KR19990039394A - 반도체 램프가열 공정챔버 - Google Patents

반도체 램프가열 공정챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR19990039394A
KR19990039394A KR1019970059482A KR19970059482A KR19990039394A KR 19990039394 A KR19990039394 A KR 19990039394A KR 1019970059482 A KR1019970059482 A KR 1019970059482A KR 19970059482 A KR19970059482 A KR 19970059482A KR 19990039394 A KR19990039394 A KR 19990039394A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lamp
wafer
main body
process chamber
light
Prior art date
Application number
KR1019970059482A
Other languages
English (en)
Inventor
박철규
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970059482A priority Critical patent/KR19990039394A/ko
Publication of KR19990039394A publication Critical patent/KR19990039394A/ko

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 램프에서 발생하는 빛을 웨이퍼에 집중시키도록 종래의 투명창 대신 볼록렌즈를 설치함으로써 가열효과를 증폭시켜서 설비의 효율을 향상시키게 하는 반도체 램프가열 공정챔버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 램프가열 공정챔버는, 내부에 진공압을 형성하고, 웨이퍼를 가열하여 공정이 수행되도록 하는 본체와, 상기 본체의 일측에 형성된 통로를 통하여 웨이퍼에 빛과 열을 공급하는 램프와, 상기 통로에 설치되어 상기 램프에서 발생한 빛을 굴절시켜서 상기 램프의 빛을 웨이퍼에 집중시키는 렌즈 및 상기 램프를 보호하는 하우징을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 램프에서 발생하는 빛을 웨이퍼에 집중시키도록 종래의 투명창 대신 볼록렌즈를 설치함으로써 가열효과를 증폭시키고, 설비의 효율을 향상시키며, 에너지 소모를 적게 하는 효과를 갖는다.

Description

반도체 램프가열 공정챔버
본 발명은 반도체 램프가열 공정챔버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 램프에서 발생하는 빛을 웨이퍼에 집중시키도록 종래의 투명창 대신 볼록렌즈를 설치함으로써 가열효과를 증폭시켜서 설비의 효율을 향상시키게 하는 반도체 램프가열 공정챔버에 관한 것이다.
일반적으로 포토리소그래피(Photolithography)공정은 웨이퍼의 최상층을 선택적으로 제거하거나 웨이퍼에 패턴을 형성하는 기술로서, 웨이퍼에 필요로 하는 기능을 만족시키는 회로를 설계한 후에, 이를 토대로 마스크를 제작하고, 제작된 상기 마스크에 광원을 통과시켜 포토레지스트(Photoresist)가 도포된 웨이퍼를 노광하며, 상기 노광으로 내부구조가 변화된 포토레지스트를 선택 또는 제거하는 현상공정과, 상기 현상과정으로 형성된 포토레지스트 패턴에 따라 노출된 웨이퍼의 표면을 선택적으로 제거하는 식각공정 및 최종적으로 잔류하는 포토레지스트층을 제거하는 스트리핑(Stripping)공정을 수행함으로써 이루어진다.
이러한 과정에 있어서 웨이퍼의 표면이나 기판을 손상시키지 않으면서 잔존하는 포토레지스트층을 완전하게 제거하는 스트리핑공정은 습식 및 건식으로 나눌 수 있다.
습식 스트리핑은 스트리핑공정에서 포토레지스트층을 웨이퍼에서 분리시키는 매개체로 사용되는 스트리퍼(Stripper)로써 유기물, 크롬 황산 혼합물, 수성 아민 및 그 밖에 여러 가지 용제를 사용한다.
한편, 건식 스트리핑은 상기 습식 스트리핑설비에서 사용되는 약품이나 케미컬 배스가 필요하지 않으며 플라즈마를 이용하여 산소를 여기시키고 여기된 산소가 포토레지스트성분을 산화시키는 방식으로 포토레지스트층을 제거한다.
상기 건식 스트리핑공정에 사용되는 설비로서 램프의 강한 빛을 이용하여 웨이퍼의 표면을 가열한 후 프라즈마에 의한 에너지를 포토 레지스트에 가함으로써 포토 레지스트를 깍아내는 에이에스피(A.S.P; Advanced Strip Passivation) 챔버가 있다.
이러한 종래의 반도체 램프가열 공정챔버는, 도1에서와 같이, 일반적으로 내부에 진공압을 형성하고, 웨이퍼(10)를 파지하는 척(11)을 설치하여 파지한 웨이퍼(10)를 가열하는 본체(12)와, 상기 본체(12)의 일측에 형성된 통로를 통하여 웨이퍼에 빛과 열을 공급하는 램프(15)와, 상기 통로에 설치되어 상기 램프(15)에서 발생한 빛을 통과시켜서 상기 램프(15)의 빛을 웨이퍼(10)에 전달시키는 창(13)과, 상기 램프(15)를 보호하는 하우징(16)를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 본체(12)와 상기 램프(15)사이에 상기 본체(12)의 진공압을 유지하기 위하여 패킹부재(14)를 설치하게 된다.
상기 창(13)은 일반적으로 평판형 투명창을 사용하고 있다.
그러나, 상기와 같은 평판형 투명창을 상기 웨이퍼와, 상기 램프사이에 설치하여 상기 램프에서 발생한 빛을 통과시키는 종래의 반도체 램프가열 공정챔버는 상기 창을 통과한 빛이 웨이퍼 외에 챔버내의 다른 곳에도 조사되기 때문에 가열효과가 떨어지고 에너지 소모율이 높은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 램프에서 발생하는 빛을 웨이퍼에 집중시키도록 종래의 투명창 대신 볼록렌즈를 설치함으로써 가열효과를 증폭시키고, 설비의 효율을 향상시키며, 에너지 소모를 적게 하는 반도체 램프가열 공정챔버를 제공함에 있다.
도1은 종래의 반도체 램프가열 공정챔버를 나타낸 부분단면도이다.
도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 램프가열 공정챔버를 나타 낸 부분단면도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10, 20: 웨이퍼 11, 21: 척
12, 22: 본체 13: 창
14, 24: 패킹부재 15, 25: 램프
16, 26: 하우징 23: 렌즈
상기의 목적은 내부에 진공압을 형성하고, 웨이퍼를 가열하여 공정이 수행되도록 하는 본체와, 상기 본체의 일측에 형성된 통로를 통하여 웨이퍼에 빛과 열을 공급하는 램프와, 상기 통로에 설치되어 상기 램프에서 발생한 빛을 굴절시켜서 상기 램프의 빛을 웨이퍼에 집중시키는 렌즈 및 상기 램프를 보호하는 하우징을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 램프가열 공정챔버에 의해 달성될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명 한다.
도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 램프가열 공정챔버를 나타낸 부분단면도이다.
도2를 참조하여 설명하면 본 발명의 반도체 램프가열 공정챔버는 내부에 웨이퍼(20)를 파지하는 척(21)을 설치하고, 진공압을 형성한 후 웨이퍼(20)를 가열하여 공정이 수행되도록 하는 본체(22)와, 상기 본체(22)의 일측에 형성된 통로를 통하여 웨이퍼(20)에 빛과 열을 공급하는 램프(25)와, 상기 통로에 설치되어 상기 램프(25)에서 발생한 빛을 굴절시켜서 상기 램프(25)의 빛을 웨이퍼(20)에 집중시키는 렌즈(23) 및 상기 램프(25)를 보호하는 하우징(26)을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 본체(22)와 상기 램프(25)사이에 상기 본체(22)의 진공압을 유지하기 위하여 패킹부재(24)를 설치한다.
상기 렌즈(23)의 형태는 상기 웨이퍼(20)의 표면에 빛이 집중되고, 상기 웨이퍼(20)의 표면이 골고루 가열될 수 있도록 조사면적이 웨이퍼면적과 일치하는 초점을 가진 원판형 볼록렌즈를 사용한다.
또한, 상기 렌즈(23)의 조사면적이 웨이퍼면적과 일치하도록 상기 렌즈(23)의 초점거리를 조절하는 초점조절장치를 설치하는 것이 가능하다.
이상에서 도시하지는 않았지만 본 발명의 반도체 램프가열 공정챔버에는 상기 램프(25)에 전원을 공급하는 전원공급부와, 상기 본체(22)의 내부에 프라즈마를 발생시키는 프라즈마 발생장치와, 웨이퍼(20)를 로딩 및 언로딩하는 웨이퍼 이송장치 및 반응가스를 공급하는 가스공급장치 등이 설치된다.
따라서, 상기 램프(25)에서 발생한 빛이 상기 렌즈(23)를 통과하면서 굴절되고, 상기 웨이퍼(20)의 표면에 집중적으로 조사될 수 있으므로 종래와 같은 용량의 램프(25)를 사용하면 가열시간을 단축시킬 수 있게 되고, 종래와 동일한 시간의 가열효과를 종래보다 작은 용량의 램프로도 달성할 수 있으므로 에너지 소모를 줄일 수 있게 된다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 반도체 램프가열 공정챔버에 의하면, 램프에서 발생하는 빛을 웨이퍼에 집중시키도록 종래의 투명창 대신 볼록렌즈를 설치함으로써 가열효과를 증폭시키고, 설비의 효율을 향상시키며, 에너지 소모를 적게 하는 효과를 갖는 것이다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

  1. 내부에 진공압을 형성하고, 웨이퍼를 가열하여 공정이 수행되도록 하는 본체;
    상기 본체의 일측에 형성된 통로를 통하여 웨이퍼에 빛과 열을 공급하는 램프;
    상기 통로에 설치되어 상기 램프에서 발생한 빛을 굴절시켜서 상기 램프의 빛을 웨이퍼에 집중시키는 렌즈; 및
    상기 램프를 보호하는 하우징;
    을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 램프가열 공정챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체와 상기 램프사이에 상기 본체의 진공압을 유지하기 위하여 패킹부재를 설치하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 램프가열 공정챔버.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체의 내부에 상기 웨이퍼를 파지하는 척을 설치하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 램프가열 공정챔버.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 렌즈는 원판형 볼록렌즈인 것을 특징으로 하는 상기 반도체 램프가열 공정챔버.
KR1019970059482A 1997-11-12 1997-11-12 반도체 램프가열 공정챔버 KR19990039394A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970059482A KR19990039394A (ko) 1997-11-12 1997-11-12 반도체 램프가열 공정챔버

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970059482A KR19990039394A (ko) 1997-11-12 1997-11-12 반도체 램프가열 공정챔버

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990039394A true KR19990039394A (ko) 1999-06-05

Family

ID=66087523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970059482A KR19990039394A (ko) 1997-11-12 1997-11-12 반도체 램프가열 공정챔버

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19990039394A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100802697B1 (ko) * 2005-05-02 2008-02-12 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 광방출형 열처리장치
KR100834240B1 (ko) * 2006-12-28 2008-05-30 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장치 제조 장비의 가열 시스템
KR20210042535A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 하이엔드테크놀로지(주) 면상발열부를 포함하는 가열기구 및 이를 적용한 정전척

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100802697B1 (ko) * 2005-05-02 2008-02-12 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 광방출형 열처리장치
KR100834240B1 (ko) * 2006-12-28 2008-05-30 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장치 제조 장비의 가열 시스템
KR20210042535A (ko) 2019-10-10 2021-04-20 하이엔드테크놀로지(주) 면상발열부를 포함하는 가열기구 및 이를 적용한 정전척

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101461437B1 (ko) 포토마스크 세정 장치 및 이를 이용한 포토마스크 세정 방법
KR20030082554A (ko) 이온주입된 포토레지스트를 제거하기 위한 방법
KR100281027B1 (ko) 기판 건조 방법 및 장치
US20090258159A1 (en) Novel treatment for mask surface chemical reduction
US6627846B1 (en) Laser-driven cleaning using reactive gases
US6740473B1 (en) Method for shrinking critical dimension of semiconductor devices
JPS62290134A (ja) フオトレジストの剥離装置
KR19990039394A (ko) 반도체 램프가열 공정챔버
JP3653735B2 (ja) 表面処理方法及びその装置
US4841342A (en) Apparatus for treating photoresists
JPS5936257B2 (ja) レジスト材料の剥離方法
KR100483820B1 (ko) 표면손상을방지하기위한표면처리방법및장치
KR950021200A (ko) 포토레지스트 제거 방법
JPH11323576A (ja) ウエットエッチング方法
JP2005123651A (ja) レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法
EP0233333B1 (en) Method of treating photoresists
KR20000000680A (ko) 포토레지스트 제거방법
KR100363846B1 (ko) 반도체소자의감광막제거방법
JP2785027B2 (ja) プラズマアッシング方法
KR100685732B1 (ko) 포토레지스트 레지듀 제거 장치
JP3271093B2 (ja) パターン形成方法及びパターン形成装置
JP2004228434A (ja) プリント配線基板製造方法及びレジスト除去装置
JPH04307734A (ja) アッシング装置
JP2002353196A (ja) レジスト剥離方法及び剥離装置
EP0283668A2 (en) Method and apparatus of treating photoresists

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination