 때문에 만일 반도체 제조 장비의 주변에 가스가 누설되는 부분이 있으면 헬륨 가스는 압력 차이로 인하여 반도체 제조 장비의 내부로 흡수되고, 배기라인(300)에 설치된 헬륨 가스 검출기에 헬륨 가스가 검출되어 가스 누설 여부를 확인할 수 있다.

이러한 방법으로 본 발명의 반도체 제조 장비의 배기 장치를 이용하여 가스 누설을 조사하는 경우 반도체 제조 장비의 공정챔버(100)에 리크 검출 포트가 설치된 종래의 경우에 비하여 헬륨 가스 검출기로 가스 누설을 확인할 수 있는 구간이 증가되었다.

예를 들어 스로틀 밸브에서 공정챔버의 배기구 사이에서 가스 누설이 발생하는 경우 헬륨 가스가 진공펌프에 의한 배기를 역류하여 공정챔버까지 전달되어야 확인이 될 수 있었다.

하지만 본 발명의 경우에는 헬륨 가스 검출기가 배기라인(300)에 설치되기 때문에 누설되는 헬륨 가스가 헬륨 가스 검출기에 도달하기에 가까운 위치에 있게 된다.

따라서 본 발명의 반도체 제조 장비의 배기 장치를 적용하는 경우 가스 누설 을 확인할 수 있는 영역이 증가하였고, 종래에 비하여 작은 가스 누설도 용이하게 감지할 수 있는 장점이 있다.

이상에서, 본 발명의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상 및 특허청구 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조 장비의 배기 장치에서 배기라인에 설치된 리크 감지 포트로 인하여 가스 누설이 의심스러운 경우 가스 누설 부분에 관계없이 종래에 비하여 가스 누설을 용이하게 검출할 수 있는 효과가 있다.

Claims

공정챔버의 잔류 가스를 배기하는 반도체 제조 장비의 배기 장치에 있어서,

상기 공정챔버에 연결되어 공정챔버의 압력을 조절하는 스로틀 밸브;

상기 스로틀 밸브에 연결되어 공정챔버를 배기시키는 진공펌프; 및

상기 스로틀 밸브와 진공펌프 사이에 설치된 리크 검출 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 배기 장치.