KR19990031415U - 반도체의 가스공급장치 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체의 가스공급장치에 관한 것으로, 종래에는 튜브에 가스를 공급하는 가스노즐이 플랜지의 일측부분에 설치되어 있었으므로 공급되는 가스가 균일하게 분포되지 못하는 문제점이 있었던 바, 본 고안의 반도체의 가스공급장치는 가스노즐을 통해 유입된 가스가 튜브에 균일하게 공급되도록 플랜지의 상단면에 다수개의 홀을 일정간격으로 형성함으로써, 튜브내 가스를 균일하게 분포시킬 수 있게 한 것이다.
Description
본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 공정이 진행되는 튜브(tube)의 하부에 설치되는 가스공급장치에 관한 것이다.
첨부한 도 1은 반도체의 튜브에 가스를 공급하는 종래의 플랜지를 도시한 사시도로서, 일반적인 반도체 장치의 플랜지(flange)는 상부와 하부가 개방된 원통형의 관형상이며, 상기 플랜지(1)의 상부에는 증착공정이 이루어지는 튜브(미도시)가 설치되어 있고, 상기 플랜지(1)의 하부에는 웨이퍼(미도시)를 탑재한 보트(boat)(미도시)가 설치되어 있다.
상기 플랜지(1)의 측면에는 상기 튜브 내로 반응가스를 공급하는 복수개의 가스노즐(gas nozzle)(2)이 설치되어 있다.
상기와 같은 구성의 플랜지(1)가 설치되어 있는 반도체 증착공정의 동작을 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼를 탑재한 보트가 상기 플랜지(1)의 내부를 통해 하부에서 상부로 이동하여 튜브 내로 웨이퍼를 삽입하면, 상기 가스 노즐(2)을 통해 상기 튜브에 반응가스를 주입시켜 웨이퍼에 증착막을 형성시킨다.
상기와 같이 보트가 상부로 완전히 이동하면 상기 플랜지(1)의 하부를 밀폐하게 되고, 상기 가스노즐(2)을 통해 유입된 가스는 상방향으로 흐르게 되어 튜브는 밀폐된 상태에서 증착공정을 수행할 수 있게 된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 반도체의 가스공급장치는 가스노즐(2)이 플랜지(1)의 측면에 설치되어 있고, 반응가스가 이 가스노즐(2)을 통해 튜브내로 공급될 때 그대로 상방향으로 흐르게 되므로 공급되는 가스가 튜브내로 균일하게 분포되지 못하는 문제점이 있었던 바, 이에 대한 보완이 요구되어 왔다.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 가스노즐을 통하여 공급되는 가스가 튜브내로 균일하게 유입되어 가스의 균일한 분포를 통해 균일성(uniformity)을 개선할 수 있는 반도체의 가스공급장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 반도체의 튜브에 가스를 공급하는 종래의 플랜지를 도시한 사시도.
도 2는 본 고안에 따른 반도체의 가스공급장치를 도시한 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10：보트22：플랜지
21：가스노즐22：홀
30：엘레베이터
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은 측면에는 가스를 공급하는 가스노즐이 설치되고, 상면에는 상기 가스노즐을 통해 유입된 가스를 튜브로 보내도록 다수개의 홀이 일정간격으로 형성되는 중공의 원통형 플랜지와; 이 플랜지의 상면에 장착되어 웨이퍼를 탑재하는 보트와; 상기 플랜지와 상기 보트를 상기 튜브내로 이송시키도록 상기 플랜지의 하면에 설치되는 엘레베이터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체의 가스공급장치가 제공된다.
이하, 본 고안의 반도체의 가스공급장치를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 반도체의 가스공급장치는 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(미도시)가 탑재되는 보트(10)가 플랜지(20)의 상면에 고정장착되어 있고, 상기 플랜지(20)의 하면에는 상기 플랜지(20)와 상기 보트(10)를 튜브(미도시)내로 이송시키는 엘레베이터(elevator)(30)가 장착되어 있다.
상기 플랜지(20)는 중공의 원통형상으로서, 가스를 공급하는 가스노즐(21)이 측면에 설치되어 있고, 상면에는 상기 가스노즐(21)을 통해 유입된 가스를 상기 튜브로 보내도록 다수개의 홀(22)이 일정간격으로 형성되어 있다.
상기와 같은 구성의 반도체의 가스공급장치의 동작 및 이에 따른 작용을 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 가스공급장치는 웨이퍼를 탑재한 보트(10)가 상기 플랜지(20)의 상면에 설치되어 있으므로 상기 엘레베이터(30)가 상기 보트(10)와 플랜지(20)를 함께 이동시켜 튜브내로 웨이퍼를 삽입시킨다.
이후 상기 가스노즐(21)을 통해 반응가스가 플랜지(20) 내부에 유입된다.
여기서, 상기 플랜지(20)는 하면이 밀폐되어 있으므로 상기 플랜지(20) 내부로 유입된 반응가스는 플랜지(20)의 상면에 형성된 다수개의 홀(22)을 통해 튜브내로 유입된다.
상기 홀(22)은 일정간격으로 형성되어 있으므로 상기 홀(22)을 통해 튜브내로 유입된 반응가스는 튜브내에서 균일하게 분포될 수 있다.
본 고안의 반도체의 가스공급장치에 의하면 플랜지의 내부로 공급된 반응가스가 플랜지 상면에 형성된 다수개의 홀을 통해 균일하게 튜브내로 유입될 수 있으므로 튜브 내 반응가스의 분포가 균일하게 될 수 있고, 가스의 균일한 분포를 통해 균일성(uniformity)을 개선할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 측면에는 가스를 공급하는 가스노즐이 설치되고, 상면에는 상기 가스노즐을 통해 유입된 가스를 튜브로 보내도록 다수개의 홀이 일정간격으로 형성되는 중공의 원통형 플랜지와; 이 플랜지의 상면에 장착되어 웨이퍼를 탑재하는 보트와; 상기 플랜지와 상기 보트를 상기 튜브내로 이송시키도록 상기 플랜지의 하면에 설치되는 엘레베이터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체의 가스공급장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970044131U KR200211259Y1 (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 반도체 제조용 종형로의 가스공급장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970044131U KR200211259Y1 (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 반도체 제조용 종형로의 가스공급장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990031415U true KR19990031415U (ko) | 1999-07-26 |
| KR200211259Y1 KR200211259Y1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=53896914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970044131U KR200211259Y1 (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 반도체 제조용 종형로의 가스공급장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200211259Y1 (ko) |
-
1997
- 1997-12-31 KR KR2019970044131U patent/KR200211259Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR200211259Y1 (ko) | 2001-03-02 |
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