KR19990024074U - 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조 - Google Patents
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Abstract
본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조는 증착장비의 반응챔버내에 설치되는 히터블럭과, 상기 히터블럭의 상면에 웨이퍼가 놓이게 되어 일정방향으로 회전이동하면서 증착되는 다수개의 스테이션과, 상기 스테이션 일측에 형성하는 웨이퍼가 히터블럭에 로딩될 때 상승기류가 배출되도록 상기 상승기류 배출홈으로 구성되어, 반응챔버내의 공기가 가열되어 상승되므로 웨이퍼가 로딩될 때 상승기류에 의해 슬라이딩되는 현상을 방지하고, 이상증착 발생을 사전에 제거하도록 하였다.
Description
본 고안은 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조에 관한 것으로, 특히 반응챔버내의 공기가 가열되어 상승되므로 웨이퍼가 로딩될 때 상승기류에 의해 슬라이딩되는 현상을 방지하고, 이상증착 발생을 사전에 제거하도록 한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조에 관한 것이다.
종래의 기술에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 도 1 및 도 2을 참고로 설명한다.
화학기상증차강비의 반응챔버내에는 히터블럭(1)이 있고, 상기 히터블럭(1)의 상면에는 여덟 개의 스테이션(2)이 있다. A 스테이션으로 웨이퍼가 들어와서 반응챔버의 온도, 압력등의 조건에 맞도록 대기한다. 그런 다음 시계방향인 B에서 H 스테이션으로 이동하면서 증착되고, 완료후 A 스테이션에서 로드-락(load-lock) 챔버로 나간다.
상기 히터블럭(1)는 자체가 가열판이며, 스테이션(2)은 그 히터블럭(1)에 웨이퍼(4)가 놓이는 곳을 구분하여 명칭한 것으로, 외관상 히터블럭과 스테이션은 동일함을 알 수 있다.
그러나, 이러한 종래의 기술에서는 반응챔버의 히터블럭(1)이 400℃로 유지되므로 챔버내의 공기가 가열되고, 상승되어 저항으로 작용하게 된다. 히터블럭(1)에는 웨이퍼(4) 슬라이딩 방지장치가 없기 때문에 히터블럭(1)에 웨이퍼(4)가 로딩될 때 상기의 상승기류가 웨이퍼 로딩을 방해하여 슬라이딩이 발생되고, 이로 인해 웨이퍼 뒷면에 스크래치 및 이물을 발생시키게 되며, 심할 경우 이상증착을 발생하게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 고안의 목적은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출한 것으로, 웨이퍼가 로딩될 때 상승기류에 의해 슬라이딩되는 현상을 방지하고, 이상증착 발생을 사전에 제거하도록 한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 제공함에 있다.
도 1은 종래의 기술에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 나타내는 평면도.
도 2는 종래의 기술에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 나타내는 단면도.
도 3은 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 나타내는 평면도.
도 4은 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 히터블럭 2 : 스테이션
3 : 상승기류배출홈 4 : 웨이퍼
이러한, 본 고안의 목적은 증착장비의 반응챔버내에 설치되는 히터블럭과, 상기 히터블럭의 상면에 웨이퍼가 놓이게 되어 일정방향으로 회전이동하면서 증착되는 다수개의 스테이션과, 상기 스테이션 일측에 형성하여 웨이퍼가 히터블럭에 로딩될 때 상승기류가 배출되도록 한 상승기류 배출홈에 의해 달성된다.
이하, 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 설명한다.
도 3은 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 나타내는 평면도이고, 도 4는 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조를 나타내는 단면도를 각각 보인 것이다.
이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조는 증착장비의 반응챔버내에 설치되는 히터블럭(1)과, 상기 히터블럭(1)의 상면에 웨이퍼(4)가 놓이게 되어 일정방향으로 회전이동하면서 증착되는 다수개의 스테이션(2)과, 상기 스테이션(2) 일측에 형성하여 웨이퍼(4)가 히터블럭(1)에 로딩될 때 상승기류가 배출되도록 한 상승기류 배출홈(3)을 구성된다.
본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조의 구성은 종래와 동일하며, 상기 히터블럭(1)에서 웨이퍼(4)의 슬라이딩을 방지하기 위해 히터블럭(1)에 공기가 빠져나갈수 있는 상승기류배출홈(3)을 반경방향으로 형성한 것이다.
이와 같이 구성된 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조의 작용효과를 설명한다.
히터블럭의 작용 및 동작은 종래와 동일하며, 웨이퍼(4)의 로딩동작은 웨이퍼(4)가 히터블럭(1)에 안착시 히터블럭(1)에 가까이 갈수록 더 많은 상승기류의 저항을 받게 되어, 로딩시 미끄러짐이 발생될 것이다. 또한 웨이퍼(4)가 동시에 히터블럭(1)에 안착되기에 더 많은 슬라이딩이 발생한다. 이때 상기의 상승기류가 웨이퍼(4)를 저항하기 전에 스테이션에서 히터블럭(1)의 외주단부로 형성된 반경방향의 상승기류배출홈(3)을 통해 배출되므로 웨이퍼의 슬라이딩을 방지할 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조는 증착장비의 반응챔버내에 설치되는 히터블럭과, 상기 히터블럭의 상면에 웨이퍼가 놓이게 되어 일정방향으로 회전이동하면서 증착되는 다수개의 스테이션과, 상기 스테이션 일측에 형성하여 웨이퍼가 히터블럭에 로딩될 때 상승기류가 배출되도록 한 상승기류 배출홈으로 구성되어, 반응챔버내에 공기가 가열되어 상승되므로 웨이퍼가 로딩될 때 상승기류에 의해 슬라이딩되는 현상을 방지하고, 이상증착 발생을 사전에 제거하도록 한 효과가 있다.
Claims (1)
- 증착장비의 반응챔버내에 설치되는 히터블럭과, 상기 히터블럭의 상면에 웨이퍼가 놓이게 되어 일정방향으로 회전이동하면서 증착되는 다수개의 스테이션과, 상기 스테이션 일측에 형성하는 웨이퍼가 히터블럭에 로딩될 때 상승기류가 배출되도록 한 상승기류 배출홈으로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970036506U KR200205153Y1 (ko) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970036506U KR200205153Y1 (ko) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990024074U true KR19990024074U (ko) | 1999-07-05 |
| KR200205153Y1 KR200205153Y1 (ko) | 2000-12-01 |
Family
ID=19516460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970036506U KR200205153Y1 (ko) | 1997-12-10 | 1997-12-10 | 웨이퍼 증착장비의 히터블럭구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200205153Y1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115394645A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-25 | 乂易半导体科技(无锡)有限公司 | 一种晶圆背面金属层异常处理方法 |
-
1997
- 1997-12-10 KR KR2019970036506U patent/KR200205153Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115394645A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-25 | 乂易半导体科技(无锡)有限公司 | 一种晶圆背面金属层异常处理方法 |
| CN115394645B (zh) * | 2022-08-31 | 2023-11-10 | 乂易半导体科技(无锡)有限公司 | 一种晶圆背面金属层异常处理方法 |
Also Published As
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|---|---|
| KR200205153Y1 (ko) | 2000-12-01 |
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