KR20000013177A - Lead forming die having double forming area - Google Patents

Lead forming die having double forming area Download PDF

Info

Publication number
KR20000013177A
KR20000013177A KR1019980031888A KR19980031888A KR20000013177A KR 20000013177 A KR20000013177 A KR 20000013177A KR 1019980031888 A KR1019980031888 A KR 1019980031888A KR 19980031888 A KR19980031888 A KR 19980031888A KR 20000013177 A KR20000013177 A KR 20000013177A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
mold
bending
bent
primary
Prior art date
Application number
KR1019980031888A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
송진규
최태규
정옥선
오석민
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019980031888A priority Critical patent/KR20000013177A/en
Publication of KR20000013177A publication Critical patent/KR20000013177A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE: A lead forming die is provided to prevent a spring-back phenomenon and a stripping phenomenon of a lower and an upper dies using a first and a second forming areas. CONSTITUTION: The die comprises a lower die on which a semiconductor package is placed and an upper die in which a cam bending leads of the package is formed. A double forming area includes a first forming area forming the lead at one position of the respective lead and a second forming area, formed on an external side of the first forming area, supporting the formed lead. The first forming area corresponds to the second forming area in a gearing region of the lower and the upper dies, and each of the leads is contacted with the dies through the areas.

Description

2단 절곡부를 갖는 리드 절곡 금형 ( Lead forming die with double forming area )Lead forming die with double forming area

본 발명은 리드 절곡 금형(Lead forming die)에 관한 것이며, 더욱 구체적으로는 1차/2차 절곡부의 2단 절곡부(double forming area)가 형성된 상/하부금형을 이용하여 반도체 칩 패키지의 리드를 절곡하고, 그와 동시에 반도체 칩 패키지의 리드에 상/하부금형이 접촉되는 면적을 줄임으로써 상/하부금형과 리드의 마찰을 줄이는 리드 절곡 장치(Lead former)의 리드 절곡 금형에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead forming die, and more particularly to a lead of a semiconductor chip package using an upper / lower mold having a double forming area of a primary / secondary bent portion. The present invention relates to a lead bending die of a lead bending device (Lead former) which reduces the friction between the upper and lower molds and the leads by bending and reducing the area where the upper and lower molds contact the leads of the semiconductor chip package.

리드 절곡 장치는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC ; Epoxy Molding Compound)와 같은 성형수지로 패키지 몸체가 성형된 리드프레임 형태의 반제품에서 패키지 몸체 외부로 돌출 되어 있는 리드들을 임의의 형태로 절곡하는 반도체 조립 장치이다.The lead bending device is a semiconductor assembly device that bends the leads protruding out of the package body into arbitrary shapes in a lead frame-type semi-finished product in which the package body is molded with a molding resin such as epoxy molding compound (EMC).

이와 같은 리드 절곡 장치는 기본적으로 리드를 절곡할 수 있는 절곡부가 형성된 상/하부금형으로 구성된 리드 절곡 금형을 포함한다. 상/하부금형을 이용한 리드 절곡방법에 대하여 좀 더 상세히 설명하면 하부금형 위에 성형수지로 패키지 몸체가 성형된 리드프레임의 각 반도체 칩 패키지가 놓여진 후 상부금형이 하강하면서 상/하부금형에 형성된 절곡부의 형태를 따라 리드들을 절곡할 수 있으며, 절곡하는 방법에 따라 한 개 혹은 그 이상의 리드 절곡 금형을 포함할 수 있다.Such a lead bending device basically includes a lead bending die composed of an upper / lower mold having a bent portion capable of bending the lead. The method of bending the lead using the upper / lower mold will be described in more detail. After each semiconductor chip package of the lead frame in which the package body is molded with the molding resin is placed on the lower mold, the upper mold is lowered, Leads may be bent along a shape, and may include one or more lead bending dies according to the bending method.

본 발명은 한 개의 리드 절곡 금형으로 리드를 절곡하는 형태의 장치에 관한 것이며, 그 중에서도 에스오피(SOP ; Small Out-line Package ; 이하 "SOP"라 한다)와 같은 표면 실장형 패키지(Surface mount type package)의 리드들을 절곡하는 장치를 기준으로 설명한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an apparatus in which a lead is bent with a single lead bending die, and among them, a surface mount type such as a small out-line package (SOP). It will be described with reference to the device for bending the leads of the package).

도 1은 종래의 리드 절곡 금형의 절곡부를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고로 하여 리드가 절곡되는 공정을 설명하면 다음과 같다.1 is a cross-sectional view showing a bent portion of a conventional lead bending die. Referring to Figure 1 describes the process of bending the lead as follows.

리드들이 수평으로 돌출된 반도체 칩 패키지(도시되지 않음)가 하부금형(10)의 안착면(18) 위에 놓여진 후 상부금형(40)의 내부금형(20)이 하강하면서 반도체 칩 패키지를 고정시키고, 내부금형(20)이 하강하면서 내부금형(20)과 맞물리는 캠(30)을 움직이면서 리드를 절곡한다. 상부금형(40)의 절곡부(32)는 캠(30)의 끝에 형성되어 있으며, 상/하부금형의 절곡부(32/12)와 접촉면들(34/14)을 따라 리드가 절곡된다.After the semiconductor chip package (not shown) in which the leads protrude horizontally is placed on the seating surface 18 of the lower mold 10, the inner mold 20 of the upper mold 40 descends to fix the semiconductor chip package. As the inner mold 20 descends, the lead is bent while moving the cam 30 engaged with the inner mold 20. The bent part 32 of the upper mold 40 is formed at the end of the cam 30, and the lead is bent along the bent parts 32/12 and the contact surfaces 34/14 of the upper / lower mold.

이와 같은 리드 절곡 금형은 절곡부와 접촉면을 통해 리드의 전부분과 접촉되기 때문에 리드와의 접촉마찰이 커진다.Since the lead bending die is in contact with the entire portion of the lead through the bent portion and the contact surface, the contact friction with the lead is increased.

또한, 반도체 칩 패키지는 리드를 절곡하기에 앞서서 납(Pb)을 일부 함유하는 주석(Sn) 합금으로 리드들이 전기 도금되는 것이 일반적이며, 보통 이를 주석도금이라 한다. 도금되는 주석합금은 약 85%의 주석과 약 15%의 납으로 구성될 수 있으며, 이러한 전기 도금 공정을 통해서 각 리드는 외부적 스트레스(Stress)로부터 보호되고, 또한 최종적으로 조립된 후 기판(Substrate) 등에 실장될 때 높은 실장력을 나타낼 수 있다.In addition, prior to bending the lead, the semiconductor chip package is generally electroplated with a tin (Sn) alloy containing some lead (Pb), which is commonly referred to as tin plating. The tin alloy to be plated may consist of about 85% tin and about 15% lead, and through this electroplating process, each lead is protected from external stress and, after final assembly, the substrate When mounted on the back), it can exhibit high mounting force.

하지만, 이와 같이 전기 도금된 리드들이 위에서 설명된 종래의 리드 절곡 금형에서 절곡되는 동안 도금된 주석이 벗겨질 수 있다. 즉, 비교적 부드러운 재질의 주석도금층이 강한 재질의 상/하부금형과 접촉되면서 접촉마찰에 의해 벗겨지는 현상이 발생할 수 있으며, 이러한 현상에 따라 각 리드들 위로 주석을 전기 도금한 이점이 상실될 수 있다.However, the plated tin may peel off while these electroplated leads are bent in the conventional lead bending mold described above. That is, the tin plating layer of the relatively soft material may be peeled off by contact friction while contacting the upper / lower mold of the strong material, and the advantage of electroplating tin on each lead may be lost. .

또한, 상/하부금형의 절곡부로 1회 압력을 가하여 절곡하는 방법이기 때문에 각 리드들은 리드 절곡 금형에서 분리된 후 탄성에 의하여 절곡된 형태가 복원되어 변형되는 소위 스프링-백(Spring-back) 현상을 나타낼 수 있다.In addition, it is a method of bending by applying a single pressure to the upper and lower mold bent portions, so that each lead is separated from the lead bending mold, and thus, a spring-back phenomenon in which the shape bent by elasticity is restored and deformed. Can be represented.

