KR19990031775A - Top Cavity Inserts of Mold Mold for Semiconductor Package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체채키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트에 관한 것으로서, 반도체패키지의 패키지를 성형시키기 위한 탑몰드(TM)의 탑캐비티인서트(TCI)에 컴파운드재가 캐비티(CV)내로 공급될 수 있게 한 캐비티게이트(CG)와 ;The present invention relates to a top cavity insert of a mold for molding a semiconductor chip, and more particularly, to a top cavity insert (TCI) of a top mold (TM) for molding a package of a semiconductor package, A gate (CG);
상기 캐비티게이트(CG)에는 컴파운드재가 통과할 때 내부의 잔존에어를 외부로 방출시킬 수 있도록 형성한 에어방출수단(AR)과 ;The cavity gate (CG) has air releasing means (AR) formed so that the remaining air inside the cavity gate (CG) can be released to the outside when the compound material passes through the cavity gate (CG).
를 포함하는 것으로 캐비티게이트의 에어방출수단으로 컴파운드재 내부의 잔존에어를 배출시킴에 따라 컴파운드재의 충진흐름을 원활하게 하고, 캐비티에 형성되는 패키지 내부의 인터널보이드 발생을 방지하여 패키지의 성형작업성과 제품의 품질신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.The remaining air inside the compound material is discharged by the air discharging means of the cavity gate to smooth the filling flow of the compound material and prevent the occurrence of internal voids in the package formed in the cavity, The quality of the product can be improved.
Description
본 발명은 반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트에 관한 것으로서, 특히 반도체패키지를 제조하기 위한 탑캐비티인서트의 캐비티게이트에 에어방출수단을 형성하여 패키지성형시 캐비티내로 충진공급되는 컴파운드재의 잔존 에어방출을 용이하게 한 반도체패키지용 몰드금형의 탑캐비티인서트에 관한 것이다.In particular, the present invention relates to a top cavity insert of a mold for a semiconductor package, and more particularly, to an air release means in a cavity gate of a top cavity insert for manufacturing a semiconductor package so that residual air release of the compound material, And more particularly, to a top cavity insert of a mold for a semiconductor package.
일반적으로 반도체패키지의 몰드금형은 반도체패키지의 제조시 내부의 회로를 외적인 힘과 회로기능 작동성을 보호하기 위해 컴파운드재로 소정형태의 패키지를 성형시키는 것이다.In general, a mold mold of a semiconductor package is used to mold a certain type of package into a compound material in order to protect the internal circuitry during manufacturing of the semiconductor package against external force and circuit functioning operability.
상기한 패키지를 성형하기 위해서는 다이어태치공정에서 반도체칩을 자재에 부착시킨 다음, 와이어본딩공정에서 반도체칩과 일반적인 금속재의 리드프레임에 형성된 자재의 각 리드에 와이어를 연결시킨 후 반도체칩과 와이어와 각 리드의 일부를 포함하는 영역에 패키지를 성형시키는 것이다.In order to form the package, a semiconductor chip is adhered to a material in a die attach process, a wire is connected to each lead of a semiconductor chip and a material formed on a lead frame of a general metal material in a wire bonding process, And molding the package in an area including a part of the lead.
이러한 몰드금형은 상하 분리된 탑몰드와 바텀몰드로 구성되고, 각 몰드에는 서로 대응하는 센터블록과 다수의 캐비티가 형성된 캐비티인서트가 구비되어 패키지를 성형시킬 수 있는 트랜스퍼 성형장치에 장착되어 있다.The mold is composed of a top mold and a bottom mold separated vertically and each mold is equipped with a cavity block having a center block corresponding to each other and a plurality of cavities formed therein and mounted on a transfer molding apparatus capable of molding a package.
상기한 캐비티인서트는 탑몰드에 탑캐비티인서트가 구비되고, 바텀몰드에는 바텀캐비티인서트가 구비되며, 각 캐배티인서트의 대향면에는 다수의 캐비티를 형성하고, 각 캐비티의 일측모서리인 탑몰드와 바텀몰드에는 캐비티게이트와 런너게이트를 대응형성하며, 캐비티게이트의 내부는 런너게이트보다 내측에 위치되도록 형성한다.The cavity insert is provided with a top cavity insert in a top mold and a bottom cavity insert in a bottom mold. A plurality of cavities are formed on opposite sides of each cavity insert, and a top mold, which is one corner of each cavity, The mold is formed with a cavity gate and a runner gate in correspondence with each other, and the inside of the cavity gate is formed so as to be located inside the runner gate.
이러한 탑몰드의 캐비티게이트는 반도체패키지의 패키지성형시 액체상태의 컴파운드재가 바텀몰드의 런너게이트를 통해 유입될 때 안내기능을 갖도록 한 것이다.The cavity gate of such a top mold has a guiding function when the compound material in a liquid state is introduced into the runner gate of the bottom mold during package molding of the semiconductor package.
이와 같이 된 종래의 탑캐비티인서트(TCI)를 설명하면 도 6에서 보는 바와 같이 일면에 다수의 요홈을 갖는 캐비티(CV)가 형성되고, 캐비티(CV)의 외주연에는 표면에서 소정높이(H)를 갖는 돌출부(G)가 형성되며, 상기 캐비티(CV)의 일측모서리에 형성된 돌출부(G)는 일측으로 돌출부를 연장형성하여 캐비티게이트(CG)를 형성한다.6, a cavity CV having a plurality of grooves is formed on one surface thereof, and a predetermined height H is formed on the outer circumference of the cavity CV, And a protrusion G formed on one side edge of the cavity CV forms a cavity gate CG by extending the protrusion on one side.
상기한 탑캐비티인서트(TCI)는 몰드금형(MD)의 탑몰드(TM)에 구비된 탑센터블록(TCB)의 양측에 설치하고, 탑몰드(TM)와 대응하는 바텀몰드(BM)에는 바텀센터블록(BCB)과 다수의 캐비티(CV)와 런너게이트(RG)가 형성된 바텀캐비티인서트(BCI)를 구비하여 패키지를 성형시킬 수 있는 트랜스퍼 성형장치(TS)에 설치한다.The above-mentioned top cavity insert (TCI) is provided on both sides of the top center block TCB provided in the top mold TM of the mold die MD. In the bottom mold BM corresponding to the top mold TM, The transfer molding apparatus TS is provided with a center block BCB and a bottom cavity insert BCI formed with a plurality of cavities CV and a runner gate RG.
이러한 탑캐비티인서트(TCI)는 트랜스퍼 성형장치(TS)의 작동에 따라 반도체칩(CP) 부착과 와이어(W) 연결이 완료된 자재(R)가 바텀몰드(BM)에 안치되면 탑몰드(TM)와 바텀몰드(BM)의 접합에 의해 자재(R)를 클램프시킨 후 액체상태의 컴파운드재를 런너게이트(RG)와 캐비티게이트(CG)를 통해 각 캐비티(CV)로 공급시켜 소정형태의 패키지가 형성되도록 한 것이다.This top cavity insert (TCI) is formed by the top mold (TM) when the material R, in which the semiconductor chip CP and the wire W are connected, is placed in the bottom mold BM according to the operation of the transfer molding machine TS, After the material R is clamped by the bonding of the bottom mold BM and the compound material in the liquid state to each cavity CV through the runner gate RG and the cavity gate CG, .
그러나, 상기한 탑캐비티인서트(TCI)와 바텀캐비티인서트(BCI)의 각 캐비티(CV)내로 충진공급되는 컴파운드재는 탑캐비티인서트(TCI)의 표면에서 소정높이(H)로 돌출된 캐비티게이트(CG)에 의해 내부의 에어가 외부로 방출되지 못함에 따라 도 7과 같이 성형완료된 패키지의 내부에 다수의 기포가 발생되는 인터널보이드(IB ; Internal Boid)불량이 심하게 발생되었다.However, the compound material filled in each of the cavities CV of the top cavity insert (TCI) and the bottom cavity insert (BCI) has a cavity gate CG protruding at a predetermined height H from the surface of the top cavity insert (TCI) The internal air was not discharged to the outside, and thus internal void (IB) in which a large number of bubbles were generated inside the formed package as shown in FIG. 7 was severely generated.
따라서, 반도체패키지의 제조시 형성되는 패키지의 인터널보이드(IB) 발생에 의해 제품의 품질과 기능성을 약화시키고 반도체패키지의 제조작업성과 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.Accordingly, there has been a problem in that quality and functionality of a product are weakened by the occurrence of an internal void (IB) of a package formed at the time of manufacturing the semiconductor package, and productivity and productivity of the semiconductor package are lowered.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 몰드금형의 탑캐비티인서트에 구비된 캐비티게이트에 에어방출수단을 형성하여 반도체패키지 제조시 패키지성형을 위해 캐비티내로 충진공급되는 컴파운드재의 잔존 에어방출을 용이하게 함에 따라 패키지의 인터널보이드 불량을 방지한 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the conventional problems as described above, and it is an object of the present invention to provide an air venting means in a cavity gate provided in a top cavity insert of a mold die, And it is an object of the present invention to prevent defective internal voids in the package as it facilitates the release of residual air.
도 1은 본 발명의 적용상태도.1 is an application state diagram of the present invention.
도 2는 본 발명의 탑캐비티인서트가 몰드금형에 설치된 상태의 사시도.Fig. 2 is a perspective view of a mold of the present invention in which a top cavity insert is mounted on a mold. Fig.
도 3은 본 발명의 설치상태 일부 단면구성도.3 is a partial cross-sectional view of the installation state of the present invention.
도 4는 본 발명의 탑캐비티인서트의 평면을 보인 상태도.Figure 4 is a plan view of the top cavity insert of the present invention.
도 5는 본 발명의 작용상태도.5 is an operational state diagram of the present invention.
도 6은 종래의 단면구성도.6 is a cross-sectional structural view of the related art.
도 7은 종래의 작용상태도.7 is a conventional operational state diagram.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS (S)
TM ; 탑몰드 TCI ; 탑캐비티인서트TM; Top mold TCI; Top cavity insert
CV ; 캐비티 CG ; 캐비티게이트CV; Cavity CG; Cavity gate
AR ; 에어방출수단AR; Air release means
이하 본 발명의 구성을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described.
반도체패키지의 패키지를 성형시키기 위한 탑몰드(TM)의 탑캐비티인서트(TCI)에 컴파운드재가 캐비티(CV)내로 공급될 수 있게 한 캐비티게이트(CG)와 ;A cavity gate (CG) for allowing a compound material to be fed into a cavity (CV) in a top cavity insert (TCI) of a top mold (TM) for forming a package of a semiconductor package;
상기 캐비티게이트(CG)에는 컴파운드재가 통과할 때 내부의 잔존에어를 외부로 방출시킬 수 있도록 형성한 에어방출수단(AR)과 ;The cavity gate (CG) has air releasing means (AR) formed so that the remaining air inside the cavity gate (CG) can be released to the outside when the compound material passes through the cavity gate (CG).
를 포함하는 것이다..
이와 같이 된 본 발명의 일 실시예를 첨부도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.
도 1은 본 발명의 적용상태도로서, 트랜스퍼 성형장치(TS)의 중앙에 몰드금형(MD)이 상하로 분리되어 탑몰드(TM)와 바텀몰드(BM)로 구성되고, 상기 몰드금형(MD)의 좌우 양측에는 자재(R)를 공급 및 배출시키는 공급부(IN)와 배출부(OUT)가 구비된다.1 is a diagram showing an application state of the present invention in which a mold die MD is vertically separated at the center of a transfer molding apparatus TS and is composed of a top mold TM and a bottom mold BM, A supply part IN and a discharge part OUT for supplying and discharging the material R are provided on both left and right sides.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 몰드금형(MD)의 구성도 및 탑캐비티인서트(TCI)의 저면을 도시한 것으로서 탑몰드(TM)의 중앙 길이 방향으로 탑센터블록(TCB)이 구비되고, 이 탑센터블록(TCB)의 양측에는 각각 탑캐비티인서트(TCI)가 구비된다.2 to 4 are views showing the structure of a mold die (MD) of the present invention and the bottom surface of a top cavity insert (TCI), wherein a top center block (TCB) is provided in the center longitudinal direction of the top mold (TM) On both sides of the top center block (TCB), a top cavity insert (TCI) is provided.
상기 탑캐비티인서트(TCI)에는 다수의 캐비티(CV)가 형성되고, 이 캐비티(CV)의 외주연에는 탑캐비티인서트(TCI)의 표면에서 소정높이(H)를 갖는 돌출부(GL)를 형성하며, 상기 캐비티(CV)의 일측모서리의 돌출부는 탑센터블록(TCB)측으로 연장시켜 캐비티게이트(CG)를 형성한다.A plurality of cavities CV are formed in the top cavity insert TCI and protrusions GL having a predetermined height H are formed on the outer circumference of the cavity CV at the surface of the top cavity insert TCI , The protrusion of one side edge of the cavity CV is extended toward the top center block TCB to form the cavity gate CG.
상기 캐비티게이트(CG)에는 소정길이(D)의 요홈을 갖는 에어방출수단(AR)을 형성한다.The cavity gate CG is formed with an air discharging means AR having a groove with a predetermined length D.
에어방출수단(AR)은 캐비티(CV)와 캐비티게이트(CG)와 외부로 연통 형성한다.The air releasing means AR is connected to the outside of the cavity CV and the cavity gate CG.
상기 탑몰드(TM)와 대응하는 하부의 바텀몰드(BM)에는 상기 탑센터블록(TCB)과 탑캐비티인서트(TCI)와 대응하도록 바텀센터블록(BCB)과 바텀캐비티인서트(BCI)를 구비하고, 바텀캐비티인서트(BCI)에는 다수의 캐비티(CV)와 이 캐비티(CV)의 일측모서리에 바텀캐비티인서트(BCI)와 연통되는 런너게이트(RG)를 형성한 것이다.The bottom mold BM corresponding to the top mold TM has a bottom center block BCB and a bottom cavity insert BCI corresponding to the top center block TCB and the top cavity insert TCI, And the bottom cavity insert BCI are formed with a plurality of cavities CV and a runner gate RG communicating with the bottom cavity insert BCI at one corner of the cavity CV.
도면중 미설명부호 G는 탑센터블록에 형성된 가이드이고, R은 바텀센터블록에 형성된 런너이고, PT는 탑센터블록에 형성된 포트이다.In the drawing, reference character G denotes a guide formed in the top center block, R denotes a runner formed in the bottom center block, and PT denotes a port formed in the top center block.
이와 같이 된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 간다.The operation of the present invention will be described below.
전공정에서 반도체칩(CP)과 와이어(W)의 연결이 완료된 반도체패키지자재(R)를 트랜스퍼 성형장치(TS)의 공급부(IN)에서 몰드금형(MD)의 바텀몰드(BM)상부에 공급시킨 후 바텀몰드(BM)와 탑몰드(TM)를 접합시켜 자재(R)를 클램프시킨다.The semiconductor package material R in which the connection between the semiconductor chip CP and the wire W is completed in the previous step is supplied from the supply section IN of the transfer molding apparatus TS to the upper portion of the bottom mold BM of the mold die MD And the bottom mold (BM) and the top mold (TM) are joined together to clamp the material (R).
이렇게 자재(R)가 클램프되면 도 4에서 보는 바와 같이 고온의 액체 컴파운드재가 탑몰드(TM)의 포트(PT)를 통해 바텀센트블록(BCB)의 런너(R) 및 바텀캐비티인서트(BCI)의 런너(R)와 탑센터블록(TCB)의 가이드(G) 및 탑캐비티인서트(TCI)의 캐비티게이트(CG) 사이를 통해 각 캐비티(CV) 내로 충진공급된다.When the material R is clamped, the high-temperature liquid compound material flows through the port PT of the top mold TM as shown in FIG. 4, and the runner R and the bottom cavity insert BCI of the bottom cent block BCB, And is filled into each cavity CV through a gap G between the runner R and the guide G of the top center block TCB and the cavity gate CG of the top cavity insert TCI.
이렇게 캐비티(CV)내로 공급되는 컴파운드재는내부에 에어가 포함되어 있어 탑캐비티인서트(TCI)의 캐비티가이드(CG)에 구비된 에어방출수단(AR)에서 외부로 방출되도록 한다.The compound material supplied into the cavity CV contains air therein and is released to the outside from the air releasing means AR provided in the cavity guide CG of the top cavity insert TCI.
따라서, 각 캐비티(CV)내로 공급되는 컴파운드재내의 잔존에어를 외부로 배출시킨 상태로 충진시킴으로서 컴파운드재의 충진흐름을 원활하게 하고, 캐비티(CV)내에서 형성되는 패키지내의 기포발생을 방지하여 종래와 같이 인터널보이드(IB) 불량을 방지한 것이다.Therefore, by filling the remaining air in the compound material supplied into each cavity CV in a discharged state to the outside, the filling flow of the compound material can be smoothly performed, and the generation of bubbles in the package formed in the cavity CV can be prevented, Similarly, it prevents internal void (IB) failure.
상기한 에어방출수단(AR)은 캐비티게이트(CG)의 외부로 형성되어 있어 에어방출을 보다 용이하게 하고, 캐비티(CV)측 내부로 연통된 부위로 컴파운드재가 용이하게 공급될 수 있게 한 것이다.The air releasing means AR is formed outside the cavity gate CG so that air can be easily released and the compound material can be easily supplied to a portion communicated with the inside of the cavity CV side.
이상에서와 같이 본 발명은 반도체패키지를 제조하기 위한 몰드금형의 탑캐비티인서트에 구비된 캐비티게이트에 에어방출수단을 형성하여 패키지성형시 캐비티내로 충진공급되는 컴파운드재의 잔존 에어방출을 용이하게 하므로서 컴파운드재의 충진흐름을 원활하게 하고, 캐비티에 형성되는 패키지 내부의 인터널보이드 발생을 방지하여 패키지의 성형작업성과 제품의 품질신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, an air discharging means is formed in a cavity gate of a mold cavity of a mold cavity for manufacturing a semiconductor package, thereby facilitating the release of remaining air of the compound material filled in the cavity during package molding. It is possible to smooth the filling flow and prevent internal voids in the package formed in the cavity, thereby improving the molding workability of the package and the quality reliability of the product.
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