KR20000018492U - 반도체 포토 레지스트 코팅장치 - Google Patents
반도체 포토 레지스트 코팅장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000018492U KR20000018492U KR2019990004510U KR19990004510U KR20000018492U KR 20000018492 U KR20000018492 U KR 20000018492U KR 2019990004510 U KR2019990004510 U KR 2019990004510U KR 19990004510 U KR19990004510 U KR 19990004510U KR 20000018492 U KR20000018492 U KR 20000018492U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoresist
- diluent
- wafer
- supply bottle
- coating
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 고안은 반도체 포토 레지스트 코팅장치에 관한 것으로, 포토 레지스트가 저장되는 포토 레지스트 공급병(11)과, 이 포토 레지스트 공급병(11)의 일측에 포토 레지스트 공급라인(12)으로 연결되어 웨이퍼에(W) 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 분사노즐(13)과, 웨이퍼(W)에 포토 레지스트를 분사하기 전에 희석제를 미리 도포하도록 상기 포토 레지스트 공급병(11)의 일측에 설치되는 희석제 공급수단을 포함하여 구성되며, 따라서 본 고안에 의하면 웨이퍼(W)에 포토 레지스트를 코팅하기 전에 희석제를 미리 도포함으로써 웨이퍼(W)에 코팅되는 포토 레지스트의 두께 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
Description
본 고안은 반도체 포토 레지스트 코팅장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼에 도포되는 포토 레지스트의 도포 균일성을 향상시키기 위한 것이다.
일반적으로 반도체 포토공정에서는, 우선 웨이퍼(W)에 에치엠디에스(HMDS ; Hexamethyldisilane) 용액을 도포하여 이후에 진행되는 포토 레지스트 코팅공정에서 웨이퍼(W)와 포토 레지스트의 접착력을 강화시켜 주고, 이 에치엠디에스 용액에 대한 프리베이크(PREBAKE) 공정을 진행한 후 프리베이크 공정으로 인해 온도가 상승된 웨이퍼의 온도를 하강시켜 주기 위해 쿨링 공정을 진행하며, 그후에는 포토 레지스트 코팅공정을 진행하기 위한 웨이퍼척에 웨이퍼(W)를 안착시킨다.
그후, 도 1에 도시한 바와 같이 소정량의 포토 레지스트가 저장되는 포토 레지스트 공급병(1)으로부터 그 일측에 포토 레지스트 공급라인(2)으로 연결된 포토 레지스트 분사노즐(3)로 포토 레지스트를 공급하여 웨이퍼(W)의 상면에 소정량의 포토 레지스트를 분사한다.
다음으로 웨이퍼(W)를 이동시켜 웨이퍼(W)에 도포된 포토 레지스트가 일정한 두께로 코팅되도록 소프트베이크 공정을 진행하게 된다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술은 웨이퍼(W)에 묻어 있는 이물질들을 제거하지 않고 바로 포토 레지스트를 분사하여 코팅 공정을 진행하므로 웨이퍼(W)에 도포되는 포토 레지스트의 두께가 불균일하게 코팅되어 공정 불량을 야기하는 문제점이 있었다.
본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼에 묻어 있는 이물질들을 제거한 후 포토 레지스트 코팅공정을 진행하도록 함으로써 포토 레지스트가 웨이퍼에 균일하게 도포되도록 한 반도체 포토 레지스트 코팅장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 포토 레지스트 코팅장치를 보인 개략도.
도 2는 본 고안에 의한 포토 레지스트를 보인 개략도.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
11 ; 포토 레지스트 공급병 12 ; 포토 레지스트 공급라인
13 ; 포토 레지스트 분사노즐 21 ; 희석제 공급병
22 ; 희석제 공급라인 23 ; 희석제 분사노즐
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안은 포토 레지스트가 저장되는 포토 레지스트 공급병과, 이 포토 레지스트 공급병의 일측에 포토 레지스트 공급라인으로 연결되어 웨이퍼에 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 분사노즐과, 웨이퍼에 포토 레지스트를 분사하기 전에 희석제를 미리 도포하도록 상기 포토 레지스트 공급병의 일측에 설치되는 희석제 공급수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 고안에 의한 반도체 포토 레지스트 코팅장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 포토 레지스트 코팅장치는 도 2에 도시한 바와 같이, 소정량의 포토 레지스트가 저장되는 포토 레지스트 공급병(11)과, 이 포토 레지스트 공급병(11)의 일측에 포토 레지스트 공급라인(12)으로 연결되어 웨이퍼(W)에 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 분사노즐(13)과, 상기 포토 레지스트 공급병(11)의 일측에 설치되는 희석제 공급수단을 포함하여 구성된다.
