TWI566318B - 工件載具 - Google Patents

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TWI566318B
TWI566318B TW102121272A TW102121272A TWI566318B TW I566318 B TWI566318 B TW I566318B TW 102121272 A TW102121272 A TW 102121272A TW 102121272 A TW102121272 A TW 102121272A TW I566318 B TWI566318 B TW I566318B
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威廉 戴維斯 李
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大衛 夏儂
傑森 畢林格
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艾克塞利斯科技公司
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Description

工件載具 【對相關申請案之參考】
本申請案主張2012年6月12日申請之題為「工件載具(WORKPIECE CARRIER)」之美國臨時申請案第61/568,865號的優先權及權利,該案之全文據此以引用之方式併入本文中,如同在本文中充分闡述一般。
本發明大體上係關於工件載具,且更具體而言,係關於用於在離子植入系統中處置各種大小之晶圓的載具。
靜電夾鉗或夾盤(ESC)常常用於半導體工業中,以用於在諸如離子植入、蝕刻、化學氣相沈積(CVD)等之基於電漿或基於真空之半導體製程期間夾緊工件或基板。習知地,半導體處理系統及相關聯ESC經設計以夾緊一特定大小之工件。然而,處理大小不同於經設計之大小的工件可引入各種問題,諸如工件處置組件、ESC及其他處理設備的重新設計。當在半導體處理系統中改變工件大小時,伴隨成本及系統停機為典型的,其中習知地需要處置設備、ESC及其他處理設備及方法的實質替代例。另外,若將在高溫下執行製程,則對系統提出額外要求。
已判定如下需要:在各種半導體處理系統中在針對一大小之工件設計之一ESC上處理一不同大小之工件。本發明詳述一種用於緊固各 種大小之工件的工件載具,其中該工件載具易於使用,適於在高溫下執行,且可提供一種針對先前技術中可見之設備之各種修改的具成本效益之解決方案。
本發明藉由提供一種用於在一半導體處理系統中處置並處理各種大小之工件的系統、裝置及方法來克服先前技術之限制。因此,下文呈現對本發明之一簡化概述以便提供對本發明之一些態樣的基本理解。此概述並非本發明之一廣泛性綜述。其既不意欲識別本發明之關鍵或重要元素,亦不描繪本發明之範疇。其目的為以一簡化形式呈現本發明之一些概念以作為稍後呈現之更詳細描述的一序部。
提供一種工件載具,其包含一第一平板,該第一平板具有一第一外徑、一第一內徑及一第一凹座,該第一凹座自該第一內徑朝向該第一外徑延伸達一第一距離。該工件載具進一步包含一第二平板,該第二平板具有一第二外徑、一第二內徑及一第二凹座,該第二凹座自該第二內徑朝向該第二外徑延伸達一第二距離。與該第一平板及該第二平板相關聯之複數個配合特徵建構成在該第一凹座及該第二凹座內於該第一平板與該第二平板之間選擇性地固定一第一工件的一位置。該複數個配合特徵可包含吊耳、溝槽、銷、孔及/或槽。
以上概述僅意欲給出對本發明之一些實施方式之一些特徵的一簡明綜述,且其他實施方式可包含額外特徵及/或不同於上文所提及之特徵的特徵。詳言之,此概述不應被解釋為限制本申請案之範疇。因此,為了實現前述及相關目標,本發明包含下文中所描述且在申請專利範圍中特別指出之特徵。以下描述及附加圖式詳細闡述本發明之某些說明性實施方式。然而,此等實施方式指示可使用本發明之原理之各種方式中的少許。當結合圖式來考慮時,本發明之其他目標、優勢及新穎特徵將自本發明之以下詳細描述而變得顯而易見。
100‧‧‧處理系統
101‧‧‧離子植入系統
102‧‧‧端子
104‧‧‧射束線總成
106‧‧‧終端站
108‧‧‧離子源
110‧‧‧電源供應器
112‧‧‧離子束
114‧‧‧射束操控裝置
116‧‧‧孔隙
118‧‧‧工件
120‧‧‧夾盤
122‧‧‧處理腔室
124‧‧‧真空腔室
126‧‧‧處理環境
128‧‧‧真空源
130‧‧‧溫度控制夾盤
132‧‧‧外部環境
134‧‧‧熱系統
136‧‧‧負載鎖定腔室
138‧‧‧工件支撐件
140‧‧‧工件輸送容器
142‧‧‧負載鎖定腔室環境
144‧‧‧大氣機器人
146‧‧‧真空機器人
148‧‧‧控制器
150‧‧‧工件載具
152‧‧‧第一平板
154‧‧‧第一外徑
156‧‧‧第一內徑
158‧‧‧第一凹座
160‧‧‧第一距離
162‧‧‧第二平板
164‧‧‧第二外徑
166‧‧‧第二內徑
168‧‧‧第二凹座
170‧‧‧第二距離
172‧‧‧配合特徵
174‧‧‧第一工件
176‧‧‧第二工件
178‧‧‧吊耳
180‧‧‧槽
182‧‧‧頂表面
184‧‧‧底表面
185‧‧‧機器人夾持器
186‧‧‧銷
188‧‧‧孔
190‧‧‧頂表面
192A‧‧‧深度
192B‧‧‧深度
194‧‧‧厚度
196‧‧‧夾持器機器人
198‧‧‧夾持器
200‧‧‧方法
202~214‧‧‧動作
圖1為根據本發明之若干態樣的包含離子植入系統之例示性真空系統的方塊圖。
圖2為根據本發明之另一態樣的例示性工件載具之截面圖。
圖3說明具有複數個配合特徵之例示性工件載具的分解俯視透視圖。
圖4說明圖3之例示性工件載具的分解仰視透視圖。
圖5說明圖3至圖4之例示性工件載具的俯視透視圖。
圖6說明圖3至圖5之例示性工件載具的仰視透視圖。
圖7說明具有複數個配合特徵之另一例示性工件載具的分解俯視透視圖。
圖8說明圖7之例示性工件載具的分解仰視透視圖。
圖9說明圖7至圖8之例示性工件載具的俯視透視圖。
圖10說明圖7至圖9之例示性工件載具的仰視透視圖。
圖11至圖12說明結合本發明之工件載具的例示性夾持器機構。
圖13說明根據再一態樣之用於處理多個大小之工件的方法。
本發明大體上係關於用於在半導體處理系統中處置並處理各種大小之工件的系統、裝置及方法。因此,現將參看圖式來描述本發明,其中相似參考數字可始終用以指代相似元件。應理解,此等態樣之描述僅為說明性的,且不應以限制性意義來解譯該等態樣。在以下描述中,出於解釋之目的,闡述眾多特定細節以便提供對本發明之透徹理解。然而,可在無此等特定細節之情況下實踐本發明對於熟習此項技術者而言將為明顯的。另外,本發明之範疇並不意欲藉由下文參看隨附圖式描述之實施方式或實施例限制,而是意欲僅藉由附加申請專利範圍及其等效物來限制。
亦請注意,提供諸圖式以給予本發明之實施方式之一些態樣的說明,且因此諸圖式應被視為僅示意性的。詳言之,圖式中所展示之元件未必彼此按比例繪製,且選擇各種元件在圖式中之置放以提供對各別實施方式之清楚理解,且各種元件在圖式中之置放不應被解釋為必定為根據本發明之實施方式之實施中的各種組件之實際相對位置的表示。此外,除非以其他方式特別註解,否則本文中描述之各種實施方式及實施例的特徵可彼此進行組合。
亦應理解,在以下描述中,圖式中所展示或本文中所描述之功能區塊、器件、組件、電路元件或其他實體或功能單元之間的任何直接連接或耦接亦可藉由間接連接或耦接來實施。此外,應瞭解,圖式中所展示之功能區塊或單元在一實施方式中可實施為單獨特徵或電路,且在另一實施方式中亦可或或者完全地或部分地實施於共同特徵或電路中。舉例而言,若干功能區塊可實施為在諸如信號處理器之共同處理器上執行的軟體。應進一步理解,除非相反地註解,否則在以下說明書中描述為基於導線之任何連接亦可實施為無線通信。
