KR100194362B1 - Mold mold for BGA semiconductor package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 BGA반도체패키지용 몰드금형에 관한 것으로서, 각부의 두께(t)가 상이한 BGA반도체패키지의 원자재인 PCB(41)를 클램프 가압시켜 소정형태의 패키지(42)를 성형시킬 수 있게 하는 트랜스퍼성형장치(TS)의 몰드금형(MS)에 구비된 캐비티인서트(10)에 PCB(41)의 두께(t) 편차와 대응하는 클램프영역(13)의 높이 단차를 각기 다르게 형성한 것으로 트랜스퍼성형장치(TS)에서 몰드금형(MS)으로 클램프 가압되어 패키지(42)성형되는 PCB(41)의 변형방지에 따라 와이어(W)와 리드(L)의 숏트 등의 와이어스위핑 불량을 방지하고, 컴파운드재의 공급시 캐비티내의 공기가 에어벤트을 통해 외부로 배출될 수 있게 하여 패키지의 성형성을 좋게하며, BGA반도체패키지의 품질신뢰도를 향상시킨 효과가 있다.The present invention relates to a mold mold for a BGA semiconductor package, and transfer molding for clamping a PCB 41, which is a raw material of a BGA semiconductor package having a different thickness (t) of each part, to form a package 42 of a predetermined type. In the cavity insert 10 provided in the mold mold MS of the apparatus TS, the height difference of the clamp region 13 corresponding to the thickness t deviation of the PCB 41 is differently formed. TS is applied to the mold mold (MS) to prevent deformation of the PCB 41 formed by the package 42 to prevent the wire sweeping defects such as short of the wire (W) and the lead (L), supplying the compound material The air in the sea cavity can be discharged to the outside through the air vent to improve the formability of the package, and has the effect of improving the quality reliability of the BGA semiconductor package.

Description

BGA 반도체패키지용 몰드금형Mold mold for BGA semiconductor package

본 발명은 BGA 반도체패키지용 몰드금형에 관한 것으로서, 특히 BGA반도체패키지의 PCB원자재 두께편차에 대응하는 높이에 따라 몰드금형의 캐비티인서트에 형성된 클램프영역의 높이를 상이하게 형성시켜 PCB의 클램프 가압력을 균일하게 함에 따라 PCB의 와이어 스위핑(Wire Sweeping) 불량방지와 패키지 성형성을 좋게 한 BGA 반도체패키지용 몰드금형에 관한 것이다.The present invention relates to a mold mold for a BGA semiconductor package, and in particular, to form a different height of the clamp region formed on the cavity insert of the mold mold according to the height corresponding to the PCB raw material thickness variation of the BGA semiconductor package to uniform the clamp force of the PCB As a result, the present invention relates to a mold mold for BGA semiconductor packages which prevents poor wire sweeping of a PCB and improves package formability.

일반적으로 BGA 반도체패키지는 파인피치 표면실장기술(FPT)과 핀그리드어레이(Pin Grid Array)의 고집적화 한계에 대한 기능과 품질을 보완하기 위해 개발되었고, 이 BGA 반도체 기술은 고집적화된 리드(Lead)의 손상을 방지하며, 부피의 크기를 최소화하고, 우수한 전기적 기능특성과 열적 특성을 보유하며, 우수한 패키지의 수율과 우수한 기판조립 수율과 그외 멀티칩 모듈의 확장과 신속한 디자인에서 생산까지의 사이클을 최소화 할수 있는 장점을 가지고 있다.In general, BGA semiconductor packages have been developed to complement the functionality and quality of the high integration limits of Fine Pitch and Pin Grid Arrays. It prevents damage, minimizes the size of the volume, has excellent electrical functional and thermal properties, excellent package yield, excellent substrate assembly yield, and the expansion of multichip modules and the rapid design to production cycle. Has the advantage.

따라서, 고집적화된 BGA 반도체패키지의 품질신뢰도 향상에 따른 이용의 다양성과 초소형으로 요구되는 각종 전자주변기기에 적용이 용이하고, 가격 경쟁력이 높아 고 부가가치의 제품을 얻을 수 있는 것이다.Therefore, it is easy to apply to various electronic peripheral devices that require ultra-small size and variety of use due to the improved quality reliability of BGA semiconductor package, and it is possible to obtain high value-added products with high price competitiveness.

이러한 BGA 반도체패키지는 보다 많은 수의 고집적화된 회로를 갖기 위해 PCB상에 리드와 탑재판이 구비되고, 탑재판에는 반도체칩이 부착되며, 반도체칩의 회로와 기존의 리드에 형성한 랜드에는 와이어를 연결시켜 본딩하고, 기판의 금속층에는 볼을 융착고정시켜 반도체칩의 회로가 볼과 연결될 수 있게 하였다.The BGA semiconductor package is provided with leads and mounting plates on the PCB in order to have a higher number of highly integrated circuits, semiconductor chips are attached to the mounting plates, and wires are connected to lands formed on the circuits of the semiconductor chip and the existing leads. And bonded to the metal layer of the substrate to fuse the ball so that the circuit of the semiconductor chip can be connected to the ball.

상기한 PCB은 내부에 플래인층(Plane Layer)이 에폭시(Epoxy) 양측에 구비되고, 플레인층의 외부에는 엑폭시층이 구비되며, 에폭시층의 외부에는 시그널(Signal)층이 구비되고, 시그널층 외부에는 솔더마스크(Solder Mask)층이 구비되어 PCB가 다층으로 구비되어 있다.In the PCB, a plane layer is provided on both sides of epoxy, an epoxy layer is provided on the outside of the plane layer, and a signal layer is provided on the outside of the epoxy layer. The solder mask layer is provided outside the layer, and the PCB is provided in multiple layers.

따라서, BGA 반도체 패키지의 제조시 구입되는 PCB 원자재는 다층으로 각 층을 적층시키는 가공기술상의 문제에 의해 PCB의 두께 편차가 심하고, 전체 평평도가 고르지 못한 원자재를 각 제조공정에 투입된다.Therefore, the PCB raw material purchased in the manufacture of the BGA semiconductor package has a serious variation in the thickness of the PCB due to processing technology of laminating each layer in multiple layers, and raw materials having an uneven overall flatness are introduced into each manufacturing process.

이렇게 두께편차와 평평도가 고르지 못한 PCB는 다이어태치(Die Attach)공정에서 반도체칩을 부착시킨 후 와이어본딩(Wire Bonding)공정에서 반도체칩과 PCB의 각 회로패턴 사이에 와이어본딩을 거친후 반도체칩과 와이어의 외부 노출을 방지하고, 내부의 회로적 구성 부품과 기능적 특성을 보호하기 위해 성형공정에서 소정형태의 패키지 성형을 시행한다.The PCB with uneven thickness and flatness is attached to the semiconductor chip in the die attach process, and then subjected to wire bonding between the semiconductor chip and each circuit pattern of the PCB in the wire bonding process. In order to prevent external exposure of wires and wires, and to protect the internal circuit components and functional characteristics, some form of package molding is performed in the molding process.

성형공정에서는 패키지를 성형시킬수 있는 캐비티를 가진 바텀몰드상에 PCB을 공급시킨 후 바텀몰드를 상승시켜 PCB를 클램핑시킨 상태에서 컴파운드재 수지물의 충진에 따른 패키지성형을 완료하고, 패키지 성형이 완료된 자재는 솔더볼 안착공정에서 솔더볼을 융착 고정시켜 완성된 BGA 반도체패키지를 구할 수 있게 한다.In the molding process, after the PCB is supplied to the bottom mold having a cavity capable of forming a package, the bottom mold is raised to complete package molding according to the filling of the compound material resin while the PCB is clamped. The solder ball is fused and fixed in the solder ball seating process to obtain a completed BGA semiconductor package.

BGA 반도체패키지의 PCB는 얇은 박판상의 유니트에 다수개의 집적회로부를 구비하고, 이 집적회로부의 외부에 컴파운드재의 수지물을 소정형태로 패키지 성형시키는데, 이때 패키지를 성형시키기 위해 몰드금형 상에 구비된 캐비티인서트에 다수의 캐비티 영역과 캐비티영역 외부에 PCB를 클램프시키는 클램프영역과 캐비티영역내로 수지물을 공급시키는 런너게이트와 캐비티영역 내부에 공급된 수지물에 의해 내부의 공기를 외부로 배출시키는 에어벤트를 구비하였다.The PCB of a BGA semiconductor package includes a plurality of integrated circuit parts in a thin thin plate unit, and packages resin materials of a compound material in a predetermined form on the outside of the integrated circuit part, wherein a cavity provided on a mold mold for molding the package is provided. The air vent that discharges the internal air to the outside by a plurality of cavity areas, a clamp area for clamping the PCB outside the cavity area, a runner gate for supplying resin into the cavity area, and a resin material supplied inside the cavity area. Equipped.

이와 같은 PCB에 패키지를 성형시킬 수 있는 종래의 구조를 설명하면 첨부 도 8에서 보는 바와 같이 바텀몰드(BM)의 상부 중앙에 바텀센터블록(CB : 이하, 센터블록이라 함)이 구비되고, 센터블록(CB)의 양측에 설치되는 바텀캐비티인서트(10 : 이하, 캐비티인서트라 칭함)의 베이스(11) 상부 좌우 길이방향으로 요홈을 갖는 캐비티(12)(12A)를 다수개 형성하며, 각 캐비티(12)(12A)의 일측 모서리에는 런너게이트(RG)을 각각 형성하여 런너게이트(RG)가 형성된 측의 베이스(11)를 안측(IN)이라 칭한다.Referring to the conventional structure capable of molding a package on such a PCB, as shown in FIG. A plurality of cavities 12 and 12A having grooves in the left and right longitudinal directions of the base 11 of the bottom cavity inserts 10 (hereinafter referred to as cavity inserts) provided on both sides of the block CB are formed, and each cavity The runner gates RG are formed at one corner of the 12 12A, respectively, and the base 11 on the side where the runner gate RG is formed is called the inner side IN.

상기한 각 캐비티(12)의 외주연 상부와 양단측 캐비티(12A)의 안측(IN) 양단과 베이스(11)의 양단부(11A)에는 클램프영역(13)이 형성되고, 상기 양단부(11A)에 형성된 클램프영역(13)에서 아웃측(OUT)으로 클램프영역(13)이 연장 형성된다.Clamp regions 13 are formed at the outer circumferential upper portion of each of the cavities 12, on both ends of the inner side IN of the cavity 12A, and on both ends 11A of the base 11, and at both ends 11A. The clamp region 13 extends from the formed clamp region 13 to the out side OUT.

상기 클램프영역(13)의 런너(R)측 이외의 캐비티(12)(12A) 모서리에는 에어벤트(AV)을 형성시킨다.An air vent AV is formed at the corners of the cavity 12, 12A other than the runner R side of the clamp region 13.

이러한 캐비티인서트(10)는 트랜스퍼 성형장치(TS)의 바텀몰드(BM)에 구비된 센터블록(CB)양측에 설치하여 센터블록(CB)의 런너(R)와 캐비티인서트(10)의 런너게이트(RG)가 연결되도록 구비시킨후 와이어본딩이 완료된 PCB(41)가 공급되면 PCB(41)의 각 집적회로부가 각 캐비티(12)(12A)에 위치된 상태에서 클램프영역(13) 상부에 안치되고, 바텀몰드(BM)의 상승에 의해 PCB(41)가 클램프 가압된 상태에서 컴파운드재 수지물을 공급시키면 센터블록(CB)의 런너(R)와 캐비티인서트(10)의 런너게이트(RG)을 통해 캐비티(12)(12A)내로 충진된 컴파운드재의 수지물이 소정형태의 패키지(42)가 성형될수 있게 한다.The cavity insert 10 is installed on both sides of the center block CB provided in the bottom mold BM of the transfer molding apparatus TS, so that the runner R and the runner gate of the cavity insert 10 of the center block CB are installed. When the PCB 41 having wire bonding is provided after the RG is connected, the integrated circuit part of the PCB 41 is placed in the upper part of the clamp region 13 in the state of being located in each cavity 12 and 12A. When the compound material resin is supplied while the PCB 41 is clamp-pressed by the rise of the bottom mold BM, the runner R of the center block CB and the runner gate RG of the cavity insert 10 are supplied. The resin material of the compound material filled into the cavities 12 and 12A through this allows the package 42 of a predetermined form to be molded.

