KR20090044578A - 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090044578A
KR20090044578A KR1020070110718A KR20070110718A KR20090044578A KR 20090044578 A KR20090044578 A KR 20090044578A KR 1020070110718 A KR1020070110718 A KR 1020070110718A KR 20070110718 A KR20070110718 A KR 20070110718A KR 20090044578 A KR20090044578 A KR 20090044578A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
semiconductor device
wafer chuck
vacuum suction
guide ring
Prior art date
Application number
KR1020070110718A
Other languages
English (en)
Inventor
방창진
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020070110718A priority Critical patent/KR20090044578A/ko
Publication of KR20090044578A publication Critical patent/KR20090044578A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 있어서 웨이퍼에 박막을 증착하거나 베벨 에치(Bevel Etch) 공정을 수행할 경우 웨이퍼의 에지 부분에서 흡착 특성이 열화되는 문제가 발생하는데 이를 해결하기 위하여, 웨이퍼와 웨이퍼 척에 별도의 밀폐형 가이드 링(Guide Ring) 및 가이드 링에 연동하여 센터 및 에지에 추가적인 진공 흡착구를 더 구비시킴으로써, 웨이퍼의 흡착 특성을 향상시키고 반도체 소자의 제조 공정을 안정적으로 수행할 수 있도록 하여 반도체 소자의 제조 공정 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법{APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD USING THE SAME}
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 도시한 단면도들.
도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 문제를 도시한 시뮬레이션 데이터들.
도 4는 종래 기술에 따른 문제를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치를 도시한 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 20 : 웨이퍼 50, 100 : 웨이퍼 척
110 : 지지 핀 120: 리프트 핀
130 : 제 1 진공 흡착구 140 : 제 1 가이드 링
150 : 제 2 진공 흡착구 160 : 제 2 가이드 링
170 : 제 3 진공 흡착구
본 발명은 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 있어서 웨이퍼에 박막을 증착하거나 베벨 에치(Bevel Etch) 공정을 수행할 경우 웨이퍼의 에지 부분에서 흡착 특성이 열화되는 문제가 발생하는데 이를 해결하기 위하여, 웨이퍼와 웨이퍼 척에 별도의 밀폐형 가이드 링(Guide Ring) 및 가이드 링에 연동하여 센터 및 에지에 추가적인 진공 흡착구를 더 구비시킴으로써, 웨이퍼의 흡착 특성을 향상시키고 반도체 소자의 제조 공정을 안정적으로 수행할 수 있도록 하여 반도체 소자의 제조 공정 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 물리기상증착(PVD : Physical Vapor Deposition) 또는 화학기상증착(CVD : Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 공정과, 웨이퍼에 형성된 박막들을 패터닝하기 위한 마스크 공정과, 식각 공정 또는 임플란트 공정으로 구분된다.
여기서, 마스크 공정은 웨이퍼 상부에 감광막을 형성하는 공정과, 설계된 패턴이 정의되어 있는 마스크를 이용하여 감광막을 노광하는 공정과, 노광된 감광막을 현상하여 감광막 마스크 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.
다음에는, 감광막 마스크 패턴을 이용하여 웨이퍼를 직접 식각하거나, 웨이퍼 상부의 박막들을 식각하여 반도체 소자를 형성한다.
이와 같은 반도체 소자를 제조하기 위한 일련의 공정들은 모두 웨이퍼 척으로 웨이퍼를 고정시킨 후 수행하게 되는데, 웨이퍼 척이 웨이퍼를 정상적으로 고정시키지 못할 경우 불량이 발생하게 된다.
특히 박막 형성 공정은 일반적으로 스핀 코팅 방법을 사용하는데, 스핀 코팅 방법을 사용할 경우에는 반도체 기판인 웨이퍼의 최 외각 부분에 박막이 불균일하게 형성되는 문제가 발생한다. 웨이퍼 에지부의 박막이 불안정하게 형성되면 박막이 일어나서 벗겨지는 결함으로 작용하고 후속 공정에서 불량 발생 비율을 증가시킨다. 따라서 반도체 소자의 제조 공정 수율을 감소시키게 되므로 이를 방지하기 위하여 웨이퍼에 박막을 형성한 후 웨이퍼 에지 부분의 박막을 제거하는 베벨 에치(Bevel Etch) 공정을 수행하게 된다. 그러나, 베벨 에치 공정을 수행할 경우 웨이퍼의 에지부 배면도 같이 식각되어 웨이퍼를 웨이퍼 척 상부에 흡착시킬 때 웨이퍼가 정상적으로 고정되지 못하는 문제가 발생할 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 1은 웨이퍼(10) 상에 박막을 형성하는 과정에서 웨이퍼(10)에 스트레스가 작용하여 웨이퍼(10)의 에지부가 휘어지는 문제를 도시한 것이다. 따라서, 웨이퍼(10)가 웨이퍼 척(50)과 완전히 밀착되지 못하므로 웨이퍼의 에지 부분에서 진공 누설이 발생하는 문제가 발생한다.
