KR19990044926A - 결정의 분쇄제조방법 - Google Patents

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게르하르트 아스트
마테으스 샨쯔
프리드릿히 스테이텐
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에리히 프란케 ; 칼 하인츠 룀뵈크
와커-헤미 게엠베하
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Abstract

본 발명은 로드형상의 결정을 분쇄제조하는 방법에 관한 것이며, 이 경우 충격효력을 가진 충격이 결정에 전달된다.

Description

결정의 분쇄제조방법
본 발명은 로드형상의 결정, 특히 실리콘결정로드의 분쇄제조방법에 관한 것이다.
순수실리콘은 예컨데 트리클로로실란 등의 실리콘화합물의 열분해에 의해 획득되며, 이 경우 다결정로드로 종종 제조된다.
결정로드는 단결정 제조를 위한 개시물질로서 필요하다.
"조크랄스키" 방법에 의해 단결정을 제조하기 위해, 제일먼저 결정로드가 파쇄로 분쇄되는 것이 필요하며, 파쇄는 도가니에서 융해된다.
그 다음 단결정이 씨결정(seed crystal)으로 시작되는 생성된 융해물에서 끌어내린다.
결정로드의 분쇄에 대한 여러방법이 이미 제안되었다.
유럽특허 EP-573855A1에는 결정로드가 충격파를 사용하여 쪼개지는 방법이 기술되었으며, 독일특허 DE-4316626 A1에는 고압물분사가 결정로드에 발사되는 분쇄방법을 취급하고 있다.
독일특허 DE-3811091 A1의 제안은 먼저 가열작용으로 결정로드를 느슨하게 한 다음 기계적 힘의 작용으로 그것을 분쇄하는 것이다.
상기의 분쇄방법은 파편의 대부분이 조개같은 윤곽을 가지고 있는 단점을 가지고 있다. 이런형의 파편으로 채워진 도가니는 비교적 적게 채우게 되며, 이런 파편형상은 필요한 계속적인 분쇄를 시행하기 어렵고 도가니에서의 웅해시간을 길게함으로 불리하다.
결정로드가 조개형상의 파편으로 쪼개지는 사실은 결정로드가 제조시 노출되는 열응역으로 대부분 기인되며, 결정로드가 냉각된 후에는 이들 응력은 기계적 프리스트레스로 남아있게 된다.
본 발명은 분쇄된 물질에 있는 조개형상의 파편부분을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 로드형상의 결정을 분쇄제조하는 방법에 관한 것이며, 충격효력을 가진 충격이 결정에 전달된다.
제안된 방법은 상기 목적을 달성할뿐 아니라 계속되는 분쇄시 소비되느 에너지가 지금까지 필요한 것으로 고려된 에너지보다 적게드는 기대외의 이점을 가지고 있다.
이 결과에 대한 하나의 가능한 설명은 결정로드가 분쇄전에 요구된 사전처리를 받게되며는 적어도 상기의 기계적 프리스트레스의 얼마가 경감된다는 것이다.
사전처리는 결정로드에 충격을 전달하는 데 있으며, 충격의 충격적효과 때문에 결정로드는 미소한 균열이 전길이를 통하여 형성될만큼 진동된다.
그럼으로 사전처리는 결정로드의 초기파쇄로서 간주된다.
임펄스는 로드의 단부로부터 바람직하게는 적어도 150mm 떨어져 있는 결정로드의 외측면상에 있는 지점에 전달되여야 한다.
이에 대한 다른 방안으로서는, 로드의 단부면의 중앙영역이 또한 전달지점으로서 선택될 수 있다.
결정로드의 사전처리시 결정로드는 거의 파편으로 분쇄되지 않는다.
그러나, 사전처리시 조각으로 꺾어지거나, 2개 또는 3개부분으로 분리되는 경우에도, 본 발명의 범주내에 있다.
임펄스는 결정로드에 대해서 1회 이상 때리는 기계적 충격공구, 예컨데 망치에 의해 전달되며, 이 경우 때림의 수, 충격공구의 질량 및 충격공구가 결정로드를 때리는 속도는 반복실험에 의해 확정된다.
결정의 오염됨을 방지하기 위하여 결정과 접속하는 충격공구의 작동면은 가능한 작게 결정로드를 오염시키는 재료로 구성된다.
사선처리의 또 다른 가능성은 고압하에 액체분사, 바람직하게는 물분사 및 결정로드에 1개이상의 펄스를 발사하는 것이다.
변경된 이 방법에서는 다양한 파라미터가 설정되고 예비실험에 의해 극대화되여야 한다.
50∼300mm의 직경 및 적어도 500mm의 길이를 가진 실리콘으로 된 결정로드에 대하여는 테이블 1에 주어진 파라미터를 유지하는 것이 특히 유익한 것으로 알려지고 있다.
테이블 1
취급파라미터 바람직한 것 특히 바람직한 것
펄스길이 2∼15 S 10 S
펄스의 수 1∼5 1
초기 액체압력 1.8∼5 kbar 2.5 kbar
노즐직경 0.3∼1.0mm 0.6mm
노즐과 로드의 외측면간의 거리 10∼50mm 20mm
노즐과 로드단부간의 거리 150∼1000mm 250mm
충격파처리의 성과에 상당한 영향을 가진 취급파라미터는 충격파 펄스를 발생하기 위해 공급된 에너지, 펄스의 길이, 펄스의 수, 충격파원과 로드 단부간의 거리 및 충격파가 그의 목표물에 집중되였나의 여부등이 포함되여 있다.
50∼300mm의 직경 및 적어도 500mm의 길이를 가진 실리콘결정로드는 테이블 2에 나타낸 취급파라미터를 사용할 때 바람직하게는 충격파에 노출되여야 한다.
테이블 1
취급파라미터 바람직한 것 특히 바람직한 것
펄스에너지 5∼15 KJ 12 KJ
펄스길이 1∼5*10-5S 3*10-5S
펄스의 수 1∼10 3
집중여부 함 또는 않음 함
충격파원과 로드단부간의 거리 150∼1000mm 250mm
도 1은 워터제트펄스를 사용한 결정로드의 초기파쇄용 장치의 개략도이다.
도 2는 충격파작용을 사용한 결정로드의 초기파쇄에 적합한 장치를 나타낸다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 고압펌프 2: 작용액체
3: 압력관 4: 밸브
5: 노즐 6: 분사구(jet)
7: 단부면(end face) 8: 결정로드(crystal rod)
9: 지지물 10: 수조(water bath)
11: 충격파원 12: 전원
13: 탄성막
본 발명의 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
물분사를 사용한 초기파쇄의 경우에 있어서, 고압펌프(1)는 저장용기에서 작용액체, 바람직하게는 초순수물(ultra pure water)을 흡입한다(도 1).
그 다음, 작용액체는 요구된 초기압력으로 인도되여 압력관(3) 및 밸브(4)를 통하여 노즐(5)에 운반된다.
노즐(5)에서 밖으로 나온 분사구(6)는 로드단부에서 특정거리(A)에 있으며 로드의 외측면에 대하여 유도된다.
이에 대한 다른 방안으로서, 분사구(6)를 또한 로드의 단부면(7)의 중앙영역으로 유도할 수 있다.
결정로드(8)는 그러는 동안에 지지물(9)에 놓여있다.
충격파의 작용을 이용하여 초기파쇄의 경우에는(도 2), 결정로드(8)는 지지물(9)에 가로놓여 수조(10)에 위치하게 된다.
로드의 단부에서 거리(B)에 있는 전기공급원(12)에 접속된 충격파원(11)은 로드의 외측면상에 위치하게 된다.
충격파펄스는 충격파원의 전극간에 있는 아크를 때림으로서 발생하며, 그 다음 충격파는 탄성막(13)을 통하여 결정로드의 외측면에 전달된다.
본 발명에 의한 사선처리가 완료된 후, 이와같이 제조된 결정로드는 다음 그룹에서 선정된 1개 방법에 의하여 바람직하게 파쇄된다: 망치, 끌, 분쇄기(mill), 조분쇄기(jaw breaker), 롤러, 액체분사기 및 충격파.
본 방법은 로드상결정을 분쇄하는 방법이며, 이 경우 충격효과를 가진 충격이 결정에 절단됨으로서 이루어 진다.
본 방법은 상기의 목적뿐 아니라, 계속적인 분쇄에 있어서, 지금까지 필요한 것으로 고려된 에너지보다 작은 에너지가 소요된다는 예기치 않은 이점도 가지고 있다.
이것은 분쇄전에 예비처리방법을 통하여 달성되는 것이다.

Claims (4)

  1. 로드형상의 결정을 분쇄제조하는 방법에 있어서,
    충격효력을 가진 충격이 결정에 전달되는 것을 특징으로 하는 결정의 분쇄제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    충격은 기계적 충격공구에 의해 전달되는 것을 특징으로 하는 결정의 분쇄제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    충격은 액체분사에 의해 전달되는 것을 특징으로 하는 결정의 분쇄제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    충격은 충격파에 의해 전달되는 것을 특징으로 하는 결정의 분쇄제조방법.
KR1019980046148A 1997-11-06 1998-10-30 결정의 분쇄제조방법 KR19990044926A (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19834447A1 (de) 1998-07-30 2000-02-10 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum Behandeln von Halbleitermaterial
US6874713B2 (en) 2002-08-22 2005-04-05 Dow Corning Corporation Method and apparatus for improving silicon processing efficiency
DE102011089356A1 (de) 2011-12-21 2013-06-27 Wacker Chemie Ag Polykristallines Siliciumstück und Verfahren zum Brechen eines Siliciumkörpers
CN108295994B (zh) * 2018-02-07 2019-06-21 亚洲硅业（青海）有限公司 一种高压电极以及应用该高压电极的多晶硅破碎装置
CN112334232A (zh) 2018-07-04 2021-02-05 三菱综合材料株式会社 半导体原料的破碎方法或裂纹产生方法及半导体原料块的制造方法
JP2021107042A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 三菱マテリアル株式会社 半導体材料の破砕方法又はクラック発生方法、及び半導体材料塊の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD283032A7 (de) * 1988-05-19 1990-10-03 Bauakademie Ddr Anordnung zur nichtmechanischen zerstoerung von beton/stahlbeton und gesteinen
DE4218283A1 (de) * 1992-05-27 1993-12-02 Wacker Chemitronic Verfahren zum kontaminationsfreien Zerkleinern von Halbleitermaterial, insbesondere Silicium
DE19543914C1 (de) * 1995-11-27 1997-01-02 Marcon Immobilien Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Feststoffen

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