상기 희석제 공급수단은 웨이퍼(W)에 포토 레지스트를 분사하기 전에 희석제를 미리 분사하여 웨이퍼에 묻어 있는 이물질들을 제거하여 포토 레지스트의 균일한 코팅을 도모하기 위한 것으로, 상기 포토 레지스트 공급병(11)의 일측에 설치되며 소정량의 희석제를 저장하고 있는 희석제 공급병(21)과, 이 희석제 공급병(21)의 일측에 희석제 공급라인(22)으로 연결되어 웨이퍼척(31)에 안착된 웨이퍼(W)에 희석제를 분사하기 위한 희석제 분사노즐(23)로 구성된다.
따라서, 본 고안에서는 웨이퍼(W)에 희석제를 도포하여 이물질들을 제거한 다음 포토 레지스트를 웨이퍼(W)에 코팅함으로써 종래에 비해 코팅에 사용되는 포토 레지스트의 양을 감소시킬 수 있으며, 아울러 포토 레지스트가 균일한 두께로 웨이퍼(W)에 코팅되도록 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의하면 웨이퍼에 포토 레지스트를 코팅하기 전에 희석제를 미리 도포함으로써 웨이퍼에 코팅되는 포토 레지스트의 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.
Claims (2)
- 포토 레지스트가 저장되는 포토 레지스트 공급병과, 이 포토 레지스트 공급병의 일측에 포토 레지스트 공급라인으로 연결되어 웨이퍼에 포토 레지스트를 분사하는 포토 레지스트 분사노즐과, 웨이퍼에 포토 레지스트를 분사하기 전에 희석제를 미리 도포하도록 상기 포토 레지스트 공급병의 일측에 설치되는 희석제 공급수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 포토 레지스트 코팅장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 희석제 공급수단은 상기 포토 레지스트 공급병의 일측에 설치되며 소정량의 희석제를 저장하고 있는 희석제 공급병과, 이 희석제 공급병의 일측에 희석제 공급라인으로 연결되어 웨이퍼에 희석제를 분사하기 위한 희석제 분사노즐로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 포토 레지스트 코팅장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019990004510U KR20000018492U (ko) | 1999-03-20 | 1999-03-20 | 반도체 포토 레지스트 코팅장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019990004510U KR20000018492U (ko) | 1999-03-20 | 1999-03-20 | 반도체 포토 레지스트 코팅장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000018492U true KR20000018492U (ko) | 2000-10-16 |
Family
ID=54760692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019990004510U KR20000018492U (ko) | 1999-03-20 | 1999-03-20 | 반도체 포토 레지스트 코팅장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000018492U (ko) |
-
1999
- 1999-03-20 KR KR2019990004510U patent/KR20000018492U/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100365078B1 (ko) | 도포방법및도포장치 | |
| KR20070036865A (ko) | 노즐 세정 장치 | |
| KR20120041810A (ko) | 반도체 기판 표면의 화학적 처리 방법 및 이를 위한 장치 | |
| KR100466297B1 (ko) | 반도체 제조 장치 | |
| KR100568873B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치 | |
| KR20050028887A (ko) | 기판을 처리하는 방법 및 이 방법에 이용되는 화학물 | |
| KR20000018492U (ko) | 반도체 포토 레지스트 코팅장치 | |
| CN101067725B (zh) | 感光液狭缝喷嘴的感光液硬化防止装置及方法 | |
| KR20040110391A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20070122100A (ko) | 슬릿코터 | |
| KR100545214B1 (ko) | 반도체 제조공정의 포토레지스트 도포량 저감장치 | |
| KR20140032842A (ko) | 처리액 도포 장치 | |
| KR20010105108A (ko) | 포토레지스터 코팅 설비 | |
| US20090011612A1 (en) | Method of shortening photoresist coating process | |
| KR100611417B1 (ko) | 포토리소그라피공정에서 ｌｄ 노즐이 구비된 현상장비의현상방법 | |
| KR20060035471A (ko) | 포토레지스트 도포 장치 및 그 방법 | |
| KR100186322B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 포토레지스터 도포장치 | |
| KR0135794Y1 (ko) | 웨이퍼 세정액 분사 장치 | |
| KR100824868B1 (ko) | 포토레지스트 도포장치 및 도포방법 | |
| KR200195101Y1 (ko) | 감광제 공급 시스템 | |
| KR200242615Y1 (ko) | 웨이퍼 테두리에 도포된 감광막 제거장치 | |
| KR20040058839A (ko) | 습식장치 | |
| KR100744277B1 (ko) | 웨이퍼의 에지 비드 제거장치 | |
| KR200205411Y1 (ko) | 포토레지스트현상장치 | |
| KR20000017238U (ko) | 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |