KR20000038929A - Manufacturing method of semiconductor package - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of semiconductor packages is provided to prevent damage of a plating layer on outer leads. CONSTITUTION: In a manufacturing method of semiconductor packages(20), a process of forming outer leads(15) into a proper form precedes a process of plating the outer leads(15) not to cause damage to a plating layer(27) on the outer leads(15). A semiconductor chip is embedded in a package body(26) and electrically connected with the outer leads(15) through bonding wires and inner leads. In the forming process, a connection bar(16) is separated from a frame(18) at its end(16a), and the outer leads(15) are then transformed into a form suitable for mounting onto an external electronic device. However, the outer leads(15) are electrically connected with the frame(18) through a zigzag bar(24) linked with the connection bar(16). Since electric power is supplied to the outer leads(15) through the zigzag bar(24), the plating process can be performed after the forming process and the plating layer(27) is free from damage in the forming process.

Description

반도체 패키지 제조 방법(Method for manufacturing semiconductor package)Method for manufacturing semiconductor package

본 발명은 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도금 공정이 완료된 이후의 포밍 공정에서 외부 리드의 표면에 도금된 도금막이 포밍 장비의 금형에 의해 손상되는 것을 억제할 수 있는 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package, and more particularly, to a semiconductor package capable of suppressing damage of a plating film plated on a surface of an external lead by a mold of a forming equipment in a forming process after the plating process is completed. It relates to a manufacturing method.

하나의 반도체 패키지가 만들어지기까지는 여러 공정을 거치게 되는데 크게 칩 제조 공정(Chip Fabrication)과 패키지 제조 공정(Package Assembly)으로 나눌 수 있다. 칩 제조 공정은 말 그대로 칩의 설계 및 배선의 형성 등 반도체 칩의 제조와 연관된 공정이다. 패키지 제조 공정은 직접적으로 칩의 제조와 관계는 없지만 칩을 외부의 환경으로부터 보호하고 칩의 성능을 최적·극대화시키기 위해 필요한 공정이다.It takes several steps to produce a single semiconductor package, which can be divided into chip fabrication process and package assembly process. The chip manufacturing process is literally a process associated with the manufacture of a semiconductor chip, such as the design of the chip and the formation of wiring. The package manufacturing process is not directly related to the manufacture of the chip, but is necessary to protect the chip from the external environment and to optimize and maximize the performance of the chip.

패키지 제조 공정은 칩·와이어 본딩 공정(Chip/Wire Bonding Step)과, 성형 공정(Molding Step) 및 테스트 공정(Testing Step) 등으로 나룰 수 있다. 통상적으로 리드 프레임을 이용한 패키지 제조 공정(30)은 도 1에 도시된 바와 같이, 칩·와이어 본딩 공정과 성형 공정(31)이 완료된 이후에 리드 프레임의 프레임에서 외부 리드를 분리하여 외부 전자 장치의 실장 형태에 맞게 절곡하는 트림/포밍 공정(Trim/Form Step)(32, 34) 및 외부 리드에 대한 도금 공정(Plating Step)(33)을 진행하며, 도금 공정(33)은 트림 공정(32)과 포밍 공정(34) 사이에 진행된다. 도금 공정(33)으로 전기 도금이 주로 활용되며, 주석 재질의 도금막을 외부 리드에 얇게 도금하게 된다.The package manufacturing process can be divided into a chip / wire bonding step, a molding step, a testing step, and the like. In general, the package manufacturing process 30 using the lead frame, as shown in FIG. 1, separates the external lead from the frame of the lead frame after the chip wire bonding process and the forming process 31 are completed. Trim / Form Steps (32, 34) and Plating Steps (33) for External Leads to be bent to the Mounting Form, and the Plating Process (33) is a Trim Process (32) And between the forming process 34. Electroplating is mainly utilized as the plating process 33, and the plating film of tin material is plated thinly on the external lead.

그런데, 외부 리드를 실장형태에 맞게 절곡하는 포밍 공정이 도금 공정이후에 진행되기 때문에, 외부 리드의 표면에 도금된 도금막이 손상될 우려가 크다. 즉, 포밍 공정은 포밍 장비의 금형이 외부 리드의 상·하부면에 직접 기계적인 힘을 작용하여 외부 리드를 절곡시키고, 포밍 장비의 금형과 외부 리드의 기계적인 접촉 면적이 넓기 때문에, 외부 리드의 표면에 얇게 도금된 도금막이 포밍 장비의 금형에 밀려 도금막이 긁히거나 벗겨지는 불량이 발생될 수 있다. 특히, 전기적 특성이 우수한 구리 소재로 제조된 리드 프레임은 그 정도가 더 심하다.By the way, since the forming process of bending an external lead to a mounting form is performed after a plating process, there exists a possibility that the plating film plated on the surface of an external lead may be damaged. That is, in the forming process, the mold of the forming equipment applies mechanical force directly to the upper and lower surfaces of the external lead to bend the external lead, and the mechanical contact area between the mold and the external lead of the forming equipment is wide, so that The plated film thinly plated on the surface is pushed into the mold of the forming equipment may cause a defect that the plated film is scratched or peeled off. In particular, a lead frame made of a copper material having excellent electrical characteristics is more severe.

따라서, 본 발명의 목적은 외부 리드에 도금된 도금막의 손상을 억제할 수 있는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor package capable of suppressing damage of a plated film plated on an external lead.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타내는 공정도,1 is a process chart showing a method for manufacturing a semiconductor package according to the prior art;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 나타내는 공정도,2 is a process chart showing a method of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 반도체 패키지의 제조 공정에 사용되는 리드 프레임을 나타내는 평면도,3 is a plan view illustrating a lead frame used in a process of manufacturing the semiconductor package of FIG. 2;

도 4 내지 도 7은 도 2의 제조 방법에 따른 각 공정 단계를 나타내는 도면들로서,4 to 7 are views showing each process step according to the manufacturing method of FIG.

도 4는 성형 공정에 의해 패키지 몸체가 형성된 리드 프레임을 보여주는 사시도,4 is a perspective view showing a lead frame in which a package body is formed by a molding process;

도 5는 트림 공정에 의해 댐바가 절단된 상태를 보여주는 사시도,5 is a perspective view illustrating a state in which a dam bar is cut by a trim process;

도 6은 1차 포밍 공정에 의해 외부 리드가 절곡된 상태를 보여주는 사시도,6 is a perspective view showing a state in which an external lead is bent by a primary forming process;

도 7은 도금 공정 및 2차 포밍 공정이 진행되어 리드 프레임에서 반도체 패키지가 분리되는 상태를 보여주는 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a state in which a semiconductor package is separated from a lead frame by a plating process and a secondary forming process.

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *Description of the main parts of the drawing

10 : 리드 프레임 12 : 다이 패드10: lead frame 12: die pad

13 : 가이드 홀 14 : 타이바13: guide hole 14: tie bar

15 : 리드 16 : 연결바15: lead 16: connecting bar

17 : 댐바 18 : 외부 프레임17: Dambar 18: Outer Frame

19 : 내부 프레임 20 : 반도체 패키지19: inner frame 20: semiconductor package

24 : 굴곡바 26 : 패키지 몸체24: Flex Bar 26: Package Body

28 : 슬릿28: slit

상기 목적을 달성하기 위하여, 종래의 포밍 공정과 도금 공정의 순서를 바꾸어 실시할 수 있는 반도체 패키지의 제조 방법을 생각하게 되었다. 즉, 외부 리드를 절곡하는 공정을 진행한 이후에 외부 리드에 대한 도금 공정을 실시하고, 도금 공정이 완료된 반도체 패키지를 리드 프레임에서 분리한다면, 외부 리드의 표면에 도금된 도금막이 손상되는 것을 줄일 수 있을 것이라 생각되었다. 한편, 외부 리드를 절곡하기 위해서는 먼저 리드 프레임의 프레임에서 분리한 이후에 진행해야 하기 때문에, 종래와 같은 리드 프레임을 사용할 경우 도금 공정에서 외부 리드에 전기를 공급할 수 있는 통로가 없다. 따라서, 도금 공정 전에 외부 리드들을 절곡하면서 리드 프레임의 프레임과 외부 리드들을 전기적으로 연결할 수 있는 전기적 연결 통로를 갖는 리드 프레임을 이용한 반도체 패키지의 제조 방법을 한다.In order to achieve the said objective, the manufacturing method of the semiconductor package which can be performed by changing the order of a conventional forming process and a plating process came to be considered. That is, if the plating process for the external lead is performed after the process of bending the external lead and the semiconductor package having the plating process is separated from the lead frame, the plating film plated on the surface of the external lead can be reduced. It was supposed to be. On the other hand, in order to bend the external lead must first proceed after separating from the frame of the lead frame, when using a conventional lead frame there is no passage for supplying electricity to the external lead in the plating process. Therefore, a method of manufacturing a semiconductor package using a lead frame having an electrical connection passage capable of electrically connecting the frame of the lead frame and the external leads while bending the external leads before the plating process is provided.

즉, 본 발명은 리드 프레임을 이용한 반도체 패키지 제조 방법으로서, (A) 반도체 칩이 액상의 성형 수지로 봉합된 패키지 몸체로서, 소정의 간격을 두고 복수개가 형성된 패키지 몸체와, 복수개의 상기 패키지 몸체의 외측을 따라서 형성되며, 상기 패키지 몸체의 모서리 부분으로 돌출된 타이바와 연결된 외부 프레임 및 상기 외부 프레임과 연결되어 상기 패키지 몸체를 구분하는 내부 프레임을 갖는 프레임과, 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 패키지 몸체에서 사방으로 돌출된 복수개의 외부 리드와, 상기 패키지 몸체의 외곽을 따라서 형성되어 상기 외부 리드와 외부 리드 사이를 연결하며, 성형 공정에서 액상의 상기 성형 수지가 외부로 세는 것을 방지하는 댐바와, 상기 외부 리드의 말단을 연결하며, 양말단이 상기 프레임에 연결된 연결바, 및 상기 외부 리드가 돌출된 방향 상의 상기 연결바에서 소정의 간격을 두고 상기 프레임에 연결되며, 적어도 한번 이상의 굴곡을 갖는 복수개의 굴곡바;로 구성된 리드 프레임을 준비하는 단계와; (B) 상기 외부 리드 사이의 댐바를 절단하는 단계와; (C) 상기 외부 리드 중에서 최외곽의 외부 리드와 프레임을 연결하는 연결바를 절단하고, 상기 외부 리드들을 절곡하는 단계와; (D) 상기 프레임과 외부 리드들을 연결하는 절곡 바를 통하여 전기를 공급하여 상기 외부 리드들의 표면을 주석으로 도금하는 단계; 및 (E) 상기 외부 리드의 말단을 연결하는 연결 바 및 타이바를 절단하여 상기 리드 프레임에서 개별 반도체 패키지로 분리하는 단계;를 포함하며, 상기 (C) 단계에서 상기 외부 리드들을 절곡할 때, 상기 굴곡바가 펴지면서 상기 외부 리드가 절곡되는 쪽으로 상기 굴곡바가 딸려 내려가 상기 외부 리드를 상기 프레임에 붙어 있도록하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법을 제공한다.That is, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor package using a lead frame, comprising: (A) a package body in which a semiconductor chip is sealed with a liquid molding resin, a package body in which a plurality of packages are formed at predetermined intervals, and a plurality of package bodies. A frame having an outer frame connected to a tie bar protruding to an edge of the package body and an inner frame connected to the outer frame to distinguish the package body, and electrically connected to the semiconductor chip; A plurality of external leads protruding in all directions from the package body and formed along the outer periphery of the package body to connect between the external leads and the external leads, and to prevent the molding resin in the liquid from counting outside in a molding process. Bar and the end of the outer lead, the sock end to the frame Comprising the steps of: preparing a lead frame composed of; connected connecting bar, and at a predetermined distance from the connecting bar on the outside of the lid is projecting direction coupled to the frame, a plurality of curved bar having at least one winding; (B) cutting the dambar between the outer leads; (C) cutting the connection bars connecting the outermost outer lead and the frame among the outer leads, and bending the outer leads; (D) plating the surface of the external leads with tin by supplying electricity through a bending bar connecting the frame and the external leads; And (E) cutting the connecting bar and tie bar connecting the ends of the external lead to separate semiconductor packages from the lead frame, wherein when bending the external leads in the step (C), the The method provides a method of manufacturing a semiconductor package, characterized in that the bent bar is extended while the bent bar is bent so that the bent bar comes down to be attached to the frame.

본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법에 있어서, (C) 단계에서 외부 리드는 걸 윙 타입으로 절곡된다.In the method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention, in step (C), the external lead is bent into a hook wing type.

본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법에 있어서, 굴곡바는 ㄹ자 형태의 굴곡을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.In the method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention, it is preferable that the bending bar is formed to have a bend in the form of a letter.

그리고, 본 발명에 따른 반도체 패키지 제조 방법에 있어서, (C) 단계를 진행하고 (D) 단계를 진행하기 전에, (A) 단계의 성형 공정에서 외부 리드에 잔류하는 프레쉬를 제거하는 단계를 진행하는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention, before the step (C) and the step (D) are performed, the step of removing the fresh residue remaining in the external lead in the molding step of the step (A) is performed. It is preferable.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 공정을 나타내는 공정도이다. 도 3은 도 2의 반도체 패키지의 제조 공정에 사용되는 리드 프레임을 나타내는 평면도이다. 그리고, 도 4 내지 도 7은 도 2의 제조 공정에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다. 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명하겠다. 한편, 도면을 통틀어 동일한 도면 부호는 동일한 구성 요소를 나타낸다.2 is a process diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention. 3 is a plan view illustrating a lead frame used in a process of manufacturing the semiconductor package of FIG. 2. 4 to 7 are diagrams illustrating each step according to the manufacturing process of FIG. 2. A method of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 7. In addition, like reference numerals denote like elements throughout the drawings.

먼저, 본 발명에 사용되는 리드 프레임에 대하여 도 3을 참조하여 설명하면, 리드 프레임(10)은 중심 부분에 반도체 칩이 부착되는 다이 패드(12; die pad)가 형성되어 있다. 다이 패드(12)는 네 개의 모서리 지점을 가지며, 각 모서리 지점에 각기 연결된 타이바(14; tie-bar)에 의해 지지된다. 타이바(14)는 다이 패드(12)의 각 모서리 지점에서 방사형으로 외부로 뻗어 있다.First, the lead frame used in the present invention will be described with reference to FIG. 3. In the lead frame 10, a die pad 12 to which a semiconductor chip is attached is formed at a center portion thereof. The die pad 12 has four corner points and is supported by tie-bars 14 connected to each corner point, respectively. The tie bar 14 extends radially outward at each corner point of the die pad 12.

다이 패드(12)와 소정의 간격을 두고 다이 패드(12)를 향하여 방사형으로 복수의 리드(15)가 뻗어 있다. 리드(15)를 지지하고, 성형 공정에서 액상의 성형 수지가 흘러넘치는 것을 방지하기 위하여 리드(15)의 중간 부분에 댐바(17; dam bar)가 형성되어 있다. 댐바(17)는 각각의 리드(15)를 연결하는 뼈대 형태로 형성되며, 성형 공정 이후에 제거된다. 리드(15)는 댐바(17)를 중심으로 다이 패드(12)를 향하여 뻗어 있는 내부 리드(15b; inner lead)와, 반대 방향으로 뻗어 있는 외부 리드(15a; outer lead)로 구분된다. 내부 리드(15b)는 다이 패드(12)에 접착하는 반도체 칩과 전기적으로 연결되며 성형 공정에서 액상의 성형 수지에 의해 봉합되는 부분이며, 외부 리드(15a)는 소정의 형태로 절곡되어 외부 전자 장치와 반도체 칩을 연결하는 외부 접속 단자의 구실을 하게 된다.A plurality of leads 15 extend radially toward the die pad 12 at predetermined intervals from the die pad 12. In order to support the lid 15 and prevent the liquid molding resin from overflowing in the molding step, a dam bar 17 is formed in the middle portion of the lid 15. Dam bar 17 is formed in the form of a skeleton connecting each lead 15, and is removed after the molding process. The lead 15 is divided into an inner lead 15b extending toward the die pad 12 around the dam bar 17 and an outer lead 15a extending in the opposite direction. The inner lead 15b is a portion electrically connected to the semiconductor chip adhering to the die pad 12 and sealed by a liquid molding resin in a molding process, and the outer lead 15a is bent into a predetermined shape to form an external electronic device. And the external connection terminal connecting the semiconductor chip.

리드 프레임(10)의 바깥쪽에 복수의 단위 리드 프레임을 연결하는 외부 프레임(18; outer frame)과 단위 리드 프레임을 구분하는 내부 프레임(19; inner lead frame)을 갖는다. 외부 프레임(18)에는 리드 프레임(10)의 이송에 필요한 가이드 홀(13; guide hole)이 소정의 간격을 두고 부분적으로 형성된다. 외부 리드(15a)의 말단은 내부 프레임(19)과 외부 프레임(18)에 연결되어 지지된다. 그리고, 리드 프레임(10)에서 반도체 패키지 제조 공정이 완료된 반도체 패키지를 개별 반도체 패키지로 용이하게 분리할 수 있도록 외부 리드(15a)의 말단의 프레임을 따라서 복수개의 슬릿(28; Slit)이 형성되어 있다.An outer frame 18 connecting the plurality of unit lead frames to the outer side of the lead frame 10 and an inner lead frame 19 separating the unit lead frames are provided. In the outer frame 18, guide holes 13 necessary for the transfer of the lead frame 10 are partially formed at predetermined intervals. The ends of the outer lead 15a are connected to and supported by the inner frame 19 and the outer frame 18. In addition, a plurality of slits 28 (Slits) are formed along the frame at the end of the external lead 15a so that the semiconductor package in which the semiconductor package manufacturing process is completed in the lead frame 10 can be easily separated into individual semiconductor packages. .

전술한 바와 같은 리드 프레임(10)의 구성 요소, 다이 패드(12), 타이바(14), 리드(15), 댐바(17), 외부 프레임(18) 및 내부 프레임(19)은 철계 또는 구리계 합금과 같은 전기 전도성이 우수한 재료를 이용하여 식각 또는 스탬핑 방법으로 형성된다. 내부 리드(15b)의 말단에 본딩 와이어와의 접속성을 좋게 하기 위하여 은(Ag)을 도금할 수도 있다. 리드 프레임(10)은 복수의 단위 리드 프레임이 외부 프레임(18)에 연결되어 병렬적으로 형성되며, 내부 프레임(19)에 의해 단위 리드 프레임으로 구분된다.As described above, the components of the lead frame 10, the die pad 12, the tie bar 14, the lead 15, the dam bar 17, the outer frame 18 and the inner frame 19 are made of iron or copper. It is formed by an etching or stamping method using a material having excellent electrical conductivity such as a base alloy. Silver (Ag) may be plated at the end of the inner lead 15b to improve the connection with the bonding wire. The lead frame 10 is formed in parallel with a plurality of unit lead frames connected to the outer frame 18, and is divided into unit lead frames by the inner frame 19.

그리고, 본 발명의 실시예에 사용되는 리드 프레임의 슬릿(28)의 간격이 종래에 비하여 넓게 형성되며, 외부 리드(15a)의 말단을 연결하는 부분(16; 이하, "연결바"라 한다)과 내부 프레임(19)을 연결하는 바(24; 이하, "굴곡바"라 한다)는 적어도 한 번 이상의 굴곡을 갖도록 형성되어 있다. 본 발명의 실시예에서는 굴곡바(24)는 ㄹ자 형태를 가지며 외부 리드(15a)들이 형성된 각변에 각기 2개의 굴곡바가 형성되어 있다. 그리고, 연결바(16)의 양 말단 부분(16a)은 내부 및 외부 프레임(18, 19)에 연결되어 있다. 이와 같이 슬릿(28)을 종래에 비하여 넓게 형성하고, 굴곡바(24)를 형성한 이유는 후술되겠지만, 외부 리드(15a)를 절곡하는 포밍 공정을 도금 공정 전에 진행하고, 외부 리드(15a)를 절곡한 이후에 외부 리드(15a)에 대한 도금 공정을 가능하게 하기 위해서 본 발명에 의해 안출된 구성 요소이다.Then, the spacing of the slits 28 of the lead frame used in the embodiment of the present invention is wider than in the prior art, and the portion 16 (hereinafter referred to as "connection bar") connecting the ends of the outer lead 15a. And a bar 24 (hereinafter referred to as a “bending bar”) connecting the inner frame 19 to each other are formed to have at least one bend. In the embodiment of the present invention, the flexure bar 24 has a L-shape and two flexure bars are formed on each side where the outer leads 15a are formed. Both end portions 16a of the connecting bar 16 are connected to the inner and outer frames 18 and 19. As described above, the reason why the slits 28 are formed wider than the conventional one and the flexure bar 24 is formed will be described later. However, the forming process of bending the external leads 15a is performed before the plating process, and the external leads 15a are formed. It is a component devised by the present invention in order to enable the plating process for the external lead 15a after bending.

이와 같은 구조를 갖는 리드 프레임(10)을 이용한 반도체 패키지의 제조 방법(40)을 설명하면, 먼저 도 4에 도시된 바와 같이 다이 패드(12)에 반도체 칩을 실장하고, 반도체 칩과 내부 리드(도 3의 15b)를 본딩 와이어로 본딩한 상태에서, 액상의 성형 수지로 반도체 칩이 실장된 부분을 봉합하여 패키지 몸체(26)를 형성한다. 전술된 통상적인 반도체 패키지의 제조 공정과 동일하며, 성형 공정은 트랜스퍼 몰딩 공정(transfer molding Step)으로 진행된다.(41)Referring to the manufacturing method 40 of the semiconductor package using the lead frame 10 having such a structure, as shown in FIG. 4, a semiconductor chip is mounted on the die pad 12, and the semiconductor chip and the internal lead ( In a state in which 15b) of FIG. 3 is bonded with a bonding wire, the package body 26 is formed by sealing a portion in which a semiconductor chip is mounted with a liquid molding resin. The same as the manufacturing process of the conventional semiconductor package described above, and the molding process proceeds to a transfer molding step.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이 패키지 몸체(26)의 외곽에 위치한 댐바(17)를 잘라내는 트림 공정을 진행한다.(42)Next, as shown in FIG. 5, a trimming process of cutting the dam bar 17 located at the outer side of the package body 26 is performed.

다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이 1차 포밍 공정을 진행한다.(43) 즉, 외부 리드(15a) 중에서 최외곽의 외부 리드와 프레임(18, 19)을 연결하는 연결바 부분(16a)을 절단하여 프레임(18, 19)에서 분리시킨다. 이때, 외부 리드(15a)들은 굴곡바(24)에 의해 프레임(18, 19)에 연결된 상태를 유지한다. 그리고, 연결바(16)로 연결된 외부 리드(15a)들을 일괄적으로 외부 전자 장치의 실장 형태에 맞게 절곡한다. 본 발명의 실시예에서는 걸 윙 타입(Gull Wing Type)으로 외부 리드(15a)들을 일괄적으로 절곡하였다. 한편, 외부 리드(15a)들을 연결하는 연결바(16)가 굴곡바(24)에 의해 프레임(18, 19)에 연결되어 있기 때문에, 외부 리드(15a)들을 일괄적으로 절곡하게 되면 굴곡바(24)가 외부 리드(15a)들이 절곡되는 방향으로 딸려 내려가면서 펴지게 되며, 굴곡바(24)에 의해 외부 리드(15a)들은 프레임(18, 19)에 연결된 상태를 유지한다. 물론, 굴곡바(24)의 길이는 절곡된 외부 리드(15a)들을 프레임(18, 19)에 연결할 수 있는 정도의 길이를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 굴곡바(24)의 두께는 제 1 포밍 공정을 진행할 수 있을 정도의 범위내에서 잘 펴지며, 다른 부위 특히 프레임(18, 19)이 제 1 포밍 공정에서 구겨지는 것을 방지할 수 있도록 얇게 형성하는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 6, a primary forming process is performed. In other words, the connecting bar portion 16a connecting the outermost outer lead and the frames 18 and 19 among the outer leads 15a may be used. Cutting to separate from the frame (18, 19). At this time, the outer leads 15a are connected to the frames 18 and 19 by the bending bars 24. The external leads 15a connected to the connection bars 16 are bent in a batch to conform to the mounting form of the external electronic device. In the embodiment of the present invention, the external leads 15a are collectively bent in a gull wing type. On the other hand, since the connecting bars 16 connecting the external leads 15a are connected to the frames 18 and 19 by the bending bars 24, when the external leads 15a are collectively bent, the bending bars ( 24 extends along the direction in which the outer leads 15a are bent, and the outer leads 15a are connected to the frames 18 and 19 by the bending bar 24. Of course, the length of the bending bar 24 is preferably formed to have a length enough to connect the bent outer lead (15a) to the frame (18, 19). The thickness of the flexure bar 24 is well spread within a range enough to proceed with the first forming process, and thinly formed so as to prevent other portions, especially the frames 18 and 19, from being wrinkled in the first forming process. It is preferable.

다음으로, 외부 리드(15a)에 대한 도금 공정을 진행한다.(44) 즉, 프레임(18, 19)과 외부 리드(15a)들을 연결하는 굴곡바(24)를 통하여 전기가 통하기 때문에, 패키지 몸체(26)를 제외한 리드 프레임(10) 부분을 주석으로 전기 도금할 수 있다. 굴곡바(24)는 외부 리드(15a)에 대한 1차 포밍 공정과 도금 공정 순으로 반도체 패키지 제조 공정의 진행을 가능하게 하는 부분임을 알 수 있다. 도 7의 도면부호 27은 도금막을 가리킨다.Next, the plating process for the external lead 15a is performed. 44 That is, since electricity passes through the bending bar 24 connecting the frames 18 and 19 to the external leads 15a, the package body is carried out. A portion of the lead frame 10 except for (26) can be electroplated with tin. The bending bar 24 may be understood to be a part that enables the semiconductor package manufacturing process to proceed in the order of the primary forming process and the plating process for the external lead 15a. Reference numeral 27 in FIG. 7 denotes a plating film.

한편, 성형 공정에서 댐바(도 4의 17)는 액상의 성형 수지가 밖으로 세는 것을 방지하지만 완전히 세지 않는 것은 아니기 때문에, 패키지 몸체(24)에 근접한 댐바(17) 및 외부 리드(15a)들에 성형 수지의 프레쉬(25; Flash)가 남게 된다. 따라서, 도금 공정을 진행하기 전에 외부 리드들(15a)에 잔류하는 프레쉬(25)를 화학적 또는 기계적으로 제거하는 디플레쉬 공정(Deflash Step)을 진행한다. 물론, 디프레쉬 공정과 도금 공정을 함께 진행할 수 있는 도금 장비를 이용하여 디프레쉬 공정과 도금 공정을 한번에 진행할 수도 있다.On the other hand, since the dam bar (17 in FIG. 4) in the molding process prevents the liquid molding resin from counting out but does not count completely, the dam bar 17 and the outer leads 15a close to the package body 24 are molded. Fresh resin 25 (Flash) remains. Therefore, before the plating process, a deflash step of chemically or mechanically removing the freshness 25 remaining in the external leads 15a is performed. Of course, the defresh process and the plating process may be performed at a time by using a plating apparatus capable of performing the defresh process and the plating process together.

마지막으로, 도 7에 도시된 바와 같이 리드 프레임(10)에 붙어 있는 반도체 패키지(20)를 개별 반도체 패키지로 분리하기 위한 2차 포밍 공정이 진행된다.(45) 즉, 외부 리드(15a)의 말단을 연결하는 연결바(16)와, 패키지 몸체(24)를 지탱하는 타이바(14)를 절단하여 리드 프레임(10)에서 반도체 패키지(20)를 분리한다.Lastly, as shown in FIG. 7, a secondary forming process for separating the semiconductor package 20 attached to the lead frame 10 into individual semiconductor packages is performed. The semiconductor package 20 is separated from the lead frame 10 by cutting the connecting bar 16 connecting the ends and the tie bar 14 supporting the package body 24.

한편, 제 2 포밍 공정에서 외부 리드(15a)의 말단 부분만을 절단 수단(도시 안됨)으로 잘라내며, 절단 수단과 외부 리드(15a)의 기계적인 접촉 면적을 줄일 수 있기 때문에, 외부 리드의 도금막(27)이 손상될 우려는 적다.On the other hand, in the second forming step, only the end portion of the outer lead 15a is cut out by cutting means (not shown), and the mechanical contact area between the cutting means and the outer lead 15a can be reduced, so that the plated film of the outer lead (27) is less likely to be damaged.

따라서, 본 발명의 제조 방법을 따르면, 외부 리드를 절곡하는 제 1 포밍 공정을 진행한 이후에 도금 공정을 진행하기 때문에, 외부 리드의 표면에 도금된 도금막이 손상되는 것을 억제할 수 있다.Therefore, according to the manufacturing method of the present invention, since the plating process is performed after the first forming step of bending the external lead, the plating film plated on the surface of the external lead can be suppressed from being damaged.

Claims (4)

리드 프레임을 이용한 반도체 패키지 제조 방법으로서,A semiconductor package manufacturing method using a lead frame, (A) 반도체 칩이 액상의 성형 수지로 봉합된 패키지 몸체로서, 소정의 간격을 두고 복수개가 형성된 패키지 몸체와,(A) a package body in which a semiconductor chip is sealed with a liquid molding resin, the package body having a plurality formed at predetermined intervals; 복수개의 상기 패키지 몸체의 외측을 따라서 형성되며, 상기 패키지 몸체의 모서리 부분으로 돌출된 타이바와 연결된 외부 프레임 및 상기 외부 프레임과 연결되어 상기 패키지 몸체를 구분하는 내부 프레임을 갖는 프레임과,A frame having an outer frame formed along an outer side of the package body and connected to a tie bar protruding to an edge of the package body, and an inner frame connected to the outer frame to distinguish the package body; 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 패키지 몸체에서 사방으로 돌출된 복수개의 외부 리드와,A plurality of external leads electrically connected to the semiconductor chip and protruding in all directions from the package body; 상기 패키지 몸체의 외곽을 따라서 형성되어 상기 외부 리드와 외부 리드 사이를 연결하며, 성형 공정에서 액상의 상기 성형 수지가 외부로 세는 것을 방지하는 댐바와,A dam bar formed along the outer edge of the package body to connect between the external lead and the external lead, and preventing the liquid resin from counting outside in the molding process; 상기 외부 리드의 말단을 연결하며, 양말단이 상기 프레임에 연결된 연결바, 및A connecting bar connecting the end of the outer lead and a sock end connected to the frame; 상기 외부 리드가 돌출된 방향 상의 상기 연결바에서 소정의 간격을 두고 상기 프레임에 연결되며, 적어도 한번 이상의 굴곡을 갖는 복수개의 굴곡바;로 구성된 리드 프레임을 준비하는 단계와;Preparing a lead frame comprising a plurality of curved bars connected to the frame at predetermined intervals from the connection bar in a direction in which the external lead protrudes, and having at least one curved bar; (B) 상기 외부 리드 사이의 댐바를 절단하는 단계와;(B) cutting the dambar between the outer leads; (C) 상기 외부 리드 중에서 최외곽의 외부 리드와 프레임을 연결하는 연결바를 절단하고, 상기 외부 리드들을 절곡하는 단계와;(C) cutting the connection bars connecting the outermost outer lead and the frame among the outer leads, and bending the outer leads; (D) 상기 프레임과 외부 리드들을 연결하는 절곡 바를 통하여 전기를 공급하여 상기 외부 리드들의 표면을 주석으로 도금하는 단계; 및(D) plating the surface of the external leads with tin by supplying electricity through a bending bar connecting the frame and the external leads; And (E) 상기 외부 리드의 말단을 연결하는 연결 바 및 타이바를 절단하여 상기 리드 프레임에서 개별 반도체 패키지로 분리하는 단계;를 포함하며,(E) cutting the connection bars and tie bars connecting the ends of the external leads to separate the individual semiconductor packages from the lead frame; 상기 (C) 단계에서 상기 외부 리드들을 절곡할 때, 상기 굴곡바가 펴지면서 상기 외부 리드가 절곡되는 쪽으로 상기 굴곡바가 딸려 내려가 상기 외부 리드를 상기 프레임에 붙어 있도록하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.When bending the external leads in the step (C), the bending bar is extended while the bending bar comes down toward the bending of the external lead, the semiconductor package manufacturing method, characterized in that the external lead attached to the frame. 제 1항에 있어서, 상기 (C) 단계에서 상기 외부 리드는 걸 윙 타입으로 절곡되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 1, wherein in the step (C), the external lead is bent into a hook wing type. 제 1항에 있어서, 상기 굴곡바는 ㄹ자 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 1, wherein the curved bar has a L-shape. 제 1항에 있어서, 상기 (C) 단계를 진행하고 상기 (D) 단계를 진행하기 전에, 상기 (A) 단계의 성형 공정에서 상기 외부 리드에 잔류하는 프레쉬를 제거하는 단계를 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.The method of claim 1, wherein before the step (C) is performed and the step (D) is performed, the step of removing the fresh residue remaining in the external lead in the forming process of the step (A) is performed. A semiconductor package manufacturing method.
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