KR19990055144A - Post-etching method of polysilicon film during semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 분야에 관한 것으로, 특히 반도체 장치 제조 공정중 폴리실리콘막의 식각후처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 폴리실리콘막 식각후 효율적으로 폴리머를 제거하는 폴리실리콘막 식각 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 폴리실리콘막을 통상적인 플라즈마 방식을 사용하여 식각하고, 식각시 발생한 폴리머를 CF4가스를 사용한 플라즈마 방식으로 제거하는 기술이다. 플라즈마 방식의 식각 방법은 근본적으로 화학적 반응과 함께 물리적 반응을 이용하는 것으로, 습식 공정에 비해 그 공정시간이 크게 단축되며, 후속 공정시 파티클 발생 가능성이 적은 공정이다. 또한, CF4가스는 기판에 대한 식각 선택비를 확보할 수 있어 플라즈마에 의한 기판 손상을 방지할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of semiconductor manufacturing, and more particularly, to a method of post-etching a polysilicon film during a semiconductor device manufacturing process. It is an object of the present invention to provide a polysilicon film etching method for efficiently removing a polymer after etching a polysilicon film. The present invention is a technique for etching a polysilicon film using a conventional plasma method, and removes the polymer generated during etching by a plasma method using CF 4 gas. Plasma etching method is basically a physical reaction and a chemical reaction, the process time is significantly shorter than the wet process, it is a process that is less likely to generate particles during the subsequent process. In addition, the CF 4 gas can secure an etching selectivity with respect to the substrate to prevent the substrate damage by the plasma.
Description
본 발명은 반도체 제조 분야에 관한 것으로, 특히 반도체 장치 제조 공정중 폴리실리콘막의 식각후처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of semiconductor manufacturing, and more particularly, to a method of post-etching a polysilicon film during a semiconductor device manufacturing process.
폴리실리콘막은 그 자체의 저항이 높아 저항 소자로 사용되는 한편, 불순물 도핑을 통해 배선 재료로도 사용되고 있다. 특히 워드라인, 비트라인, 캐패시터의 전극 재료 등으로 널리 사용되고 있다.The polysilicon film is used as a resistance element due to its high resistance, and is also used as a wiring material through doping with impurities. In particular, it is widely used as an electrode material of word lines, bit lines, capacitors, and the like.
종래에는 폴리실리콘막 식각시 소정 형상의 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 Cl2가스와 HBr 가스를 소오스로 하는 플라즈마 방식의 식각 방법으로 폴리실리콘막을 패터닝 한 다음, 포토레지스트 패턴을 제거하였다. 그런데, 식각시 폴리실리콘막 패턴 측벽에 발생한 폴리머가 포토레지스트 제거 후에도 계속하여 잔류하기 때문에 이를 제거하기 위하여 불산(HF) 용액을 사용한 세정 공정을 실시해야만 했다.Conventionally, the polysilicon film is patterned by a plasma etching method using a photoresist pattern having a predetermined shape as an etching mask as a source of etching the Cl 2 gas and the HBr gas when the polysilicon film is etched, and then the photoresist pattern is removed. However, since the polymer generated on the sidewalls of the polysilicon layer during etching remains after the photoresist is removed, a cleaning process using a hydrofluoric acid (HF) solution has to be removed.
그러나, 이러한 습식 공정은 근본적으로 화학적 반응에 의존하기 때문에 그 반응 속도가 느리고, 후속 공정시 파티클(particle) 발생의 우려가 있어 효율적인 공정이라 할 수 없다.However, such a wet process is fundamentally dependent on a chemical reaction, and thus the reaction rate is slow, and there is a fear of particle generation in a subsequent process, which is not an efficient process.
본 발명은 폴리실리콘막 식각후 효율적으로 폴리머를 제거하는 폴리실리콘막 식각 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a polysilicon film etching method for efficiently removing a polymer after etching a polysilicon film.
본 발명은 폴리실리콘막을 통상적인 플라즈마 방식을 사용하여 식각하고, 식각시 발생한 폴리머를 CF4가스를 사용한 플라즈마 방식으로 제거하는 기술이다. 플라즈마 방식의 식각 방법은 근본적으로 화학적 반응과 함께 물리적 반응을 이용하는 것으로, 습식 공정에 비해 그 공정시간이 크게 단축되며, 후속 공정시 파티클 발생 가능성이 적은 공정이다. 또한, CF4가스는 기판에 대한 식각 선택비를 확보할 수 있어 플라즈마에 의한 기판 손상을 방지할 수 있다.The present invention is a technique for etching a polysilicon film using a conventional plasma method, and removes the polymer generated during etching by a plasma method using CF 4 gas. Plasma etching method is basically a physical reaction and a chemical reaction, the process time is significantly shorter than the wet process, it is a process that is less likely to generate particles during the subsequent process. In addition, the CF 4 gas can secure an etching selectivity with respect to the substrate to prevent the substrate damage by the plasma.
상술한 본 발명의 기술적 원리로부터 제공되는 특징적인 폴리실리콘막 식각 방법은 소정의 하부 구조가 형성된 기판 상에 폴리실리콘막을 형성하는 제1 단계; 상기 폴리실리콘막을 플라즈마 식각 방식을 사용하여 선택 식각하는 제2 단계; 및 CF4가스를 사용한 플라즈마 식각 방식을 사용하여 상기 제2 단계 수행시 발생한 폴리머를 제거하는 제3 단계를 포함하여 이루어진다.The characteristic polysilicon film etching method provided from the above-described technical principles of the present invention includes a first step of forming a polysilicon film on a substrate on which a predetermined substructure is formed; Selectively etching the polysilicon layer using a plasma etching method; And a third step of removing the polymer generated when the second step is performed using a plasma etching method using CF 4 gas.
이하, 본 발명의 실시예를 소개한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be introduced.
우선, 소정의 하부 구조가 형성된 기판 상에 폴리실리콘막을 증착한다.First, a polysilicon film is deposited on a substrate on which a predetermined substructure is formed.
다음으로, 폴리실리콘막 상에 포토레지스트를 도포하고, 이를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.Next, a photoresist is applied on the polysilicon film, and the photoresist is exposed and developed to form a photoresist pattern.
계속하여, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 플라즈마 방식의 식각을 진행하여 폴리실리콘막을 식각한다. 이때, 플라즈마 형성을 위한 소오스 가스로서 Cl2가스와 HBr 가스를 사용한다.Subsequently, plasma etching is performed using the photoresist pattern as an etching mask to etch the polysilicon film. At this time, Cl 2 gas and HBr gas are used as the source gas for plasma formation.
이어서, 식각시 폴리실리콘막 패턴 측벽 부분 및 기판에 형성된 폴리머를 제거하기 위하여 CF4가스를 사용한 플라즈마 방식의 식각을 실시한다. 이때, 반응실의 압력은 200∼300mTorr(바람직하게는 250mTorr)로 조절하며, CF4가스의 유량은 300∼500sccm(바람직하게는 400sccm)으로 제어한다. 그리고, 폴리실리콘막 식각과 인-시츄(in-situ)로 진행할 수 있다.Subsequently, plasma etching is performed using CF 4 gas to remove the polymer formed on the polysilicon film pattern sidewall portion and the substrate during etching. At this time, the pressure in the reaction chamber is adjusted to 200 to 300 mTorr (preferably 250 mTorr), and the flow rate of CF 4 gas is controlled to 300 to 500 sccm (preferably 400 sccm). In addition, the polysilicon layer may be etched and in-situ.
이후, O2가스를 사용하여 잔류하는 포토레지스트 패턴을 제거한다.Thereafter, the remaining photoresist pattern is removed using an O 2 gas.
상술한 바와 같이 본 발명은 폴리실리콘막의 식각과 폴리머 제거 공정을 인-시츄로 진행할 수 있어 공정 단순화 및 자연산화막 방지에 기여할 수 있다.As described above, the present invention can proceed the in-situ etching of the polysilicon film and the polymer removal process, thereby contributing to the process simplification and natural oxide film prevention.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.
이상에서와 같이 본 발명은 플라즈마 식각 방식을 사용한 폴리실리콘막 식각후처리를 실시함으로써 공정시간을 단축하고, 후속 공정시 파티클 발생 가능성을 감소시키며, 인-시츄 공정이 가능하여 공정 단순화 및 자연 산화막 방지의 효과가 있다.As described above, the present invention shortens the processing time by performing the polysilicon film post-etching treatment using the plasma etching method, reduces the possibility of particle generation in the subsequent process, and enables in-situ process to simplify the process and prevent natural oxide film. Has the effect of.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970075056A KR19990055144A (en) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | Post-etching method of polysilicon film during semiconductor device |
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| KR1019970075056A KR19990055144A (en) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | Post-etching method of polysilicon film during semiconductor device |
Publications (1)
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| KR19990055144A true KR19990055144A (en) | 1999-07-15 |
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| KR1019970075056A Withdrawn KR19990055144A (en) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | Post-etching method of polysilicon film during semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990055144A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020052482A (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 박종섭 | A method for forming a capacitor of a semiconductor device |
-
1997
- 1997-12-27 KR KR1019970075056A patent/KR19990055144A/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020052482A (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 박종섭 | A method for forming a capacitor of a semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19971227 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
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