KR100282415B1 - 웨이퍼식각장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 정전척에 이물질이 제거된 웨이퍼(Wafer)를 로딩(Loading)시키므로 정전척의 라이프타임(Lifetime)을 증가시키기 위한 웨이퍼 식각 장치에 관한 것이다.

본 발명의 웨이퍼 식각 장치는 웨이퍼, 상기 웨이퍼 배면의 이물질을 제거시키는 버퍼 룸, 상기 이물질이 제거된 웨이퍼를 정전척에 로딩시키는 로드 락, 상기 정전척에 로딩된 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 메인 프로세스 챔버와, 상기 식각된 웨이퍼를 배치하는 언로드 락을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 식각 장치{APPARATUS FOR ETCHING WAFER}

본 발명은 웨이퍼(Wafer) 식각 장치에 관한 것으로, 특히 경제적 효율을 향상 시키는 웨이퍼 식각 장치에 관한 것이다.

종래의 웨이퍼 식각 장치는 도 1에서와 같이, 웨이퍼, 상기 웨이퍼 꽂이용인 카세트(Cassette)(11), 상기 카세트(11)의 웨이퍼를 정렬시키는 얼라인(Align)부(12), 상기 정렬된 웨이퍼를 정전척에 로딩(Loading)시키는 로드 락(Load Lock)(13), 상기 정전척에 로딩된 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 메인 프로세스 챔버(Main Process Chamber)(14)와, 상기 식각된 웨이퍼를 배치하는 언로드(Unload) 락(15)으로 구성된다.

상기와 같이 구성된 종래의 웨이퍼 식각 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.

상기 카세트(11)에 위치한 다수개의 식각대상 웨이퍼를 상기 얼라인부(12)에서 정렬시킨 후, 상기 정렬된 웨이퍼를 상기 로드 락(13)의 정전척에 로딩시킨다.

여기서, 상기 웨이퍼 배면에는 이물질이 있다.

그리고, 상기 웨이퍼가 로딩된 정전척을 상기 메인 프로세스 챔버(14)로 이동시킨 후, 상기 메인 프로세스 챔버(14)에서 상기 웨이퍼의 식각공정이 진행된다.

이어, 상기 메인 프로세스 챔버(14)에서 식각된 웨이퍼를 상기 정전척에서 언로드 락(15)으로 이동시킨다.

그리고, 상기 웨이퍼 배면의 이물질로 인한 상기 정전척 표면의 이물질을 제거하기 위하여 상기 메인 프로세스 챔버(14)에서 상기 웨이퍼가 로딩되지 않은 정전척을 4 ~ 6초동안 식각공정 한다.

이어서, 상기 표면의 이물질이 제거된 정전척을 상기 메인 프로세스 챔버(14)에서 로드 락(13)으로 이동시킨다.

그러나 종래의 웨이퍼 식각 장치는 식각대상인 웨이퍼 배면의 이물질에 의해 정전척의 아킹(Arcing)이 발생하고 또한 웨이퍼가 없는 상태에서 정전척 표면의 이물질을 제거하기 위한 식각공정으로 정전척 표면의 러프니스(Roughness) 및 손상되기 때문에 정전척의 라이프타임(Lifetime)이 저하된다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 정전척에 이물질이 제거된 웨이퍼를 로딩시키므로 정전척의 라이프타임을 증가시키는 웨이퍼 식각 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 웨이퍼 식각 장치를 나타낸 블록도

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 식각 장치를 나타낸 블록도

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 식각 장치의 버퍼 룸을 나타낸 구조 단면도

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

31: 카세트 32: 얼라인부

33: 버퍼 룸 34: 로드 락

35: 메인 프로세스 챔버 36: 언로드 락

37: 클램프-링 38: 하부 플레이트

39: 린저 40: 히팅 코일

41: 핀 42: 가스 배출구

본 발명의 웨이퍼 식각 장치는 웨이퍼, 상기 웨이퍼 배면의 이물질을 제거시키는 버퍼 룸, 상기 이물질이 제거된 웨이퍼를 정전척에 로딩시키는 로드 락, 상기 정전척에 로딩된 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 메인 프로세스 챔버와, 상기 식각된 웨이퍼를 배치하는 언로드 락을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

상기와 같은 본 발명에 따른 웨이퍼 식각 장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 식각 장치를 나타낸 블록도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 식각 장치의 버퍼 룸을 나타낸 구조 단면도이다.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 식각 장치는 도 2에서와 같이, 웨이퍼, 상기 웨이퍼 꽂이용인 카세트(31), 상기 카세트(31)의 웨이퍼를 정렬시키는얼라인부(32), 상기 웨이퍼 배면의 이물질을 제거시키는 버퍼 룸(Buffer Room)(33), 상기 이물질이 제거된 웨이퍼를 정전척에 로딩시키는 로드 락(34), 상기 정전척에 로딩된 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 메인 프로세스 챔버(35)와, 상기 식각된 웨이퍼를 배치하는 언로드 락(36)으로 구성된다.

여기서, 상기 버퍼 룸(33)은 도 3에서와 같이, 상기 웨이퍼 로딩부위인 클램프-링(Clamp-ring)(37)과 상기 클램프-링(37) 하측부위에 린저(Rinser)(39), 상기 린저(39) 양쪽에 각각 히팅 코일(Heating Coil)(40), 2개의 핀(Pin)(41)이 구성된 하부 플레이트(Plate)(38) 그리고 가스 배출구(42)로 구성된다.

그리고, 상기 버퍼 룸(33)에서의 웨이퍼 이물질 제거 방법은 상기 클램프-링(37)에 웨이퍼를 로딩시킨다

이어, 상기 4개의 핀(41)을 상승시키면서 상기 클램프-링(37)을 하강시켜 상기 웨이퍼를 상기 클램프-링(37)에서 언로딩시킨 다음, 상기 린저(39)를 상승시켜 저항이 큰 중류수로 상기 웨이퍼 배면의 이물질이 제거되도록 세척한다.

그리고, 상기 린저(39)를 하강시킨 후, 상기 4개의 핀(41)을 하강시켜 상기 웨이퍼를 상기 클램프-링(37)에 로딩시킨다.

이어서, 상기 히팅 코일(40)에 외부전압을 인가하여 상기 웨이퍼 배면을 건조시키므로 이물질이 제거된 웨이퍼를 마련한다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 식각 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.

상기 카세트(31)에 위치한 다수개의 식각대상 웨이퍼를 상기 얼라인부(32)에서 정렬시킨 후, 상기 정렬된 웨이퍼를 상기 버퍼 룸(33)으로 이동시킨 다음, 상기 각 웨이퍼 배면의 이물질을 상기 버퍼 룸(33)에서 제거시킨다.

그리고, 상기 이물질이 제거된 웨이퍼를 상기 로드 락(34)의 정전척에 로딩시킨다.

이어, 상기 웨이퍼가 로딩된 정전척을 상기 메인 프로세스 챔버(35)로 이동시킨 후, 상기 메인 프로세스 챔버(35)에서 상기 웨이퍼의 식각공정이 진행된다.

그리고, 상기 메인 프로세스 챔버(35)에서 식각된 웨이퍼를 상기 정전척에서 언로드 락(36)으로 이동시킨 후, 상기 정전척을 상기 메인 프로세스 챔버(35)에서 로드 락(34)으로 이동시킨다.

본 발명의 웨이퍼 식각 장치는 버퍼 룸을 포함하여 구성하기 때문에 이물질이 제거된 상태의 웨이퍼를 정전척에 로딩시키므로, 정전척의 아킹이 발생되지 않고 또한 정전척 표면에 이물질이 없기 때문에 웨이퍼가 없는 상태에서 정전척 표면의 이물질을 제거하기 위한 식각공정하지 않으므로 정전척 표면의 러프니스 및 손상되지 않아 정전척의 라이프타임을 증가시키므로 경제적 효율을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 웨이퍼;

   상기 웨이퍼 배면의 이물질을 제거하기 위하여 웨이퍼 로딩부위인 클램프-링과 상기 클램프-링 하측부위에 저항이 큰 중류수로 상기 웨이퍼 배면의 이물질이 제거되도록 세척하는 린저, 상기 린저 양쪽에 각각 상기 웨이퍼 배면을 건조시키는 히팅 코일, 상기 웨이퍼를 상기 클램프-링으로부터 언로딩시키는 2개의 핀이 구성된 하부 플레이트 그리고 가스 배출구로 구성되는 버퍼 룸;

   상기 이물질이 제거된 웨이퍼를 정전척에 로딩시키는 로드 락;

   상기 정전척에 로딩된 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 메인 프로세스 챔버;

   상기 식각된 웨이퍼를 배치하는 언로드 락을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 웨이퍼 식각 장치