KR19990069999A - 반도체 소자 제조시 이용되는 막 형성 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내의 지지대 상에 마련되는 서셉터와, 상기 서셉터의 상부에는 소정거리 이격되어 위치하고 웨이퍼 리프터에 의하여 지지되는 웨이퍼를 포함하여 이루어지는 막 형성 장치를 제공한다. 본 발명의 막 형성 장치는 웨이퍼와 서셉터를 소정거리 이격되어 있어 웨이퍼의 배면(후면)에 막이 균일하게 형성된다.

Description

반도체 소자 제조시 이용되는 막 형성 장치

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 소자 제조시 사용되는 막 형성 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자의 제조에는 다양한 막들, 예컨대 폴리실리콘막, 산화막 등이 사용된다. 이중에서 한 예로 폴리실리콘막 형성 장치를 도 1을 통하여 살펴본다.

도 1은 종래 기술에 의한 막 형성 장치를 설명학 위하여 도시한 개략도이다.

구체적으로, 종래의 막 형성 장치는 챔버(1) 내에 서셉터(3)가 마련되어 있고 상기 서셉터(3) 상에 웨이퍼(5)가 매엽식으로 로딩되도록 되어 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(5) 상에 소정 공정을 통하여 막, 예컨대 폴리실리콘막이 형성된다.

그런데, 상기 매엽식의 막 형성 장치에 있어서, 상기 웨이퍼(5)의 배면(후면)에는 막이 균일하게 형성되지 않아 후속공정에서 문제가 발생한다. 다시 말하면, 웨이퍼(5)의 엣지 부위 7∼8mm만 막이 코팅(형성)되어서 후속의 포토공정에서 로버트(robot)가 웨이퍼 홀딩시 웨이퍼(5) 배면의 두께가 달라서 웨이퍼(5)가 휘어지는 문제가 발생된다. 또한, 웨이퍼(5)의 배면에 막이 불균일하게 형성되기 때문에 공정 진행 후 잔류 가스 펌프시 서셉터(3)의 표면과 웨이퍼의 사이로 압력이 전달되어 웨이퍼 슬라이딩 문제가 발생된다.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결할 수 있는 막 형성 장치를 제공하는 데 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 막 형성 장치를 설명학 위하여 도시한 개략도이다.

도 2는 본 발명에 의한 막 형성 장치를 도시한 단면도이다.

도 3 및 도 4는 종래 기술 및 본 발명에 의하여 웨이퍼 배면에 막이 형성된 상태를 도시한 도면이다.

도 5 및 도 6는 종래 기술 및 본 발명에 의한 웨이퍼 슬라이딩 상태를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내의 지지대 상에 마련되는 서셉터와, 상기 서셉터의 상부에는 소정거리 이격되어 위치하고 웨이퍼 리프터에 의하여 지지되는 웨이퍼를 포함하여 이루어지는 막 형성 장치를 제공한다.

상술한 바와 같이 본 발명의 막 형성 장치는 웨이퍼와 서셉터를 소정거리 이격되어 있어 웨이퍼의 배면(후면)에 막이 균일하게 형성된다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명에 의한 막 형성 장치를 도시한 단면도이다.

구체적으로, 본 발명의 막 형성 장치는 챔버(11) 내의 지지대(13) 상에 서셉터(15)가 마련되어 있으며, 상기 서셉터(15)의 상부에는 웨이퍼 리프터(17)에 의하여 지지되는 웨이퍼(19)가 마련되어 있다. 즉 상기 서셉터(15)와 웨이퍼(19)는 소정의 공간(거리)을 가지고 이격 설치되어 있어 웨이퍼(19) 배면의 막이 균일하게 형성된다. 다시 말하면, 상기 웨이퍼(19)의 배면과 서셉터(15)를 띄어서 공정을 행함으로써 웨이퍼 배면에 막이 균일하게 형성된다. 더욱이, 후속의 펌핑시 웨이퍼(19)와 서셉터(15)의 마찰력에 의한 슬라이딩 현상도 방지할 수 있다.

도 3 및 도 4는 종래 기술 및 본 발명에 의하여 웨이퍼 배면에 막이 형성된 상태를 도시한 도면이다.

구체적으로, 종래기술에 의한 웨이퍼 배면 상태는 도 3에 도시한 바와 같이 엣지 부분(21)은 막, 예컨대 폴리실리콘막이 엣지에서 7∼8mm 형성되어 있고 중앙부분(23)은 막이 형성되지 않은 상태로 되어 있다. 이에 반하여, 본 발명의 웨이퍼 배면은 도 4에 도시한 바와 같이 막(31), 예컨대 폴리실리콘막이 균일하게 형성되어 있다. 도 4에서, 참조 번호 33은 막이 형성되지 않는 부분을 나타낸다. 따라서, 후속공정의 포토공정에서 발생되는 문제점을 해결할 수 있다.

도 5 및 도 6는 종래 기술 및 본 발명에 의한 웨이퍼 슬라이딩 상태를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.

구체적으로, 종래기술에 의한 웨이퍼 슬라이딩 상태는 도 5에 도시한 바와 같이 웨이퍼의 배면에 균일한 막이 형성되어 있지 않기 때문에 웨이퍼(41)가 슬라이딩된다. 도 5에서, 참조번호 43은 원래의 웨이퍼 상태를 나타내며, 참조번호 45는 웨이퍼 가이드 핀을 나타낸다. 이에 반하여, 본 발명에 의한 웨이퍼 슬라이딩 상태는 도 6에 도시한 바와 같이 웨이퍼의 배면에 균일한 막이 형성되어 있어 웨이퍼(51)가 슬라이딩 되지 않는다. 도 6에서, 참조번호 53은 웨이퍼 가이드 핀을 나타낸다.

이상, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식으로 그 변형이나 개량이 가능하다.

상술한 바와 같이 본 발명은 매엽식의 막 형성 장치는 웨이퍼의 배면(후면)에 막이 균일하게 형성되어 후속의 포토공정에서 웨이퍼가 휘어지는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 본 발명은 웨이퍼의 배면에 균일한 막이 형성되어 공정 진행 후 잔류 가스 펌프시 서셉터와 웨이퍼의 사이에 틈이 없어 웨이퍼 슬라이딩 문제를 억제할 수 있다.

Claims (1)

1. 챔버;

   상기 챔버 내의 지지대 상에 마련되는 서셉터; 및

   상기 서셉터의 상부에는 소정거리 이격되어 위치하고 웨이퍼 리프터에 의하여 지지되는 웨이퍼를 포함하여 이루어지는 막 형성 장치.