KR20000015082A - 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척 - Google Patents

Abstract

본 발명은 걸림턱이 형성되어 웨이퍼의 위치이탈을 방지하는 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척에 관한 것이다.

본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척은, 직립상태의 웨이퍼 후면을 진공흡착하여 파지하는 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척에 있어서, 웨이퍼의 후면과 접촉되는 안착면이 수직하게 형성되고, 상기 안착면에 진공홀이 형성되는 원판형의 몸체 및 상기 웨이퍼의 하방 위치이탈을 방지하도록 상기 안착면의 하방에 상기 안착면으로부터 소정의 길이로 수평 돌출되어 형성되고, 상면에 상기 웨이퍼에 대응하는 원호면이 형성되는 걸림턱을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

따라서, 웨이퍼가 정위치에 정렬 및 파지되도록 하여 웨이퍼의 가공불량 및 추락을 방지하게 하는 효과를 갖는다.

Description

반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척

본 발명은 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 걸림턱이 형성되어 웨이퍼의 위치이탈을 방지하는 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척에 관한 것이다.

일반적으로 이온주입설비에는 공정챔버로 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하기 위한 웨이퍼 이송장치가 설치되고, 이러한 웨이퍼 이송장치에 의해 이송된 웨이퍼를 파지하여 고정시키기 위한 웨이퍼 척이 설치된다.

이러한 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척은 통상 직립상태의 웨이퍼의 후면에 접촉하여 진공흡착함으로써 상기 웨이퍼를 파지할 수 있도록 웨이퍼가 안착하는 안착면에 진공홀이 형성된다.

또한, 상기 웨이퍼 척에 안착된 웨이퍼를 정위치에 정렬시키기 위해서 클램프링(Clamp-Ring)과 같은 웨이퍼 정렬장치를 이용하여 웨이퍼의 위치를 수정하게 된다.

이러한 종래의 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척을 도1 및 도2에 도시하였다.

도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척은, 직립상태의 웨이퍼(1) 후면을 진공흡착하여 파지하는 웨이퍼 척으로서, 웨이퍼(1)의 후면과 접촉되는 안착면이 수직하게 형성되고, 상기 안착면에 진공홀(30)이 형성되는 원판형의 몸체(20)를 구비하고, 상기 몸체(20)에는 클램프링(도시하지 않음)에 형성된 3개의 돌기가 삽입되는 클램프링지지홀(22)이 형성되며, 상기 몸체(20)의 테두리부분에는 오링(도시하지 않음)이 삽입되는 오링홈(21)이 형성된다.

따라서, 상기 웨이퍼(1)가 직립상태로 상기 안착면에 진공흡착되면 클램프링이 상기 웨이퍼(1)의 테두리부분과 접촉하며 상기 클램프링지지홀(22)에 조립되어 상기 웨이퍼(1)를 정렬하고, 이때의 웨이퍼(1) 가공환경은 상기 오링홈(21)에 설치된 오링에 의해 외부로부터 보호된다.

그러나, 직립한 웨이퍼가 진공흡착되어 있음에도 불구하고 상기 안착면이 평탄하여 상가 웨이퍼 척으로 로딩되는 순간 상기 웨이퍼가 중력에 의해 하방으로 미끌러져서 정위치를 이탈하는 경우가 발생하였다.

따라서, 웨이퍼의 표면에 주사되는 이온들이 정위치에서 벗어나 웨이퍼의 가공불량을 초래하는 것은 물론이고, 웨이퍼가 추락하여 손상되는 등의 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 웨이퍼가 정위치에 정렬 및 파지되도록 하여 웨이퍼의 가공불량 및 추락을 방지하게 하는 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척을 제공함에 있다.

도1은 종래의 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척을 나타낸 정면도이다.

도2는 도1의 측단면도이다.

도3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척을 나타낸 정면도이다.

도4는 도3의 측단면도이다.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1: 웨이퍼 10: 걸림턱

20: 몸체 21: 오링(O-Ring)홈

22: 클램프링(Clamp-Ring)지지홀 30: 진공홀

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척은, 직립상태의 웨이퍼 후면을 진공흡착하여 파지하는 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척에 있어서, 웨이퍼의 후면과 접촉되는 안착면이 수직하게 형성되고, 상기 안착면에 진공홀이 형성되는 원판형의 몸체; 및 상기 웨이퍼의 하방 위치이탈을 방지하도록 상기 안착면의 하방에 상기 안착면으로부터 소정 길이로 수평 돌출되어 형성되고, 상면에 상기 웨이퍼에 대응하는 원호면이 형성되는 걸림턱;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도3 및 도4를 참조하여 설명하면, 본 발명의 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척은, 직립상태의 웨이퍼(1) 후면을 진공흡착하여 파지하는 웨이퍼 척으로서, 웨이퍼(1)의 후면과 접촉되는 안착면이 수직하게 형성되고, 상기 안착면에 진공홀(30)이 형성되는 원판형의 몸체(20) 및 상기 웨이퍼(1)의 하방 위치이탈을 방지하도록 상기 안착면의 하방에 상기 안착면으로부터 소정의 길이로 수평 돌출되어 형성되고, 상면에 상기 웨이퍼(1)에 대응하는 원호면이 형성되는 걸림턱(10)을 구비하여 이루어진다.

또한, 상기 몸체(20)에는 클램프링(도시하지 않음)에 형성된 3개의 돌기가 삽입되는 클램프링지지홀(22)이 형성되며, 상기 몸체(20)의 테두리부분에는 오링(도시하지 않음)이 삽입되는 오링홈(21)이 형성된다.

여기서, 상기 걸림턱(10)의 돌출 길이는 상기 웨이퍼(1)의 두께에 따라 달라질 수 있으며, 바람직하기로는 대략 1 mm 내지 3mm 로 제작되는 것이 가능하다.

따라서, 상기 웨이퍼(1)가 직립상태로 상기 안착면에 진공흡착되면 클램프링이 상기 웨이퍼(1)의 테두리부분과 접촉하며 상기 클램프링지지홀(22)에 조립되어 상기 웨이퍼(1)를 정렬하고, 이때의 웨이퍼 가공환경은 상기 오링홈(21)에 설치된 오링에 의해 외부로부터 보호된다.

이때, 상기 걸림턱(10)의 원호면이 상기 웨이퍼(1)의 원호면에 접촉하면서 상기 웨이퍼(1)를 지지하여 상기 웨이퍼(1)가 하방으로 추락하는 것을 방지하게 된다.

따라서, 직립한 웨이퍼(1)가 진공흡착되어 상기 웨이퍼(1)가 하방으로 추락하는 것을 방지하는 것 이외에도 상기 안착면으로부터 돌출된 상기 걸림턱(10)이 상기 웨이퍼(1)를 지지하여 상가 웨이퍼 척으로 로딩되는 순간 상기 웨이퍼(1)가 중력에 의해 하방으로 미끌러지는 것을 방지하는 것이다.

그러므로, 웨이퍼(1)의 표면에 주사되는 이온들이 정위치의 웨이퍼(1)를 양질의 웨이퍼(1)로 가공할 수 있는 것은 물론이고, 웨이퍼(1)가 추락하여 손상되는 것을 방지할 수 있는 것이다.

이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척에 의하면, 웨이퍼가 정위치에 정렬 및 파지되도록 하여 웨이퍼의 가공불량 및 추락을 방지하게 하는 효과를 갖는 것이다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (1)

1. 직립상태의 웨이퍼 후면을 진공흡착하여 파지하는 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척에 있어서,

   웨이퍼의 후면과 접촉되는 안착면이 수직하게 형성되고, 상기 안착면에 진공홀이 형성되는 원판형의 몸체; 및

   상기 웨이퍼의 하방 위치이탈을 방지하도록 상기 안착면의 하방에 상기 안착면으로부터 소정의 길이로 수평 돌출되어 형성되고, 상면에 상기 웨이퍼에 대응하는 원호면이 형성되는 걸림턱;

   을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 이온주입설비의 웨이퍼 척.