이와 같이 주석도금층이 벗겨지거나 또는 리드의 스프링-백 현상이 일어남에 따라 리드 절곡 공정의 불량율이 높아질 수 있으며, 나아가 조립된 반도체 칩 패키지의 신뢰성이 저하될 수 있다.As described above, the peeling of the tin plating layer or the spring-back phenomenon of the lead may increase the defective rate of the lead bending process, and further, the reliability of the assembled semiconductor chip package may be degraded.

본 발명의 목적은 1차 절곡부와 2차 절곡부가 형성된 상/하부금형을 포함하는 리드 절곡 금형을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a lead bending mold including an upper / lower mold having a primary bent portion and a secondary bent portion formed thereon.

본 발명의 또 다른 목적은 리드에 접촉되는 면이 최소화되는 상/하부금형을 포함하는 리드 절곡 금형을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a lead bending mold including an upper / lower mold in which a surface in contact with the lead is minimized.

도 1은 종래의 리드 절곡 금형의 절곡부를 나타낸 단면도,1 is a cross-sectional view showing a bent portion of a conventional lead bending mold,

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리드 절곡 금형을 간략히 나타낸 단면도,2 is a cross-sectional view briefly showing a lead bending mold according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 절곡부를 상세히 나타낸 단면도,3 is a cross-sectional view showing in detail the bent portion of FIG.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 리드 절곡 금형을 통하여 리드가 절곡되는 모습을 나타낸 단면도이다.4A to 4E are cross-sectional views showing a state in which a lead is bent through a lead bending mold according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing

10, 110 : 하부금형 12, 32 : 절곡부10, 110: lower mold 12, 32: bent portion

14, 34 : 접촉면 18, 118 : 안착면14, 34: contact surface 18, 118: seating surface

20, 120 : 내부금형 30, 130 : 캠20, 120: internal mold 30, 130: cam

40, 140 : 상부금형 112, 132 : 1차 절곡부40, 140: upper mold 112, 132: primary bent portion

116, 136 : 2차 절곡부 122 : 외부금형116, 136: secondary bend portion 122: outer mold

170 : 상부몸체 172, 182 : 지지대170: upper body 172, 182: support

180 : 하부몸체 200 : 리드 절곡 금형180: lower body 200: lead bending mold

210 : 반도체 칩 패키지 220 : 패키지 몸체210: semiconductor chip package 220: package body

230 : 리드 240 : 블레이드230: lead 240: blade

이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 패키지가 놓여지는 하부금형; 및 반도체 패키지의 리드들을 절곡하는 캠이 형성된 상부금형;을 포함하는 리드 절곡 장치의 리드 절곡 금형에 있어서, 각 리드의 일 지점에서 리드를 절곡하는 1차 절곡부; 및 1차 절곡부의 외측에 형성되며, 절곡된 리드를 보정하는 2차 절곡부;를 포함하는 2단 절곡부가 상/하부금형의 맞물리는 면에서 서로 대응되도록 형성되고, 각 리드는 1차/2차 절곡부를 통해 상/하부금형과 접촉되는 것을 특징으로 하는 리드 절곡 금형을 제공한다.In order to achieve this object, the present invention is a semiconductor device, the lower mold is placed; And an upper mold having a cam for bending the leads of the semiconductor package, the lead bending mold of the lead bending apparatus comprising: a primary bent portion for bending leads at one point of each lead; And a second bent part formed on an outer side of the first bent part and correcting the bent lead, wherein the two-stage bent part is formed to correspond to each other in the mating surface of the upper / lower mold, and each lead is formed as a primary / 2. Provided is a lead bending mold, characterized in that in contact with the upper / lower mold through the secondary bent.

또한 본 발명에 따른 리드 절곡 금형은 1차 절곡부에 의해 각 리드를 절곡한 후 2차 절곡부에 의해 각 리드를 보정하는 것을 특징으로 한다.In addition, the lead bending mold according to the present invention is characterized in that each lead is bent by the first bent portion and then each lead is corrected by the second bent portion.

이하 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 리드 절곡 금형(200)을 간략히 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 2의 절곡부를 상세히 나타낸 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참고로 하여 본 발명에 따른 리드 절곡 금형(200)의 구조를 설명하면 다음과 같다.2 is a cross-sectional view schematically showing a lead bending die 200 according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view showing in detail the bent portion of FIG. Referring to Figure 2 and 3 will be described the structure of the lead bending die 200 according to the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 리드 절곡 금형(200)은 크게 반도체 칩 패키지(도시되지 않음)가 놓여지는 하부금형(110)과 반도체 칩 패키지의 리드들을 절곡하는 캠(130)이 형성된 상부금형(140)을 포함한다. 상부금형(140)은 또한 캠(130)을 움직일 수 있는 형태의 내부금형(120)과 외부금형(122)으로 구분되며, 내부금형(120)은 상부금형(140)이 하강할 때 하부금형(110)의 안착면(118)과 더불어 반도체 칩 패키지의 패키지 몸체를 고정시킨다.The lead bending mold 200 according to the embodiment of the present invention has a lower mold 110 in which a semiconductor chip package (not shown) is placed and an upper mold in which a cam 130 for bending leads of the semiconductor chip package is formed. 140). The upper mold 140 is also divided into the inner mold 120 and the outer mold 122 of the type that can move the cam 130, the inner mold 120 is the lower mold when the upper mold 140 is lowered ( The package body of the semiconductor chip package is fixed together with the mounting surface 118 of the 110.

하부금형(110)의 안착면(118)을 중심으로 내측에 1차 절곡부(112)가 형성되고 그 외측으로 2차 절곡부(116)가 형성되어 있으며, 하부금형(110)의 1차/2차 절곡부(112/116)와 대응하는 캠(130)의 끝단에 역시 1차/2차 절곡부(132/136)가 형성되어 있다. 또한 상/하부금형의 각각의 1차 절곡부(132/112)와 2차 절곡부(136/116) 사이에 요홈이 형성되어 있으며, 이들 요홈이 형성된 사이에서는 리드 절곡 공정이 수행되는 동안 대응되는 각 리드와 상/하부금형(140/110)이 접촉되지 않는다.The primary bent part 112 is formed at the inner side about the seating surface 118 of the lower mold 110 and the secondary bent part 116 is formed at the outside thereof, and the primary / Primary / secondary bends 132/136 are also formed at the ends of the cams 130 corresponding to the secondary bends 112/116. In addition, grooves are formed between the respective primary bent portions 132/112 and the secondary bent portions 136/116 of the upper and lower molds, and the recesses are formed during the lead bending process. Each lead and the upper and lower molds 140 and 110 do not contact each other.

이와 같이 1차/2차 절곡부가 형성된 상/하부금형(140/110)은 각각 상/하부금형이 삽입되어 고정되는 상/하부몸체(170/180)에 연결되어 있으며, 상부몸체(170)가 수직으로 구동됨에 따라 상부금형(140)이 수직으로 움직이면서 반도체 칩 패키지의 리드를 절곡할 수 있는 구조를 갖는다. 이때 상부몸체(170)와 하부몸체(180)의 사이에 일정한 길이로 형성된 지지대들(172,182)이 형성되어 상부몸체(170)가 일정한 높이 이상으로 하강하는 것을 방지할 수 있다.As described above, the upper / lower molds 140/110 having the primary / secondary bends are connected to upper / lower bodies 170/180 to which upper / lower molds are inserted and fixed, and the upper body 170 is As the vertical mold 140 moves vertically, the upper mold 140 moves vertically to bend the lead of the semiconductor chip package. At this time, the support bodies 172 and 182 having a predetermined length are formed between the upper body 170 and the lower body 180 to prevent the upper body 170 from falling above a certain height.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 2단 절곡부 - 1차 절곡부(112, 132)와 2차 절곡부(116, 136) - 가 형성된 리드 절곡 금형을 통하여 반도체 칩 패키지(210)의 리드(230)가 절곡되는 공정을 순차적으로 나타낸 단면도이다. 도 4a 내지 도 4e를 참고로 하여, 리드가 절곡되는 공정을 상세히 설명하면 다음과 같다.4A to 4E illustrate a lead of the semiconductor chip package 210 through a lead bending mold having a two-stage bent portion-a primary bent portion 112 and 132 and a secondary bent portion 116 and 136-according to the present invention. It is sectional drawing which showed the process which 230 is bent sequentially. Referring to Figures 4a to 4e, the process of bending the lead in detail as follows.

인덱스 피더(Index feeder ; 도시되지 않음)와 같은 이송수단에 의해 반도체 칩 패키지(210)의 패키지 몸체(220)가 하부금형(110)의 안착면(118) 위에 놓여진 후 상부금형(140)이 하강하여 내부금형(120)이 패키지 몸체(220) 위를 눌러 고정시키며, 상부금형이 하강하면서 캠(130)이 원호(P)를 그리면서 움직여 1차 절곡부(132)가 리드(230)의 A 지점을 누르게 된다(도 4a).The upper mold 140 is lowered after the package body 220 of the semiconductor chip package 210 is placed on the seating surface 118 of the lower mold 110 by a transfer means such as an index feeder (not shown). The inner mold 120 is fixed by pressing on the package body 220, while the upper mold is lowered, the cam 130 moves while drawing an arc P, the primary bent portion 132 is A of the lead 230 The point is pressed (Figure 4a).

캠(130)의 1차 절곡부(132)가 더 움직임에 따라 하부금형(110)의 1차 절곡부(112)와 2차 절곡부(116)에 의해 리드(230)가 B 지점과 C 지점 사이에서 A 지점이 오목해지는 형태로 절곡되고(도 4b), 캠(130)이 더 움직이면서 캠(130)의 1차 절곡부(132)에 의해 눌려지는 리드(230)의 A 지점과 하부금형(110)의 2차 절곡부(116)에 대응되는 리드(230)의 C 지점 사이가 느슨한 상태로 절곡된다(도 4c).As the primary bent portion 132 of the cam 130 moves further, the lead 230 is the B and C points by the primary bent portion 112 and the secondary bent portion 116 of the lower mold 110. Point A is bent in a concave shape (Fig. 4b), the cam 130 is moved further and the point A and the lower mold of the lead 230 pressed by the primary bent portion 132 of the cam 130 Between the C points of the lead 230 corresponding to the secondary bent portion 116 of 110 is bent in a loose state (Fig. 4C).

캠(130)의 움직임이 끝날 때쯤에는 캠(130)의 2차 절곡부(136)와 하부금형(110)의 2차 절곡부(116)가 리드(230)를 C 지점에서 다시 아래 방향으로 재절곡함으로써, 리드의 일부분 - 리드의 B 지점과 C 지점 사이 - 을 수평으로 보정한다(도 4d). 이에 더하여, 추후에 수평으로 절곡된 리드(230)의 D 지점에서 블레이드(240 ; Blade)와 같은 절단수단으로 리드를 절단함으로써 반도체 칩 패키지(210)의 리드의 형태를 완성한다(도 4e).When the end of the cam 130 is finished, the secondary bent portion 136 of the cam 130 and the secondary bent portion 116 of the lower mold 110 return the lead 230 downward from the C point. By bending, the portion of the lid-between the B and C points of the lid-is corrected horizontally (FIG. 4D). In addition, the shape of the lead of the semiconductor chip package 210 is completed by cutting the lead with cutting means such as a blade 240 at the point D of the lead 230 which is later bent horizontally (FIG. 4E).

이와 같은 공정에 따라 절곡된 리드는 최종적으로 기판에 실장될 때 실장되는 부분 - 구체적으로 B와 D 사이의 구간 - 이 리드 절곡 금형에 직접 접촉되지 않기 때문에, 도금된 주석도금층이 벗겨지는 현상을 방지할 수 있다.Leads bent according to such a process are prevented from peeling off the plated tin plated layer because the portion to be mounted when the substrate is finally mounted on the substrate-specifically, the section between B and D-does not directly contact the lead bending mold. can do.

또한 리드프레임을 제작하면서 미리 크롬(Cr) 또는 망간(Mn)과 같은 금속들을 도금한 소위 피피에프(PPF ; Pre Plated Frame ; 이하 "PPF"라 한다)를 사용하는 경우에도, 리드와 절곡 금형의 접촉면적이 제한되기 때문에, 리드 절곡 공정에서 발생되는 PPF의 크랙(Crack) 등과 같은 손상을 줄일 수 있다.In addition, even in the case of using a so-called PIF (PPF), which is plated with metals such as chromium (Cr) or manganese (Mn) in advance, the lead and bending molds may be used. Since the contact area is limited, damage such as cracking of PPF generated in the lead bending process can be reduced.

본 발명에 따른 리드 절곡 금형의 구조상의 특징은 1차/2차 절곡부의 2단 절곡부가 형성된 상/하부금형에 있다. 이들 1차/2차 절곡부는 1차 절곡부가 리드를 하향 절곡한 후에 2차 절곡부가 리드를 수평으로 재절곡하여 보정하는 공정을 통해 반도체 칩 패키지의 리드들을 임의의 형태로 절곡한다.The structural feature of the lead bending die according to the present invention lies in the upper / lower mold in which the two-stage bent portion of the primary / secondary bending portion is formed. These primary and secondary bends bend the leads of the semiconductor chip package in an arbitrary form through a process in which the primary bends bend the leads downward and the secondary bends re-bending the leads horizontally to correct them.

또한 종래의 리드 절곡 금형이 1회 절곡하면서 리드의 전 부분을 압축하여 절곡하던 것에 비하여, 본 발명에 따른 리드 절곡 금형은 순차적으로 2회 절곡함으로써 절곡된 리드가 일부분 복원되는 스프링-백(Spring-back) 현상을 방지할 수 있으며, 이에 더하여 1차/2차 절곡부의 두 지점에서 리드에 접촉됨으로써 금형과 리드와의 면접촉 마찰을 줄일 수 있고, 결과적으로 리드의 표면에 도금된 주석도금층이 벗겨지는 현상을 방지할 수 있다.In addition, compared to the conventional lead bending mold is bending by pressing the entire portion of the lead while bending once, the lead bending mold according to the present invention is a spring-back that is partially restored by bending the lead bending mold according to the present invention (Spring- back) can be prevented, and in addition, by contacting the lead at two points of the primary and secondary bends, the surface contact friction between the mold and the lead can be reduced, and as a result, the tin-plated layer on the surface of the lead is peeled off It can prevent losing phenomenon.

이상에서 설명된 2단의 절곡부를 갖는 상/하부금형을 포함하는 리드 절곡 금형의 구조는 본 발명에서 설명된 SOP뿐만 아니라 큐에프피(QFP ; Quad Flat Package) 등에도 적용될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 자유롭게 적용될 수 있음은 자명하다.The structure of the lead bending mold including the upper / lower molds having the two-stage bending portions described above can be applied to not only the SOP described in the present invention but also to the QFP (Quad Flat Package) and the like. Obviously, it can be applied freely within the scope of the technical idea.

본 발명에 따른 리드 절곡 금형은 반도체 칩 패키지의 외부로 형성된 리드들을 임의의 형태로 절곡하기 위하여 1차/2차 절곡부가 형성된 상/하부금형을 포함하고 있으며, 이러한 구조를 통하여 리드들이 절곡될 때 발생될 수 있는 스프링-백 현상 또는 주석도금층이 벗겨지는 현상 등을 방지할 수 있다. 이와 같이, 주석도금층이 벗겨지는 현상을 방지함으로써 기판에 반도체 칩 패키지를 실장할 때 실장력을 향상시킬 수 있으며, 스프링-백 현상을 방지함으로써 리드 절곡 공정의 수율을 향상할 수 있다.The lead bending mold according to the present invention includes upper and lower molds formed with primary and secondary bent portions to bend the leads formed to the outside of the semiconductor chip package into an arbitrary shape, and when the leads are bent through such a structure. Spring-back phenomenon or peeling off of the tin plating layer may be prevented. As such, by preventing the peeling of the tin plating layer, the mounting force may be improved when the semiconductor chip package is mounted on the substrate, and the yield of the lead bending process may be improved by preventing the spring-back phenomenon.

Claims (4)

반도체 패키지가 놓여지는 하부금형; 및A lower mold on which the semiconductor package is placed; And 상기 반도체 패키지의 리드들을 절곡하는 캠이 형성된 상부금형;An upper mold having a cam for bending the leads of the semiconductor package; 을 포함하는 리드 절곡 장치의 리드 절곡 금형에 있어서,In the lead bending mold of the lead bending device comprising a, 상기 각 리드의 일 지점에서 상기 리드를 절곡하는 1차 절곡부; 및A primary bent part that bends the lead at one point of each lead; And 상기 1차 절곡부의 외측에 형성되며, 상기 절곡된 리드를 보정하는 2차 절곡부;A second bent part formed on an outer side of the first bent part and correcting the bent lead; 를 포함하는 2단 절곡부가 상기 상/하부금형의 맞물리는 면에서 서로 대응되도록 형성되고, 상기 각 리드는 상기 1차/2차 절곡부를 통해 상기 상/하부금형과 접촉되는 것을 특징으로 하는 리드 절곡 금형.A two-stage bending portion including a is formed to correspond to each other in the mating surface of the upper / lower mold, each lead is in contact with the upper / lower mold through the primary / secondary mold mold. 제 1 항에 있어서, 상기 상부금형의 상기 1차/2차 절곡부는 상기 캠의 끝단에 형성되는 것을 특징으로 하는 리드 절곡 금형.The lead bending die according to claim 1, wherein the primary / secondary bending portion of the upper mold is formed at an end of the cam. 제 2 항에 있어서, 상기 각 리드는 상기 1차 절곡부와 상기 2차 절곡부 사이에서 수평으로 절곡되는 것을 특징으로 하는 리드 절곡 금형.3. The lead bending die according to claim 2, wherein each lead is bent horizontally between the primary bent portion and the secondary bent portion. 제 3 항에 있어서, 상기 1차/2차 절곡부는 상기 각 리드가 절단되는 지점을 중심으로 양쪽에 대응되는 것을 특징으로 하는 리드 절곡 금형.The lead bending die of claim 3, wherein the first and second bent parts correspond to both sides of a point where the leads are cut.
KR1019980031888A 1998-08-05 1998-08-05 Lead forming die having double forming area KR20000013177A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980031888A KR20000013177A (en) 1998-08-05 1998-08-05 Lead forming die having double forming area

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980031888A KR20000013177A (en) 1998-08-05 1998-08-05 Lead forming die having double forming area

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000013177A true KR20000013177A (en) 2000-03-06

Family

ID=19546507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980031888A KR20000013177A (en) 1998-08-05 1998-08-05 Lead forming die having double forming area

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000013177A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100832082B1 (en) * 2008-04-21 2008-05-27 김남국 Double bend equation lead forming die

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100832082B1 (en) * 2008-04-21 2008-05-27 김남국 Double bend equation lead forming die

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100380650C (en) Semiconductor integrated circuit device and mfg. method thereof
US7256481B2 (en) Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices
CN114980560B (en) Production process of base with electronic element
KR20000013177A (en) Lead forming die having double forming area
US20060141672A1 (en) Method for cutting lead terminal of package type electronic component
US6653169B2 (en) Packaged semiconductor and process for manufacturing the same
JPH04103154A (en) Semiconductor device, manufacture thereof, and mounting method thereof
EP0279683A2 (en) Semiconductor device and method of its manufacture
JPH02197158A (en) Manufacture of lead frame
KR940004590Y1 (en) Leadframe
CN220358084U (en) Electronic device and lead frame
JPH05315503A (en) Lead frame for semiconductor device
KR100254271B1 (en) Lead frame with multi-layer plating
JPH1022432A (en) Manufacture of lead frame
JPS6298655A (en) Lead molding die
KR100195156B1 (en) Method manufacture of leadframe
CN101465333B (en) Lead wire frame and producing method thereof
JPH03190267A (en) Method of forming leads of resin sealed semiconductor device
KR100250143B1 (en) Coining punch
KR0172051B1 (en) Lead forming apparatus of plcc semiconductor package
KR0120548Y1 (en) Leadforming apparatus of p.l.c.c package
JPH04211142A (en) Manufacture of semiconductor device
KR20000038929A (en) Manufacturing method of semiconductor package
CN115206808A (en) Tin plating method, semiconductor device packaging process and semiconductor device
JPH0473958A (en) Lead frame for semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination