KR19980058200U - 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인은 로의 상부쪽의 노즐구멍이 상대적으로 상기 증착가스공급라인의 직경에 비하여 큰 원형으로 형성되어 있어 상기 로안의 열에 의한 열응력과 증착가스 반응생성물의 누적에 의한 응력에 의하여 쉽게 파손됨과 아울러 상기 노즐구멍의 파손으로 인하여 증착하는 상기 반도체 웨이퍼를 파손하게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안은 상기 증착가스공급라인의 길이방향과 같은 장축을 갖는 타원형의 노즐구멍을 형성함으로써, 상기 로내의 열에 의한 열응력과 상기 증착가스 반응생성물에 의한 응력에 대하여 내구성이 향상되어 상기 노즐구멍의 파손을 방지함과 아울러 증착하는 상기 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인

본 고안은 반도체 웨이퍼 화학기상증착방비의 증착가스공급라인에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼를 증착하는 증착가스를 로내(爐內)로 분사공급하는 노즐구멍을 타원형으로 형성하여 내구성을 향상함과 아울러 증착할 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼 제조공정장비의 하나인 화학기상증착장비는 상기 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 소정형상의 크기를 갖는 로(爐)(1)가 형성되어 있고, 그 로(1)의 저부에는 증착할 반도체 웨이퍼(미도시)가 수납되는 버스(미도시)가 설치되어 있으며, 또 상기 로(1)안에 반도체 웨이퍼를 증착할 증착가스를 공급할 수 있는 증착가스공급라인(2)이 상기 로(1)의 저부에서 그 로(1)의 상부까지 연장설치되어 있고, 상기 증착가스공급라인(2)에는 상기 로(1)내에 전체적으로 균일하게 증착가스를 공급할 수 있도록 그 로(1)의 상부쪽이 위치하는 곳일수록 큰 직경을 갖는 다수개의 노즐구멍(2a)이 일정하지 않는 간격으로 형성되어 있다.

상기와 같은 증착가스공급라인(2)을 갖는 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비는 먼저, 증착할 상기 반도체 웨이퍼가 버스에 수납되어 그 버스가 상기 로(1)내로 안착됨과 아울러 그 로(1)가 밀폐되게 되면, 상기 증착가스공급라인(2)을 통하여 상기 반도체 웨이퍼를 증착할 증착가스가 공급되고, 그 증착가스공급라인(2)에 형성되어 있는 노즐구멍(2a)을 통하여 상기 로내로 증착가스가 분사되게 되어 상기 반도체 웨이퍼가 증착되게 되는 것이다.

그러나, 상기와 같은 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인은, 상기 로의 상부쪽의 노즐구멍이 상대적으로 상기 증착가스공급라인의 직경에 비하여 큰 원형으로 형성되어 있어 상기 로안의 열에 의한 열응력과 증착가스 반응생성물의 누적에 의한 응력에 의하여 쉽게 파손됨과 아울러 상기 노즐구멍의 파손으로 인하여 증착하는 상기 반도체 웨이퍼를 파손하게 되는 문제점을 초래하였다.

따라서, 본 고안의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 열응력과 증착가스 반응생성물의 누적에 의한 응력에 대한 내구성을 향상함과 아울러 증착한 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인을 제공함에 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 증착가스공급라인이 설치된 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 구조를 보인 개략도.

도 2는 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인의 구조를 보인 정면도.

도 3은 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인의 구조를 보인 정면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 로(爐)11 : 증착가스공급라인

11a : 노즐구멍

본 고안의 목적은 반도체 웨이퍼를 증착하는 로내(爐內)에 증착가스를 균일하게 분사할 수 있도록 크기와 간격이 다른 다수개의 타원형 노즐구멍을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인에 의하여 달성된다.

다음은, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인의 바람직한 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.

도 3은 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인의 구조를 보인 정면도이다.

참고로, 종래와 동일한 부분은 같은 부호를 부여한다.

본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인(11)은, 상기 도 3에 도시된 바와 같이 상기 로(1)의 저부에 설치되어 그 로(1)의 상부까지 상기 반도체 웨이퍼를 증착할 증착가스를 공급할 수 있도록 연장절곡되어 있고, 상기 로(1)에 증착가스를 균일하게 공급할 수 있도록 그 로(1)의 상부쪽이 위치하는 곳일수록 큰 장축과 단축을 갖는 타원형의 노즐구멍(11a)이 일정하지 않는 간격으로 형성되어 있다.

상기 노즐구멍(11a)은, 상기 증착가스공급라인(12)의 길이방향과 같은 방향에 장축을 갖는 타원형으로 형성되어 있다.

상기와 같이 증착가스공급라인의 길이방향과 같은 장축을 갖는 타원형의 노즐구멍을 형성함으로써, 상기 로내의 열에 의한 열응력과 상기 증착가스 반응생성물에 의한 응력에 대하여 내구성이 향상되어 상기 노즐구멍의 파손을 방지함과 아울러 증착하는 상기 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 반도체 웨이퍼를 증착하는 로내(爐內)에 증착가스를 균일하게 분사할 수 있도록 크기와 간격이 다른 다수개의 타원형 노즐구멍을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인.
2. 제1항에 있어서, 상기 노즐구멍은 상기 증착가스공급라인의 길이방향과 같은 방향의 장축을 갖는 타원형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 화학기상증착장비의 증착가스공급라인.