도 2는 박막 형성 공정 중 웨이퍼(20)에 스트레스가 작용하지 않더라도 베벨 에치 공정에서 웨이퍼의 에지 부분이 손상되어 진공 누설이 발생하는 문제를 도시한 것이다.
도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 문제를 도시한 시뮬레이션 데이터들이다.
도 3a는 박막 형성 후 장력(Tensile Stress)이 작용하여 상기 도 1에서와 같이 웨이퍼의 에지부가 말려 올라가는 휨 현상을 시뮬레이션한 것이고, 도 3b는 박막 형성 후 압축 응력(Compressive Stress)이 작용하여 웨이퍼가 오그라드는 휨 현상을 시뮬레이션한 것이다.
도 4는 종래 기술에 따른 문제를 나타낸 그래프이다.
도 4는 캐패시터 형성 공정의 딥 아웃 공정 및 금속 배선 형성 공정을 수행하면서 변화하는 웨이퍼의 부분별 높이를 나타낸 표이다. 각 부분별 높이가 일정하게 변화하지 않고 각 공정마다 불규칙하게 변화하여 웨이퍼가 평면상태로 유지되기 어려움을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 반도체 소자의 제조 공정을 진행하면서 웨이퍼 상부에 박막을 형성할 경우 웨이퍼에 스트레스가 작용하여 웨이퍼가 휘어지는 문제가 발생하고, 베벨 에치 공정을 수행할 경우 웨이퍼 에지부의 배면이 손상되는 문제들이 발생한다. 이들로 인하여 웨이퍼와 웨이퍼 척 사이의 흡착 특성이 열화된다. 이러한 문제는 웨이퍼의 크기가 대형화될수록 더욱더 심각해지고 있으며, 후속 공정이 원활하게 수행되지 못하게 하여 반도체 소자의 제조 공정 수율을 감소시키고 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로, 웨이퍼 척 전면에 웨이퍼의 휨 현상에 대비하여 웨이퍼와의 밀착 특성을 향상시킬 수 있는 위치에 가이드 링(Guide Ring) 및 진공 흡입구를 더 포함하는 반도체 소자의 장치를 제공한다. 특히, 압축 응력에 의해 들뜰 수 있는 웨이퍼의 중심부 또는 베벨 에치 공정에 의해서 진공 누설이 나타날 수 있는 웨이퍼 척의 에지 부분에 추가적인 가이드링 및 진공 흡입구를 더 형성함으로써, 반도체 소자의 제조 공정이 안정적으로 수행될 수 있도록 하는 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치는
웨이퍼 척과,
상기 웨이퍼 척의 평면을 기준으로 한 중심과 에지부의 중간 영역에 구비되는 제 1 진공 흡착구와,
상기 제 1 진공 흡착구의 내측에 구비되며 상기 웨이퍼 척의 상부에 돌출되어 구비되는 제 1 가이드 링(Guide Ring)과,
상기 제 1 가이드 링의 내측에 구비되는 제 2 진공 흡착구와,
상기 제 1 진공 흡착구의 외곽에 구비되며 상기 웨이퍼 척의 상부에 돌출되어 구비되는 제 2 가이드 링(Guide Ring) 및
상기 제 2 가이드 링의 외곽에 구비되는 제 3 진공 흡착구를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 웨이퍼 척은 상기 웨이퍼 척의 전면에 구비되는 지지 핀을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 웨이퍼 척은 상기 웨이퍼 척의 중심부에 삼발이 형태로 구비되는 리프트 핀을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 제 1 및 제 2 가이드 링은 웨이퍼 척의 면적이 허용 가능한 범위 내에서 각각 복수개로 구비시킬 수 있는 것을 특징으로 하고, 상기 제 1 또는 제 2 가이드 링이 복수개로 구비될 경우 각각 3 ~ 6mm의 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하고, 상기 제 2 및 제 3 진공 흡착구는 동일한 간격으로 배열되는 것을 특징으로 한다.
아울러 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법은
웨이퍼를 이중 구조의 가이드 링 및 제 1 내지 제 3 진공 흡착구를 포함하는 웨이퍼 척 상부에 로딩시키는 단계 및
상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 척에 진공 흡착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치 중 웨이퍼 척 부분만 도시한 것으로 박막 형성, 마스크 공정, 식각 또는 임플란트 공정을 수행하는 트랙 장치 내에 구비되는 것이다.
먼저, 웨이퍼 척(100)의 상부에 지지핀(110)들이 구비된다. 지지핀(110)은 미세한 돌기 형태로 구비되어 웨이퍼를 균등하게 지지할 수 있게 해준다.
다음에는, 웨이퍼 척(100)의 중심부에 삼발이 형태로 리프트 핀(Lift Pin)(120)이 구비된다. 리프트 핀(120)은 웨이퍼를 수평 상태로 상/하 운동시키며 웨이퍼가 웨이퍼 척(100)에 안전하게 로딩되거나 탈착될 수 있도록 한다.
그 다음에는, 웨이퍼 척(100)의 중심부와 에지부 사이의 중간 영역에 제 1 진공 흡착구(130)가 구비된다. 제 1 진공 흡착구(130)는 진공 펌프와 연결되어 웨이퍼를 진공 흡착 방식으로 고정시킬 수 있도록 한다. 그러나, 이때 웨이퍼에 결함이 발생할 경우 진공 누설이 발생하여 흡착 특성이 열화될 수 있으므로 흡착 특성이 취약해지는 부분에 별도의 가이드 링(140, 160) 및 진공 흡착구(150, 170)를 더 형성한다.
여기서, 제 1 진공 흡착구(130)를 기준으로 제 1 진공 흡착구(130) 보다 내측에 구비되는 가이드 링을 제 1 가이드 링(140)이라 하고, 제 1 가이드 링(140)의 내측에 구비되는 진공 흡착구를 제 2 진공 흡착구(150)라고 하면, 제 1 가이드 링(140) 및 제 2 진공 흡착구(150)는 웨이퍼에 압축 응력이 작용하여 웨이퍼의 중심부가 볼록하게 되는 경우에 웨이퍼의 중심부 흡착 특성을 보완할 수 있도록 한다.
또한, 제 1 진공 흡착구(130)를 기준으로 외곽에 구비되는 제 2 가이드 링(160) 및 제 2 가이드 링(160)의 외곽에 구비되는 제 3 진공 흡착구(170)는 웨이퍼에 장력이 작용하거나, 베벨 에치 공정에 의하여 웨이퍼의 에지부가 손상된 경우 에지부에서의 흡착 특성을 강화시킬 수 있다.
이러한, 제 1 가이드 링(140) 또는 제 2 가이드 링(160)은 웨이퍼 척(100)의 면적이 허용되는 범위 내에서 각각 복수개로 형성될 수 있다. 그리고, 제 2 진공 흡착구(150) 또는 제 3 진공 흡착구 또한 웨이퍼 척(100)의 면적을 고려하여 복수개로 형성할 수 있다. 이때, 제 1 및 제 2 가이드 링(140, 160)은 3 ~ 6mm 의 간격으로 형성하고, 제 2 및 제 3 진공 흡착구(150, 170)는 균등한 배열로 형성하는 것 이 바람직하다.
이와 같은 웨이퍼 척은 웨이퍼를 고정하는 모든 장비에 적용할 수 있으며 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법에 대한 일 실시예는 다음과 같다.
먼저, 웨이퍼 상부에 박막을 형성한다. 이때, 웨이퍼에 스트레스가 작용하여 에지 부분에 휨 현상이 발생할 수 있다.
다음에는, 베벨 에치(Bevel Etch) 공정을 수행하여, 웨이퍼의 에지 부분에서 발생될 수 있는 파티클(Particle) 또는 파티클 소스(Particle Soure)들을 제거한다.
그 다음에는, 베벨 에치 공정이 수행된 웨이퍼를 제 1 및 제 2 가이드 링 및 제 1 내지 제 3 흡착구를 포함하는 웨이퍼 척에 로딩시킨다.
그 다음에는, 웨이퍼 척에 구비되는 제 1 내지 제 3 흡착구를 통하여 웨이퍼및 웨이퍼 척 사이의 공간을 진공 상태로 만든다. 이때, 제 1 및 제 2 가이드 링에 의해서 웨이퍼에 발생한 결함들에 상관없이 진공 상태를 유지할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 웨이퍼상에 형성된 박막에 의해서 웨이퍼에 휨 현상이 발생하는 문제 또는 웨이퍼의 에지부에 발생하는 결함 요소를 제거하기 위하여 베벨 에치(Bevel Etch) 공정을 수행할 경우 웨이퍼의 에지 부분 배면도 식각 되는 문제로 인하여 웨이퍼 척에 웨이퍼가 정상적으로 흡착되지 못하는 문제가 발생하게 되었다. 따라서, 이를 해결하기 위하여 웨이퍼 척에 별도의 가이드 링 및 흡착구를 더 포함하는 반도체 소자의 장치를 제공한다. 웨이퍼의 에지부분에서 휨 현상이 심화되는 부분 또는 베벨 에치 공정 시 손상이 심하게 나타날 수 있는 웨이퍼의 에지 부를 중심으로 웨이퍼와 직접적으로 맞닿을 수 있을 정도의 가이드 링을 더 형성함으로써, 진공 흡착이 안정적으로 수행될 수 있도록 하고 반도체 소자의 제조 공정이 안정적으로 수행될 수 있도록 한다. 따라서 후속의 공정 시 웨이퍼를 단단하게 고정시키고 공정을 진행하여 반도체 소자의 제조 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치 및 제조 방법은 웨이퍼의 휨 현상이 심화되는 부분 또는 베벨 에치(Bevel Etch) 공정 시 손상이 심한 부분에 대응하는 웨이퍼 척의 부분에 흡착 특성을 강화할 수 있도록 추가적인 가이드 링 및 흡착구를 더 형성함으로써, 진공 누설 문제를 해결하고 반도체 소자의 제조 공정 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 웨이퍼 척을 포함하는 반도체 소자의 제조 장치에 있어서,
    상기 웨이퍼 척의 평면을 기준으로 한 중심과 에지부의 중간 영역에 구비되는 제 1 진공 흡착구;
    상기 제 1 진공 흡착구의 내측에 구비되며 상기 웨이퍼 척의 상부에 돌출되어 구비되는 제 1 가이드 링(Guide Ring);
    상기 제 1 가이드 링의 내측에 구비되는 제 2 진공 흡착구;
    상기 제 1 진공 흡착구의 외곽에 구비되며 상기 웨이퍼 척의 상부에 돌출되어 구비되는 제 2 가이드 링(Guide Ring); 및
    상기 제 2 가이드 링의 외곽에 구비되는 제 3 진공 흡착구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은 상기 웨이퍼 척의 전면에 구비되는 지지 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은 상기 웨이퍼 척의 중심부에 삼발이 형태로 구비되는 리프트 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가이드 링은 웨이퍼 척의 면적이 허용 가능한 범위 내에서 각각 복수개로 구비시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 또는 제 2 가이드 링이 복수개로 구비될 경우 각각 3 ~ 6mm의 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 및 제 3 진공 흡착구는 동일한 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 장치.
  7. 웨이퍼를 상기 청구항 1의 웨이퍼 척 상부에 로딩시키는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 척에 진공 흡착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.
KR1020070110718A 2007-10-31 2007-10-31 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 KR20090044578A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070110718A KR20090044578A (ko) 2007-10-31 2007-10-31 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070110718A KR20090044578A (ko) 2007-10-31 2007-10-31 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090044578A true KR20090044578A (ko) 2009-05-07

Family

ID=40855121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070110718A KR20090044578A (ko) 2007-10-31 2007-10-31 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090044578A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014171584A1 (ko) * 2013-04-16 2014-10-23 (주)월덱스 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척
KR101475507B1 (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 비전세미콘 주식회사 웨이퍼 제조용 오븐

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014171584A1 (ko) * 2013-04-16 2014-10-23 (주)월덱스 평탄도 유지와 치핑방지에 용이한 반도체 제조설비용 진공 척
KR101475507B1 (ko) * 2013-06-13 2014-12-23 비전세미콘 주식회사 웨이퍼 제조용 오븐

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240158942A1 (en) Substrate supporting plate, thin film deposition apparatus including the same, and thin film deposition method
US7319073B2 (en) Method of reducing silicon damage around laser marking region of wafers in STI CMP process
US6106631A (en) Plasma processing apparatus
TW506005B (en) Method for manufacturing of a semiconductor device
KR20090044578A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
CN111048449B (zh) 边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法
KR20090044551A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
US6165276A (en) Apparatus for preventing plasma etching of a wafer clamp in semiconductor fabrication processes
TWI753580B (zh) 基板處理設備及基板處理方法
US11107681B2 (en) Method of fabricating semiconductor device by removing material on back side of substrate
TWI438854B (zh) 基板處理裝置及其方法
US10109474B1 (en) Method for fabricating handling wafer
KR101037467B1 (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
KR20090025806A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
KR100820592B1 (ko) 피처리물 수용부가 형성된 서셉터 및 그러한 서셉터를구비한 화학 기상증착 장치
KR200495161Y1 (ko) 기판지지부 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR20080072238A (ko) 반도체 소자 제조 시스템
KR20090044571A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
KR20090052703A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
KR20090044585A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법
KR20070000280A (ko) 반도체소자 제조설비의 기판 이송장치
KR100644050B1 (ko) 반도체 소자의 감광막 패턴 결함 검사 방법 및 이를 적용한반도체 소자의 콘택홀 형성 방법
KR20060136250A (ko) 반도체소자 제조설비의 기판 이송장치
KR20230094365A (ko) 기판 지지 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20070020580A (ko) 기판 지지장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination