KR20000005667A - Ventilation Structure of Planarization Chamber - Google Patents

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KR20000005667A
KR20000005667A KR1019990017545A KR19990017545A KR20000005667A KR 20000005667 A KR20000005667 A KR 20000005667A KR 1019990017545 A KR1019990017545 A KR 1019990017545A KR 19990017545 A KR19990017545 A KR 19990017545A KR 20000005667 A KR20000005667 A KR 20000005667A
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polishing
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KR1019990017545A
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Korean (ko)
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히라타가즈히코
마츠바라히사토
Original Assignee
오바라 히로시
스피드팜 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A ventilation structure of a polish processing chamber is provided to prevent the scratch of a structure from generating by eliminating the rise and the turbulence of particles by the flow of air in a polish processing chamber. CONSTITUTION: The ventilation structure of a polish processing chamber(1) is formed by:a suction duct(2-1, 2-2) installed in an area of a polish processing chamber having a second area facing a first area and attaching a filter(41) for preventing the vibration; a ventilating device(3) installed in an area of at least one side of the polish processing chamber; and a porous chamber(5) having plural slots, equally formed on a surface facing the first area.

Description

연마 가공실의 환기 구조{Ventilation Structure of Planarization Chamber}Ventilation Structure of Polishing Processing Chamber

본 발명은 예를 들어 연마(polishing) 또는 래핑(lapping) 장치와 같은 연마 가공(planarization: 평탄화) 장치를 수용하는 연마 가공실의 환기 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a ventilation structure of a polishing processing chamber for receiving a planarization device such as, for example, a polishing or lapping device.

도 10은 종래 기술의 연마 가공실의 환기 구조의 개략 단면도이다.10 is a schematic cross-sectional view of a ventilation structure of a polishing processing chamber of the prior art.

도 10에 도시된 바와 같이, 연마 가공 장치(100)를 수용하는 연마 가공실(1)은 천장 영역(10), 바닥 영역(11) 및 네 개의 측면 영역(12)에 의해서 한정된다.As shown in FIG. 10, the polishing chamber 1 containing the polishing apparatus 100 is defined by a ceiling region 10, a bottom region 11 and four side regions 12.

연마 장치(100)는 하부 평판(101)과 웨이퍼(W)를 파지하고 유지할 수 있는 캐리어(102)를 구비한다. 상기 연마 장치는, 도 10에서 이점 쇄선으로 도시한 바와 같이, 캐리어(102)로 파지하여 유지된 웨이퍼(W)를 회전하는 하부 평판(101) 상에 가압하면서 회전시켜서 연마한다.The polishing apparatus 100 includes a lower plate 101 and a carrier 102 capable of holding and holding the wafer W. As shown in FIG. As shown by the dashed-dotted line in FIG. 10, the polishing apparatus is rotated and polished while pressing the wafer W held by the carrier 102 onto the rotating lower plate 101.

연마 작업 중에, 도시하지 않은 슬러리를 하부 평판(101)으로 공급하여 웨이퍼(W)의 연마 효율을 증가시킨다. 응고된 연마분 슬러리, 연마 드로스(dross), 및 다른 입자가 쳄버(1) 내에서 비산한다.During the polishing operation, a slurry (not shown) is supplied to the lower plate 101 to increase the polishing efficiency of the wafer W. Solidified abrasive slurry, abrasive dross, and other particles are scattered in the chamber 1.

연마 가공실의 환기 구조는 상기 입자들을 외부로 배출하며, 천장 영역(10)에 제공된 흡입 덕트(2-1, 2-2) 및 측면 영역(12)에 제공된 배출 블로우어(3)를 포함한다.The ventilation structure of the polishing chamber discharges the particles to the outside, and includes suction ducts 2-1 and 2-2 provided in the ceiling region 10 and an exhaust blower 3 provided in the side region 12. .

즉, 흡입 덕트(2-1, 2-2)에 부착된 필터 유니트(4-1, 4-2)의 환기 팬(40)을 작동시킴으로써, 외부 공기가 필터 유니트(4-1, 4-2) 및 흡입 덕트(2-1, 2-2)를 통과하여 연마 가공실(1)로 흡입된다. 추가로, 배출 블로우어(3)를 구동하고 입자들과 함께 공기를 배출함으로써, 연마 중에 생성된 연마 가공실(1) 내의 입자가 제거된다.That is, by operating the ventilation fans 40 of the filter units 4-1 and 4-2 attached to the suction ducts 2-1 and 2-2, external air is supplied to the filter units 4-1 and 4-2. ) And the suction ducts 2-1 and 2-2 are sucked into the polishing processing chamber 1. In addition, by driving the discharge blower 3 and releasing air together with the particles, the particles in the polishing processing chamber 1 generated during polishing are removed.

그러나 상술한 종래 기술에서의 연마 가공실의 환기 구조에서는, 도 11에 도시한 바와 같이 외부 공기가 작은 크기의 흡입 덕트(2-1, 2-2)에서 연마 가공실(1)로 직접 흘러 들어가기 때문에, 공기(A)의 난류와 대류가 연마 가공실(1) 내에서 결국 발생하게 된다. 따라서, 상기 난류와 대류에 의해서 입자들이 휩슬려지고 연마될 웨이퍼(W)와 하부 평판(101) 사이에 들어가게 되어 웨이퍼(W) 상에 스크래치의 발생을 초래하게 된다.However, in the above-described conventional ventilation structure of the polishing chamber, the outside air flows directly into the polishing chamber 1 from the suction ducts 2-1 and 2-2 of small size, as shown in FIG. Therefore, turbulence and convection of air A eventually occur in the polishing chamber 1. Accordingly, the turbulence and convection cause particles to be swept and enter between the wafer W and the lower plate 101 to be polished, causing scratches on the wafer W.

또한, 종래 기술에서의 연마 가공실의 환기 구조에서는, 배출 블로우어(3)가 하부 평판(101)의 연마면(101a) 보다 높은 위치에 부착되어 있기 때문에, 연마면(101a) 보다 낮은 입자들은 배출 블로우어(3)의 흡입력에 의해서 하부 평판(101)의 연마면측으로 상승하기 쉽게 되고, 하부 평판(101)의 연마면에 누적되게 되고, 다시 한번 더 웨이퍼(W)와 하부 평판(101) 사이로 들어가게 된다.Further, in the ventilation structure of the polishing chamber in the prior art, since the blower blower 3 is attached at a position higher than the polishing surface 101a of the lower plate 101, particles lower than the polishing surface 101a By the suction force of the discharge blower 3, it is easy to ascend toward the polished surface side of the lower plate 101, accumulates on the polished surface of the lower plate 101, and once again the wafer W and the lower plate 101 It goes in between.

본 발명의 목적은 연마 가공실 내의 공기의 흐름을 실질적으로 층류로 하여 이에 따라서 입자들의 상승과 난류를 제거하여 공작물의 스크래치 발생을 방지하는 연마 가공실의 환기 구조를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a ventilation structure of an abrasive machining chamber which substantially makes the flow of air in the abrasive machining chamber substantially laminar and thus eliminates the rise of particles and turbulence to prevent scratching of the workpiece.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 특징에 따르면, 회전 가능한 평판(platen)과 작업물을 상기 평판에 가압하기 위한 회전 가능한 가압 부재를 갖는 연마 가공 장치를 수용하고, 상기 평판이 부착된 제 1 영역을 갖는 연마 가공실을 환기하기 위한 연마 가공실의 환기 구조에 있어서, 제 1 영역과 면하는 제 2 영역을 갖는 연마 가공실의 한 영역에 설치되고 방진용 필터가 부착된 흡입 덕트와, 제 1 및 제 2 영역의 측면과 제 1 영역에 기밀하게 연결된 측면 영역을 갖는 연마 가공실의 최소한 한쪽 영역에 설치된 배기 장치와, 제 2 영역의 내측면에 근접하여 실질적으로 제 2 영역 전체와 면하여 형성되고 제 1 영역과 면하는 표면에 실질적으로 균일하게 형성된 다수의 구멍을 갖는 다공성 쳄버를 포함하는 연마 가공실의 환기 구조를 제공하는 것이다.In order to achieve the above object, according to an aspect of the present invention, there is provided an abrasive processing apparatus having a rotatable platen and a rotatable pressing member for pressurizing a workpiece to the plate, the plate having the plate attached A ventilation structure of a polishing processing chamber for ventilating a polishing processing chamber having one region, comprising: a suction duct installed in one region of the polishing processing chamber having a second region facing the first region and having a dustproof filter; An exhaust device provided in at least one region of the polishing chamber having side surfaces of the first and second regions and side regions hermetically connected to the first region, and substantially the entire second region and the surface in close proximity to the inner side of the second region. To provide a ventilation structure of a polishing processing chamber including a porous chamber having a plurality of holes formed on the surface facing the first region and formed substantially uniformly.

상기 구조에 기인하여, 배기 장치를 구동시킴에 의해서, 연마 가공실 외부의 공기는 제 2 영역에 제공되어 있는 흡입 덕트에서 연마 가공실 내부로 흡입되게 되며, 다공성 쳄버를 충진하게 된다. 또한, 다공성 쳄버 내에서 충진된 공기는 제 1 영역과 면하는 표면에 실질적으로 균일하게 형성된 다수의 구멍으로부터 배출된다. 이 공기는 제 1 영역측으로 흘러가는 실질적으로 층류 흐름을 형성하게 되며, 이후에 배기 장치에 의해서 쳄버 외부로 배출된다.Due to the above structure, by driving the exhaust device, the air outside the polishing chamber is sucked into the polishing chamber from the suction duct provided in the second area and fills the porous chamber. In addition, the air filled in the porous chamber is discharged from a plurality of holes formed substantially uniformly on the surface facing the first area. This air forms a substantially laminar flow that flows toward the first region side and is then discharged out of the chamber by the exhaust device.

다수의 구멍 헤드로부터 유출하는 공기 전체가 제 1 영역측으로 향하도록 구멍의 직경과 개수를 설정하는 것이 바람직하다. 따라서, 양호한 실시예로서, 본 발명의 일 특징에 따르면, 다공성 쳄버의 구멍의 직경은 3 mm 내지 5 mm 값으로 설정되며, 구멍의 개수는 구멍의 개구 면적의 합이 구멍이 형성되는 표면의 면적에 대해서 10 퍼센트 내지 20 퍼센트의 값이 되도록 설정된다.It is preferable to set the diameter and the number of the holes so that the entire air flowing out from the plurality of hole heads is directed toward the first region side. Thus, as a preferred embodiment, according to one feature of the invention, the diameter of the pores of the porous chamber is set to a value of 3 mm to 5 mm, the number of holes being the sum of the opening areas of the holes and the area of the surface on which the holes are formed. It is set to be a value of 10 to 20 percent for.

또한, 본 발명의 일 특징에 따르면, 평판 주위에 간극을 형성하도록 구멍에 의해서 연마 가공 장치의 평판 위에 느슨하게 끼워진 상태로 연마 가공실 내측에 부착된 칸막이벽, 제 1 영역 및 측면 영역으로 배기실이 형성되고, 배기실의 제 1 영역과 측면 영역 중 적어도 한 쪽에 배기 장치가 부착된다.Further, according to one aspect of the invention, the exhaust chamber is provided with a partition wall, a first region and a side region attached to the inside of the polishing chamber in a state of being loosely fitted on the plate of the polishing apparatus by holes to form a gap around the plate. And an exhaust device is attached to at least one of the first region and the side region of the exhaust chamber.

상기 구조에 기인하여, 다공성 쳄버의 구멍으로부터 배출되고 배기실의 칸막이벽측으로 흐르는 실질적으로 층류인 흐름을 형성하는 공기는, 평판과 칸막이벽의 구멍 사이의 공간을 통하여 흐르게 되고, 배기실로 들어가게 된다. 배기실 내의 공기는 배기 장치에 의해서 외부로 배출된다.Due to the above structure, the air discharged from the pores of the porous chamber and forming a substantially laminar flow flowing to the partition wall side of the exhaust chamber flows through the space between the plate and the partition wall aperture and enters the exhaust chamber. Air in the exhaust chamber is discharged to the outside by the exhaust device.

그러나, 연마 가공실 내의 공기를 칸막이벽의 구멍과 평판 사이의 공간으로부터 배기실로 흘러 들어가도록 하는 것 뿐만 아니라, 상기 공간과는 다른 위치로부터 배기실로 흘러들어가도록 하는 것도 가능하다.However, not only the air in the polishing chamber can flow into the exhaust chamber from the space between the hole of the partition wall and the flat plate, but also it can flow into the exhaust chamber from a position different from the space.

따라서, 본 발명의 일 특징에 따르면, 소정 개수의 흡입 구멍이 배기실의 칸막이벽에 설치된다.Therefore, according to one feature of the present invention, a predetermined number of suction holes are provided in the partition wall of the exhaust chamber.

또한, 본 발명의 일 특징에 따르면, 회전 가능한 평판과 작업물을 상기 평판에 가압하기 위한 회전 가능한 가압 부재를 갖는 연마 가공 장치를 수용하고, 상기 평판이 부착된 제 1 영역을 갖는 연마 가공실을 환기하기 위한 연마 가공실의 환기 구조에 있어서, 제 1 영역과 면하는 제 2 영역을 갖는 연마 가공실의 한 영역에 설치되고 방진용 필터가 부착된 흡입 덕트와, 상기 평판 주위에 간극을 형성하도록 구멍에 의해서 연마 가공 장치의 평판 위에 느슨하게 끼워진 상태로 연마 가공실 내측에 부착된 칸막이벽, 제 1 영역 및 측면 영역으로 형성된 배기실과, 상기 배기실의 제 1 영역과 측면 영역 중 적어도 한 쪽에 부착된 배기 장치를 포함하는 연마 가공실의 환기 구조를 제공하는 것이다.Further, according to one aspect of the invention, there is provided a polishing processing apparatus having a rotatable plate and a rotatable pressing member having a rotatable pressing member for pressurizing the workpiece to the plate, and having a first region to which the plate is attached. A ventilation structure of a polishing chamber for ventilation, comprising: a suction duct installed in one region of the polishing chamber having a second region facing the first region and having a dustproof filter, and a gap formed around the plate; An exhaust chamber formed of a partition wall, a first region and a side region attached inside the polishing chamber in a state of being loosely fitted on the flat plate of the polishing apparatus by a hole, and attached to at least one of the first region and the side region of the exhaust chamber. It is to provide a ventilation structure of the polishing processing chamber including the exhaust device.

또한, 본 발명의 일 특징에 따르면, 소정 개수의 구멍이 배기실의 칸막이벽에 부착되어 있다.Further, according to one feature of the present invention, a predetermined number of holes are attached to the partition wall of the exhaust chamber.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연마 가공실의 환기 구조를 도시한 개략 단면도.1 is a schematic cross-sectional view showing a ventilation structure of a polishing processing chamber according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 흡입 덕트의 형성 위치의 사시도.2 is a perspective view of a forming position of the suction duct;

도 3은 실질적으로 균일하게 형성된 다공성 플레이트의 전체 표면을 덮는 구멍의 상태를 도시한 평면도.3 is a plan view showing a state of a hole covering an entire surface of a porous plate formed substantially uniformly.

도 4는 층류 형성 상태의 개략 단면도.4 is a schematic cross-sectional view of a laminar flow forming state.

도 5는 공기의 층류에 의해서 입자가 바닥 영역의 측면으로 밀려 내려가는 상태를 도시한 개략 단면도.Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which particles are pushed down to the side of the bottom region by laminar flow of air.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연마 가공실의 환기 구조의 개략 단면도.6 is a schematic cross-sectional view of the ventilation structure of the polishing processing chamber according to the second embodiment of the present invention.

도 7은 배기실의 간극을 도시한 평면도.7 is a plan view showing a gap of the exhaust chamber;

도 8은 제 2 실시예에서의 입자의 배출 상태를 도시한 개략 단면도.Fig. 8 is a schematic cross sectional view showing a discharge state of particles in a second embodiment.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연마 가공실의 환기 구조를 도시한 개략 단면도.9 is a schematic cross-sectional view showing a ventilation structure of the polishing processing chamber according to the third embodiment of the present invention.

도 10은 종래 기술의 연마 가공실의 환기 구조를 도시한 개략 단면도.10 is a schematic cross-sectional view showing a ventilation structure of a polishing processing chamber of the prior art.

도 11은 연마 가공실 내에서의 난류와 대류의 발생 상태를 도시한 개략 단면도.Fig. 11 is a schematic cross-sectional view showing a state of generation of turbulence and convection in the polishing processing chamber.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1: 연마 가공실 3: 배기 장치1: polishing processing chamber 3: exhaust device

5: 다공성 쳄버 6: 블로우어5: porous chamber 6: blower

12: 측면 영역 100: 연마 장치12: side region 100: polishing apparatus

101: 하부 평판 101a: 연마면101: lower plate 101a: polishing surface

102: 캐리어(가압 부재) 103: 인덱스 테이블102: carrier (pressure member) 103: index table

W: 공작물(웨이퍼) L: 중심선W: Workpiece (wafer) L: Centerline

2-1, 2-2: 흡입 덕트 4-1, 4-2: 필터 유니트2-1, 2-2: Suction Duct 4-1, 4-2: Filter Unit

40: 환기 팬 41: 방진용 필터40: ventilation fan 41: dustproof filter

50: 다공성 플레이트 51: 칸막이벽50: porous plate 51: partition wall

P: 입자 A: 공기P: Particle A: Air

본 발명의 양호한 실시예를 도면을 참조하여 하기에서 설명한다.Preferred embodiments of the present invention are described below with reference to the drawings.

