KR19990032102A - 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물 - Google Patents

가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명의 2가교형 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물은 브뢴스테드 산-기재(Br nsted acid-based) 수지 95~70 중량% 2 가교형 광산발생제 5~30중량%로 구성되며, 상기 브뢴스테드 산-기재(acid-based) 수지는 알카리 가용성 수지로서 히드록실기를 함유하는 히드록시스티렌계, 말레이미드계, 메타크릴레이트계, 노볼락계, 및 비닐알코올계의 중합체이다. 또한 본 발명의 3 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물은 브뢴스테드 산-기재(acid-based) 수지 95~70 중량% 및 3 가교형 광산발생제 5~30중량%로 구성되며, 상기 3 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물에서 사용된 전형적인 감광성 조성물은 페놀산 또는 카르복실산과 같은 브뢴스테드(

Description

[발명의 명칭]
가교형 광산발생제(cross-linkable photoacid generator)를 함유하는 포토레지스트(photoresist) 조성물
[발명의 상세한 설명]
(발명의 분야)
본 발명은 반도체의 초미세가공을 위한 노광, 현상, 에칭(etching) 등의 과정을 수행할 때 레지스트(resist)로 작용하여 기질(substrate)에 미세패턴을 형성하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 히드록실기를 함유하는 고분자 수지 및 노광전의 열처리 과정에서 상기 고분자 수지와 가교결합을 하고 노광시에 자체내에서 발생한 산에 의하여 탈가교반응을 할 수 있는 2-가교형 또는 3-가교형 광산발산제로 구성된 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)에 관한 것이다.
(발명의 배경)
초미세 가공용 포토레지스트는 최근의 반도체 LSI의 급격한 집적도 향상의 견인차 역할을 하고 있는 마이크로리소그라피 기술의 핵심 재료로서 자외선, 원적외선, X선, 전자선 등을 조사하여 기판 상에 릴리프 화상을 형성하는데 사용되는 내엣칭성 보호피막을 의미한다.
반도체 LSI의 집적도는 대략 3년에 4배라는 급속한 속도로 향상되고 있다. 이와 같은 집적도의 향상은 가공의 미세도를 향상시킴으로서 성취될 수 있다. 그를 위해서는 향상된 해상력, 강도, 내엣칭성 등의 제반 요구특성을 갖는 신규 레지스트 재료의 개발이 선행되어야 한다. 일반적인 미세패턴의 형성방법은 다음과 같다.
포토레지스트 조성물을 실리콘(Si) 웨이퍼 상에 회전도포하고, 이를 고온에서 가열한 후(이하 "소프트베이크(S/B)"이라 함.), 패턴 마스크를 통하여 레지스트를 선택적으로 노광한다. 노광된 웨이퍼 상의 레지스트는 다시 고온에서 가열되고(이하 "포스트익스포우져베이크(PEB)"이라 함).), 현상액으로 현상되어 레지스트 패턴을 형성한다. 다음에 형성된 패턴을 마스크로 하여 건식 또는 습식엣칭을 행한다. 이때 노광부가 현상액에 가용화된 레지스트를 포지티브 레지스트, 노광부가 불용화된 레지스트를 네가티브 레지스트라한다.
생산성의 관점으로부터 레지스트의 고감도화가 요구되고 있다. 레지스트의 고감도화는 레지스트의 산촉매반응에 바탕을 둔 화학증폭개념의 도입에 의해 달성될 수 있다. 이와 같은 산촉매형 화학증폭레지스트는 조성 중에 광산발생제를 포함하고, 노광에 의해 발생된 산은 노광 후의 가열시 확산하여 분해, 가교 등의 촉매반응을 일으키고 재생한다. 이때 산의 확산거리는 약 5 nm 정도로 매우 적고, 따라서 향상된 감도와 해상력을 갖는 레지스트가 얻어진다.
노광 과정에서 사용되는 광원은 파장에 따라 분류되며, g-라인(436nm)부터 i-라인(365nm), KrF 엑사이머 레이져(excimer laser)(248nm), ArF 엑사이머 레이저(excimer laste)(193nm) 등으로 분류된다. 미세선폭을 결정하는 주요인인 광원은 종래의 i-라인에서 단파장의 KrF 엑사이머 레이저(excimer laser) 또는 DUV(Deep Ultraviolet)(248nm)가 사용되고 있다.
종래의 i-라인(365nm)용 포토레지스트에서는 노볼락 수지와 디아조계 화합물을 조합하여 사용하였으나, 노볼락 수지는 단파장 영역에서 광흡수도가 크기 때문에 이를 개선할 필요가 있었다. 따라서 1980년대 초부터는 새로운 개념의 화학증폭형 레지스트가 개발되어 사용되고 있다.
KrF 엑사이머 레이저(excimer laster) 또는 DUV에 사용되는 레지스트는 전형적으로 화학증폭형이며, 이들의 조성물은 알카리 가용성 수지, 광산발생제, 가교제, 용해억제제 등으로 구성된다. 2성분계 포지티브형 레지스트로 잘 알려져 있는 IBM ESCAP는 폴리(t-부틸옥시카보닐옥시)스티렌과 트리페닐술포늄염의 초강산 발생제로 이루어져 있다(US Patent No. 4,491,628). 해상도(Resolution)를 향상시키기 위해 알칼리 가용성 수지와 광산 발생제에 용해억제제를 첨가시킨 3 성분계 레지스트도 개발되었다(JP Patent No. 5,094,017, 및 US Patent Nos. 5,342,734 및 5,362,607).
가장 최근에는 알칼리 가용성 수지에 용해억제형 광산발생제를 포함하는 새로운 조성의 레지스트가 BASF에 의해 발표되었다(EP 337258A2). 용해억제형 광산 발생제(Photo Acid Generator : PAG)란 동일분자 내에 용해억제제와 산발생제의 기능을 통합한 화합물을 말하며 이는 알카리 가용성 수지에 대해서는 용해를 억제시키는 기능을 하나 광에 의해 자체적으로 발생된 산에 의해 동일분자 내의 보호기를 파괴시킴으로써 알칼리 가용성 수지에 대한 용해촉진 효과를 나타내는 기능을 한다. 이같은 계는 비교적 높은 감도와 해상력을 갖는 것으로 알려져 있으나 수지와 산발생제간의 물리적 상호작용에 기인하므로 현상후의 미노광부에 잔막손실을 가져온다.
한편 비닐에테르기를 페놀수지의 측쇄에 포함하는 새로운 형태의 레지스트가 발표되었는데(Chem. Mater, 1993, 5, 1315) 이것은 비닐에테르기를 폴리머에 직접 화학적으로 결합시키고 별도의 광산발생제를 사용한다. 이 시스템의 탈가교 메카니즘은 발생된 산에 의한 산촉매 매카니즘에 의존하고 또한 산발생제는 광분해 및 소수성 물질을 생성하여 노광부의 용해를 억제한다. 따라서 감도가 나쁘고 특히 트리페닐술포늄트리플레이트를 산발생제로 사용한 경우 KrF 엑사이머 레이저(excimer laser)에서 100 mJ/㎠ 정도의 낮은 감도를 보였다.
상기한 바와 같이 248nm 레지스트의 필수적 요소인 광산발생제의 개발이 많이 이루어졌는데 주로 술포늄염, 요오드늄염 등의 오늄염이 알려져 있고(US 4760013, US 5397680, EP 615163A1, EP 337258A2, JP 05134414, 및 JP 05255240), 최근 들어서는 레지스트에서의 상용성이나 산의 확산 등의 문제에 따라 비이온형 유기 광산발생제의 개발도 활발히 이루어지고 있다(EP 330386A, EP 388343A0, JP 0291832, 및 US 5191069).
기존의 용해억제형 광산발생제와 알카리 가용성 수지로 이루어지는 레지스트는 수지와 산발생제간의 물리적 상호작용에 의해 용해억제효과를 나타내므로 현상후 잔막손실이 따른다.
본 발명자는 상기와 같은 종래 레지스트의 결점을 개선할 수 있는 본 발명의 포토레지스트 조성물을 개발하기에 이른 것이다.
(발명의 목적)
본 발명의 목적은 광산발생제가 고분자 수지에 직접 열가교결합할 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 노광전의 열처리 단계에서 고분자 수지와 광산발생제가 가교결합에 의하여 결합되고, 광분해에 의하여 탈가교반응이 가능한 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 레지스트 피막의 현상후의 잔막손실을 최소화할 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 종전의 오늄염이 노광시에 소수성 잔존물을 방출하는데 비하여 본 발명에서는 레지스트에서 광산 발생된 잔여물이 히드록실기를 함유한 페놀류로서 알카리 수용액에 대한 용해성을 증대시킬 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 리소그라피 공정중의 소프트베이크(S/B) 단계에서 불용화를 달성할 수 있는 포지티브 포토레지스트를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 산발생제에 산발생기능과 가교기능을 일체화 시킨 포지티브 포토레지스트를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될수 있다.
(발명의 요약)
본 발명의 2가교형 광산발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물은 브뢴스테드 산-기재(acid-based) 수지 95~70 중량% 및 2가교형 광산발생제 5~30주량%로 구성되며, 상기 브뢴스테드 산-기재(acid-based) 수지는 알카리 가용성 수지로서 히드록실기를 함유하는 히드록시스티렌계, 말레이미드계, 메타크릴레이트계, 노볼락계, 및 비닐알코올계의 중합체이다. 상기 용해억제형 2가교형 광산발산제는 기존에 알려진 오늄염과 같이 초강산을 발생하는 광산발생제로서 히드록실기에 가교형 비닐에테르기가 도입된 전혀 새로운 개념의 신규 용해억제형 광산발생제이다. 본 발명의 2 가교형 광산발산제는 하기 구조식(Ⅰ)을 갖는다.
상기식에서 X는 CH3SO3, Cl 또는 CF3SO3이고, Y는 -R1-OCH=CH2(여기서 R1은 (CH2)n, n은 0~5)이고, Z는 H 또는 CH3임.
또한 본 발명의 3 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물은 브뢴스테드 산-기재(Br nsted acid-based) 수지 95~70중량% 및 3 가교형 광산발생제 5~30중량%로 구성되며, 상기 3 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물에서 사용된 전형적인 감광성 조성물은 페놀산 또는 카르복실산과 같은 브뢴스테드()산에 바탕을 둔 바인더 폴리머와 3가교형 광산발생제를 포함한다. 바인더 폴리머는 노보락, 폴리파라하이드록실스틸렌, 파라하이드록실스틸렌과 아크릴산의 공중합체, 파라하이드록실스틸렌과 메타크릴산의 공중합체, 파라하이드록실스틸렌과 벤조익산의 공중합체등을 사용한다. 이때 공중합체에 있어서 메타크릴산부 또는 벤조익산부 함량은 0~50%이며, 각각의 바인더 폴리머의 폴리스티렌의 분자량은 1,000~30,000 정도가 적당하다. 본 발명에 사용된 3가교형 광산발생제는 하기 구조식(Ⅱ)을 갖는다.
상기에서 음이온부의 성분 X는 CF3SO3, CH3SO3, Cl등이며, 치환기 R은 ortho- 또는 para-위치의 CH3, H등이고, n은 2부터 6까지의 정수임.
상기 3가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물은 노광 전의 소프트베이크(S/B) 단계에 열가교반응을 도입하여 알카리가용성 폴리머와 가교형 산발생제를 화학적으로 가교시킴으로서 미노광부의 잔막손실을 최소화할 수 있다. 상기 3 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물은 산발생제에 산발생 기능과 가교 기능을 일체화시킴으로써, 산발생제 자체가 소프트베이크(S/B) 단계에서 열가교에 참여한다.
(발명의 구체예에 대한 상세한 설명)
본 발명의 포토레지스트 조성물은 2 가교형 광산발생제 또는 3 가교형 광산발생제 및 브뢴스테드 산-기재(Br nsted acid-based) 수지로 구성된다.
본 발명에서 2 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물은 2 가교형 광산발생제 5~30 중량%와 브뢴스테드 산-기재 수지 95~70 중량%를 사용한다.
본 발명에서 사용된 2 가교형 광산발생제는 하기 구조식 (Ⅰ)로 표시된다.
상기식에서 X는 CH3SO3, Cl 또는 CF3SO3이고, Y는 -R1-OCH=CH2(여기서 R1은 (CH2)n, n은 0~5)이고, Z는 H 또는 CH3임.
또한 본 발명의 3 가교형 광산발생제는 하기 구조식 (Ⅱ)로 표시된다:
상기에서 음이온부의 성분 X는 CF3SO3, CH3SO3, Cl등이며, 치환기 R은 ortho- 또는 para-위치의 CH3, H등이고, n은 2부터 6까지의 정수임.
상기 2 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물에서 브뢴스테드 산-기재 수지는 알카리 가용성 수지로서 히드록실기를 함유하는 히드록시스티렌계, 말레이미드계, 메타크릴레이트계, 노볼락계, 및 비닐알코올계의 중합체이다. 상기 3 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물에서 브뢴스테드 산에 바탕을 둔 바인더 폴리머는 노보락, 폴리파라하이드록실스틸렌, 파라하이드록실스틸렌과 아크릴산의 공중합체, 파라하이드록실스틸렌과 메타크릴산의 공중합체, 파라하이드록실스틸렌과 벤조익산의 공중합체 등을 사용한다. 이때 상기 공중합체에 있어서 메타크릴산부 또는 벤조익산부 함량은 0~50%이며, 각각의 바인더 폴리머의 분자량은 1,000~30,000 정도가 적당하다.
본 발명의 2 가교형 광산발생제를 함유하는 포토레지스트는 노광단계에서 광산발생제의 직접 분해가 일어남으로써 탈가교에 기여하고, 발생된 산이 아세탈기를 산촉매 분해시킴으로서 탈가교하는 탈가교의 이중효과를 준다. 또한 종전의 오늄염이 노광시 소수성 잔존물을 방출하는데 비해 본 발명의 레지스트에서 광산 발생된 잔여물은 히드록실기를 함유하는 페놀류로서 알카리 수용액에 대한 용해성을 배가시킨다는 장점이 있다. 본 발명의 레지스트는 고온에서 노광전 열처리를 하므로 열처리(annealing)에 의한 T-top 방지효과를 가진다.
종래의 용해억제형 산발생제와 알카리가용성 수지로 이루어지는 레지스트 조성물은 알카리가용성수지와 산발생제간의 물리적 상호작용에 의해 용해억제효과를 나타내기 때문에 미노광부의 잔막손실을 피할 수 없다. 그러나 본 발명의 레지스트 조성물은 노광전의 소프트베이크(S/B) 단계에 열가교반응을 도입하여 알카리가용성 폴리머와 가교형 산발생제를 화학적으로 가교시킴으로써, 미노광부의 잔막손실을 최소화할 수 있다. 또한 3개의 관능기가 열가교에 참여하는 3가교형 산발생제는 2개의 관능기만이 열가교에 참여하는 2가교형 산발생제와는 달리, 보다 낮은 소프트베이크(S/B) 온도에서 불용화를 달성할 수 있다. 또한 3가교형 산발생제는 2가교형 산발생제를 사용하였을 경우보다 더 좋은 단면 패턴 프로파일을 갖는다. 한편, 비닐 에테르기를 페놀수지의 측쇄에 도입하고 별도의 산발생제를 사용하는 종전의 산촉매형 화학증폭레지스트와는 달리, 산발생제에 산발생기능과 가교기능을 일체화시킨 본 발명의 레지스트는 산발생제 자체가 소프트베이크(S/B) 단계에서 열가교에 참여한다. 따라서 노광과 포스트익스포우져베이크(PEB)가 행하여지면 가교구조를 형성하고 있는 노광부의 산발생제는 직접광분해에 의한 탈가교와 이때 발생한 산의 촉매반응에 의한 탈가교를 동시에 겪는다. 더욱이 이때 생성되는 광분해물은 수산기를 포함하는 친수성 물질이고, 이것은 용해촉진제로서 작용한다. 결국 노광부는 알카리현상액에 가용화하고, 고감도, 고해상의 포지티브 레지스트가 얻어진다.
본 발명의 2가교형 광산발산제를 함유하는 포지티브 포토레지스트를 사용한 포지티브형 패턴 형성과정은 다음과 같다. 히드록실기를 함유하는 알카리 가용성 수지에 2 가교형 광산발산제를 1~6몰%로 혼합하여 용매에 용해시킨다. 이 때 사용되는 용매로는 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트와 시클로헥산온이 있다. 이 용액을 필터로 여과하여 불순물을 제거하고 실리콘 웨이퍼(wafer)에 스핀 도포한다. 스핀의 회전속도는 1000~2500rpm으로 유지하고 레지스트 피막 두께는 6000~7000Å을 유지한다. 도포된 웨이퍼는 약 50~170℃에서 전열처리한다. 이때 레지스트 내에서는 알카리 가용성 수지의 히드록실기와 산발생제 비닐옥시기 사이에서 열가교반응이 일어나 레지스트는 불용화된다. 에너지 간격은 0.5~1mJ로하여 단계적으로 노광시키고 노광후 열처리는 실온에서 160℃까지 변화시킨다. 현상은 NMD-3(2.38wt% TMAH 용액)에 10초간 퍼들(puddle), 50초간 스프레이 방식으로 하며 DI water로 세척한다. 현상을 거칠 때 노광부는 발생된 산에 의해 분해되어 알카리 현상액에 가용화하고 미노광부는 가교불용화의 상태로 그대로 남기 때문에 알카리 수용액에 불용성이다. 따라서 고감도, 고해상도의 포지티브형 패턴을 보인다.
본 발명의 3 가교형 광산발생제를 함유하는 포지티브 포토레지스트를 사용한 미세패턴의 형성방법은 다음과 같다. 포토레지스트 조성물은 실리콘(Si) 웨이퍼 상에 회전 도포하고, 이를 고온에서 가열한 후, 패턴 마스크를 통하여 레지스트를 선택적으로 노광한다. 노광된 웨이퍼 상의 레지스트는 다시 고온에서 가열되어지고, 현상액에 현상되어져 레지스트 패턴을 형성한다. 형성된 패턴을 마스크로 하여 건식 또는 습식 엣칭을 실행한다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 구체화될 것이며, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 기재될 뿐이며 본 발명의 보호범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
(실시예)
2-가교형 광산발생제의 제조
하기 실시예에서 사용된 광산발생제의 하나인 비스[4-비닐옥시에톡시페놀(4-메톡시페놀)]술포늄트리플레이트를 다음과 같이 제조하였다.
디-(히드록시페닐)-4-메톡시페닐 술포늄 메탄-슬포네이트(di-(4-hydroxyphenyl)-4-methoxyphenyl sulfonium methan-sulfonate) 1mol, 비닐-2-클로로에틸 에테르(vinyl-2-chloroethyl ether) 2.2 mol, 및 NaOH 2.2 mol을 DMSO 1000 ml에 넣어준 후 4시간 동안 70~110℃ 사이의 온도를 유지하며 반응시킨다. 침전으로 떨어진 NaCl과 용매로 사용된 DMSO를 제거한 후 MC 혹은 클로로포름(chloroform)과 같은 용매 1000 ml에 녹인 후 NaOTf 1 mol을 녹인 물 1000 ml를 섞어준 후 10시간 교반시킨다. 물에 섞이지 않는 용액층을 분리하고 진공 건조시킨 후 비스(4-비닐옥시에톡시페닐)-4-메톡시페닐 술포니움 트리플레이트(bis(4-vinyloxyethoxyphenyl)-4-methoxyphenyl sulfonium triflate)를 끈끈한 상태의 액체로 얻으며 순도를 높이기 위하여 칼럼 크로마토그래피(column chromatography)에 의한 정제를 하면 99% 이상 순수한 비스(4-비닐옥시에톡시페닐(4-메톡시페닐))술포니움 트리플레이트(bis(4-vinyloxyethoxyphenyl(4-methoxyphenyl))sulfonium triflate)를 85%의 수율로 얻는다.
(실시예 1)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐)술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(4-methoxyphenyl)sulfonium trifluoromethanesulfonate)를 2 mol% 사용하고 분자량 10000, 분자량 분포 1.0인 폴리히드록시스티렌과 혼합하여 용매에 용해시키고 불순물을 제거하여 6" 실리콘웨이퍼에 스핀 도포하고, 160℃에서 90초간 5 mJ부터 1 mJ 간격으로 53 mJ까지 가열하여 열가교하였다. 노광후 열처리는 160℃에서 각각 90초간 수행하였다. 현상 후 전자주사현미경(SEM)로 확인한 결과 48 mJ 노광하여 0.66㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 2)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐)술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(4-methoxyphenyl))sulfonium trifluoromethanesulfonate)를 3 mol% 사용하고 분자량 10000, 분자량 분포 1.0인 폴리히드록시스티렌과 혼합하여 용매에 용해시키고 불순물을 제거하여 6" 실리콘웨이퍼에 스핀 도포하고, 160℃ 90초간 5 mJ부터 1 mJ 간격으로 53 mJ까지 가열하여 열가교하였다. 노광후 열처리는 160℃에서 각각 90초간 수행하였다. 현상 후 전자주사현미경(SEM)로 확인한 결과 15 mJ 노광하여 0.34㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 3)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐)술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(4-methoxyphenyl))sulfonium trifluoromethanesulfonate)를 2 mol% 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 48 mJ 노광하여 0.60㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 4)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(2,4-디메틸-4-메톡시페닐)술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(2,4-dimethyl-4-methoxyphenyl))sulfonium trifluoromethanesulfonate) 3 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 15 mJ 노광하여 0.34㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 5)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐))술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(4-methoxyphenyl)sulfonium trifluoromethanesulfonate) 2 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 68 mJ 노광하여 0.70㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 6)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐)술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(4-methoxyphenyl))sulfonium trifluoromethanesulfonate) 3 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 20 mJ 노광하여 0.40㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 7)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(2,4-디메틸-4-메톡시페닐)술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(2,4-dimethyl-4-methoxyphenyl))sulfonium trifluoromethanesulfonate) 2 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 70 mJ 노광하여 0.70㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 8)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(2,4-디메틸-4-메톡시페닐)술포니움 트리풀루오로메탄술포네이트(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(2,4-dimethyl-4-methoxyphenyl))sulfonium trifluoromethanesulfonate) 3 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 20 mJ 노광하여 0.40㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 9)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐))술포니움 클로라이드(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(4-methoxyphenyl)sulfonium chloride) 2 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 10 mJ 노광하여 0.70㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 10)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(4-메톡시페닐))술포니움 클로라이드(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(4-methoxyphenyl))sulfonium chloride 3 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 40 mJ 노광하여 0.45㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 11)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(2,4-디메틸-4-메톡시페닐))술포니움 클로라이드(4,4'-bis-(4-vinyloxyethoxy(2,4-dimethyl-4-methoxyphenyl)sulfonium chloride) 2 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 100 mJ 노광하여 0.70㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 12)
2 가교형 광산발산제로서 4,4'-비스-(4-비닐옥시에톡시(2,4-디메틸-4-메톡시페닐))술포니움 클로라이드(4,4'-bis-(2-vinyloxyethoxy(2,4-dimethyl-4-methoxyphenyl)sulfonium chloride) 3 mol%를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 실시하였다. 40 mJ 노광하여 0.45㎛의 미세패턴을 얻었다.
(실시예 13)
3가교형 산발생제로서 3 mol%의 트리스(4-(비닐옥시-2-에톡시)벤젠)설포늄 트리플레이트 염(TPS-Tf-3VE)과 폴리파라하이드록실스타이렌(PHS)을 사이크로헥사논에 녹이고, 실리콘(Si) 웨이퍼 상에 회전 도포하여 0.6㎛ 두께의 레지스트 필름을 얻고, 상기 필름을 140℃에서 90초 동안 소포트베이크(S/B)한 후, KrF 엑사이머 레이저 스텝퍼를 이용하여 패턴 노광되고 140℃에서 90초 동안 포스트익스포우져베이크(PEB)되었다. 현상은 2.38 wt.%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)에서 60초 동안 퍼들(puddle) 현상되었다. 얻어진 패턴을 주사현미경(SEM)으로 확인한 결과 좋은 단면 프로파일을 갖는 라인 앤드 스패이스(L/S)의 패턴과 30 mJ/㎠의 감도가 얻어졌다.
(실시예 14)
3가교형 산발생제로서 비스(4-(비닐옥시-2-에톡시)벤젠)-(2,6-디메틸-4-(비닐옥시-2-에톡시))벤젠 설포늄 트리플레이트를 포함하는 PHS 필름을 실시예 13과 같은 방법으로 처리하였다. 좋은 단면 프로파일을 갖는 0.42㎛ 라인 앤드 스패이스(L/S)의 패턴과 30mJ/㎠의 감도가 얻어졌다.
(실시예 15)
3가교형 산발생제로서 트리스(4-(비닐옥시-2-에톡시)벤젠) 설포늄 클로라이드 염을 포함하는 PHS 필름을 실시예 13과 같은 방법으로 처리하였다. 좋은 단면 프로파일을 갖는 0.50㎛ 라인 앤드 스패이스(L/S)의 패턴과 65mJ/㎠의 감도가 얻어졌다.
(실시예 16)
3가교형 산발생제로서 트리스(4-(비닐옥시-2-에톡시)벤젠) 설포늄 메탄 설포네이트 염을 포함하는 PHS 필름을 실시예 13과 같은 방법으로 처리하였다. 좋은 단면 프로파일을 갖는 0.62㎛ 라인 앤드 스패이스(L/S)의 패턴과 53mJ/㎠의 감도가 얻어졌다.
(실시예 17)
3가교형 산발생제로서 비스(4-(비닐옥시-2-에톡시)벤젠)-(2,6-디메틸-4-(비닐옥시-2-에톡시))벤젠 설포늄 메탄설포네이트 염을 포함하는 PHS 필름을 실시예 13과 같은 방법으로 처리하였다. 좋은 단면 프로파일을 갖는 0.56㎛ 라인 앤드 스패이스(L/S)의 패턴과 58mJ/㎠의 감도가 얻어졌다.
(실시예 18)
3가교형 산발생제로서 TPS-Tf-3VE를 포함하는 노보락 필름을 실시예 13과 같은 방법으로 처리하였다. 0.80㎛ 라인 앤드 스패이스(L/S)의 패턴과 30mJ/㎠의 감도가 얻어졌다.
(실시예 19)
3가교형 산발생제로서 TPS-Tf-3VE를 포함하는 파라하이드록실스틸렌과 아크릴산의 공중합체 필름을 실시예 13과 같은 방법으로 처리하였다. 0.90㎛ 라인 앤드 스패이스(L/S)의 패턴과 15mJ/㎠의 감도가 얻어졌다.
(비교실시예 1)
바인더 폴리머로서 폴리파라하이드록실스타이렌(PHS)과 2가교형 광산발생제로서 비스(4-비닐옥시-2-에톡시)벤젠)-4-메톡시벤젠 설포늄 트리프레이트 염(TPS-Tf-2VE)을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 13과 동일한 방법으로 레지스트 필름을 제조하였다.
(불용성 시험)
비교실시예 1의 PHS와 TPS-Tf-2VE 및 실시예 13-19의 PHS와 TPS-Tf-3VE를 각각 사이크로헥사논에 녹이고, 실리콘(Si) 웨이퍼 상에 회전 도포하여 각각 0.6㎛ 두께의 레지스트 필름을 형성하였다. 각각의 필름은 50℃에서 180℃까지 온도를 변화시키며 S/B를 행하고, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 2.38wt% 현상액으로 90초동안 퍼들(puddle) 현상하였다. 현상후 잔막율이 S/B후의 막두께에 대한 현상후의 막두께의 비로서 구하여졌다.
2 mol%의 TPS-Tf-2VE 를 포함하는 PHS 필름은 120℃부터 불용화되기 시작하여 150℃에서 거의 완전한 불용화를 나타낸다. 가교형 산발생제의 양이 증가함에 따라 블용화 온도는 감소하나, 상기와 같이, 3가교형 산발생제를 포함하는 PHS 필름이 2가교형 산발생제를 포함하는 PHS 필름보다 보다 낮은 온도에서 불용화한다. 이것은 3가교형 산발생제가 2가교형 산발생제보다 보다 높은 열가교 효율을 갖는다는 것을 의미한다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (8)

  1. 하기 구조식(Ⅰ)로 표시되는 2 가교형 광산발생제 5~30 중량% 및 히드록시기를 함유하는 알카리 가용성 수지 70~95 중량%로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물:
    상기식에서 X는 CH3SO3, Cl 또는 CF3SO3이고, Y는 -R1-OCH=CH2(여기서 R1은 (CH2)n, n은 0~5)이고, Z는 H 또는 CH3임.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 알카리 가용성 수지는 히드록실기를 함유하는 히드록시스티렌계, 말레이미드계, 메타크릴레이트계, 노볼락계, 및 비닐알코올계의 중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 2 가교형 광산발생제는 상기 수지와 노광전의 열처리 과정에 의하여 가교결합되고 노광시에 자체내에서 발생한 산에 의하여 탈가교반응을 하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  4. 하기 구조식(Ⅱ)로 표시되는 3 가교형 광산발생제 5~30 중량% 및 수산기를 함유하는 알카리 가용성 수지 70~95 중량%로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물:
    상기에서 음이온부의 성분 X는 CF3SO3, CH3SO3, 또는 Cl이며, 치환기 R은 알킬옥시기로부터 ortho- 또는 para-위치의 CH3또는 H이고, n은 2부터 6까지의 정수임.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 3 가교형 광산발생제는 산발생 기능과 가교기능이 일체화된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 수산기를 함유하는 알카리 가용성 수지가 노보락, 폴리파라하이드록실스틸렌, 파라하이드록실스틸렌과 아크릴산의 공중합체, 파라하이드록실스틸렌과 메타크릴산의 공중합체, 및 파라하이드록실스틸렌과 벤조익산의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 공중합체의 메타크릴산부 또는 벤조익산부의 함량이 0~50%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 알카리 가용성 수지의 폴리스티렌의 분자량은 1,000~30,000 범위인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100320773B1 (ko) * 1999-05-31 2002-01-17 윤종용 포토레지스트 조성물
KR20030079542A (ko) * 2002-04-04 2003-10-10 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 조성물
KR100404003B1 (ko) * 1999-08-31 2003-11-05
KR100550936B1 (ko) * 1999-12-08 2006-02-13 제일모직주식회사 히드록시스티렌계 포토레지스트 조성물의 제조방법 및그에 의해 수득된 포토레지스트 조성물
KR100694777B1 (ko) * 1999-08-05 2007-03-14 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 포토레지스트 조성물용 반사방지 코팅
KR100959190B1 (ko) * 2007-12-21 2010-05-24 제일모직주식회사 현상액에 용해 가능한 근자외선 바닥 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴화된 재료 형성 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100519655B1 (ko) * 2000-07-13 2005-10-07 제일모직주식회사 가교형 강산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR100465448B1 (ko) * 2002-03-15 2005-01-13 제일모직주식회사 포토레지스트 조성물

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100320773B1 (ko) * 1999-05-31 2002-01-17 윤종용 포토레지스트 조성물
KR100694777B1 (ko) * 1999-08-05 2007-03-14 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 포토레지스트 조성물용 반사방지 코팅
KR100404003B1 (ko) * 1999-08-31 2003-11-05
KR100550936B1 (ko) * 1999-12-08 2006-02-13 제일모직주식회사 히드록시스티렌계 포토레지스트 조성물의 제조방법 및그에 의해 수득된 포토레지스트 조성물
KR20030079542A (ko) * 2002-04-04 2003-10-10 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 조성물
KR100959190B1 (ko) * 2007-12-21 2010-05-24 제일모직주식회사 현상액에 용해 가능한 근자외선 바닥 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴화된 재료 형성 방법

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