根據本發明之一態樣,圖1說明例示性處理系統100。本實施例中之處理系統100包含離子植入系統101,然而,亦預期各種其他類型之處理系統,諸如電漿處理系統、反應性離子蝕刻(RIE)系統或其他半導體處理系統。離子植入系統101(例如)包含端子102、射束線總成104及終端站106。
大體而言,端子102中之離子源108耦接至電源供應器110以使摻雜劑氣體離子化成複數個離子且形成離子束112。本實施例中之離子束112經導引穿過射束操控裝置114,且經朝向終端站106導引出孔隙116。在終端站106中,離子束112轟擊工件118(例如,諸如矽晶圓之半導體、顯示面板等),工件118經選擇性地夾緊或安裝至夾盤120(例如,靜電夾 盤或ESC)。一旦嵌入至工件118之晶格中,植入之離子便改變工件之物理及/或化學性質。因為此情形,所以離子植入用於半導體器件製造中及金屬表面處理中,以及材料科學研究中的各種應用。
本發明之離子束112可採用任何形式,諸如錐束或點束、帶狀射束、掃描射束或離子指向終端站106之任何其他形式,且預期所有此等形式在本發明之範疇內。
根據一例示性態樣,終端站106包含諸如真空腔室124之處理腔室122,其中處理環境126與處理腔室相關聯。處理環境126大體上存在於處理腔室122內,且在一實施例中包含由真空源128(例如,真空泵)產生之真空,真空源128耦接至處理腔室且建構成實質上抽空處理腔室。
在利用離子植入系統101之實施期間,隨著帶電荷離子與工件碰撞,能量可以熱形式積聚於工件118上。在缺少反制措施之情況下,此熱可潛在地使工件118翹曲或破裂,該情形在一些實施中可致使工件為無價值的(或價值顯著較低的)。熱可進一步使得遞送至工件118之離子的劑量不同於所要之劑量,該情形可使功能性自所要功能性變更。舉例而言,若需要於恰好在工件18之外表面下方之極薄區中植入1×1017原子/cm2之劑量,則不合需要之加熱可使得所遞送之離子自此極薄區擴散出,使得實際達成之劑量小於1×1017原子/cm2。實際上,不合需要之加熱可在大於所要區之區上「浸潤」所植入電荷,藉此將有效劑量減小至小於所要劑量。其他不合需要之效應亦可由於工件118之不合需要之加熱而發生。可能進一步需要:在低於或高於環境溫度之溫度下植入離子,諸如以允許工件118之表面的所要非晶體化實現進階CMOS積體電路器件製造中之超淺接面形成。在此等狀況下,工件118之冷卻為所要的。在其他情況下,需要:在植入或其他處理期間進一步加熱工件118以便輔助處理(例如,諸如至碳化矽中的高溫植入)。
因此,根據另一實施例,夾盤120包含溫度控制夾盤130,其中溫度控制夾盤建構成既支撐工件,又在工件至離子束112之曝露期間選擇性地冷卻、加熱或以其他方式維持處理腔室122內之工件118上的預定溫度。因而,請注意,本實施例中之溫度控制夾盤130可包含:低於環境溫度之夾盤,其建構成支撐並冷卻工件118;或高於環境溫度之夾盤,其建構成支撐並加熱處理腔室122內的工件。在另一實施例中,溫度控制夾盤130可不向工件提供加熱或冷卻。
溫度控制夾盤130(例如)包含建構成將工件118冷卻或加熱至處理溫度的靜電夾盤,該處理溫度分別顯著低於或高於周圍或外部環境132(例如,亦稱作「大氣環境」)的環境溫度或大氣溫度。可進一步提供熱系統134,其中,在另一實施例中,熱系統建構成冷卻或加熱溫度控制夾盤130,且因此,將駐留於溫度控制夾盤130上之工件118冷卻或加熱至處理溫度。
根據另一態樣,再次參看圖1,負載鎖定腔室136進一步可操作地耦接至處理腔室122,其中負載鎖定腔室經建構成將處理環境126與外部環境132隔離。負載鎖定腔室136進一步包含工件支撐件138,其建構成在工件於處理腔室122與外部環境132之間的傳送期間支撐工件118,諸如將工件118傳送至工件輸送容器140(例如,FOUP或工件卡匣)及/或自工件輸送容器140(例如,FOUP或工件卡匣)傳送工件118,工件輸送容器140與負載鎖定腔室122可操作地相關聯或耦接。因此,負載鎖定腔室136藉由使負載鎖定腔室環境142變化來維持真空系統100內之處理環境126(例如,真空環境)。負載鎖定腔室136內之壓力(例如)建構成在以下兩者之間變化:與處理環境126相關聯之真空,及與外部環境138相關聯之壓力。
另外,根據另一例示性態樣,大氣機器人144建構成在負載 鎖定腔室122與工件輸送容器142之間選擇性地傳送工件118。工件輸送容器142(例如)建構成在外部環境138中傳送複數個工件118,諸如將工件118傳送至真空系統100及自真空系統100傳送工件118。真空機器人146經進一步建構成在負載鎖定腔室122與夾盤120之間選擇性地傳送工件118。此外,控制器148建構成諸如藉由控制大氣機器人144、真空機器人146、夾盤120以及真空系統100之其他組件中的一或多者來選擇性地控制工件118貫穿真空系統100之移動。
發明者瞭解,將同一真空系統100用於處理具有變化之大小(例如,在自100mm至300mm之範圍內的直徑)的工件118可為有利的,且此等各種大小之工件的處理可藉由下文揭示之裝置及系統來適應。因而,可消除迄今所見之昂貴之設備改變,且可藉由目前揭示之裝置、系統及方法來達成系統效率。
根據一例示性態樣,如圖2中所說明,提供工件載具150,其中工件載具建構成將100mm工件固持於150mm夾盤(例如,圖1之夾盤120)上。亦請注意,雖然描述了工件118之特定直徑及/或大小,但此等直徑及/或大小並不意欲限制本發明之範疇,且本發明可擴展至夾盤120及工件118之各種其他大小。
在一實施例中,工件載具150包含第一平板152,其具有第一外徑154、第一內徑156及第一凹座158,第一凹座158自第一內徑朝向第一外徑延伸達第一距離160。進一步提供第二平板162,其中第二平板具有第二外徑164、第二內徑166及第二凹座168,第二凹座168自第二內徑朝向第二外徑延伸達第二距離170。
根據一實施例,複數個配合特徵172進一步與第一平板152及第二平板162相關聯,其中該複數個配合特徵建構成在第一凹座158及第二凹座168內於第一平板與第二平板之間選擇性地固定第一工件174的一位 置。
根據另一實施例,第一平板152之第一外徑154與第二工件176之直徑相關聯(例如,等於第二工件176之直徑),且其中第一工件174之直徑小於第二工件之直徑。舉例而言,第一工件174之直徑為大約100mm,且第二工件176之直徑為大約150mm。
根據一實施例,如圖3至圖6中所說明,該複數個配合特徵172包含自第二平板162之第二外徑164延伸之複數個吊耳178,以及延伸至第一平板152之頂表面182中的複數個槽180。該複數個吊耳178(例如)自第二平板162之底表面184延伸。該複數個吊耳178(例如)可與相關聯於工件118之處置的機器人夾持器185對齊,其中第一平板152及第二平板162在處置期間均被夾持。如圖2中再次說明,第一平板152建構成藉由機器人夾持器185而關於其第一直徑154選擇性夾持。在另一實施例中,第二平板162之至少一部分(例如,吊耳178)建構成藉由機器人夾持器185而關於其第二直徑164選擇性夾持。
根據另一實施例,如圖7至圖10中所說明,該複數個配合特徵172包含自第二平板162之底表面184延伸之複數個銷186,以及延伸至第一平板152之頂表面190中的複數個孔188。重力將第二平板162固持於適當位置中,且第一工件174受第一平板152、晶圓174及第二平板162之堆疊約束及干涉。
第二平板162(例如)包含自第二平板之底表面184向下延伸之兩個或兩個以上銷186。此等銷186(例如)適配至第一平板152中之對應孔188或槽(未圖示)中。銷186(例如)之長度可不小於第一平板152之厚度;因此,銷186不能夠突出超出第一平板之底表面,且干涉夾緊。在另一實施例中,銷186可位於第一平板152上,且第二平板162將具有孔188以接受銷。此配置在較低溫度下可為較佳的,但在高溫或極高溫度下可 能為較少需要的,此係因為第二平板162可能比第一平板152更緩慢地加熱且銷186可能迫使第二平板162破裂。然而,取決於材料選擇,此情形可為良好解決方案。
第一平板152(例如)可具有在通孔之內徑上切削之台階或第一凹座158,以允許第一工件174駐留於台階或第一凹座158中。在一實施方式中,此台階將不如所使用之最薄工件深。此情形將確保:當第一工件174置放於載具150中時,第二平板162將對第一工件施加壓力,從而在載具150中將第一工件固持於適當位置中。在另一實施方式中,台階或第一凹座158將比預期使用之最厚工件深。在此狀況下,第二平板162將具有唇緣(例如,第二凹座168),該唇緣向下足夠突出以再次將第一工件174按壓至台階中,從而確保第一工件固持於適當位置中且不可能移動。在兩種狀況下,可進一步利用頂板之重量將第一工件174固持於適當位置中。
在另一實施例中,為了將第一工件174插入至圖7至圖10之工件載具150中,簡單地移除第二平板162,且將第一工件175置放於台階或第一凹座158上,且再次將第二平板置放於第一平板152上,其中銷186與第一平板中之孔188嚙合。為了移除第一工件174,提昇第二平板162,取出第一工件174,且可替換第二平板。
在另一實施例中,圖2之第一距離106及第二距離170與第一工件174之排他性區相關聯,其中半導體器件大體上並不形成於排他性區中。第一平板152之第一凹座158及第二平板158之第二凹座168(例如)建構成接觸圍繞第一工件174之周界的排他性區。第一平板152及第二平板162(例如)由石墨、碳化矽、氧化鋁及石英中之一或多者組成。第一平板及第二平板可由不同材料或類似材料組成。此外,在第一工件174與第一凹座158及第二凹座168之間可分別存在有利干涉。第一平板152及第二平板162(例如)由在大於約700℃之溫度下結構上穩定的材料組成。
在另一實施例中,第一凹座158之深度192A與第二凹座168之深度192B的組合小於第一工件174的厚度194。在又一實施例中,第一凹座158之深度192A與第二凹座168之深度192B的組合大於第一工件174的厚度194。
圖2之夾盤130(例如)可為機械的(例如,機械夾緊);然而,在工件載具150合適地導電的情況下,夾盤或者可為靜電的(ESC),以便適當地夾緊。第一平板152在中心具有孔以允許視線到達下方之加熱器/夾盤。第二平板162中亦具有孔以允許離子束或其他處理介質到達晶圓或工件118之前表面。第一平板152及第二平板162兩者中之孔(例如)小於第一工件之直徑,但足夠大,使得大多數工件可「看見」或曝露至下方之夾盤或前側上之離子束(例如,不排除大於邊緣排除區)。第一平板152及第二平板162中之此等孔可為完全圓形,或包括對準晶圓平面或凹口的特徵。
工件載具150(例如)意欲用於將100mm晶圓固持於150mm夾盤130上。第一平板152及第二平板162(例如)可具有互補形狀。第二平板162將具有具「翼形部」之環形物,且底板152將為具有凹口以接受頂板之翼形部的另一環形物。第一平板152及第二平板162(例如,各別頂板及底板)將放置,使得頂板上之「翼形部」或吊耳178將放置於底板上之對應凹口中。兩個平板152及162將放置於平面內,從而形成完整且均勻的載具表面。另外,底板中之凹口中的一者可經底切,以允許頂板中之配合特徵適配於頂板中並將頂板固持於適當位置中。
當在夾鉗130上時,不管以機械方式抑或靜電方式,來自頂板之翼形部或吊耳178將藉由夾鉗結構而固持於適當位置中。又,將工件174及第一平板152夾緊。
為了將晶圓或工件插入至工件載具150中,提昇第二平板 162(頂板)並使第二平板162(頂板)向上樞轉,從而圍繞底切表面鉸接。可移除頂板。接著將工件置放於第一凹座158中,且再次將第二平板162置放於第一平板152上,從而首先咬合底切表面,接著向下鉸接至適當位置。凹口中之翼形部或吊耳178與底切表面的組合起作用以將第一工件174安全地固持於適當位置中。為了移除第一工件174,再次提昇第二平板162並使第二平板162向上樞轉,取出工件,且可替換第二平板162。
圖11及圖12說明藉由夾持器機器人196夾持之例示性工件載具150的若干視圖,其中夾持器機器人藉由一或多個夾持器198夾持至少第一平板152,如上文所描述。
根據本發明之又一例示性態樣,圖13說明經提供以選擇性地夾持並處理具有不同直徑之第一工件及第二工件的例示性方法200。請注意,雖然本文中將例示性方法說明並描述為一系列動作或事件,但應瞭解,根據本發明,本發明不受此等動作或事件之所說明排序限制,此係因為一些步驟可以不同於本文中所展示並描述之次序的次序發生,及/或與其他步驟同時發生。另外,實施根據本發明之方法可能並不需要所有所說明之步驟。此外,應瞭解,方法可與本文中所說明並描述之系統相關聯以及與未加以說明之其他系統相關聯地來實施。
圖13之方法200以動作202開始,在動作202中,判定將處理第一工件抑或第二工件。在本實施例中,第一工件之直徑小於第二工件之直徑。在動作204中,當將處理第一工件時,將第一工件定位於第一平板之第一凹座中,其中第一平板具有與第二工件之直徑相關聯的第一外徑,且其中第一平板具有第一內徑,其中第一凹座自第一內徑朝向第一外徑延伸達第一距離。在動作206中,將第二平板定位於第一平板之上,第二平板具有第二外徑、第二內徑及第二凹座,第二凹座自第二內徑朝向第二外徑延伸達第二距離,其中第一工件之位置大體上在第一凹座及該第二 凹座內固定於第一平板與第二平板之間,且其中與第一平板及第二平板相關聯之複數個配合特徵進一步在第一平板與第二平板之間選擇性地固定第一工件的位置。在動作208中,夾持第一平板之第一外徑,且隨後在動作210中處理第一工件。
若在動作202中作出之判定係將處理具有較大直徑之第二工件,則在動作212中夾持第二工件之周界,且隨後在動作214中處理第二工件。
在一實施例中,可基於將處理第一工件抑或第二工件,隨後將第一平板及第二工件中之一者傳送至定位於處理腔室內的夾盤。經由夾盤選擇性地夾持第一平板及第二工件中之一者(例如)可包含將第一平板及第二工件中之一者靜電或機械地夾持至夾盤。
儘管已關於某一或某些實施方式展示並描述了本發明,但請注意,上文所描述之實施方式僅充當用於實施本發明之一些實施方式的實施例,且本發明之應用並不約束至此等實施方式。詳言之,關於由上文所描述之組件(總成、器件、電路等)執行之各種功能,除非另外指示,否則用以描述此等組件之術語(包括對「構件」之參考)意欲對應於執行所描述組件之指定功能的任何組件(亦即,在功能上等效),即使在結構上並不等效於執行本文中說明為本發明之例示性實施方式的功能之所揭示結構亦如此。另外,雖然可能關於若干實施方式中之僅一者揭示了本發明之特定特徵,但此特徵可與如對於任何給定或特定應用而言可為所要的且有利的之其他實施方式之一或多個其他特徵組合。因此,本發明並不限於上文所描述之實施方式,而意欲僅藉由附加申請專利範圍及其均等物限制。
150‧‧‧工件載具
152‧‧‧第一平板
162‧‧‧第二平板
172‧‧‧配合特徵
174‧‧‧第一工件
178‧‧‧吊耳
180‧‧‧槽
182‧‧‧頂表面

Claims (31)

  1. 一種工件載具,其包含:一第一平板,其具有一第一外徑、一第一內徑及一第一凹座,該第一凹座自該第一內徑朝向該第一外徑延伸一第一距離;一第二平板,其具有一第二外徑、一第二內徑及一第二凹座,該第二凹座自該第二內徑朝向該第二外徑延伸一第二距離;及複數個配合特徵,其與該第一平板及該第二平板相關聯,其中該複數個配合特徵建構成在該第一凹座及該第二凹座內於該第一平板與該第二平板之間選擇性地固定一第一工件的一位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該第一外徑與一第二工件之一直徑相關聯,且其中該第一工件之一直徑小於該第二工件之該直徑。
  3. 如申請專利範圍第2項之工件載具,其中該第一工件之該直徑約為100mm,且該第二工件之該直徑約為150mm。
  4. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該複數個配合特徵包含自該第二平板之一底表面延伸的複數個銷,及延伸至該第一平板之一頂表面中的複數個孔。
  5. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該複數個配合特徵包含自該第二平板之該第二外徑延伸的複數個吊耳,及延伸至該第一平板之一頂表面中的複數個槽。
  6. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該第一距離及該第二距離與該第一工件之一排他性區相關聯。
  7. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該第一平板及該第二平板由石墨、碳化矽、氧化鋁及石英中的一或多者組成。
  8. 如申請專利範圍第7項之工件載具,其中該第一平板及該第二平板由不同材料組成。
  9. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該第一平板及該第二平板由在大於約700℃之溫度下結構上穩定之材料組成。
  10. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該第一平板之該第一凹座及該第二平板之該第二凹座建構成接觸圍繞該第一工件之一周界的一排他性區。
  11. 如申請專利範圍第10項之工件載具,其中該第一凹座及該第二凹座之一深度的一組合小於該第一工件之一厚度。
  12. 如申請專利範圍第10項之工件載具,其中該第一凹座及該第二凹座之一深度的一組合大於該第一工件之一厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項之工件載具,其中該第一平板建構成藉由一機器人夾持器而圍繞該第一平板之該第一直徑選擇性夾持。
  14. 如申請專利範圍第13項之工件載具,其中該第二平板之至少一部分建構成藉由該機器人夾持器而圍繞該第二平板之該第二直徑選擇性夾持。
  15. 一種用於處理一第一工件及一第二工件之半導體處理系統,其中該第一工件之一直徑小於該第二工件之一直徑,該半導體處理系統包含:一處理腔室,其具有與之相關聯的一處理環境;一工件載具,其用於支撐該第一工件,該工件載具包含:一第一平板,其具有一第一外徑、一第一內徑及一第一凹座,該第一凹座自該第一內徑朝向該第一外徑延伸達一第一距離;一第二平板,其具有一第二外徑、一第二內徑及一第二凹座,該第二凹座自該第二內徑朝向該第二外徑延伸達一第二距離;及複數個配合特徵,其與該第一平板及該第二平板相關聯,其中該複數個配合特徵建構成在該第一凹座及該第二凹座內於該第一平板與該第二平板之間選擇性地固定該第一工件的一位置;一夾盤,其定位於該處理腔室內,其中該夾盤建構成基於正處理該第 一工件抑或該第二工件而選擇性地夾持該工件載具與一第二工件中的任一者。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體處理系統,其進一步包含一離子植入裝置,其中該離子植入裝置建構成將複數個離子提供至定位於該處理腔室中之該第一工件與該第二工件中的一者。
  17. 如申請專利範圍第15項之半導體處理系統,其進一步包含可操作地耦接至該處理腔室之一負載鎖定腔室,其中該負載鎖定腔室建構成將該處理腔室內之一處理環境與一外部環境隔離。
  18. 如申請專利範圍第15項之半導體處理系統,其進一步包含一機器人夾持器,其中該第一平板建構成藉由該機器人夾持器而圍繞該第一平板之該第一直徑選擇性夾持。
  19. 如申請專利範圍第18項之半導體處理系統,其中該第二平板之至少一部分建構成藉由該機器人夾持器而圍繞該第二平板之該第二直徑選擇性夾持。
  20. 如申請專利範圍第18項之半導體處理系統,其進一步包含可操作地耦接至該處理腔室之一負載鎖定腔室,其中該機器人夾持器可操作地耦接至定位於該處理腔室內之一真空機器人,且其中該真空機器人建構成在該處理腔室內傳送該工件載具及該第二工件中之任一者及/或將該工件載具及該第二工件中之任一者傳送至及傳送出該負載鎖定腔室。
  21. 如申請專利範圍第18項之半導體處理系統,其進一步包含可操作地耦接至該處理腔室之一負載鎖定腔室,其中該機器人夾持器可操作地耦接至定位於該處理腔室外部的一大氣機器人,且其中該大氣傳送機器人建構成將該工件載具及該第二工件中之任一者傳送至及/或傳送出一負載鎖定腔室。
  22. 如申請專利範圍第21項之半導體處理系統,其中該機器人夾持器經 進一步建構成在一工件輸送容器與該工件載具之間傳送該第一工件。
  23. 如申請專利範圍第16項之半導體處理系統,其中該離子植入裝置包含:一離子源,其建構成形成一離子束;一射束線總成,其建構成對該離子束進行質量分析;及一終端站,其包含該處理腔室。
  24. 如申請專利範圍第15項之半導體處理系統,其中該夾盤包含一溫度控制夾盤。
  25. 如申請專利範圍第24項之半導體處理系統,其中該溫度控制夾盤包含一低於環境溫度之夾盤及高於環境溫度之夾盤中的一者。
  26. 如申請專利範圍第15項之半導體處理系統,其中該夾盤包含一靜電夾盤。
  27. 一種用於在一半導體處理系統內處理一第一工件及一第二工件之方法,其中該第一工件之一直徑小於該第二工件之一直徑,該方法包含:判定將處理該第一工件抑或該第二工件;當將處理該第一工件時,將該第一工件定位於一第一平板之一第一凹座中,其中該第一平板具有與該第二工件之一直徑相關聯的一第一外徑,且其中該第一平板具有一第一內徑,其中該第一凹座自該第一內徑朝向該第一外徑延伸達一第一距離;將一第二平板定位於該第一平板之上,該第二平板具有一第二外徑、一第二內徑及一第二凹座,該第二凹座自該第二內徑朝向該第二外徑延伸達一第二距離,其中該第一工件之一位置大體上在該第一凹座及該第二凹座內固定於該第一平板與該第二平板之間,且其中與該第一平板及該第二平板相關聯之複數個配合特徵進一步在該第一平板與該第二平板之間選擇性地固定該第一工件之該位置;及 基於將處理該第一工件抑或該第二工件而選擇性地夾持該第一平板之該第一外徑或該第二工件之一周界。
  28. 如申請專利範圍第27項之方法,其進一步包含基於將處理該第一工件抑或該第二工件而將該第一平板及該第二工件中之一者傳送至定位於一處理腔室內的一夾盤。
  29. 如申請專利範圍第28項之方法,其進一步包含經由該夾盤選擇性地夾持該第一平板及該第二工件中的該者。
  30. 如申請專利範圍第29項之方法,其中經由該夾盤選擇性地夾持該第一平板及該第二工件中的該者包含將該第一平板及該第二工件中的該者靜電地夾持至該夾盤。
  31. 如申請專利範圍第29項之方法,其中經由該夾盤選擇性地夾持該第一平板及該第二工件中的該者包含將該第一平板及該第二工件中的該者機械地夾緊至該夾盤。
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