<제 1 실시예><First Embodiment>

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연마 가공실의 환기 구조의 개략 단면도이다. 도 10 및 도 11에 도시된 부재와 동일한 부재는 동일한 도면의 참조 부호를 사용한다.1 is a schematic cross-sectional view of a ventilation structure of a polishing processing chamber according to a first embodiment of the present invention. The same members as those shown in Figs. 10 and 11 use the same reference numerals.

도 1에서, 연마 장치(100)의 하부 평판(101)은 연마면(101a)을 상향으로 한 상태로 연마 가공실(1) 내에 배치되어 있다. 이 하부 평판(101)은 연마 가공실(1)의 일부를 한정하는 바닥 영역(11) 아래의 구동실(110) 내부의 모터(111)에 의해서 회전 구동되도록 설계되어 있다. 또한, 연마 장치(100)의 캐리어(102: 가압 부재)는 도시하지 않은 승강 기구, 진동 기구 및 회전 기구에 의해서 상승 또는 하강, 진동 및 회전하도록 설계되어 있다. 참조 부호 103은 인덱스 테이블이다. 캐리어(102)는 상기 인덱스 테이블(103) 상에 배치된 연마되지 않은 웨이퍼(W: 공작물)를 잡아 올리고 이를 하부 평판(101)의 연마할 표면(101a)으로 이송하고 연마된 웨이퍼(W)를 인덱스 테이블(103)로 복귀시키도록 설계되어 있다.In FIG. 1, the lower flat plate 101 of the polishing apparatus 100 is disposed in the polishing processing chamber 1 with the polishing surface 101a upward. The lower plate 101 is designed to be rotationally driven by the motor 111 inside the drive chamber 110 under the bottom region 11 that defines a part of the polishing processing chamber 1. In addition, the carrier 102 (pressure member) of the polishing apparatus 100 is designed to be raised or lowered, vibrated and rotated by a lifting mechanism, a vibration mechanism and a rotation mechanism (not shown). Reference numeral 103 is an index table. The carrier 102 picks up the unpolished wafer W (workpiece) disposed on the index table 103, transfers it to the surface to be polished 101a of the lower plate 101, and transfers the polished wafer W. It is designed to return to the index table 103.

연마 가공실(1)은 연마 장치(100)를 수용한다. 보다 상세하게는, 연마 가공실(1)은 바닥 영역(11: 제 1 영역), 바닥 영역(11)과 면하는 천장 영역(10: 제 2 영역) 및 바닥 영역(11)과 천장 영역(10)의 측면에 기밀하게 연결된 네 개의 측면 영역(12)에 의해 한정된다.The polishing processing chamber 1 accommodates the polishing apparatus 100. More specifically, the polishing processing chamber 1 includes a floor area 11 (first area), a ceiling area 10 facing the floor area 11 (second area), and a floor area 11 and a ceiling area 10. Is defined by four side regions 12 which are hermetically connected to the sides.

이 연마 가공실(1)의 환기 구조는 필터 유니트(4-1, 4-2)가 부착되는 흡입덕트(2-1, 2-2), 다공성 쳄버(5) 및 블로우어(3: 배기 장치)를 포함한다.The ventilation structure of this polishing chamber 1 is composed of suction ducts 2-1 and 2-2 to which filter units 4-1 and 4-2 are attached, porous chambers 5 and blowers 3: exhaust device. ).

흡입 덕트(2-1, 2-2)는 외부의 공기를 연마 가공실(1)의 내부로 이송한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 흡입 덕트(2-1, 2-2)는 중심선(L)으로부터 천장 영역(10)의 왼쪽 절반부의 실질적인 중심에 형성되어 있는 반면에, 흡입 덕트(2-2)는 오른쪽 절반부의 실질적인 중심에 형성되어 있다.The suction ducts 2-1 and 2-2 transfer external air into the interior of the polishing chamber 1. As shown in FIG. 2, the suction ducts 2-1 and 2-2 are formed in the substantial center of the left half of the ceiling region 10 from the center line L, while the suction ducts 2-2 are formed. Is formed in the substantial center of the right half.

도 1에서, 필터 유니트(4-1, 4-2)는 환기 팬(40)과 방진용 필터(41)를 구비하며 필터(41)가 하향으로 향한 상태로 흡입 덕트(2-1, 2-2)에 부착되어 있다. 이에 기인하여, 환기 팬(40)이 구동될 때, 외부의 공기가 연마 가공실(1) 내로 흘러 들어가게 된다.In Fig. 1, the filter units 4-1 and 4-2 are provided with the ventilation fan 40 and the dustproof filter 41, and the suction ducts 2-1 and 2- with the filter 41 facing downward. 2) is attached. Due to this, when the ventilation fan 40 is driven, external air flows into the polishing chamber 1.

다공성 쳄버(5)는 흡입 덕트(2-1, 2-2)로부터 흐르는 공기를 층류로 하여 연마 가공실(1) 내부로 이를 분출시키며 실질적으로 천장 영역(10)의 전체 영역과 면하는 천장 영역(10)의 바닥 근처에 한정되도록 설계되어 있다.The porous chamber 5 jets the air flowing from the suction ducts 2-1 and 2-2 into the laminar flow into the polishing chamber 1 and substantially faces the entire area of the ceiling area 10. It is designed so as to be limited to the bottom of (10).

보다 상세하게는, 다공성 플레이트(50)는 천장 영역(10)의 바닥에 대해서 평행하게 부착되어 있다. 천장 영역(10)과 다공성 플레이트(50) 사이의 중심부는 칸막이벽(51)에 의해서 분할되어 있다.More specifically, the porous plate 50 is attached in parallel to the bottom of the ceiling region 10. The central portion between the ceiling region 10 and the porous plate 50 is divided by partition walls 51.

또한, 다공성 플레이트(50)는, 도 3에서 도시되어 있는 바와 같이, 다공성 플레이트(50)의 전체 표면에 걸쳐서 실질적으로 균일하게 다수의 구멍(52)이 형성되어 있다.In addition, as illustrated in FIG. 3, the porous plate 50 has a plurality of holes 52 formed substantially uniformly over the entire surface of the porous plate 50.

이에 기인하여, 연마 가공실(1) 외부의 공기가 일단 다공성 쳄버(5) 내에 축적되면, 이들은 다수의 구멍(52)을 통해서 소정 압력에 의해 연마 가공실(1) 내로분출된다.Due to this, once the air outside the polishing chamber 1 is accumulated in the porous chamber 5, they are blown into the polishing chamber 1 by a predetermined pressure through the plurality of holes 52.

본 실시예에서, 실질적으로 완전한 층류를 획득하기 위해서는, 구멍(52)의 직경이 3 mm 내지 5 mm 사이의 값으로 설정되며, 구멍(52)의 개수는 구멍(52)의 개구 면적의 합이 다공성 플레이트(50) 면적의 10 퍼센트 내지 20 퍼센트 사이의 값이 되도록 설정된다.In this embodiment, in order to obtain a substantially complete laminar flow, the diameter of the hole 52 is set to a value between 3 mm and 5 mm, and the number of the holes 52 is equal to the sum of the opening areas of the holes 52. It is set to be a value between 10 percent and 20 percent of the area of the porous plate 50.

배출 블로우어(3)는 다공성 쳄버(5)로부터 연마 가공실(1)의 외부로 층류 상태로 하강하는 공기를 배출시키기 위한 것이다. 배출 블로우어(3)는 도 1에서 왼쪽 측면의 측면 영역(12)에 부착되어 있으며 하부 평판(101)의 연마면(101a) 보다 어느 정도 높게 배치된다.The discharge blower 3 is for discharging air descending in the laminar flow state from the porous chamber 5 to the outside of the polishing processing chamber 1. The discharge blower 3 is attached to the side region 12 on the left side in FIG. 1 and is disposed to some extent higher than the polishing surface 101a of the lower plate 101.

다음에, 본 실시예에 따른 연마 가공실의 환기 구조의 작동에 대해서 설명하기로 한다.Next, the operation of the ventilation structure of the polishing processing chamber according to the present embodiment will be described.

도 4의 이점 쇄선으로 도시된 바와 같이, 연마되지 않은 웨이퍼(W)는 캐리어(102)에 의해서 유지된다. 웨이퍼(W)는 회전하는 하부 평판(101)의 연마면(101a)에 대해서 가압되며 이 상태로 캐리어(102)는 회전하고, 이 때 웨이퍼(W)는 하부 평판(101)의 연마면(101a)에 의해서 연마된다. 연마 드로스 또는 도시하지 않은 응고된 연마분 등의 슬러리가 입자(P)와 마찬가지로 하부 평판(101) 주위로 분사된다.As shown by the dashed-dotted line of FIG. 4, the unpolished wafer W is held by the carrier 102. The wafer W is pressed against the polishing surface 101a of the rotating lower plate 101 and in this state, the carrier 102 rotates, at which time the wafer W is polishing surface 101a of the lower plate 101. Polished by). Slurry such as abrasive dross or solidified abrasive powder (not shown) is sprayed around the lower plate 101 like the particles P. As shown in FIG.

필터 유니트(4-1, 4-2)가 상기 연마 공정 이전에 구동되는 경우에는, 외부 공기가 흡입 덕트(2-1, 2-2)를 통해서 다공성 쳄버(5)로 흡입되고 다공성 쳄버(5) 내의 압력이 증가하게 된다.When the filter units 4-1 and 4-2 are driven before the polishing process, the outside air is sucked into the porous chamber 5 through the suction ducts 2-1 and 2-2 and the porous chamber 5 The pressure in) will increase.

이에 기인하여, 다공성 쳄버(5) 내의 공기(A)는 일정한 압력으로 다수의 구멍(52)으로부터 연마 가공실(1)의 내측으로 배출된다. 화살표로 도시한 바와 같이, 전체적으로 층류로 형성되어 하강한다.Due to this, the air A in the porous chamber 5 is discharged from the plurality of holes 52 to the inside of the polishing processing chamber 1 at a constant pressure. As shown by the arrow, it is formed in a laminar flow as a whole and descends.

그 결과, 도 5에 도시한 바와 같이, 하부 평판(101) 주위로 분사된 입자(P)는 공기(A)의 층류에 의해서 바닥 영역(11)측으로 밀어 내려지게 된다.As a result, as shown in FIG. 5, the particles P injected around the lower plate 101 are pushed down to the bottom region 11 side by the laminar flow of air A. As shown in FIG.

또한, 필터 유니트(4-1, 4-2)의 구동과 실질적으로 동시에 배출 블로우어(3)를 구동하는 것에 의해서, 바닥 영역(11)측으로 밀어 내려진 입자(P)는 공기(A)와 함께 연마 가공실(1) 외부로 배출된다.Further, by driving the discharge blower 3 substantially simultaneously with the drive of the filter units 4-1 and 4-2, the particles P pushed down to the bottom region 11 side together with the air A. It is discharged out of the polishing chamber 1.

이와 같이 하여, 본 실시예의 연마 가공실의 환기 구조에 따르면, 연마 공정 중에 하부 평판 주위로 분사된 입자(P)가 공기(A)의 층류에 의해서 바닥 영역(11)의 측면으로 밀어 내려지기 때문에, 입자(P)는 상승할 가능성이 것의 없다. 그 결과, 입자(P)가 웨이퍼(W)와 연마면(101a) 사이에 들어가고 웨이퍼(W)에 스크래치가 발생할 가능성이 거의 없게 된다.Thus, according to the ventilation structure of the grinding processing chamber of this embodiment, since the particles P injected around the lower plate during the polishing process are pushed down to the side of the bottom region 11 by the laminar flow of air A. , Particle P is unlikely to rise. As a result, the particles P enter between the wafer W and the polishing surface 101a, and there is almost no possibility of scratching on the wafer W. As shown in FIG.

<제 2 실시예>Second Embodiment

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연마 가공실의 환기 구조의 개략 단면도이다. 도 1 내지 도 5에서 도시된 부재와 동일한 부재에는 동일한 도면의 참조 부호를 부여했다.6 is a schematic cross-sectional view of the ventilation structure of the polishing processing chamber according to the second embodiment of the present invention. The same members as those shown in FIGS. 1 to 5 are given the same reference numerals.

본 실시예의 연마 가공실의 환기 구조는 연마 장치(100)의 하부 평판(101) 아래의 배기실(6)을 한정하며 상기 쳄버(6)에 부착된 배출 블로우어(3)를 구비한다.The ventilation structure of the polishing chamber of this embodiment defines an exhaust chamber 6 under the lower plate 101 of the polishing apparatus 100 and includes an exhaust blower 3 attached to the chamber 6.

보다 상세하게는, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 하부 평판(101)의 직경보다 큰 구멍(61)을 가진 칸막이벽(60)은 구멍(61)을 통해서 하부 칸막이벽(101) 위로 느슨하게 결합되어 있고, 여기에서 공간(62)이 칸막이벽(60)의 구멍(61)과 하부 평판(101) 사이에 형성되어 있다. 칸막이벽(60)의 주변 에지는 바닥 영역(11) 상에 세워져 있는 칸막이벽(63)과 측면 영역(12)에 부착되어 배기실(6)를 한정한다. 또한, 칸막이벽(63)은 연마 가공실(1)과 배기실(6)이 연통하도록 흡입 구멍(64)을 구비한다.More specifically, as shown in FIGS. 6 and 7, the partition wall 60 having a hole 61 larger than the diameter of the lower plate 101 is passed through the hole 61 above the lower partition wall 101. Loosely coupled, a space 62 is formed between the hole 61 of the partition wall 60 and the lower plate 101. The peripheral edge of the partition wall 60 is attached to the partition wall 63 and the lateral area 12 standing on the bottom area 11 to define the exhaust chamber 6. In addition, the partition wall 63 includes a suction hole 64 so that the polishing chamber 1 and the exhaust chamber 6 communicate with each other.

배출 블로우어(3)는 배기실(6)에 대응하는 도 6의 왼쪽 위치에 부착되어 있다.The discharge blower 3 is attached to the left position of FIG. 6 corresponding to the exhaust chamber 6.

상기 구조에 기인하여, 도 8에 도시한 바와 같이, 흡입 덕트(2-1, 2-2)에서 연마 가공실(1)의 내부로 흐르는 공기(A)는 배출 블로우어(3)에 의해서 칸막이벽(60)과 하부 평판(101) 사이의 공간(62)으로부터 배기실(6)로 흡입되며, 이후에 연마 가공실(1) 외부로 배출된다.Due to the above structure, as shown in FIG. 8, air A flowing from the suction ducts 2-1 and 2-2 into the polishing processing chamber 1 is partitioned by the discharge blower 3. It is sucked into the exhaust chamber 6 from the space 62 between the wall 60 and the lower plate 101 and is then discharged out of the polishing chamber 1.

따라서, 연마 공정 중에 하부 평판(101) 주위로 분사된 입자(P)는 공기(A)와 함께 배기실(6) 내로 흡입되며 이후에 배출 블로우어(3)에 의해서 연마 가공실(1) 외부로 배출된다.Therefore, the particles P injected around the lower plate 101 during the polishing process are sucked into the exhaust chamber 6 together with the air A, and then outside the polishing chamber 1 by the discharge blower 3. To be discharged.

나머지 구조나, 작동 양식, 및 양호한 효과는 상술한 제 1 실시예의 것과 유사하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.The rest of the structure, the mode of operation, and the good effects are similar to those of the first embodiment described above, and thus description thereof will be omitted.

<제 3 실시예>Third Embodiment

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 연마 가공실의 환기 구조의 개략 단면도이다. 도 1 내지 도 8에서 도시된 부재와 동일한 부재에는 동일한 도면의 참조 부호를 부여하였다.9 is a schematic cross-sectional view of the ventilation structure of the polishing processing chamber according to the third embodiment of the present invention. The same members as those shown in FIGS. 1 to 8 are given the same reference numerals.

본 실시예의 연마 가공실의 환기 구조는 제 1 실시예와 제 2 실시예의 환기 구조의 조합이다.The ventilation structure of the polishing chamber of this embodiment is a combination of the ventilation structures of the first embodiment and the second embodiment.

제 1 실시예의 연마 가공실의 환기 구조에서, 배출 블로우어(3)는 하부 평판(101)의 연마면(101a) 위에 배치되어 있으며, 따라서 배출 블로우어(3)의 흡입력에 기인하여 바닥 영역(11)까지 밀어 내려진 입자(P)가 연마면(101a) 부근까지 상승하게 되는 경우가 발생할 수도 있다.In the ventilation structure of the polishing processing chamber of the first embodiment, the discharge blower 3 is disposed on the polishing surface 101a of the lower plate 101, and thus the bottom area ( Particles P pushed down to 11) may rise to the vicinity of the polishing surface 101a.

한편으로, 제 2 실시예의 연마 가공실의 환기 구조에서, 하부 평판(101) 주위로 분사된 대다수의 입자(P)는 공간(62)에서 배기실(6) 내부로 흡입된다. 그러나, 또한 연마 가공실(1) 내에서 난류 등에 의해서 휩쓸리게 되는 입자(P)도 있게 된다. 상기 입자들이 하부 평판(101)의 연마면(101a) 상에 누적되는 경우가 발생할 수도 있다.On the other hand, in the ventilation structure of the polishing chamber of the second embodiment, the majority of particles P injected around the lower plate 101 are sucked into the exhaust chamber 6 in the space 62. However, there are also particles P which are swept away by turbulence or the like in the polishing chamber 1. The particles may accumulate on the polishing surface 101a of the lower plate 101.

따라서, 본 실시예의 연마 가공실의 환기 구조에서는, 제 1 실시예의 경우에서와 동일하게, 필터 유니트(4-1, 4-2)가 부착된 흡입 덕트(2-1, 2-2)를 구비한 천장 영역(10)의 아래에 다공성 쳄버(5)가 설치되며, 제 2 실시예의 경우에서와 동일하게, 하부 평판(101)의 아래에 배기실(6)이 설치되고 상기 배기실(6)에 배출 블로우어(3)가 부착되어 있다.Therefore, in the ventilation structure of the polishing processing chamber of this embodiment, as in the case of the first embodiment, the suction ducts 2-1 and 2-2 with the filter units 4-1 and 4-2 are provided. A porous chamber 5 is provided below one ceiling region 10, and the exhaust chamber 6 is installed below the lower plate 101, as in the case of the second embodiment. The discharge blower 3 is attached to this.

이와 같은 구조에 기인하여, 하부 평판(101) 주위로 분사된 입자(P)는 공기(A)의 층류에 의해서 배기실(6)의 칸막이벽(60)측으로 밀어 내려지게 되며, 이후에 공간(62)으로부터 배기실(6) 내부로 흡입되며 배출 블로우어(3)에 의해서 외부로 배출된다. 그 결과, 연마면(101a)으로 분사된 입자(P)의 누적이 완전하게 방지된다.Due to this structure, the particles P injected around the lower plate 101 are pushed down to the partition wall 60 side of the exhaust chamber 6 by the laminar flow of air A, and then the space ( It is sucked into the exhaust chamber 6 from 62 and discharged to the outside by the discharge blower 3. As a result, accumulation of the particles P injected onto the polishing surface 101a is completely prevented.

나머지 구조나, 작동 양식, 및 양호한 효과는 상술한 제 1 실시예의 것과 유사하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.The rest of the structure, the mode of operation, and the good effects are similar to those of the first embodiment described above, and thus description thereof will be omitted.

본 발명은 상술한 실시예에만 국한되지 않는다는 점에 유의하라. 다양한 변형과 변경이 본 발명의 요지의 범위 내에서 가능하다.Note that the present invention is not limited to the embodiment described above. Various modifications and variations are possible within the scope of the present subject matter.

예를 들어서, 제 1 실시예 및 제 2 실시예에서, 연마 가공실과 연마 장치의 형성에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 또한 당연하게도 래핑 쳄버 및 래핑 장치에 대해서도 응용할 수도 있다.For example, in the first and second embodiments, the formation of the polishing processing chamber and the polishing apparatus has been described, but the present invention can naturally also be applied to the lapping chamber and the lapping apparatus.

또한, 칸막이벽 플레이트(51)를 다공성 쳄버(5)에 설치하여 다공성 쳄버를 두 개로 분할하였으나, 이 또한 칸막이벽 플레이트(51)를 설치하지 않고 다공성 쳄버(5)의 내부를 단일 공간으로 형성할 수도 있다. 이 경우에, 두 개의 흡입 덕트(2-1, 2-2)를 제공하지 않는 것이 가능하지만, 단일 흡입 덕트(2-1)가 천장 영역(10)의 중심에 제공되며 단일 필터 유니트(4-1)가 상기 흡입 덕트(2-1)에 부착된다.In addition, the partition wall plate 51 is installed in the porous chamber 5 to divide the porous chamber into two, but this also forms the interior of the porous chamber 5 as a single space without installing the partition wall plate 51. It may be. In this case, it is possible not to provide two suction ducts 2-1, 2-2, but a single suction duct 2-1 is provided at the center of the ceiling area 10 and a single filter unit 4-. 1) is attached to the suction duct 2-1.

본 발명의 양호한 효과에 대해서 요약하면, 본 발명의 일 특징에 따르면, 다공성 쳄버로부터 분출되는 공기가 층류로 되어 연마 장치의 평판이 부착되는 제 1 영역으로 흐르기 때문에, 연마 공정 중에 형성되는 공작물의 연마 드로스 및 응고된 연마분 슬러리 및 다른 입자 슬러리는 실질적인 공기 층류에 의해서 제 1 영역으로 도입되고 배기 장치에 의해서 연마 가공실의 외부로 배출된다. 그 결과, 평판 주위로 분사된 입자가 공작물과 평판 사이에 들어가서 공작물에 스크래치가 발생하는 것을 방지할 수 있다.Summarizing the preferred effects of the present invention, according to one feature of the present invention, since the air blown out of the porous chamber flows to the first region where the flat plate of the polishing apparatus adheres to the laminar flow, polishing of the workpiece formed during the polishing process The dross and solidified abrasive powder slurry and other particle slurry are introduced into the first region by substantial air laminar flow and discharged out of the polishing chamber by the exhaust device. As a result, it is possible to prevent particles sprayed around the plate from entering between the workpiece and the plate and causing scratches on the workpiece.

또한, 본 발명의 특징에 따르면, 다공성 쳄버로부터 배출된 공기는 이 상태로 실질적으로 완전한 층류를 형성할 수 있기 때문에 스크래치의 발생을 방지하는 효과도 한층 증가하게 된다.In addition, according to the characteristics of the present invention, since the air discharged from the porous chamber can form substantially complete laminar flow in this state, the effect of preventing the occurrence of scratches is further increased.

또한, 본 발명의 특징에 따르면, 평판 주위로 분사된 입자는 공기의 층류에 의해서 배기실의 칸막이벽측으로 안내되고 또한 입자는 평판과 칸막이벽의 구멍 사이의 공간으로부터 배기실의 내측으로 흡입되기 때문에, 평판 주위로 분사된 입자를 연마 가공실의 외부로 확실하게 배출할 수 있게 된다.Further, according to the feature of the present invention, since the particles injected around the plate are guided to the partition wall side of the exhaust chamber by the laminar flow of air, and the particles are sucked into the exhaust chamber from the space between the holes of the plate and the partition wall. Therefore, the particles injected around the plate can be reliably discharged to the outside of the polishing chamber.

또한, 본 발명의 특징에 따르면, 평판 주위로 배출되는 입자는 칸막이벽의 구멍과 평판 사이의 공간을 통해서 배기실로 흡입되고 외부로 배출된다.Further, according to the feature of the present invention, the particles discharged around the flat plate are sucked into the exhaust chamber through the space between the hole of the partition wall and the flat plate and discharged to the outside.

Claims (6)

회전 가능한 평판(platen)과 작업물을 상기 평판에 가압하기 위한 회전 가능한 가압 부재를 갖는 연마 가공 장치를 수용하고, 상기 평판이 부착된 제 1 영역을 갖는 연마 가공실을 환기하기 위한 연마 가공실의 환기 구조에 있어서,A polishing processing apparatus for receiving a polishing apparatus having a rotatable platen and a rotatable pressing member for pressurizing a workpiece to the plate, and for venting the polishing processing chamber having the first region to which the plate is attached. In the ventilation structure, 제 1 영역과 면하는 제 2 영역을 갖는 연마 가공실의 한 영역에 설치되고 방진용 필터가 부착된 흡입 덕트와,A suction duct installed in an area of the polishing processing chamber having a second area facing the first area and having a dustproof filter attached thereto; 제 1 및 제 2 영역의 측면과 제 1 영역에 기밀하게 연결된 측면 영역을 갖는 연마 가공실의 최소한 한쪽 영역에 설치된 배기 장치와,An exhaust device provided in at least one region of the polishing chamber having side surfaces of the first and second regions and side regions hermetically connected to the first region; 제 2 영역의 내측면에 근접하여 실질적으로 제 2 영역 전체와 면하여 형성되고 제 1 영역과 면하는 표면에 실질적으로 균일하게 형성된 다수의 구멍을 갖는 다공성 쳄버를 포함하는 연마 가공실의 환기 구조.And a porous chamber having a plurality of holes formed in a manner substantially adjacent to the entire second region and substantially uniformly formed on a surface facing the first region, the inner surface of the second region. 제 1 항에 있어서, 상기 다공성 쳄버의 구멍의 직경은 3 mm 내지 5 mm 값으로 설정되며, 구멍의 개수는 구멍의 개구의 면적의 합이 구멍이 형성되는 표면의 면적에 대해서 10 퍼센트 내지 20 퍼센트의 값이 되도록 설정되는 연마 가공실의 환기 구조.The hole diameter of the porous chamber is set to a value of 3 mm to 5 mm, and the number of holes is 10 percent to 20 percent with respect to the area of the surface where the hole is formed. Ventilation structure of the grinding processing chamber set to be the value of. 제 1 항에 있어서, 상기 평판 주위에 간극을 형성하도록 구멍에 의해서 연마 가공 장치의 평판 위에 느슨하게 끼워진 상태로 연마 가공실 내측에 부착된 칸막이벽, 제 1 영역 및 측면 영역으로 배기실이 형성되고,2. The exhaust chamber as set forth in claim 1, wherein an exhaust chamber is formed in a partition wall, a first region, and a side region attached to the inside of the polishing chamber in a state of being loosely fitted on the plate of the polishing apparatus by holes to form a gap around the plate. 상기 배기실의 제 1 영역과 측면 영역 중 적어도 한 쪽에 배기 장치가 부착된 연마 가공실의 환기 구조.Ventilation structure of a grinding | polishing process chamber with an exhaust apparatus attached to at least one of the 1st area | region and side surface area | region of the said exhaust chamber. 제 3 항에 있어서, 소정 개수의 흡입 구멍은 상기 배기실의 칸막이벽에 부착된 연마 가공실의 환기 구조.4. The ventilation structure of a polishing processing chamber according to claim 3, wherein a predetermined number of suction holes are attached to the partition wall of the exhaust chamber. 회전 가능한 평판과 작업물을 상기 평판에 가압하기 위한 회전 가능한 가압 부재를 갖는 연마 가공 장치를 수용하고, 상기 평판이 부착된 제 1 영역을 갖는 연마 가공실을 환기하기 위한 연마 가공실의 환기 구조에 있어서,In the ventilation structure of the polishing chamber for accommodating the polishing apparatus having a rotatable plate and a rotatable pressing member for pressurizing the workpiece to the plate, and for venting the polishing chamber having the first region to which the plate is attached. In 제 1 영역과 면하는 제 2 영역을 갖는 연마 가공실의 한 영역에 설치되고 방진용 필터가 부착된 흡입 덕트와,A suction duct installed in an area of the polishing processing chamber having a second area facing the first area and having a dustproof filter attached thereto; 상기 평판 주위에 간극을 형성하도록 구멍에 의해서 연마 가공 장치의 평판 위에 느슨하게 끼워진 상태로 연마 가공실 내측에 부착된 칸막이벽, 제 1 영역 및 측면 영역으로 형성된 배기실과,An exhaust chamber formed of a partition wall, a first region and a side region attached to the inside of the polishing chamber in a state of being loosely fitted on the plate of the polishing apparatus by holes to form a gap around the plate; 상기 배기실의 제 1 영역과 측면 영역 중 적어도 한 쪽에 부착된 배기 장치를 포함하는 연마 가공실의 환기 구조.And a exhaust device attached to at least one of the first region and the side region of the exhaust chamber. 제 5 항에 있어서, 소정 개수의 구멍은 상기 배기실의 칸막이벽에 부착된 연마 가공실의 환기 구조.6. The ventilation structure of a polishing processing chamber according to claim 5, wherein a predetermined number of holes are attached to the partition wall of the exhaust chamber.
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