KR19990074920A - 반도체 장치의 스핀 척 - Google Patents

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KR19990074920A
KR19990074920A KR1019980008816A KR19980008816A KR19990074920A KR 19990074920 A KR19990074920 A KR 19990074920A KR 1019980008816 A KR1019980008816 A KR 1019980008816A KR 19980008816 A KR19980008816 A KR 19980008816A KR 19990074920 A KR19990074920 A KR 19990074920A
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조현준
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윤종용
삼성전자 주식회사
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본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 스핀 건조시키기 위한 반도체 장치의 스핀 척에 관한 것이다. 본 발명에 의한 스핀 척은, 중앙 스핀 척에 연결된 4개의 보조 스핀 척과 4내의 보조 스핀 척 각각에 2개씩 설치된 진공 홀을 포함한다.

Description

반도체 장치의 스핀 척
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 스핀 건조시키기 위한 반도체 장치의 스핀 척에 관한 것이다.
스핀 척은 진공 홀로 공급되는 진공압의 흡입력으로 웨이퍼와의 흡착지점에 진공 상태를 유지함으로써 웨이퍼의 스핀 건조를 가능하게 한다.
도 1 및 도 2는 각각 종래의 스핀 척을 개략적으로 도시한 단면도 및 평면도로서, 도면부호 "10"은 스핀 척을, "12"는 진공 라인(vacuum line)을, "14"는 진공 홀(vacuum hole)을, 그리고 "20"은 웨이퍼(wafer)를 나타낸다.
스핀 척(10) 상에 웨이퍼(20)을 올려 놓은 후 상기 진공 홀(14)을 통해 진공압을 공급하면, 상기 웨이퍼(20)은 진공압의 흡입력에 의해 상기 스핀 척(10) 상에 흡착된다. 이후, 상기 스핀 척(10)을 회전시켜 웨이퍼 상에 소정의 공정을 행하게 된다.
이때, 도시한 종래의 스핀 척은 아래와 같은 문제점을 일으킨다.
첫째, 웨이퍼 백면의 파티클 및 이물질 발생과 배면 자체의 굴곡으로 인하여 스핀 척 상의 오염 및 진공 상태의 균형을 유지하기가 불가능하다. 둘째, 단 1회의 스핀 척 오염으로 인하여 진공압의 균형이 무너지면서 웨이퍼 깨어짐을 유발시킨다. 종래의 스핀 척으로는 이러한 웨이퍼 깨어짐을 예방하는 것이 불가능하여 설비의 생산성 저하와 수율 저하의 문제점을 일으킨다.
본 발명의 목적은 웨이퍼를 스핀 건조시킬 때 스핀 척과 웨이퍼 사이의 흡착력에 이상이 생겨 웨이퍼가 깨어지는 현상을 방지할 수 있고, 대구경의 웨이퍼를 스핀 건조시킬 수 있는 반도체 장치의 스핀 척을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 스핀 척을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 종래의 스핀 척을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 스핀 척을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 의한 스핀 척을 개략적으로 도시한 평면도이다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 반도체 장치의 스핀 척은, 중앙 스핀 척에 연결된 4개의 보조 스핀 척; 및 상기 4내의 보조 스핀 척 각각에 2개씩 설치된 진공 홀을 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 반도체 장치의 스핀 척을 더욱 상세하게 설명하고자 한다.
도 3 및 도 4는 각각 본 발명에 의한 스핀 척을 개략적으로 도시한 단면도 및 평면도로서, 도면부호 "30"은 스핀 척의 모터(motor) 축을, "32"는 진공 라인을, "34"는 진공 라인 연결을 위한 노즐(nozzle)을, "36"은 중앙 스핀 척을, "38"은 보조 스핀 척을, "40"은 중앙 스핀 척의 진공 홀을, "42"는 보조 스핀 척의 진공 홀을, 그리고 "50"은 웨이퍼를 나타낸다.
중앙 스핀 척(36)에 보조 스핀 척(38)을 추가적으로 설치하여, 웨이퍼 백면의 파티클 및 이물질 발생과 배면 자체의 굴곡으로 인하여 스핀 척 상에 흡착된 웨이퍼가 흡입력이 불균형에 의해 깨어지는 것을 예방한다.
상기 보조 스핀 척(38)은 상기 중앙 스핀 척(36)을 중심으로 네방향에 각각 1개씩 설치되고, 각 보조 스핀 척(38)에는 두 개씩의 진공 홀(42)이 설치되어 웨이퍼에 진공압을 공급하는 역할을 한다. 상기 진공 홀(42)은 진공 라인(32)에 연결되어 있다. 이때, 보조 스핀 척의 양방 흡입압은 60mmhg 이상이 되어야 한다.
따라서, 본 발명에 의한 스핀 척은 하나의 중앙 스핀 척(36)을 비롯하여 네 개의 보조 스핀 척(38)과, 중앙 스핀 척에 형성된 네 개의 진공 홀(40)과 각 보조 스핀 척에 형성된 두 개씩의 진공 홀(42)들로 구성되어, 총 5개의 스핀 척과 12개의 진공 홀로 구성되어 있다.
이로 인하여, 스핀 척 상의 오염이나 웨이퍼의 백면 불량이 발생할지라도, 총 5개의 스핀 척과 12개의 진공압이 흡입 및 진공상태를 유지하므로, 기존의 스핀 척에 비하여 웨이퍼를 이탈시킬 확률이 없어 웨이퍼 깨어짐이 전혀없는 공정을 진행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 대구경화에 대응할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.
본 발명에 의한 반도체 장치의 스핀 척에 의하면, 웨이퍼를 스핀 건조시킬 때 스핀 척과 웨이퍼 사이의 흡착력에 이상이 생겨 웨이퍼가 깨어지는 현상을 방지할 수 있고, 대구경의 웨이퍼를 스핀 건조시킬 수 있다.

Claims (1)

  1. 중앙 스핀 척에 연결된 4개의 보조 스핀 척; 및
    상기 4내의 보조 스핀 척 각각에 2개씩 설치된 진공 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 진공 척.
KR1019980008816A 1998-03-16 1998-03-16 반도체 장치의 스핀 척 KR19990074920A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744102B1 (ko) * 2006-04-12 2007-08-01 조선대학교산학협력단 스핀코터용 진공척

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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