KR19990083456A - 검사시간을단축할수있는레티클검사장치 - Google Patents
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 title description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 42
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 42
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 31
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
- 집적 회로 제조용 레티클의 패턴 결함을 검출하는 레티클 검사 장치에 있어서,상기 레티클이 장착되는 XY 스테이지,상기 XY 스테이지 상에 장착된 상기 레티클의 패턴의 화상을 촬상하여 제1 내지 제N (N은 2 이상의 정수임) 프레임을 갖는 촬상 화상 패턴을 구하는 촬상 광학계,제1 내지 제M (M은 2 이상 N 이하의 정수임) 화상 비교기,상기 촬상 화상 패턴의 상기 제1 내지 제N 프레임을 상기 제1 내지 제M 화상 비교기에 순차적으로 분배하는 분배기, 및상기 레티클의 패턴을 그리는 데에 사용된 CAD(Computer Aided Design) 데이터를 상기 촬상 화상 패턴의 상기 제1 내지 제N 프레임에 대응하는 제1 내지 제N 중간 데이터로 변환시키고, 상기 제1 내지 상기 제N 중간 데이터를 상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기에 순차적으로 미리 전송하는 검사 제어기를 포함하며,상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기는 상기 촬상 화상 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임과 상기 제1 내지 상기 제N 중간 데이터로부터 생성된 제1 내지 제N 참조 화상을 각각 비교하여, 상기 촬상 화상 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임의 결함을 검출하는 레티클 검사 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 촬상 광학계는 레이저 주사 광학계 및 투과 광 검출기를 포함하고,상기 레이저 주사 광학계는 레이저 빔을 생성하여 상기 XY 스테이지 상에 장착된 상기 레티클의 표면을 Y 방향으로 주사하고, 상기 XY 스테이지를 상기 Y 방향에 수직인 X 방향으로 이동시키며,상기 투과 광 검출기는 상기 레이저 빔을 상기 레티클에 투과시킴으로써 얻어진 투과 광을 검출하여 상기 촬상 화상 패턴의 각각의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 2차원 화상 패턴으로서 취득하는 레티클 검사 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 상기 제M화상 비교기는 상기 촬상 화상 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임의 결함을 검출함으로써 얻어진 검출 결과를 상기 검사 제어기에 각각 전송하는 레티클 검사 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 분배기는 상기 촬상 화상 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 일시적으로 기억하는 제1 내지 제M 프레임 버퍼 메모리를 각각 포함하고,상기 분배기는 상기 제1 내지 상기 제M 프레임 버퍼 메모리에 기억된 상기 제1 내지 제N 프레임을 각각 상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기에 순차적으로 분배하는 레티클 검사 장치.
- 집적 회로 제조용 레티클의 서로 인접하는 참조 및 비교 다이 패턴을 비교하여 상기 패턴의 결함을 검출하는 레티클 검사 장치에 있어서,상기 레티클이 장착되는 XY 스테이지,상기 XY 스테이지 상에 장착된 상기 레티클의 상기 참조 다이 패턴의 화상을 촬상하여 제1 내지 제N (N은 2 이상의 정수임) 프레임을 갖는 촬상 참조 다이 패턴을 구한 후, 상기 XY 스테이지 상에 장착된 상기 레티클의 상기 비교 다이 패턴의 화상을 촬상하여 제1 내지 제N 프레임을 갖는 촬상 비교 다이 패턴을 구하는 촬상 광학계,제1 내지 제M (M은 2 이상 N 이하의 정수임) 화상 비교기, 및상기 촬상 참조 다이 패턴의 상기 제1 내지 제N 프레임을 상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기에 순차적으로 분배한 후, 상기 촬상 비교 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기에 순차적으로 분배하는 분배기를 포함하고,상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기는 상기 촬상 참조 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 제1 내지 제N 기억 프레임으로서 기억하는 제1 내지 제M 다이 메모리를 포함하며,상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기는 상기 제1 내지 상기 제N 기억 프레임과 상기 촬상 참조 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임 이후에 전송되는 상기 촬상 비교 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 비교하여, 상기 촬상 참조 다이 패턴의 각각의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임과 상기 촬상 비교 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임 중의 각각의 대응하는 프레임간의 결함을 검출하는 레티클 검사 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 촬상 광학계는 레이저 주사 광학계 및 투과 광 검출기를 포함하고,상기 레이저 주사 광학계는 레이저 빔을 생성하여 XY 스테이지 상에 장착된 상기 레티클의 표면을 Y 방향으로 주사하고, 상기 XY 스테이지를 상기 Y 방향에 수직인 X 방향으로 이동시키며,상기 투과 광 검출기는 상기 레이저 빔을 상기 레티클에 투과시킴으로써 얻어진 투과 광을 검출하여 상기 촬상 참조 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임 및 상기 촬상 비교 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임의 각각을 2차원 화상 패턴으로서 취득하는 레티클 검사 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 분배기는 상기 촬상 참조 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 일시적으로 기억하는 제1 내지 제M 프레임 버퍼 메모리를 포함하고,상기 분배기는 상기 제1 내지 상기 제M 프레임 버퍼 메모리에 기억되는 상기 촬상 참조 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 순차적으로 상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기에 각각 분배하며,상기 제1 내지 상기 제M 프레임 버퍼 메모리는 그 후 상기 촬상 비교 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 일시적으로 기억하고,상기 분배기는 상기 제1 내지 상기 제M 프레임 버퍼 메모리에 기억되는 상기 촬상 비교 다이 패턴의 상기 제1 내지 상기 제N 프레임을 순차적으로 상기 제1 내지 상기 제M 화상 비교기에 각각 분배하는 레티클 검사 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1998-115049 | 1998-04-24 | ||
JP11504998A JP3201471B2 (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | レティクル検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990083456A true KR19990083456A (ko) | 1999-11-25 |
KR100320885B1 KR100320885B1 (ko) | 2002-02-04 |
Family
ID=14652926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990014718A KR100320885B1 (ko) | 1998-04-24 | 1999-04-24 | 검사 시간을 단축할 수 있는 레티클 검사 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6400839B1 (ko) |
EP (1) | EP0952488B1 (ko) |
JP (1) | JP3201471B2 (ko) |
KR (1) | KR100320885B1 (ko) |
DE (1) | DE69933609T2 (ko) |
TW (1) | TW470850B (ko) |
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US9841385B2 (en) | 2009-09-09 | 2017-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern characteristic-detection apparatus for photomask and pattern characteristic-detection method for photomask |
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- 1998-04-24 JP JP11504998A patent/JP3201471B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1999-04-23 DE DE69933609T patent/DE69933609T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-23 EP EP99107388A patent/EP0952488B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-23 TW TW088106514A patent/TW470850B/zh active
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KR100320885B1 (ko) | 2002-02-04 |
EP0952488A3 (en) | 2002-07-10 |
EP0952488B1 (en) | 2006-10-18 |
EP0952488A2 (en) | 1999-10-27 |
JPH11304719A (ja) | 1999-11-05 |
DE69933609D1 (de) | 2006-11-30 |
JP3201471B2 (ja) | 2001-08-20 |
US6400839B1 (en) | 2002-06-04 |
DE69933609T2 (de) | 2007-02-01 |
TW470850B (en) | 2002-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131218 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141219 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151217 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161219 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 17 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 18 |
|
EXPY | Expiration of term |