KR20000014880A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 확산공정 또는 화학기상증착공정 등을 수행할 수 있는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 반도체소자의 제조방법은, 다수매의 웨이퍼를 수평으로 안착시킬 수 있는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조방법에 있어서, 상기 반응로에 수평으로 안착시키는 웨이퍼는 그 전면(前面)이 하향되도록 안착시키는 것을 특징으로 한다.

따라서, 웨이퍼를 수평으로 안착시키는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조공정의 수행시 웨이퍼의 전면으로 흡착되는 파티클로 인한 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체소자의 제조방법

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 확산공정 또는 화학기상증착(CVD)공정 등을 수행할 수 있는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체소자는 상기 반도체소자로 제조할 수 있는 웨이퍼(Wafer)를 대상으로 다양한 단위공정을 수행함으로써 제조되며, 상기와 같은 단위공정의 수행에서는 다양한 제조장치를 이용한다.

이러한 반도체소자를 제조하기 위한 단위공정 중에서 상기 웨이퍼 내에 불순물을 도핑(Doping)시킬 수 있는 확산공정 또는 상기 웨이퍼 상에 소정의 막(Film)을 형성시킬 수 있는 화학기상증착공정 등의 수행에서는 다수매의 웨이퍼를 수평으로 안착시킬 수 있는 반응로가 구비되는 제조장치를 주로 이용한다.

그리고 상기 반응로가 구비되는 제조장치는 도1에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(W)가 안착되는 보트(Boat)(10)가 구비되고, 상기 보트(10)를 포위할 수 있는 내관(12) 및 외관(14)이 구비된다.

여기서 상기 반응로 즉, 도1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 수평으로 안착시킬 수 있는 보트(10)로 이루어지는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조공정의 수행에서는 상기 웨이퍼(W)의 전면(前面)이 상향이 되도록 안착시킨다.

즉, 상기 웨이퍼(W)를 반응로의 보트(10) 내에 수평으로, 그리고 그 전면이 상향이 되도록 안착시켜 반도체소자의 제조공정을 수행하는데, 상기 반도체소자의 제조공정의 수행시 반응가스 또는 상기와 같은 보트(10) 등의 결함 등으로 인하여 파티클(Particle)(16) 등이 발생할 경우 상기 웨이퍼(W)가 상향으로 안착되어 있기 때문에 상기 웨이퍼(W)의 전면으로 아무런 여과없이 파티클(16)이 흡착된다.

이에 따라 상기 파티클(16)이 웨이퍼(W)의 전면에 흡착됨에 따라 상기 파티클(16)로 인한 불량이 빈번하게 발생하였다.

따라서 종래와 같이 웨이퍼를 수평으로 안착시키는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조공정의 수행에서는 파티클로 인한 불량의 빈번한 발생으로 인하여 반도체소자의 제조에 따른 신뢰도가 저하되는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, 웨이퍼를 수평으로 안착시키는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조공정의 수행시 웨이퍼의 전면으로 흡착되는 파티클로 인한 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 신뢰도를 향상시키기 위한 반도체소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.

도1은 종래의 반도체소자의 제조방법을 설명하기 위한 모식도이다.

도2는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법의 일 실시예를 설명하기 위한 모식도이다.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10, 20 : 보트 12, 22 : 내관

14, 24 : 외관 16, 26 : 파티클

W : 웨이퍼

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 다수매의 웨이퍼를 수평으로 안착시킬 수 있는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조방법에 있어서, 상기 반응로에 수평으로 안착시키는 웨이퍼는 그 전면(前面)이 하향되도록 안착시키는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도2는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법의 일 실시예를 설명하기 위한 모식도이다.

본 발명은 반도체소자를 제조하기 위한 단위공정 중에서 확산공정 또는 화학기상증착공정 등의 수행시 이용되는 반응로를 나타내는 것으로써, 먼저 웨이퍼(W)가 안착되는 보트(20)가 구비되어 있고, 상기 보트(20)를 포위할 수 있는 내관(22) 및 외관(24)이 구비되어 있다.

여기서 상기와 같은 구성으로 이루어지는 반응로는 웨이퍼(W)를 안착시키는 타입에 따라 수평식 및 수직식으로 구별할 수 있는데, 본 발명의 반응로는 상기 웨이퍼(W)를 수평으로 안착시킬 수 있는 수평식타입이다.

즉, 본 발명은 상기 반응로, 즉, 보트(20) 내에 웨이퍼(W)를 수평으로 안착시킨 후, 상기와 같은 반도체소자의 제조공정을 수행하는 것이다.

여기서 본 발명은 상기 수평으로 안착되는 웨이퍼(W)의 전면이 하향이 되도록 안착시킨다.

다시말해 상기 웨이퍼(W)를 반응로의 보트(20) 내에 수평으로, 그리고 그 전면이 하향이 되도록 안착시키는 것이다.

이에 따라 본 발명은 상기와 같은 구성으로 웨이퍼(W)를 안착시킨 후, 반도체소자의 제조공정을 수행함에 따라 상기 반도체소자의 제조공정의 수행시 반응가스 또는 상기와 같은 보트(20) 등의 결함 등으로 인하여 파티클(26)이 발생할 경우 상기 웨이퍼(W)의 이면으로 파티클(26)이 흡착된다.

즉, 상기 웨이퍼(W)의 전면이 하향되도록 안착시키기 때문에 상기 파티클(26)이 웨이퍼(W)의 이면에 흡착되는 것이다.

따라서 본 발명은 상기 파티클(26)이 웨이퍼(W)의 이면에 흡착됨으로써 상기 파티클(26)로 인하여 발생하는 불량을 최소화시킬 수 있다.

다시말해 본 발명은 상기 웨이퍼(W)의 안착을 그 전면이 상향이 아닌 하향으로 안착시킴으로써 상기 파티클(26)로 인한 불량의 발생을 최소화시킬 수 있는 것으로써, 상기와 같은 웨이퍼(W)의 전면의 방향의 변화가 반응로를 이용한 반도체소자의 제조공정의 수행시 별다른 영향을 끼치지 않는 것을 이용한 것이다.

따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼를 수평으로 안착시키는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조공정의 수행시 웨이퍼의 전면으로 흡착되는 파티클로 인한 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (1)

1. 다수매의 웨이퍼(Wafer)를 수평으로 안착시킬 수 있는 반응로를 이용한 반도체소자의 제조방법에 있어서,

   상기 반응로에 수평으로 안착시키는 웨이퍼는 그 전면(前面)이 하향되도록 안착시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.