그러나, 패키지 성형되는 PCB(41)는 첨부 도 9에서와 같이 얇은 박판상으로 다층 구비된 PCB(41) 원자재가 제조기술상의 문제에 의해 양단의 A부 두께가 수지물이 과성형되는 디게이팅(D : Degating)영역측의 반대방향 평균 두께(t)보다 높게 형성되어 PCB(41)의 각 부위 두께편차가 상이함에 따라 클램프영역(13)에 안치된 PCB(41)가 탑몰드(TM)와 바텀몰드(BM)에서 클램프 가압될 때 가압력 불균형이 이루어진다.However, the PCB 41 to be package-molded is a degating (D) in which the thickness of the A portion of both ends is overmolded due to a manufacturing technology problem of the raw material of the PCB 41 having a multilayered thin layer as shown in FIG. : The PCB 41 placed in the clamp region 13 is lower than the top mold TM because the thickness variation of each portion of the PCB 41 is higher than the average thickness t in the opposite direction on the side of the degating region. Press force imbalance occurs when the clamp is pressed in the mold BM.

따라서, PCB(41)는 클램프영역(10)에서 심하게 변형이 발생되어 첨부 도 10에서 보는 바와 같이 PCB(41)의 내부에 구비된 와이어(W) 및 회로패턴(P)이 파손 또는 숏트되는 와이어 스위핑 불량이 발생되었다.Therefore, the PCB 41 is severely deformed in the clamp region 10, and as shown in FIG. 10, the wire W and the circuit pattern P provided inside the PCB 41 are broken or shorted. Sweeping failures have occurred.

또한 클램프영역(10)에 안치된 PCB(41)가 클램프 가압 불균형에 의해 두께편차가 심한 부위에서 발생한 변형에 의해 에어벤트(AV)의 통로를 차단시킴에 따라 고온·고압의 액체 컴파운드재가 캐비티(12)(12A) 내로 공급될 때 캐비티(12)(12A)내의 공기가 에어벤트(AV)를 통해 배출되지 못하므로써 컴파운드재의 충진흐름 불량에 따른 패키지 성형불량을 발생시켰다.In addition, as the PCB 41 placed in the clamp region 10 blocks the passage of the air vent AV due to deformation occurring at a site where the thickness deviation is severe due to the clamp pressure imbalance, the high temperature / high pressure liquid compound material is formed in the cavity ( 12) The air in the cavities 12 and 12A, when supplied into 12A, was not discharged through the air vent AV, resulting in poor package molding due to poor filling flow of the compound material.

전술한 종래 기술들은 몰드금형의 캐비티인서트에 형성한 캐비티 외주연의클램프영역 높이가 균일하게 형성되어 있어 각기 두께편차가 상이한 BGA반도체패키지의 PCB가 바텀몰드의 캐비티인서트 상부에 안치공급시킨 상태에서 탑몰드의 접합에 따른 클램프 가압시 가압 불균형을 초래하여 캐비티 내로 충진공급된 컴파운드재의 수지물 공급이 고르게 충진되지 못함에 따라 패키지 성형불량에 의한 후레쉬 발생과 보이드 또는 블리스터 등의 불량 발생요인이 되었고, 클램프 가압시 PCB의 변형에 의해 숏트 등의 와이어 스위핑 불량으로 BGA 반도체패키지의 성형작업성과 품질신뢰도를 약화시키는 문제점이 있었다.The above-described prior arts have a uniform height of the clamp region of the outer periphery of the cavity formed in the mold insert cavity insert, so that the PCBs of the BGA semiconductor packages having different thickness deviations are placed and placed on the top of the cavity insert of the bottom mold. When the clamp is pressed due to the joining of the resin, the resin material of the compound material filled into the cavity is not evenly filled, resulting in the occurrence of fresh flashes and defects such as voids or blisters. Due to deformation of the PCB during pressurization, there was a problem of weakening the molding workability and quality reliability of the BGA semiconductor package due to a poor wire sweeping such as a short.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, BGA반도체패키지의 PCB원자재 두께편차에 대응하는 높이에 따라 몰드금형의 캐비티인서트에 형성된 클램프영역의 높이를 상이하게 형성시켜 PCB의 클램프 가압력을 균일하게 한 것을 목적으로 한다.The present invention has been invented to solve the above-described problems, the clamp of the PCB by differently forming the height of the clamp area formed in the cavity insert of the mold mold according to the height corresponding to the PCB raw material thickness deviation of the BGA semiconductor package It aims at making uniform pressing force.

도 1은 본 발명의 BGA 반도체패키지의 패키지를 성형시키는 몰드금 형이 적용되는 트랜스퍼 성형 장치의 개략구성도.1 is a schematic configuration diagram of a transfer molding apparatus to which a mold mold for molding a package of a BGA semiconductor package of the present invention is applied.

도 2는 본 발명의 캐비티인서트가 적용된 상태의 몰드금형 사시도.Figure 2 is a mold mold perspective view of the cavity insert of the present invention is applied.

도 3은 본 발명의 캐비티인서트 사시도.3 is a cavity insert perspective view of the present invention.

도 4는 본 발명의 캐비티인서트 평면도.Figure 4 is a cavity insert plan view of the present invention.

도 5는 본 발명의 몰드금형에서 패키지 성형되는 BGA 반도체패키지 의 PCB 평면구조도.Figure 5 is a PCB planar structure of the BGA semiconductor package packaged in the mold of the present invention.

도 6은 본 발명의 몰드금형 캐비티인서트의 평면도.6 is a plan view of a mold mold cavity insert of the present invention.

도 7은 본 발명의 몰드금형에서 패키지 성형이 완료된 제품의 내부 구조도.7 is a view illustrating the internal structure of a product in which package molding is completed in the mold mold of the present invention.

도 8은 종래의 몰드금형의 캐비티인서트 평면도.8 is a plan view of a cavity insert of a conventional mold mold.

도 9는 일반적인 BGA 반도체패키지의 PCB구조도.9 is a PCB structure diagram of a typical BGA semiconductor package.

도 10은 종래의 몰드금형에서 패키지 성형이 완료된 상태의 제품의 내부구조도.10 is a view illustrating the internal structure of a product in a state in which package molding is completed in a conventional mold mold.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

TS : 트랜스퍼성형장치 MS : 몰드금형TS: Transfer Molding Device MS: Mold Mold

BM : 바텀몰드 10 : 캐비티인서트BM: Bottom Mold 10: Cavity Insert

12,12A : 캐비티 13 : 클램프영역12,12A: Cavity 13: Clamp Area

13A : 제1클램프영역 13B : 제2클램프영역13A: 1st clamp area 13B: 2nd clamp area

13C : 제3클램프영역 13D,13E : 돌출부13C: 3rd clamp area 13D, 13E: protrusion part

RG : 런너게이트 IN : 안측RG: Runner Gate IN: Inner Side

OT : 아웃측 41 : PCBOT: Out side 41: PCB

42 : 패키지42: package

이하 본 발명의 구성을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration of the present invention in detail.

각부의 두께(t)가 상이한 BGA반도체패키지의 원자재인 PCB(41)를 클램프 가압시켜 소정형태의 패키지(42)를 성형시킬 수 있게 하는 트랜스퍼성형장치(TS)의 몰드금형(MS)에 구비된 캐비티인서트(10)에 PCB(41)의 두께(t) 편차와 대응하는 클램프영역(13)의 높이 단차를 각기 다르게 형성한 것이다.The mold 41 of the transfer molding apparatus TS, which is capable of molding the package 42 by clamping and pressing the PCB 41, which is a raw material of a BGA semiconductor package having a different thickness t of each part, is provided. The height difference of the clamp region 13 corresponding to the variation in the thickness t of the PCB 41 is formed on the cavity insert 10 differently.

이와 같이 된 본 발명의 일 실시예를 첨부도에 의하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.An embodiment of the present invention thus described will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부 도 1은 본 발명의 에어벤트(AV)을 가진 몰드금형(MS)이 적용되는 BGA 반도체패키지의 트랜스퍼 성형장치(TS)의 개량구성도로써, 일측에 공급부(I)와 공급부(I)타측에 안내부(G)와 안내부(G)의 상부에 이송부(F)와 안내부(G)의 중앙 상하에 탑몰드(TM)와 바텀몰드(BM)가 구비되고, 각 몰드의 타측에는 배출부(O)가 구비된다.1 is an improved configuration diagram of a transfer molding apparatus TS of a BGA semiconductor package to which a mold mold MS having an air vent AV of the present invention is applied, and on one side of the supply unit I and the other side of the supply unit I. A top mold (TM) and a bottom mold (BM) are provided above and below the center of the transfer part (F) and the guide part (G) at the upper part of the guide part (G) and the guide part (G), and the other side of each mold is discharged. Part O is provided.

이러한 트랜스퍼 성형장치(TS)는 와이어본딩이 완료된 BGA 반도체패키지의 PCB(41)를 공급부(I)에 구비된 PCB(41)가 이송부(F)의 작동에 따라 안내부(G)를 통하여 바텀몰드(BM)에 공급시키면 바텀몰드(BM)가 상승하여 탑몰드(TM)에 접합되고 동시에 클램프영역에 구비된 PCB(41)는 몰드금형(MS)에서 클램프 가압된 상태에서 컴파운드재의 수지물이 각 몰드금형(MS)의 캐비티(12)(12A)에 공급되어 소정형태의 패키지(42)를 형성시킬 수 있게 한 것이다.In the transfer molding apparatus TS, the PCB 41 of the BGA semiconductor package, in which wire bonding is completed, is mounted on the bottom part through the guide part G according to the operation of the transfer part F. When supplying to BM, the bottom mold BM rises and is joined to the top mold TM, and at the same time, the PCB 41 provided in the clamp region has a resin material of the compound material in the clamp-pressed state in the mold mold MS. It is supplied to the cavities 12 and 12A of the mold mold MS to form the package 42 of a predetermined form.

첨부 도 2는 본 발명의 BGA 반도체패키지의 패키지를 성형시킬 수 있는 몰드금형(MS)의 사시도로써, 탑몰드(TM) 중앙 하부에 센터블록(TB)과 센터블록(TB) 양측에 탑캐비티인서트(TCI)가 구비되고, 하부의 바텀몰드(BM)에는 중앙 상부에 런너(R)를 가진 센터블록(CB)과 센터블록(CB) 양측에 캐비티인서트(10)를 구비한다.2 is a perspective view of a mold mold (MS) capable of molding a package of a BGA semiconductor package according to the present invention. The top cavity inserts are formed on both sides of the center block (TB) and the center block (TB) below the center of the top mold (TM). TCI is provided, and the lower bottom mold BM includes a center block CB having a runner R at the center and a cavity insert 10 at both sides of the center block CB.

첨부 도 3은 본 발명의 바텀몰드(BM)에 설치되는 캐비티인서트(10)의 사시도이고, 첨부 도 4는 캐비티인서트의 평면도이다.FIG. 3 is a perspective view of the cavity insert 10 installed in the bottom mold BM of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the cavity insert.

캐비티인서트(10)는 폭(W1)이 좁고 길이(ℓ1)가 긴 베이스(11) 상부에 길이방향으로 요홈을 갖는 다수개의 캐비티(12)(12A)를 형성하고, 각 캐비티(12)(12A)의 외주연에는 베이스(11)의 상부면에서 소정 높이의 돌출부를 가진 클램프영역을 형성하며, 상기 각 캐비티(12)의 일측 모서리부 클램프영역(13)에는 바텀몰드(BM)의 센터블록(CB)에 구비한 런너(R)와 연결되는 런너게이트(RG)을 각각 형성하고, 각 런너게이트(RG)가 형성된 측의 캐비티인서트(10) 일면을 안측(IN)이라 칭하여 클램핑영역(13)을 좀더 상세히 설명하면 다음과 한다.The cavity insert 10 forms a plurality of cavities 12 and 12A having grooves in the longitudinal direction on the base 11 with a narrow width W1 and a long length ℓ1, and each cavity 12 and 12A. On the outer periphery of the base 11 is formed a clamp region having a protrusion of a predetermined height on the upper surface of the base 11, the center of the bottom mold (BM) of the bottom corner clamp region 13 of each cavity 12 ( Runner gates RG connected to the runners R provided in the CB are respectively formed, and one surface of the cavity insert 10 on the side where each runner gate RG is formed is referred to as the inner side IN and the clamping region 13 is formed. When described in more detail as follows.

클램프영역(13)은 각 캐비티(12)중 캐비티인서트(10)의 안측(IN)에서 폭방향 중앙위치(W2)까지와 양단측 캐비티(12A)의 내측면에서 길이 방향 중앙위치(ℓ2)까지의 안측(IN)으로 베이스(11)의 상부면에서 가장 큰 소정높이(H1)의 돌출부를 가진 제1클램프영역(13)을 형성한다.The clamp region 13 is located from the inner side IN of the cavity insert 10 to the central position W2 in the width direction and from the inner side of the cavity 12A to the longitudinal center position l2 in each cavity 12. The first clamp region 13 having the protrusion having the largest predetermined height H1 on the upper surface of the base 11 is formed at the inner side IN of the substrate 11.

상기 제1클램프영역(13A)의 폭방향 중앙위치(W2)에서 캐비티인서트(10)의 폭(W1)방향 외부측으로 캐비티(12)의 외주연에 형성한 패키지영역(11)까지의 폭방향위치(W3)와 양단측 캐비티(12A)의 바깥측 길이방향 중앙위치(l3)에 상기 제1클램프영역(13A)의 높이(H1)보다 낮은 높이(H2)를 갖는 제2클램프영역(13B)을 형성한다.Width direction position from the width direction center position W2 of the said 1st clamp area | region 13A to the package area | region 11 formed in the outer periphery of the cavity 12 to the outer side of the width W1 direction of the cavity insert 10 direction. A second clamp region 13B having a height H2 lower than the height H1 of the first clamp region 13A at the outer longitudinal center position l3 of W3 and the both end cavities 12A. Form.

상기한 양단측 캐비티(12A)의 제1클램프영역(13A)과 제2클램프영역(13B)의 경계부(16)에서 양단측 캐비티(12A)의 길이방향 외부의 클램프영역을 포함하고 클램프영역의 안측(IN) 외측단에서 외부로 소정길이 위치(ℓ4)까지에는 제2클램프영역(13B)의 높이보다 낮은 높이(H3)의 제3클램프영역(13C)을 형성한다.In the boundary portion 16 of the first clamp region 13A and the second clamp region 13B of the above-mentioned both end cavity 12A, the clamp region is included in the clamp region outside the longitudinal direction of the both end cavity 12A. (IN) A third clamp region 13C having a height H3 lower than the height of the second clamp region 13B is formed from the outer end to the predetermined length position l4.

양단측 캐비티(12A)의 안측(IN) 외측으로 구비된 제3클램프영역(13C)의 선단에는 캐비티인서트(10)의 양단부(11A)와 안측(IN)에서 바깥측(OUT)까지의 폭방향 중앙위치(W4)에 제1클램프영역(13A)의 높이(H1)와 동일한 돌출부(13D)을 형성한다.At the front end of the third clamp region 13C provided outside the inner side IN of the both end side cavity 12A, the width direction from the both ends 11A of the cavity insert 10 and the inner side IN to the outer side OUT. At the center position W4, a protrusion 13D equal to the height H1 of the first clamp region 13A is formed.

양단부(11A)의 제1클램프영역(13A)의 경계부에서 바깥측(OT)까지의 폭(W5)에는 제2클램프영역(13B)과 동일한 높이(H2)의 돌출부(13E)을 형성한다.A protrusion 13E having the same height H2 as the second clamp region 13B is formed in the width W5 from the boundary portion of the first clamp region 13A of the both ends 11A to the outer side OT.

각 캐비티(12)와 양단측 캐비티(12A)의 외주연에 형성한 제1클램프영역(13A)과 제2클램프영역(13B)과 제3클램프영역(13C)중 런너게이트(RG)를 제외한 부위의 모서리에는 각각 에어벤트(AV)를 형성한다.The portion of the first clamp region 13A, the second clamp region 13B, and the third clamp region 13C formed on the outer circumference of each cavity 12 and the both ends cavity 12A except the runner gate RG. At each corner of the air vent (AV) forms.

첨부 도 5는 본 발명의 캐비티인서트에서 패키지 성형되는 BGA 반도체패키지의 PCB평면도로써, 다층으로 구비된 PCB(41) 상에 다수개의 패키지 성형부가 구비되고 상기 PCB(41)는 원자재에 솔더플레이층 도포과정시 양단이 두껍게 도포되어 도면에 예시된 PCB(41)의 각 부위(1′∼ 8′까지) 두께가 각기 상이하게 나타난다.FIG. 5 is a PCB plan view of a BGA semiconductor package packaged in a cavity insert of the present invention, wherein a plurality of package molding parts are provided on a PCB 41 having a multilayer, and the PCB 41 is coated with a solder play layer on a raw material. Both ends are thickly applied during the process, and the thicknesses of the respective portions (1 'to 8') of the PCB 41 illustrated in the drawings are different from each other.

상기 PCB(41)의 각 부위 두께에 대한 예시는 다음과 같다.An example of each part thickness of the PCB 41 is as follows.

BGA 반도체패키지의 PCB 원자재의 각 부위 두께 단위: M/MThickness of each part of PCB raw material of BGA semiconductor package Unit: M / M 부위 PCBArea PCB 1′One' 2′2' 3′3 ′ 4′4' 5′5 ′ 6′6 ′ 7′7 ′ 8′8' MINMIN MAXMAX 평균Average 1One 0.3600.360 0.3500.350 0.3480.348 0.3480.348 0.3420.342 0.3410.341 0.3420.342 0.3420.342 0.3410.341 0.3600.360 0.2770.277 22 0.3510.351 0.3520.352 0.3440.344 0.3450.345 0.3420.342 0.3400.340 0.3410.341 0.3400.340 0.3400.340 0.520.52 0.2760.276 33 0.3480.348 0.3470.347 0.3400.340 0.3450.345 0.3380.338 0.3390.339 0.3400.340 0.3400.340 0.3380.338 0.3480.348 0.2740.274 44 0.3400.340 0.3420.342 0.3300.330 0.3320.332 0.3300.330 0.2980.298 0.3310.331 0.3310.331 0.2980.298 0.3420.342 0.2630.263 55 0.3720.372 0.3580.358 0.3420.342 0.3450.345 0.3400.340 0.3400.340 0.3430.343 0.3410.341 0.3400.340 0.3580.358 0.2780.278 66 0.3520.352 0.3470.347 0.3430.343 0.3420.342 0.3400.340 0.3400.340 0.3400.340 0.3380.338 0.3380.338 0.3520.352 0.2740.274 77 0.3700.370 0.3620.362 0.3610.361 0.3550.355 0.3580.358 0.3500.350 0.3510.351 0.3520.352 0.3500.350 0.3700.370 0.2860.286 88 0.3600.360 0.3570.357 0.3520.352 0.3520.352 0.3490.349 0.3450.345 0.3460.346 0.3520.352 0.3450.345 0.3600.360 0.2810.281 99 0.3500.350 0.3530.353 0.3470.347 0.3450.345 0.3400.340 0.3410.341 0.3400.340 0.3400.340 0.3400.340 0.3530.353 0.2760.276 1010 0.3600.360 0.3720.372 0.3600.360 0.3680.368 0.3580.358 0.3580.358 0.3580.358 0.3650.365 0.3580.358 0.3720.372 0.2900.290 MINMIN 0.3400.340 0.3420.342 0.3300.330 0.3320.332 0.3300.330 0.2980.298 0.3310.331 0.3310.331 MAXMAX 0.3720.372 0.3720.372 0.3610.361 0.3680.368 0.580.58 0.3580.358 0.3580.358 0.3650.365 평 균Average 0.3560.356 0.3540.354 0.3470.347 0.3480.348 0.3440.344 0.3390.339 0.3430.343 0.3440.344

상기 표1에서 보듯이 원자재인 PCB(41)의 두께(t)는 다수개의 패키지가 형성되는 PCB(41)의 양단부위(1')(2') 두께가 가장높게 형성되고, 다음에는 양측의 패키지성형부(42A)에서 컴파운드수지물의 과성형부위인 디게이팅(D : Degating)영역측의 반대측 부위(3')(4') 두께가 높게 형성되며, 그외 양측의 패키지성형부(42A)의 디게이팅(D)영역측 부위(5')(8')와, 중앙의 패키지성형부(42A)의 디게이팅(D)영역측 반대 부위(7')와, 런너측(6')이 순차적으로 얇은 두께를 갖는다.As shown in Table 1, the thickness t of the raw material PCB 41 has the highest thickness at both ends 1 'and 2' of the PCB 41 in which a plurality of packages are formed. In the package forming portion 42A, the thickness of the opposite portions 3 'and 4' on the side of the degating region, which is an overmolded portion of the compound resin, is formed to be high, and the other sides of the package forming portion 42A are formed. The degating (D) region side portion 5 ', 8', the degating (D) region side opposing portion 7 'of the central package molding portion 42A, and the runner side 6' are sequentially Has a thin thickness.

따라서, PCB(41)는 양단과 디게이팅(D)영역측의 반대부위가 높은 두께를 형성하고 있다.Accordingly, the PCB 41 has a high thickness at both ends and opposite portions on the side of the degating (D) region.

이와 같이 몰드금형(MS)의 캐비티인서트(10)에 형성된 클램프영역(13)과 두께편차가 각기 상이한 PCB(41)를 패키지성형시키기 위한 작용을 설명하면 다음과 같다.As described above, the clamping region 13 formed in the cavity insert 10 of the mold mold MS and the thickness for forming the PCB 41 having different thickness deviations will be described as follows.

트랜스퍼성형장치(TS)의 바텀몰드(BM)에 구비한 캐비티인서트(10)의 상부에 패키지를 성형시키고자 하는 PCB(41)를 공급안치시키면 첨부도 6에서와 같이 클램프영역(13)중 캐비티인서트(10)의 안측(IN)에 가장 큰 높이(H)로 형성된 제1클램프영역(13A)에 PCB(41)의 두께가 가장 얇은 디게이팅(D)영역측 부위(5')(6')(8')가 안치되고, 바깥측(OT)으로 제1클램프영역(13A)의 높이(H1)보다 작은 높이(H2) 부위에 해칭선으로 표시된 제2클램프영역(13B)의 상부에는 상기 PCB(41)의 디게이팅(D)영역측 부위(5')(6') (8')의 두께보다 두꺼운 PCB(41)의 디게이팅(D)영역측 반대 부위(3')(7') (4')가 안치되며, 캐비티인서트(10)의 양단측 캐비티(12A) 외부에 상기 제2클램프영역(13B)의 높이(H2)보다 작게 형성되어 흑색으로 표시된 부위의 제3클램프영역(13C) 상부에는 두께가 가장 두꺼운 PCB(41)의 양측부위(1')(2')가 안치된다.When the PCB 41 for forming a package is supplied to the upper part of the cavity insert 10 provided in the bottom mold BM of the transfer molding apparatus TS, the cavity of the clamp region 13 is attached as shown in FIG. Degating (D) region-side portions 5 'and 6' of the thinnest PCB 41 in the first clamp region 13A formed at the largest height H on the inner side IN of the insert 10. ) 8 'is placed on the upper side of the second clamp region 13B indicated by a hatching line at a portion of the height H2 smaller than the height H1 of the first clamp region 13A on the outer side OT. Degating (D) area side portions of the PCB 41 are thicker than the thickness of the degating (D) area side portions (3 ') (7') of the PCB 41 than the thickness of the area (5 '), 6', 8 '. (4 ') is settled, the third clamp region (3) of the portion marked in black, formed smaller than the height (H2) of the second clamp region (13B) on the outside of the cavity 12A at both ends of the cavity insert (10) 13C) Both sides of the thickest PCB 41 on the top Is (1 ') (2') is placed.

이렇게 PCB(41)가 바텀몰드(BM)의 각 클램프영역에 안치되면 바텀몰드(BM)가 상승하여 탑몰드(TM)와 접합되면서 탑몰드(TM)의 탑캐비티인서트(TCI)가 PCB(41)의 상부면을 클램프 가압 시킨다.When the PCB 41 is placed in each clamp area of the bottom mold BM, the bottom mold BM rises and is joined to the top mold TM, so that the top cavity insert TCI of the top mold TM is connected to the PCB 41. Clamp the upper surface of the

이때 바텀몰드(BM)의 캐비티인서트(10)에 의해 클램프 가압되는 PCB(41)는 캐비티인서트(10)에 형성한 각 클램프영역(13)이 PCB(41)의 두께편차에 대응하여 각기 다른 높이에 의하여 클램프 가압력이 균일하게 이루어 진다.At this time, in the PCB 41 clamped by the cavity insert 10 of the bottom mold BM, each clamp region 13 formed in the cavity insert 10 has a different height corresponding to the thickness deviation of the PCB 41. By the clamp pressing force is made uniform.

즉, PCB(41)의 두께편차에 대하여 캐비티인서트(10)의 각 클램프영역이 상호 대응하는 높이로 편차를 갖도록 형성하고, 클램프영역(13)의 범위를 제외한 제3클램프영역(13C)의 양측 상부에 상기 제1클램프영역(13A)과 대응하는 돌출부(13D)를 폭(W1)방향의 중앙위치(W4)까지 형성하며, 돌출부(13D)의 폭(W1)방향 선단 바깥측(OT)에 상기 제2클램프영역(13B)의 높이(H2)와 동일한 돌출부(13E)을 형성함에 따라 탑몰드(TM)의 탑캐비티인서트(TCI)가 PCB(41)의 상부면을 클램프 가압시킬 때 바텀몰드(BM)의 캐비티인서트(10) 상부에서 클램프 되는 PCB(41)가 각 클램프영역에서 균일한 가압력을 받은 상태로 유지된다.That is, each clamp region of the cavity insert 10 is formed to have a deviation with a corresponding height with respect to the thickness deviation of the PCB 41, and both sides of the third clamp region 13C except for the clamp region 13 range. A protrusion 13D corresponding to the first clamp region 13A is formed in the upper part up to a central position W4 in the width W1 direction, and on the outer side OT of the protrusion W in the width W1 direction of the protrusion 13D. The bottom mold when the top cavity insert TCI of the top mold TM clamps the upper surface of the PCB 41 by forming the protrusion 13E equal to the height H2 of the second clamp region 13B. The PCB 41 clamped at the upper part of the cavity insert 10 of BM is kept in a state of being subjected to a uniform pressing force in each clamp region.

이렇게 PCB(41)에 균일한 클램프 가압력을 유지시키는 각 클램프영역(13)의 경계부에는 소정 높이의 높이단차가 형성되고, 각 높이단차의 상부 모서리부에는 곡면부(R)를 형성하여 클램프 가압되는 PCB(41)가 모서리부의 곡면부(R)에 의해 손상되는 것을 방지하였다.Thus, a height step of a predetermined height is formed at the boundary of each clamp region 13 to maintain a uniform clamp pressing force on the PCB 41, and a curved portion R is formed at the upper edge of each height step to clamp the clamp. The PCB 41 is prevented from being damaged by the curved portion R of the corner portion.

따라서, 첨부 도 7에서와 같이 PCB(41)의 내부회로인 반도체칩과 리드(L) 사이에 연결본딩된 와이어(W)와 리드(L)의 변형과 손상을 방지하여 와이어(W)가 숏트되는 와이어 스위핑 불량을 방지할 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 7, the wire W is shorted by preventing deformation and damage of the wire W and the lead L, which are connected and bonded between the semiconductor chip and the lead L, which are internal circuits of the PCB 41. It is possible to prevent the poor wire sweeping.

또한 PCB(41)가 바텀몰드(BM)와 탑몰드(TM)의 사이에서 균일한 가압력으로 변형발생이 방지됨에 따라 에어벤트(AV) 통로가 차단되는 것이 방지되어 고온 고압의 액체 컴파운드재가 런너게이트(RG)를 통해 캐비티(12)(12A)내로 공급될 때 캐비티(12)(12A)내의 공기가 에어벤트(AV)을 통해 외부로 모두 배출될 수 있게 하여 패키지(42)의 성형성을 좋게 한 것이다.In addition, since the deformation of the PCB 41 is prevented by uniform pressing force between the bottom mold (BM) and the top mold (TM), the air vent (AV) passage is prevented from being blocked, so that the high temperature and high pressure liquid compound material is runner gate. The air in the cavities 12 and 12A can be discharged to the outside through the air vent AV when supplied into the cavities 12 and 12A through the RG to improve the formability of the package 42. It is.

이상에서와 같이 본 발명은 반도체패키지의 PCB원자재 두께편차에 대응하는 높이에 따라 몰드금형의 캐비티인서트에 형성된 클램프영역의 높이를 상이하게 형성시켜 PCB의 클램프 가압력을 균일하게 하므로서 PCB의 변형방지에 따른 와이어와 리드의 숏트에 따른 와이어 스위핑 불량을 방지하고, 컴파운드재의 공급시 캐비티내의 공기가 에어벤트을 통해 외부로 용이하게 배출될 수 있게 하여 패키지의 성형성을 좋게하며, BGA반도체패키지의 품질신뢰도를 향상시킨 효과가 있다.As described above, the present invention forms a different height of the clamp area formed in the cavity insert of the mold mold according to the height corresponding to the PCB raw material thickness deviation of the semiconductor package, thereby uniformly clamping the clamp force of the PCB, thereby preventing deformation of the PCB. Prevents poor wire sweeping due to shorting of wires and leads, improves the formability of the package by allowing air in the cavity to be easily discharged to the outside through air vents when supplying the compound material, and improves the quality reliability of the BGA semiconductor package. It is effective.

Claims (6)

각부의 두께(t)가 상이한 BGA 반도체패키지의 원자재인 PCB(41)를 클램프 가압시켜 소정형태의 패키지(42)를 성형시킬 수 있게 하는 트랜스퍼성형장치(TS)의 몰드금형(MS)에 구비된 캐비티인서트(10)에 PCB(41)의 두께(t) 편차와 대응하는 클램프영역(13)의 높이 단차를 각기 다르게 형성한 것을 특징으로 하는 BGA반도체패키지용 몰드금형.In the mold mold MS of the transfer molding apparatus TS, which clamps the PCB 41, which is a raw material of a BGA semiconductor package having a different thickness t, of each part, thereby forming a package 42 of a predetermined type. Mold mold for BGA semiconductor package, characterized in that the cavity insert (10) is formed with different height (t) of the clamp area 13 corresponding to the deviation of the thickness (t) of the PCB (41). 제1항에 있어서, 상기 클램프영역(13)은 몰드금형(MS)의 캐비티인서트(10)에 다수개 형성한 캐비티(12)(12A)의 외주연과 캐비티인서트(10)의 양단부(11A) 상부로 높이가 각기 다른 제1클램프영역(13A) 및 제2큼램프영역(13B)및 제3클램프영역(13C)을 형성하고, 상기 클램프영역(13)의 범위를 제외한 제3클램프영역(13C)의 양측 상부에는 상기 제1클램프영역(13A)과 대응하는 돌출부(13D)를 폭(W1)방향의 중앙위치(W4)까지 형성하며, 돌출부(13D)의 폭(W1)방향 선단 바깥측(OT)에는 상기 제2클램프영역(13B)의 높이(H2)와 동일한 돌출부(13E)을 형성한 것을 특징으로 하는 BGA반도체패키지용 몰드금형.The method of claim 1, wherein the clamp region 13 is formed in the cavity insert 10 of the mold mold (MS), the outer periphery of the cavity 12, 12A and both ends 11A of the cavity insert 10 The first clamp region 13A, the second large clamp region 13B, and the third clamp region 13C having different heights are formed in the upper portion, and the third clamp region 13C except for the range of the clamp region 13 is formed. ) Is formed in the upper portion of both sides of the first clamp region (13A) corresponding to the projection (13D) to the center position (W4) in the width (W1) direction, the outer side of the tip (W1) in the width (W1) direction of the projection (13D) OT) is a mold mold for a BGA semiconductor package, characterized in that the protrusion (13E) is formed equal to the height (H2) of the second clamp region (13B). 제2항에 있어서, 상기 제1클램프영역(13A)은 다수의 캐비티(12) (12A)중 양단측캐비티(12A)를 제외한 각 캐비티(12)에 런너게이트(RG)가 형성된 안측(IN)에서 캐비티인서트(10)의 폭(W1)방향으로 중앙위치(W2)까지와 양단측캐비티(12A)의 내측면에서 길이방향 중앙위치(l2)까지 가장 큰 높이(H1)을 형성한 것을 특징으로 하는 BGA반도체패키지용 몰드금형.The inner side (IN) of claim 2, wherein the first clamp region (13A) has a runner gate (RG) formed in each of the cavities (12) except for the both ends (12A) of the plurality of cavities (12) (12A). In the width W1 direction of the cavity insert 10, the largest height (H1) is formed from the inner side of the both ends of the cavity (12A) to the longitudinal center position (l2) Mold mold for BGA semiconductor package. 제2항에 있어서, 상기 제2클램프영역(13B)은 상기 제1클램프영역(13A)의 폭방향중앙위치(W2)에서 캐비티인서트(10)의 폭(W1)방향측으로 각 캐비티(12)의 외주연에 형성한 패키지영역(13)까지의 폭방향위치(W3)와 안측(IN)의 반대편인 바깥측(OT)의 양단측캐비티(12A) 내측면에서 길이방향중앙위치(l3)까지 제1클램프영역(13A)의 높이(H1)보다 작은 높이(H2)을 형성한 것을 특징으로 하는 BGA반도체패키지용 몰드금형.3. The cavity of claim 2, wherein the second clamp region 13B extends from the widthwise center position W2 of the first clamp region 13A toward the width W1 of the cavity insert 10. The widthwise position W3 to the package region 13 formed on the outer circumference and the inner side surface of the both ends 12A of the outer side OT opposite to the inner side IN are extended from the inner side surface of the longitudinal direction to the longitudinal center position l3. Mold mold for BGA semiconductor package, characterized in that the height (H2) is formed smaller than the height (H1) of one clamp region (13A). 제2항에 있어서, 상기 제3클램프영역(13C)은 상기 제1클램프영역(13A)과 제2클램프영역(13B)이 양단측캐비티(12A)에 형성된 경계부(16)에서 길이방향 외부로 클램프영역(13)을 포함하고 클램프영역(13)의 안측(IN) 외측단에서 외부로 소정길이위치(ℓ4)까지 상기 제2클램프영역(13B)의 높이(H2)보다 작은 높이(H3)을 형성한 것을 특징으로 하는 BGA반도체패키지용 몰드금형.3. The third clamp region (13C) is clamped outward in the longitudinal direction from the boundary (16) formed at both end sides (12A) of the first clamp region (13A) and the second clamp region (13B). A height H3 is formed which includes the region 13 and is smaller than the height H2 of the second clamp region 13B from the outer end of the inner side IN of the clamp region 13 to the predetermined length position l4. Mold mold for BGA semiconductor package, characterized in that. 제2항에 있어서, 상기 클램프영역(13)의 각 높이단차 모서리부에는 곡면부(R)을 형성한 것을 특징으로 하는 BGA반도체패키지용 몰드금형.The mold mold for a BGA semiconductor package according to claim 2, wherein a curved surface portion (R) is formed at each corner of the height step of the clamp region (13).
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