KR19990021975A - Transfer molding method of electronic packages and packages manufactured using the same - Google Patents

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KR19990021975A
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heat sink
wiring board
printed wiring
substrate
window
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KR1019970708450A
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Korean (ko)
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패트릭 오. 웨버
마이클 에이. 브뤼게만
Original Assignee
챵 하진
헤스티아 테크놀러지즈, 인코포레이티드
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Publication date
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Abstract

A printed wiring board with either a pin grid array, a ball grid array, a land grid array, etc. of electrical contacts is prepared with a heat sink in the usual manner. A passage is provided either in the printed wiring board or in the heat sink so that during the transfer molding process, fluid molding compound passes latitudinally under the heat sink into a cavity below the heat sink to encapsulate the package.

Description

전자 패키지들의 트랜스퍼 몰딩방법 및 이를 이용하여 제조된 패키지들Transfer molding method of electronic packages and packages manufactured using the same

반도체 및 전자 소자의 제조에 있어서, 패키징 원가를 감소시킬 필요가 있다. 패키지의 크기도 인쇄배선기판 또는 인쇄회로기판에 설치될 때 역시 중요한데, 특히 패키지의 프로파일과 높이가 중요하다. 상황을 복잡하게 하는 것은 예를 들면 소자를 사용자의 시스템에 전기적으로 연결하기 위하여 하이 핀 카운트(high pin count) 패키지를 요구하는 집적회로들과 같은 전자부품들의 복잡함이 증가하는 것이다.In the manufacture of semiconductors and electronic devices, there is a need to reduce packaging costs. The size of the package is also important when installed on a printed wiring board or a printed circuit board, particularly the profile and height of the package. Complicating the situation is the increasing complexity of electronic components, such as, for example, integrated circuits that require a high pin count package to electrically connect the device to the user's system.

디지털 컴퓨터들과 같은 복잡한 시스템들을 위한 전자회로들은 전형적으로 다수의 상호 연결된 집적회로 칩들을 구비한다. 집적회로 칩들은 실리콘이나 갈륨 아세나이드와 같은 반도체 물질로부터 만들어지며, 극히 미세한 회로들이 노광기술에 의해 칩들의 상부 표면 상에 형성된다. 구조상의 종래의 형태에 있어서, 집적회로 칩들은 각각의 세라믹 패키지들 내에 설치되며, 세라믹 패키지들은 인쇄배선기판 또는 인쇄회로기판 상에 설치된다.Electronic circuits for complex systems such as digital computers typically have a number of interconnected integrated circuit chips. Integrated circuit chips are made from semiconductor materials such as silicon or gallium arsenide, and extremely fine circuits are formed on the upper surfaces of the chips by exposure techniques. In the conventional form of structure, integrated circuit chips are installed in respective ceramic packages, and the ceramic packages are installed on a printed wiring board or a printed circuit board.

플라스틱 집적회로 패키지들은 세라믹 패키지들에 대한 원가 절감적인 대체물로서 발전되어 왔다. 현대의 라미네이트(laminate)에 근거한 몰딩 플라스틱 패키지들은 더 낮은 가격으로 세라믹 패키지들의 성능에 필적하거나 때로는 초과하는 전기적, 열적 그리고 디자이적인 성능을 제공한다. 전기적으로, 라미네이트 기판들은 코-파이어(co-fire) 세라믹에 대하여 낮은 저항 배선과 낮은 유전상수를 갖는다는 명백한 장점이 있다. 본질적으로, 전기적 설계들이 동등한 세라믹에 기초한 설계보다 반 미만의 체적(그리고 층들의 수도 반 미만)으로 수행될 수 있다.Plastic integrated circuit packages have been developed as a cost-effective alternative to ceramic packages. Molded plastic packages based on modern laminates offer electrical, thermal and design performance that is comparable to, or sometimes exceeding, the performance of ceramic packages at lower cost. Electrically, laminate substrates have the obvious advantage of having low resistance wiring and low dielectric constant for co-fire ceramics. In essence, electrical designs can be performed with less than half the volume (and less than half the number of layers) than designs based on equivalent ceramics.

트랜스퍼 몰딩에 의해 반도체와 전자 소자들을 플라스틱 캡슐화하는 것은 주지의 기술이다. 전형적인 상황에 있어서, 다수의 부품들 또는 소자들은 개방되고 복수의 공동(cavity)을 갖는 틀(mold) 내에 위치하는데, 하나 이상의 소자들이 각 공동 내에 위치한다. 틀이 폐쇄되면, 통상적으로 플래턴들 또는 반쪽들(halves)로 불리는 두 개의 틀 부분들은 소자들 주위로 모인다. 틀 내의 많은 공동들은 채널들(즉, 런너들(runners))의 나무형 어레이(array)에 의해 플라스틱이 공급되는 중앙 저장소(즉, 포트)에 연결된다. 통상적으로, 게이트들 (즉, 수축된 채널들)은 공동으로 향하는 플라스틱의 유출량과 사출속도를 조절하기 위하여, 그리고 런너들 내에서 응고되는 물질의 완료된 부분들로부터 더 쉽게 제거하도록 하기 위하여 각 공동을 향하는 입구에 바로 위치한다.Plastic encapsulation of semiconductors and electronic devices by transfer molding is a well known technique. In a typical situation, multiple parts or devices are located in a mold that is open and has a plurality of cavities, with one or more devices located in each cavity. When the mold is closed, two mold portions, commonly called platens or halves, gather around the elements. Many cavities in the frame are connected to a central reservoir (ie, a port) where plastic is supplied by a wooden array of channels (ie runners). Typically, gates (ie, shrinked channels) remove each cavity in order to control the flow rate and injection rate of the plastic directed into the cavity and to more easily remove it from the finished portions of the material solidified in the runners. Located right at the entrance.

전형적으로, 분말 또는 작은 알약 모양의 플라스틱이 중앙 저장소에 위치하며 램에 의해 압축된다. 틀과 저장소는 통상적으로 뜨겁다. 열과 압력을 조합하여 플라스틱을 액체화시키며 개별적인 틀 공동들을 향해 런너-트리(tree)와 게이트들을 통해 흐르도록 하는데, 그 뒤에 경화된다. 그리고 틀의 반쪽들이 분리되고 캡슐화된 부분들이 제거되며 러너들과 게이트들에 남겨진 잉여의 플라스틱이 다듬어진다.Typically, a powder or small pill shaped plastic is placed in a central reservoir and compressed by a ram. The frame and reservoir are usually hot. The combination of heat and pressure liquefies the plastic and allows it to flow through runner-trees and gates towards individual mold cavities, which are then cured. The halves of the mold are separated, the encapsulated parts are removed, and the excess plastic left in the runners and gates is trimmed.

히트 싱크들은 치아(Chia)에게 허여된 미국특허번호 4,868,349에 설명된 것과 같이 플라스틱 몰딩 전자 패키지들에 추가된다. 히트 싱크는 플라스틱 몰딩 전자 패키지에서 더 효과적으로 열을 제거할 수 있도록 한다. 치아의 히트 싱크는 다음의 방법으로 부착된다. 인쇄배선기판은 핀 그리드 어레이의 형태로 한쪽면으로부터 연장되어 고정되는 복수의 패키지 콘택들 (즉 핀들)을 구비하도록 준비된다. 인쇄배선기판은 그 중심에 도려낸 영역을 구비하며 구리로 된 히트 싱크는 기판의 반대쪽 면에서 도려낸 영역에 걸치도록 기판에 고정된다. 그리고 반도체 (또는 전자) 소자는 도려낸 영역에 의해 생성된 공동 내의 히트 싱크에 고정된다. 반도체 소자의 본딩 패드들은 패키지 콘택들에 결합되는 기판의 인쇄배선들 상의 트레이스들(traces)에 전기적으로 접촉된다. 치아의 인쇄배선기판은 히트 싱크의 바깥쪽에 인접하여 위치하는 복수의 홀들(holes)을 제공한다.Heat sinks are added to plastic molded electronic packages as described in US Pat. No. 4,868,349 to Chia. Heat sinks allow for more efficient heat removal from plastic molded electronic packages. The heat sink of the tooth is attached in the following way. The printed wiring board is prepared to have a plurality of package contacts (ie pins) which extend from one side and are fixed in the form of a pin grid array. The printed wiring board has an area cut out at its center and a copper heat sink is fixed to the substrate so as to span the area cut out on the opposite side of the substrate. And the semiconductor (or electronic) device is fixed to a heat sink in a cavity created by the cut out region. Bonding pads of the semiconductor device are in electrical contact with traces on printed wiring lines of the substrate that are coupled to package contacts. The printed wiring board of the tooth provides a plurality of holes located adjacent to the outside of the heat sink.

그리고 조립체는 한 쌍의 서로 마주보는 플래턴(platen)들로 이루어진 트랜스퍼 몰딩내에 위치한다. 제1 플래턴은 패키지 콘택들을 수용하는 제1 공동을 구비하며 이러한 공동은 핀들에 인접한 인쇄배선기판에 대하여 압력을 가하는 모서리들을 포함한다. 제2 공동은 히트 싱크에 인접한 기판의 홀들에 걸치도록 제1 플래턴내에 위치한다. 제2 또는 마주보는 플래턴은 인쇄배선기판에 걸치는 공동을 구비하며 히트 싱크를 수용할 만큼 충분히 깊다. 제2 플래턴은 인쇄배선기판을 속박하는 일련의 가로보들을 또한 포함하여 플래턴 내에 정확히 위치하도록 하며 제1 플래턴에 대하여 힘이 가해지기 위하여 기판의 주변에 대하여 압력을 가하도록 한다. 제2 플래턴은 유체 플라스틱이 트랜스퍼 몰딩 공정동안 인입될 수 있는 런너들과 게이트들을 또한 포함한다.The assembly is then located in a transfer molding consisting of a pair of opposing platens. The first platen has a first cavity for receiving package contacts, the cavity including edges that press against a printed wiring board adjacent the pins. The second cavity is located in the first platen to span the holes of the substrate adjacent the heat sink. The second or opposite platen has a cavity that extends over the printed wiring board and is deep enough to receive a heat sink. The second platen also includes a series of crossbeams that bind the printed wiring board so that it is precisely positioned within the platen and pressurized against the periphery of the substrate to exert a force on the first platen. The second platen also includes runners and gates through which the fluid plastic can be drawn during the transfer molding process.

유체 플라스틱이 런너들과 게이트들을 통해 밀려들어가면, 유체 플라스틱은 제2 공동으로 들어가며 히트 싱크에 인접한 기판을 덮지만 플래턴 공동 표면과의 접촉으로 인하여 히트 싱크를 코팅하지 못하도록 한다. 유체 플라스틱은 히트 싱크 주위의 플래턴 공동을 채우며 기판의 홀들을 통해 또한 흐르기 때문에 제 2공동 내의 반도체 소자를 덮게 된다. 틀은 인쇄배선기판과 장착된 반도체 소자를 캡슐화하도록 작용하는 플라스틱으로 가득 차게 된다. 트랜스퍼 몰딩과 캡슐의 부분적인 경화후에, 소자는 틀로부터 제거될 수 있으며 경화가 완료된다. 경화후에, 임의의 주조핀(flash)이 통상적인 방법으로 제거되며 소자는 사용할 준비가 된다.When the fluid plastic is pushed through the runners and gates, the fluid plastic enters the second cavity and covers the substrate adjacent the heat sink but prevents coating the heat sink due to contact with the platen cavity surface. The fluid plastic fills the platen cavity around the heat sink and also flows through the holes in the substrate to cover the semiconductor device in the second cavity. The mold is filled with plastic that acts to encapsulate the printed wiring board and the mounted semiconductor elements. After partial curing of the transfer molding and capsule, the device can be removed from the mold and the curing is complete. After curing, any flash is removed in the usual way and the device is ready for use.

치아의 방법은 몇가지 특별한 장점들을 갖지만 마찬가지로 어떤 제한들이 따른다. 첫째로, 인쇄배선기판의 두께는 ±5 mils만큼 변할 수 있는데, 제1 플래턴과 제2 플래턴이 합쳐질 때 그들사이의 공동의 높이는 고정된다. 인쇄배선기판이 5 mils만큼 두껍다면, 틀이 닫혀지면서 히트 싱크와 인쇄배선기판이 제2 공동쪽으로 편향되는 결과를 낳는데, 특별히 히트 싱크의 폭은 제2 공동의 폭보다 작기 때문에 편향을 방지하기 위하여 히트 싱크 영역에서 인쇄배선기판의 아래로 어떤 지지물도 없다. 그 후, 틀이 열리면, 압력이 해제되고 인쇄배선기판과 히트 싱크는 그들의 초기 위치로 되돌아온다. 그 결과, 히트 싱크는 더 이상 플라스틱 캡슐의 상단과 같은 높이에 있지 않게 되고 갈라진 틈들(cracks)이 히트 싱크-플라스틱 계면에서 플라스틱 내에 발생된다. 인쇄배선기판이 5 mils만큼 얇다면, 틀이 닫히면서 히트 싱크의 상단과 히트 싱크 위의 공동의 내면 사이에 5 mil의 간격이 생기게 될 것이다. 결과적으로, 플라스틱은 히트 싱크위로 흐르게 되고 히트 싱크를 캡슐화할 것이다.The tooth method has some special advantages but likewise comes with certain limitations. First, the thickness of the printed wiring board can vary by ± 5 mils, where the height of the cavity between them is fixed when the first and second plates are combined. If the printed wiring board is as thick as 5 mils, the mold will close and the heat sink and printed wiring board will deflect toward the second cavity, especially since the width of the heat sink is less than the width of the second cavity to prevent deflection. There is no support underneath the printed wiring board in the heat sink area. Then, when the mold is opened, the pressure is released and the printed wiring board and heat sink return to their initial position. As a result, the heat sink is no longer at the same level as the top of the plastic capsule and cracks are generated in the plastic at the heat sink-plastic interface. If the printed wiring board is as thin as 5 mils, there will be a 5 mil gap between the top of the heat sink and the inner surface of the cavity above the heat sink as the mold closes. As a result, the plastic will flow over the heat sink and encapsulate the heat sink.

치아의 패키지의 두 번째 제한은 히트 싱크가 상대적으로 작아서 기판을 통하는 억세스 홀들(access holes)이 패키지 핀 콘택들의 안쪽으로 향하게 될 것이나 히트 싱크에 의해 덮히지 않을 것이다. 상대적으로 작은 히트 싱크는 패키지의 냉각을 제한하며 고객이 추가적인 냉각을 위하여 패키지에 추가하고자 하는 외부 히트 싱크의 크기를 제한한다.The second limitation of the package of the tooth is that the heat sink is relatively small so that access holes through the substrate will be directed inwards of the package fin contacts but will not be covered by the heat sink. Relatively small heat sinks limit the cooling of the package and limit the size of the external heat sink that the customer would like to add to the package for additional cooling.

집적회로(IC) 플라스틱 패키지에 대하여, IC 칩은 통상적으로 캡슐화되는데, 가격이 저렴하기 때문이다. 캡슐화를 위하여 덮개를 사용하는 것은 IC 칩이 다이(die)의 표면의 액체 혼합물이나 틀의 응력을 견디지 못할 때 전형적으로 사용된다. 액체 혼합물을 사용하는 캡슐화는 또 다른 통상적인 방법이다. 이 공정들은 글롭톱(glob top)이나 포팅(potting)으로 또한 알려져 있다.For integrated circuit (IC) plastic packages, IC chips are typically encapsulated because of their low cost. The use of a sheath for encapsulation is typically used when the IC chip does not withstand the stress of a liquid mixture or mold on the surface of the die. Encapsulation using a liquid mixture is another conventional method. These processes are also known as glob tops or pottings.

글롭톱과 포팅 방법들 사이의 차이점은 글롭톱이 자기-크라우닝(crowning) 액체 캡슐화라는 것이다. 포팅 방법은 글롭톱 방법보다 외형적으로 더 관심을 끌기는 하나, 포팅 방법은 캡슐화 액체가 원하지 않는 영역으로 흐르는 것을 방지하기 위하여 댐(dam)이나 포팅링(potting ring)을 필요로 하며 따라서 원가가 증가한다. 포팅링은 인쇄배선기판으로부터 전형적으로 분리되며 접착제를 사용하여 부착된다. 포xld링은 인쇄배선기판으로부터 분리되기 때문에, 두 개의 개별적인 조각들과 하나의 유니트로 만들기 위한 접착제를 취급하는 가격이 추가된다. 포xld링을 적용하는 다른 방법은 스크린 프린팅이다. 그러나, 크나큰 허용오차의 한계들이 따른다.The difference between the glowtop and the potting methods is that the glowtop is self-crowning liquid encapsulation. While the porting method is more appealing than the globtop method, the porting method requires a dam or potting ring to prevent encapsulation liquid from flowing into the undesired area and thus costs. Increases. The potting ring is typically separated from the printed wiring board and attached using an adhesive. Since the fabric ring separates from the printed wiring board, the price of handling two separate pieces and glue to make one unit is added. Another way to apply format ring is screen printing. However, there are large limits of tolerance.

본 발명은 일반적으로 전자 소자들 및 부품들과 같은 대상물들을 캡슐화하기 위한 개선된 기술에 관한 것으로서, 더 상세히는 반도체나 다른 전자 소자들의 트랜스퍼 몰딩을 위한 개선된 수단 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates generally to improved techniques for encapsulating objects such as electronic devices and components, and more particularly to improved means and methods for transfer molding of semiconductors or other electronic devices.

본 발명의 많은 목적들과 장점들은, 본 명세서가 첨부된 도면들과 함께 해석된다면 당업자에게 자명할 것이며 동일한 참조번호들은 동일한 부재들에 적용된다.Many of the objects and advantages of the present invention will be apparent to those skilled in the art if the present specification is interpreted in conjunction with the accompanying drawings and like reference numerals apply to like elements.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 트랜스퍼 몰딩에서 기판의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate in a transfer molding according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 기판의 평면도이다.2 is a plan view of the substrate of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 캡슐화된 전자 패키지이다.3 is an encapsulated electronic package according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 전자 패키지의 저면도이다.4 is a bottom view of the electronic package of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 트랜스퍼 몰딩에서 기판의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a substrate in a transfer molding according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 트랜스퍼 몰딩에서 기판의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a substrate in a transfer molding according to another embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 기판의 저면도이다.FIG. 7 is a bottom view of the substrate of FIG. 6. FIG.

도 8은 도 6의 기판의 평면도이다.8 is a plan view of the substrate of FIG. 6.

도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 몰딩 포팅링을 구비한 캡슐화된 패키지이다.9 is an encapsulated package with a molded potting ring according to one embodiment of the invention.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 트랜스퍼 몰딩에서 기판의 단면도이다.10 is a cross-sectional view of a substrate in a transfer molding according to another embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 트랜스퍼 몰딩에서 기판의 단면도이다.11 is a cross-sectional view of a substrate in a transfer molding according to another embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 통과수단을 구비한 기판의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a substrate having a passing means according to another embodiment of the present invention.

도 13은 통과수단의 또 다른 실시예의 단면도이다.13 is a sectional view of another embodiment of a passing means.

본 발명의 목적은 종래의 소자들과 방법들의 한계를 극복하는 것이다. 본 발명의 일목적은 우수한 열 전달 특성을 갖는 방법 및 그 방법으로부터 제조되는 패키지를 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 히트 싱크가 부착된 트랜스퍼 몰딩 전자 패키지들의 제조에 있어서 고수율을 얻는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 트랜스퍼 몰딩 패키지 상의 포팅링을 제조하는 원가절감 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to overcome the limitations of conventional devices and methods. It is an object of the present invention to provide a method having excellent heat transfer properties and a package made from the method. It is a further object of the present invention to provide a method for obtaining high yield in the manufacture of transfer molded electronic packages with heat sinks. It is yet another object of the present invention to provide a cost saving method for producing potting rings on transfer molding packages.

이들 및 다른 목적들이 다음 방식으로 얻어진다. 전기적 콘택들의 핀 그리드 어레이, 볼 그리드 어레이, 랜드 그리드 어레이 등 중의 어느 하나를 구비하는 인쇄배선기판이 통상적인 방법으로 히트 싱크와 함께 준비된다. 통로가 인쇄배선기판 또는 히트 싱크 내의 어느 한쪽에 제공되어 트랜스퍼 몰딩 공정동안, 유체 몰딩 혼합물이 상기 히트 싱크 아래의 공동을 향하여 상기 히트 싱크 아래를 위도상으로 흐르도록 한다.These and other objects are obtained in the following manner. A printed wiring board having any one of a pin grid array, a ball grid array, a land grid array, and the like of electrical contacts is prepared with a heat sink in a conventional manner. A passage is provided in either the printed wiring board or in the heat sink to allow the fluid molding mixture to flow latitude below the heat sink towards the cavity below the heat sink during the transfer molding process.

본 발명의 일실시예에 따라, 제1면, 제2면 및 도금 비아들(vias)을 구비하되, 그 내부를 관통하는 윈도우와 상기 윈도우를 덮기 위해 상기 제1면에 부착되는 히트싱크를 구비하는 인쇄배선기판; 유체 몰딩 혼합물이 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면으로부터 상기 히트 싱크 아래를 위도상으로 이동할 수 있도록 하는 통과수단; 및 상기 히트 싱크 주위로 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면을 덮되, 상기 통과수단을 통해 연장되며 상기 제1면 아래의 공동을 채우는 캡슐;을 구비하는 몰딩 전자 패키지가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a first surface, a second surface, and plated vias are provided, the window penetrating therein and a heat sink attached to the first surface to cover the window. Printed wiring boards; Passing means for allowing a fluid molding mixture to move latitude below the heat sink from the first side of the printed wiring board; And a capsule covering the first surface of the printed wiring board around the heat sink, the capsule extending through the passing means and filling a cavity under the first surface.

본 발명의 다른 실시예에 따라, 제1면, 제2면 및 기판을 통해 연장되는 도금 비아들(vias)을 구비하되, 그 내부를 관통하는 윈도우와 상기 윈도우를 덮기 위해 상기 제1면에 부착되는 히트싱크와 상기 윈도우 내의 상기 히트 싱크에 부착되는 전자 소자와, 상기 전자소자를 상기 도금 비아들에 전기적으로 연결시키기 위한 수단를 구비하는 인쇄배선기판과 유체 몰딩 혼합물이 상기 인쇄배선기판의 제1면으로부터 상기 히트 싱크 아래를 위도상으로 이동할 수 있도록 하는 통과수단 및 상기 히트 싱크 주위로 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면을 덮되, 상기 통과수단을 통해 연장되며 상기 전자 소자와 상기 연결들을 캡슐화하는 캡슐을 구비하는 몰딩 전자 패키지가 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a first surface, a second surface and plating vias extending through the substrate, and attached to the first surface to cover the window and the window penetrating therein. A printed wiring board and fluid molding mixture having a heat sink, and an electronic device attached to the heat sink in the window, and means for electrically connecting the electronic device to the plating vias. A capsule for covering the first surface of the printed wiring board around the heat sink and extending through the passage so as to be able to move up and down under the heat sink, the capsule extending through the pass means and encapsulating the electronic element and the connections. A molded electronic package having a is provided.

본 발명의 방법적 태양들중 하나에서, 도금 비아 홀들과 그 내부를 관통하는 윈도우를 구비하는 인쇄배선기판을 형성하는 단계; 상기 인쇄배선기판에 부착하기 위한 히트 싱크를 제공하는 단계; 상기 윈도우를 덮기 위하여 상기 인쇄배선기판의 제1면에 상기 히트 싱크를 부착하는 단계; 상기 윈도우 내의 전자소자를 상기 히트 싱크에 부착하는 단계; 상기 전자소자를 상기 도금 비아 홀들에 전기적으로 연결하는 단계; 및 상기 전자 소자와 상기 연결들을 캡슐화하기 위하여 유체 몰딩 혼합물을 상기 윈도우를 향하여 상기 히트 싱크 아래로 통로를 통해 위도상으로 이동시킴으로써 전자 패키지를 캡슐화하는 단계를 구비하는 몰딩 전자 패키지를 제조하는 방법이 제공된다.In one of the method aspects of the present invention, there is provided a method comprising: forming a printed wiring board having plated via holes and a window penetrating therein; Providing a heat sink for attaching to the printed wiring board; Attaching the heat sink to the first surface of the printed wiring board to cover the window; Attaching an electronic device in the window to the heat sink; Electrically connecting the electronic device to the plated via holes; And encapsulating the electronic package by moving a fluid molding mixture latitude through a passage down the heat sink towards the window to encapsulate the electronic device and the connections. do.

본 발명의 방법적 태양들중 다른 하나에서, 도금 비아 홀들과 그 내부를 관통하는 윈도우를 구비하는 인쇄배선기판을 형성하는 단계와 상기 인쇄배선기판에 부착하기 위한 히트 싱크를 제공하는 단계와 상기 윈도우를 덮기 위하여 상기 인쇄배선기판의 제1면에 상기 히트 싱크를 부착하는 단계와 상기 기판의 제2면 상에 포팅링을 형성하기 위하여 유체 몰딩 혼합물을 통로를 통해 위도상으로 이동시킴으로써 패키지를 캡슐화하는 단계를 구비하는 포팅링을 구비한 몰딩 패키지를 제조하는 방법이 제공된다.In another of the method aspects of the invention, there is provided a method of forming a printed wiring board having plated via holes and a window penetrating therein, providing a heat sink for attaching to the printed wiring board, and the window. Attaching the heat sink to the first side of the printed wiring board to cover the encapsulation, and encapsulating the package by moving the fluid molding mixture latitude through the passage to form a potting ring on the second side of the substrate. A method of manufacturing a molding package having a potting ring having a step is provided.

본 발명의 방법적 태양들중 또 다른 하나에서, 도금 비아 홀들과 그 내부를 관통하는 윈도우를 구비하는 인쇄배선기판을 형성하는 단계와 상기 인쇄배선기판에 부착하기 위한 히트 싱크를 제공하되, 상기 히트 싱크는 그 중심을 향하여 상기 히트 싱크의 모서리로부터 연장되는 제1면내의 그루브를 구비하는 단계와 상기 윈도우를 덮기 위하여 상기 인쇄배선기판의 제1면에 상기 히트 싱크를 부착하여 상기 그루브가 상기 윈도우 쪽으로 연장되도록 하는 단계와 상기 윈도우 내의 전자소자를 상기 히트 싱크에 부착하는 단계와 상기 전자소자를 상기 도금 비아 홀들에 전기적으로 연결하는 단계와 상기 전자 소자와 상기 연결들을 캡슐화하기 위하여 유체 몰딩 혼합물을 상기 기판의 제1면 위로 그리고 상기 윈도우를 향하여 상기 히트 싱크 내의 상기 그루브를 통해 위도상으로 이동시킴으로써 전자 패키지를 캡슐화하는 단계를 구비하는 몰딩 전자 패키지를 제조하는 방법이 제공된다.In another of the method aspects of the present invention, there is provided a printed wiring board having plated via holes and a window penetrating therein, and providing a heat sink for attaching to the printed wiring board, wherein the heat sink is provided. The sink having a groove in a first surface extending from an edge of the heat sink toward the center thereof and attaching the heat sink to the first surface of the printed wiring board to cover the window so that the groove is directed toward the window. Extending the substrate, attaching the electronic device in the window to the heat sink, electrically connecting the electronic device to the plating via holes, and applying a fluid molding mixture to the substrate to encapsulate the electronic device and the connections. The heat sink in the heat sink over the first side of the and towards the window; The method for manufacturing a molded electronic package, comprising the step of encapsulating the electronic package by moving the latitude through the probe is provided.

도 1을 참조하면, 시작하는 부재는 적층기판(10)이다. 기판(10)은 종래의 인쇄배선기판(PWB)인데, 전형적으로 다층의 변형으로 이루어진다. 기판은 일련의 도금된 비아스(vias) (즉, 관통공들)(11)을 포함하는데, 그 안으로 전기적 콘택들(예를 들면, 솔더볼들(solder balls), 패드들, 핀들 등)이 통상적으로 납땜에 의해 고정되어 볼 그리드 어레이(ball grid array), 핀 그리드 어레이, 랜드(land) 그리드 어레이 등을 형성한다. 윈도우(13)는 PWB의 중심을 관통하여 절단된다. 도 1의 특정한 실시예에서, 윈도우(13)는 층들(5, 6 및 7)을 관통하여 통과하며 층들(6과 7)에서의 윈도우부가 층(5)에서의 윈도우부보다 더 크게 형성된다.Referring to FIG. 1, the starting member is a laminated substrate 10. The substrate 10 is a conventional printed wiring board (PWB), which is typically made of multiple layers of deformations. The substrate includes a series of plated vias (ie, through holes) 11, into which electrical contacts (eg, solder balls, pads, pins, etc.) are typically It is fixed by soldering to form a ball grid array, pin grid array, land grid array, and the like. The window 13 is cut through the center of the PWB. In the particular embodiment of FIG. 1, the window 13 passes through the layers 5, 6 and 7 and the window portion in the layers 6 and 7 is formed larger than the window portion in the layer 5.

통과 또는 공급수단(14)은 기판(10)에 제공된다. 도 1에서, 통과수단(14)은 기판(10)의 윗면(16)에 절단된 슬롯(slot)이나 채널(channel)(15)이다(비아 홀들은 명료함을 위하여 도시되지 않은 도 2를 참조). 그러나 통과수단은 홀, 그루브, 오리피스, 덕트, 노치 또는 유체 몰딩 혼합물(즉, 플라스틱)이 히트 싱크(19) 아래를 위도상으로 흐르도록 하는 임의의 형상일 수 있지만 이에 한정되는 것이 아니라는 것을 주목하는 것이 중요하다. 본 발명에서 위도상으로란 일반적으로 측면에서 측면으로 이동하는 것을 포함하며, 높이쪽으로 또는 두께쪽으로의 운동에 반대하여 길이쪽으로 또는 넓이쪽으로의 이동을 포함한다. 그러나, 위도상으로란 기판의 두께 (즉 높이)를 통해 감소하는 동시에 기판을 통해 가로질러 연장되는 통로에 의해 표현될 수 있는 각진 측면에서 측면까지의 운동을 또한 포함한다. 마찬가지로, 각진 측면에서 측면까지의 운동은 기판을 통해 가로질러 연장되며 동시에 증가하는 깊이(즉 채널 깊이)를 갖는 통로에 의해 표현될 수 있다. 이하에서 설명되는 바와 같이, 통과수단은 거리에 대해 또한 위도상으로 연장될 수 있으며, 그리고 기판을 통해 수직통로와 연결될 수 있다.Passing or feeding means 14 are provided on the substrate 10. In FIG. 1, the passing means 14 is a slot or channel 15 cut in the top surface 16 of the substrate 10 (via holes not shown for clarity see FIG. 2). ). It should be noted, however, that the means of passage may be any shape that allows holes, grooves, orifices, ducts, notches or fluid molding mixtures (i.e., plastics) to flow latitude below the heat sink 19, but is not limited thereto. It is important. Latitudinally in the present invention generally includes moving from side to side, including movement toward the length or to the width as opposed to movement toward the height or towards the thickness. However, latitude also includes angular to side motion, which may be represented by passages extending across the substrate while decreasing through the thickness (ie height) of the substrate. Similarly, the motion from angular side to side can be represented by a passageway extending across the substrate and at the same time increasing depth (ie channel depth). As explained below, the passing means can also extend latitude with respect to distance and can be connected with the vertical passage through the substrate.

이하에서 더욱 상세히 설명되는 바와 같이, 통과수단(14)은 몰딩 공정에서 중요한 역할을 하는데, 특별히 종래기술에 비해 본 발명이 개선되도록 한다. 히트 싱크(19)는 윈도우(13) 위로 기판(10)의 윗면(16)에 고정된다. 히트 싱크(19)는 전형적으로 얇은 부식방지 니켈 또는 금판으로 덮힌 쿠퍼(cooper) 판이며 접착제에 의해 기판(10)에 고정된다. 기판(10)은 홀(13)의 주위를 둘러싸는 기판의 밑면(17) 상의 본드 핑거들의 어레이(array)에 비아들(vias)(11)을 결합하는 도전성 트레이스들(traces)을 포함한다. 히트 싱크(19)가 기판(10)에 고정되면, 패키지는 그 내부에 전자소자(20)를 장착하기 위하여 밑면 또는 표면(17)으로부터 이용가능한 공동을 형성한다.As will be described in more detail below, the passing means 14 play an important role in the molding process, in particular allowing the present invention to be improved over the prior art. The heat sink 19 is fixed to the top surface 16 of the substrate 10 over the window 13. The heat sink 19 is typically a cooper plate covered with a thin anticorrosion nickel or gold plate and secured to the substrate 10 by an adhesive. Substrate 10 includes conductive traces that couple vias 11 to an array of bond fingers on the underside 17 of the substrate that surrounds the hole 13. Once the heat sink 19 is secured to the substrate 10, the package forms a cavity available from the bottom or surface 17 for mounting the electronics 20 therein.

전자소자(20)는 전형적으로 그 상단에 집적회로를 갖는 칩이지만, 다이오드들이나 트랜지스터들과 같은 다른 활성소자들일 수 있다. 마찬가지로, 다수의 칩들이나 또는 다른 소자들이 하나의 적층기판에 부착될 수 있다. 일실시예에서, 전자소자(20)의 집적회로는 칩 상단의 본딩 패드들로부터 적층기판의 제1층 상의 본드 핑거들(18)까지 배선들(21)을 본딩하고 적층기판의 제2층 상의 본드 핑거들(18A)까지 배선들(21A)을 본딩함에 의해 적층기판에 부착된다. 본딩 배선들은 전형적으로 25 마이크로미터의 직경을 갖는 금선들이나, 당업자가 아는 바와 같이 다양한 직경들과 물질들, 예를 들면 알루미늄이나 다른 금속들이 고전류 파워소자들에 대하여 특별히 사용될 수 있다.The electronic device 20 is typically a chip having an integrated circuit on top of it, but may be other active elements such as diodes or transistors. Likewise, multiple chips or other elements can be attached to one stacked substrate. In one embodiment, the integrated circuit of the electronic device 20 bonds the wirings 21 from the bonding pads on the top of the chip to the bond fingers 18 on the first layer of the laminated substrate and on the second layer of the laminated substrate. It is attached to the laminated substrate by bonding the wirings 21A to the bond fingers 18A. Bonding wires are typically gold wires having a diameter of 25 micrometers, but various diameters and materials, such as aluminum or other metals, can be used specifically for high current power devices as those skilled in the art will appreciate.

일실시예에서, 배선들은 양호한 기계적 본딩과 매우 낮은 저항의 전기적 콘택을 얻기 위하여 열(대략 150℃에서 200℃)과 초음파(대략 60에서 70kHz)의 조합을 사용하는 열초음파 본딩공정을 사용하여 본드 핑거들에 본딩된다. 초음파(대략 60에서 70kHz)만을 사용하는 초음파 본딩공정이 또한 사용될 수 있다. 열초음파 타입 및 유사한 타입의 본딩공정들에 있어서, 배선의 끝은 그 원래의 직경보다 대략 두배 내지 세배로 확장된다. 따라서 커다란 본드 핑거들이 유리하다. 전자소자가 부착된 후에, 적층기판은 전자소자를 캡슐화하기 위하여 종래의 플라스틱 패키지 내에서 사용될 수 있다.In one embodiment, the wires are bonded using a thermosonic bonding process using a combination of heat (approximately 150 ° C. to 200 ° C.) and ultrasound (approx. 60 to 70 kHz) to obtain good mechanical bonding and very low resistance electrical contact. Bonded to the fingers. Ultrasonic bonding processes using only ultrasonic waves (approximately 60 to 70 kHz) may also be used. In thermosonic and similar types of bonding processes, the ends of the interconnects extend approximately two to three times their original diameter. Thus large bond fingers are advantageous. After the electronic device is attached, the laminated substrate can be used in a conventional plastic package to encapsulate the electronic device.

본 발명의 실행예를 이하에서 설명한다. 당업자는 본 발명의 다른 실시예들도 또한 적당하다는 것을 인식할 것이다. 본 발명에 대해 사용되는 틀은 본 출원인의 출원으로 전체적으로 참조로써 여기에 병합된 대리인 도켓(docket) 번호 011608-013과 전자 패키지들을 캡슐화하기 위한 장치라는 제목의 미국특허출원번호 08/452,130에 개시된다. 하부 플래턴(23)은 몰딩 프레스 내에 위치하며 기판(10)은 하부 플래턴(23)의 위에 위치한다. 상부 플래턴(22)은 하부 플래턴(23) 위로 정렬되어 상부 틀 공동(25)과 하부 틀 공동(27)이 기판(10)을 둘러싸도록 형성된다. 도 1은 틀 플래턴들(22, 23) 사이에 위치하는 기판을 도시한다. 여기에서 사용되는 단어들 상부 플래턴과 하부 플래턴 또는 상부 틀 플래턴과 하부 틀 플래턴은 몰딩이 일어나는 폐쇄된 틀 공동들을 정의하기 위해 사용되는 틀의 두 개의 분리된 부분들을 언급한다. 단어들 상부와 하부는 설명이 용이하도록 하기 위하여 사용되는 것이며 공간 내에서 요구되는 방위를 의미하는 것은 아니다. 왜냐하면 틀들은 그 기본기능에 영향을 미치지 않고 상단 트랜스퍼(상단의 램)나 하단 트랜스퍼(하단의 램)의 어느쪽 배열들에서도 동작하도록 용이하게 설계될 수 있기 때문이다. 도면들 모두는 복수의 그런 위치들을 보통 포함하는 트랜스퍼 몰딩 내에서의 단일 위치를 보여줄 뿐이므로 상대적으로 많은 소자들이 동시에 몰딩될 수 있다. 완료된 부품(들)의 제거를 용이하게 하는 배출 핀들과 같은 공지의 몰딩 피쳐(feature)들은 간단히 하기 위하여 생략한다. 당업자는 그런 피쳐 및/또는 다른 것들이 실제로 사용될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 트랜스퍼 몰딩은 종래의 트랜스퍼 몰딩 공정에 적용된다. 정렬 범프들(bumps)(43)이 플래턴에서 기판의 중심을 잡기 위하여 기판(10) 상에 제공될 수 있다.Embodiments of the present invention will be described below. Those skilled in the art will recognize that other embodiments of the present invention are also suitable. The framework used for the present invention is disclosed in U.S. Patent Application No. 08 / 452,130 entitled Agent Docket No. 011608-013 and Apparatus for Encapsulating Electronic Packages, which is incorporated herein by reference in its entirety. . The lower platen 23 is located in the molding press and the substrate 10 is located above the lower platen 23. The upper platen 22 is aligned above the lower platen 23 so that the upper mold cavity 25 and the lower mold cavity 27 surround the substrate 10. 1 shows a substrate positioned between frame platens 22 and 23. The words used herein Upper platen and lower platen or upper frame platen and lower frame platen refer to two separate parts of the frame used to define closed frame cavities in which molding takes place. The words above and below are used for ease of explanation and do not mean the orientation required in space. Because the frames can be easily designed to operate in either arrangement of the top transfer (top ram) or bottom transfer (bottom ram) without affecting its basic functions. All of the figures only show a single location within a transfer molding that usually includes a plurality of such locations, so that a relatively large number of elements can be molded simultaneously. Known molding features, such as ejection pins, which facilitate removal of the finished part (s) are omitted for simplicity. Those skilled in the art will appreciate that such features and / or others may be used in practice. Transfer molding is applied to conventional transfer molding processes. Alignment bumps 43 may be provided on the substrate 10 to center the substrate in the platen.

트랜스퍼 몰딩 작업에서, 틀 공동들(25, 27)의 순체적과 이동 수단(14) 및 비어 홀들(11)의 체적을 합한 것을 채우기에 적어도 충분한 유체 (가열된) 몰딩 혼합물의 소정체적이 대략 500psi의 압력에서 홀(24)로 밀려들어 간다. 몰딩 혼합물은 전형적으로 열경화성 플라스틱이다. 몰딩 혼합물은 당업자에게 공지된 여러 물질들중의 어느 것일 수 있는데, 스폭(Sporck)의 미국특허번호 3,838,094, 시오바라(Shiobara)들의 미국특허번호 4,859,722 및 져스키(Jusky)들의 미국특허번호 5,132,778에 개시된 것들을 포함하지만 이에 한정되지는 않으며, 이들 모두는 전체적으로 여기에 병합된다.In the transfer molding operation, the predetermined volume of the fluid (heated) molding mixture at least sufficient to fill the sum of the volume of the mold cavities 25, 27 and the volume of the moving means 14 and the via holes 11 is approximately 500 psi. It is pushed into the hole 24 at the pressure of. The molding mixture is typically a thermoset plastic. Molding mixtures can be any of a variety of materials known to those skilled in the art, including those disclosed in Spok's U.S. Patent No. 3,838,094, Shiobara, U.S. Patent No. 4,859,722 and Jusky's U.S. Pat. Including, but not limited to, all of which are incorporated herein in their entirety.

유체 몰딩 혼합물은 게이트(26)를 통해 상부 틀 공동(25)쪽으로 움직인다. 상부 틀 공동(25)에서, 화살표들은 결과적인 몰딩 혼합물의 흐름을 도시한다. 몰딩 혼합물은 패키지의 측면들과 상단을 캡슐화하기 위하여 기판(10)의 측면들(8) 둘레와 기판(10)의 상부 표면(16) 위와, 히트 싱크(19) 둘레를 흐른다. 액체 몰딩 혼합물이 틀 공동들쪽으로 사출되는 속도가 최대 사출속도를 초과하지 않도록 조절되는 것이 중요하다. 최대 사출속도에 근거한 제한이 요구되는 것은 몰딩 혼합물 내에 보이드들이 형성되거나 또는 빠르게 이동하는 몰딩 혼합물이 전자 소자의 부서지기 쉬운 부재들, 예를 들면 본딩 배선들(21, 21A) 또는 반도체 칩에 손상을 주는 것을 피하기 위함이다. 최대 사출속도는 실험에 의해 손쉽게 결정될 수 있다. 사출 몰딩시간이 응고시간 미만이어야 하는 것이 또한 중요하다. 이 두 번째 조건은 사출속도에 대하여 더 낮은 제한을 부과한다.The fluid molding mixture moves through the gate 26 toward the upper mold cavity 25. In the upper mold cavity 25, the arrows show the flow of the resulting molding mixture. The molding mixture flows around the sides 8 of the substrate 10, over the top surface 16 of the substrate 10, and around the heat sink 19 to encapsulate the sides and top of the package. It is important that the rate at which the liquid molding mixture is injected into the mold cavities does not exceed the maximum injection rate. Restrictions based on the maximum injection rate are required because voids are formed in the molding mixture or the rapidly moving molding mixture may damage the fragile members of the electronic device, for example bonding wires 21 and 21A or the semiconductor chip. To avoid giving. The maximum injection speed can be easily determined by experiment. It is also important that the injection molding time be less than the solidification time. This second condition imposes a lower limit on the injection speed.

상술한 바와 같이, 통과수단(14)은 특별한 장점들을 제공한다. 통과수단(14)은 유체 몰딩 혼합물이 전자 소자(20), 본딩 배선들(21, 21A) 및 본드 핑거들(18, 18A)을 캡슐화하기 위하여 하부 틀 플래턴(23)에서 하부 몰드 공동(27) 쪽으로 기판(10)을 통해 히트 싱크(19) 밑에서 위도상으로 또는 측면으로 움직이도록 한다. 히트 싱크 밑에서 몰딩 혼합물의 위도상의 이동은 커다란 히트 싱크가 더 큰 열 이동을 위하여 패키지의 상단 위에 놓여질 수 있다는 것을 의미한다. 실제로, 히트 싱크는 기판의 전체 상단 표면을 덮을 수 있기 때문에 통과수단(14)은 기판의 측면까지 줄곧 연장된다(도 14).As mentioned above, the passing means 14 provide special advantages. Passing means 14 is provided in the lower mold cavity 27 in the lower mold platen 23 so that the fluid molding mixture encapsulates the electronic element 20, the bonding wires 21, 21A and the bond fingers 18, 18A. ) Moves latitude or laterally under the heat sink 19 through the substrate 10. Latitude movement of the molding mixture under the heat sink means that a large heat sink can be placed on top of the package for greater heat transfer. In practice, the heat sink 14 extends all the way to the side of the substrate because the heat sink can cover the entire top surface of the substrate (FIG. 14).

통과수단(14)은 가변크기를 갖는다. 통로는 넓고 얕을 수 있으며, 또는 좁고 깊을 수도 있다. 중요한 특성은 통로 내의 나선형 흐름이나 봉쇄를 방지하기 위하여 적당한 크기의 단면적을 갖는다는 것이다. 이러한 사건들을 방지하는 것은 당업자에게 공지되어 있다. 예를 들면, 대표적인 크기는 단면적이 1200 제곱 mils가 되는 깊이 20 mils와 넓이 60 mils일 수 있다. 통로 크기의 변형들이 틀 공동의 디멘젼들, 기판과 히트 싱크의 디멘젼들, 몰딩 물질의 점성 및 몰딩 물질의 구성 등과 같은 인자들에 의존하여 만들어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 통로 아래에 어떤 순환로(circuitry)나 비아 홀들(via holes)도 존재하지 않는 것이 바람직하다. 그러나, 통로는 어떤 문제도 없이 비아 홀들을 관통할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 통과수단(14)은 기판의 모퉁이로부터 윈도우(13)까지 대각선으로 이어진다. 그러나, 통과수단은 기판의 임의의 방향으로부터 이어질 수 있으며 이하에서 더욱 상세하게 설명되는 바와 같이 모서리나 윈도우까지 줄곧 연장될 필요는 없다. 본 발명의 다른 실시예에 따라서 하나 이상의 통과수단이 또한 있을 수 있다.The passing means 14 has a variable size. The passageway may be wide and shallow, or it may be narrow and deep. An important characteristic is that it has a cross-sectional area of adequate size to prevent helical flow or blockage in the passage. Prevention of such events is known to those skilled in the art. For example, a representative size may be 20 mils deep and 60 mils wide with a cross section of 1200 square mils. Variations in passage size may be made depending on factors such as dimensions of the frame cavity, dimensions of the substrate and heat sink, viscosity of the molding material, and composition of the molding material, but are not limited thereto. It is desirable that no circuitry or via holes exist under the passageway. However, the passage can pass through the via holes without any problem. As shown in FIG. 2, the passing means 14 runs diagonally from the corner of the substrate to the window 13. However, the passing means may extend from any direction of the substrate and need not extend all the way to the edge or window as described in more detail below. According to another embodiment of the invention there may also be one or more passing means.

상부 플래턴(22)은 몰딩 혼합물이 히트 싱크의 상부 위로 흐르지 못하도록 히트 싱크(19)에 대하여 압력을 가하는 플러그(33)를 포함한다. 플러그(33)는 상부 플래턴(22)의 공동(41) 내에 위치하는 바이어싱 수단(39)을 사용하여 히트 싱크(19)에 대하여 압력을 가한다. 바이어싱 수단(39)은 하부 플래턴(23)의 표면 위로 기판(10)을 누름으로써 몰딩 혼합물이 틀 공동(27)의 영역에서를 제외하고 기판의 하단 표면을 가로질러 흐르지 못하도록 한다. 스페이서(미도시)가, 바이어싱 수단이 히트 싱크(19)에 대하여 가하는 압력의 양을 조절할 수 있도록 바이어싱 수단(39) 사이의 공동(41) 내에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 바이어싱 수단은 다른 강도를 갖는 바이어싱 수단으로 교체될 수 있다.The upper platen 22 includes a plug 33 that presses against the heat sink 19 to prevent the molding mixture from flowing over the top of the heat sink. The plug 33 presses against the heat sink 19 using biasing means 39 located in the cavity 41 of the upper platen 22. The biasing means 39 presses the substrate 10 over the surface of the lower platen 23 to prevent the molding mixture from flowing across the bottom surface of the substrate except in the region of the frame cavity 27. Spacers (not shown) may be located in the cavities 41 between the biasing means 39 to adjust the amount of pressure the biasing means exerts on the heat sink 19. Likewise, the biasing means can be replaced with a biasing means having a different strength.

본 발명의 몰딩 공정에서, 상대적으로 큰 히트 싱크(19)(즉, 틀 공동의 폭보다 더 큰 폭을 갖는)를 사용하는 것은 종래기술에 비하여 특별한 장점들을 갖는다. 도 1에 도시된 바와 같이, 히트 싱크의 폭 A는 틀 공동의 폭 B보다 크다. 게다가, 플러그(33)는 히트 싱크보다 더 큰 폭을 갖는다. 결과적으로, 상부 틀 플래턴(22)과 하부 틀 플래턴(23)이 합쳐지면, 기판(10)은, 바이어스된 플러그(33)가 히트 싱크(19)를 통해 기판에 힘을 가함에 따라 하부 틀 플래턴에 의해 지지된다(도 1의 화살표 49로 도시함). 이런 식으로, 기판의 중앙부는 편향되지 않을 것인데(종래기술에서는 편향되었음), 이는 플러그의 압력이 히트 싱크로부터 하부 플래턴까지 기판을 통해 직접 전달되기 때문이다(지지할 어떤 구조물도 없는 개방된 틀 공동쪽으로 기판을 통해 전달되는 대신에).In the molding process of the present invention, the use of a relatively large heat sink 19 (ie, having a width greater than the width of the mold cavity) has particular advantages over the prior art. As shown in FIG. 1, the width A of the heat sink is greater than the width B of the frame cavity. In addition, the plug 33 has a larger width than the heat sink. As a result, when the upper frame platen 22 and the lower frame platen 23 are combined, the substrate 10 is lowered as the biased plug 33 forces the substrate through the heat sink 19. Supported by a frame platen (shown by arrow 49 in FIG. 1). In this way, the center of the substrate will not be deflected (which is deflected in the prior art) because the pressure of the plug is transferred directly through the substrate from the heat sink to the lower platen (open frame without any structure to support). Instead of being passed through the substrate towards the cavity).

바이어스된 플러그는, 바이어싱 수단(39)이 기판 및/또는 히트 싱크의 두께에 있어서 허용오차의 변동을 보상할 수 있다는 점에서 또 다른 특별한 장점을 갖는다. 도 1에 도시된 바와 같이, 하부 플래턴(23)의 상단 표면(45)과 상부 플래턴(22)의 상단 표면(47) 사이의 높이 C는 두 개의 플래턴들이 몰딩공정을 위하여 합쳐지는 경우의 고정된 거리이다. 그러나, 기판 및/또는 히트 싱크의 두께는 수 밀리미터만큼 변동될 수 있다. 이러한 변동들은 바이어싱 수단(39)에 의해 보상된다. 예를 들어, 기판이 너무 두껍다면, 히트 싱크(19)는 바이어싱 수단(39)과 플러그(33)를 위쪽으로 편향시키고, 따라서 두 개의 플래턴들이 합쳐질 때 지나친 압력이 기판에 가해지지 않는다. 한편, 기판(10)이 너무 얇다면, 바이어싱 수단(39)은 히트 싱크(19)의 상부 표면 쪽으로 플러그(33)를 아래로 편향시키고 힘을 가한다, 따라서 몰딩 혼합물이 히트 싱크위로 흐를 수도 있는, 상부 플래턴의 하부 표면과 히트 싱크의 상부 표면 사이의 갭을 방지한다.The biased plug has another particular advantage in that the biasing means 39 can compensate for variations in tolerances in the thickness of the substrate and / or heat sink. As shown in FIG. 1, the height C between the top surface 45 of the lower platen 23 and the top surface 47 of the upper platen 22 is when the two platens are joined for a molding process. Is a fixed distance. However, the thickness of the substrate and / or heat sink can vary by a few millimeters. These fluctuations are compensated by the biasing means 39. For example, if the substrate is too thick, the heat sink 19 deflects the biasing means 39 and the plug 33 upwards, so that no excessive pressure is applied to the substrate when the two platens are joined. On the other hand, if the substrate 10 is too thin, the biasing means 39 deflects and forces the plug 33 down towards the top surface of the heat sink 19, so that the molding mixture may flow over the heat sink. Which prevents a gap between the lower surface of the upper platen and the upper surface of the heat sink.

트랜스퍼 몰딩 기술에서, 유체 몰딩 혼합물이 대략 0.025 mm보다 작은 갭이나 리세스로 흐르지 않을 것이라는 것이 경험적으로 얻어진다. 따라서, 대략 0.01 mm의 직경을 갖는 배출구들(28, 28A)은 틀 내의 공기압을 방출시키는데, 이 때 몰딩 혼합물은 배출구들을 통해 흐르지 못한다.In the transfer molding technique, it is empirically obtained that the fluid molding mixture will not flow into a gap or recess smaller than approximately 0.025 mm. Thus, outlets 28 and 28A having a diameter of approximately 0.01 mm release the air pressure in the mold, where the molding mixture does not flow through the outlets.

완료된 트랜스퍼 몰딩 핀 그리드-배열이 도 3에 단면도로 도시된다. 몰딩 팩키지는 전형적으로 틀에서 경화되기 시작한다. 그리고, 패키지는 틀로부터 제거되고 대략 175℃에서 4시간동안 경화되거나 교차결합된다. 몰딩 혼합물은 기판(10)의상단 표면과 측면들을 둘러싸는 것은 물론, 전자소자, 본딩 배선들 및 본드 핑거들을 덮는 캡슐(37)로 굳어진다. 전기적인 콘택들 (즉, 핀들)(12)은 통상적으로 납땜에 의해 비아들(vias)(11)내에 고정된다.The completed transfer molding pin grid-array is shown in cross section in FIG. 3. Molding packages typically begin to cure in the mold. The package is then removed from the mold and cured or crosslinked at approximately 175 ° C. for 4 hours. The molding mixture is hardened by a capsule 37 which covers the top surface and sides of the substrate 10 as well as covering the electronics, bonding wires and bond fingers. Electrical contacts (ie, pins) 12 are fixed in vias 11, typically by soldering.

도 4는 캡슐이 그 내부의 전자소자를 캡슐화하기 위하여 중앙 공동을 채우고 기판의 가장자리들 위 및 둘레로 연장되는 것을 도시하는 완료된 트랜스퍼 몰딩 핀 그리드 배열의 저면도이다. 본 발명의 다른 실시예에서, 솔더 볼(solder ball)들이 볼 그리드 배열을 형성하기 위하여 비아 홀들에 부착된다. 마찬가지로, 랜드(land) 그리드 배열들과 다른 콘택 형상들이 본 발명에 따라 형성될 수 있다.4 is a bottom view of the completed transfer molding pin grid arrangement showing the capsule filling the central cavity and extending over and around the edges of the substrate to encapsulate the electronics therein. In another embodiment of the invention, solder balls are attached to the via holes to form a ball grid arrangement. Likewise, land grid arrangements and other contact shapes may be formed in accordance with the present invention.

하부 플래턴(23)은 하부 틀 공동(27)의 네 개의 모퉁이들에 위치하는 리세스들 (도 1에 미도시)을 또한 가질 수 있다. 몰딩 혼합물은 캡슐(37)의 하단 표면(35)으로부터 돌출부들(미도시)을 형성할 수 있다. 따라서 패키지가 종래의 인쇄회로기판 위에 장착될 때, 기판과 접촉하는 돌출부들과 함께 안착될 것이며, 한편 캡슐(37)의 중앙부는 기판표면을 깨끗이 할 것이다. 왜냐하면 돌출부들은 패키지의 네 모퉁이에 위치하여, 패키지가 마지막 조립에서 납땜된 후 중앙영역은 세정액이 접근하기 쉬워지기 때문이다.The lower platen 23 may also have recesses (not shown in FIG. 1) located at four corners of the lower mold cavity 27. The molding mixture may form protrusions (not shown) from the bottom surface 35 of the capsule 37. Thus, when the package is mounted on a conventional printed circuit board, it will be seated with protrusions in contact with the substrate, while the central portion of the capsule 37 will clean the substrate surface. Because the protrusions are located at the four corners of the package, the cleaning area is accessible to the central area after the package is soldered in the final assembly.

도 1을 다시 참조하면, 히트 싱크(19)가 편평한 판으로 도시되어 있으나, 다른 형태들을 취할 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들면, 일체형 나사산을 갖는 돌기가 히트 싱크의 상단에 포함될 수 있다. 이러한 돌기는 히트 핀(heat fin)들이나 다른 형태의 냉각장치를 부착하는 것이 용이하도록 할 수 있다. 이러한 돌기가 히트 싱크(19)에 존재할 때, 플러그(33)는 돌기를 위한 수용 리세스를 포함할 것이다. 이러한 돌기와 리세스가 존재하든지 아니든지 간에, 히트 싱크의 주위 둘레로 히트 싱크(19)와 플러그(33) 사이의 밀폐된 공간은 몰딩하는 동안 몰딩 혼합물이 히트 싱크 표면을 덮지 못하도록 할 것이다.Referring again to FIG. 1, although the heat sink 19 is shown as a flat plate, it should be understood that other forms may be taken. For example, a protrusion with an integral thread may be included at the top of the heat sink. Such protrusions may facilitate attachment of heat fins or other forms of cooling. When such a protrusion is present in the heat sink 19, the plug 33 will include a receiving recess for the protrusion. Whether such protrusions and recesses are present or not, the enclosed space between the heat sink 19 and the plug 33 around the perimeter of the heat sink will prevent the molding mixture from covering the heat sink surface during molding.

본 발명의 일실시예에서, 하부 플래턴(23′)이 사용될 수 있다. 하부 플래턴(도 5의 23′)은 전기적인 콘택들(12)을 수용하기 위한 복수의 리세스들 또는 공동들(51, 51A)을 갖는다. 본 실시예에서 상부 플래턴은 이미 설명한 상부 플래턴과 동일하고 몰딩공정도 동일하다. 리세스들 내의 전기적 콘택들은 기판의 중심을 맞추기 위하여 사용될 수 있기 때문에, 정렬을 목적으로 사용되는 다른 부재들(도 2의 정렬 융기들(43))이 필요없다.In one embodiment of the invention, the lower platen 23 'may be used. The lower platen (23 ′ in FIG. 5) has a plurality of recesses or cavities 51, 51A for receiving electrical contacts 12. The upper platen in this embodiment is the same as the upper platen already described, and the molding process is also the same. Since electrical contacts in the recesses can be used to center the substrate, there is no need for other members (alignment ridges 43 in FIG. 2) used for alignment purposes.

본 발명의 다른 실시예가 도 6에 도시되는데, 상부 플래턴(22)은 이미 설명한 것과 동일하지만 하부 플래턴과 통과 수단은 전자소자를 캡슐화하는 대신에 기판(10′)의 밑면(17)에 포팅링(potting ring)을 형성할 목적 때문에 다르다. 포팅링 (또는 댐링(dam ring)(55)은 캡슐(37)이 히트 싱크와 기판의 측면 둘레로 형성되는 동시에 기판의 하단(10′)에 형성됨으로써, 캡슐화된 패키지(53)는 히트 싱크(19)의 밑면(57)에 전자소자를 후에 부착하기 위하여 사용될 수 있으며 액체 캡슐(도 9)로 캡슐화될 수 있다. 댐링(55)은 액체 캡슐이 경화되기 전에 원하지 않는 영역으로 퍼지는 것을 방지한다. 포팅링을 기판에 몰딩한 결과, 포팅링을 기판으로부터 분리하기 위하여 취급할 필요가 없다. 몇가지 장점들은 다음과 같다. 원료와 원료취급이 줄어들기 때문에 원가가 낮아진다. 포팅링의 높이와 허용오차에 제한이 없다. 몰딩 패키지의 겉을 더 좋게 꾸밀 수 있다.Another embodiment of the present invention is shown in FIG. 6, where the upper platen 22 is the same as already described, but the lower platen and the passing means are potted on the underside 17 of the substrate 10 'instead of encapsulating the electronics. It differs for the purpose of forming a potting ring. The potting ring (or dam ring 55) is formed at the bottom 10 ′ of the substrate at the same time as the capsule 37 is formed around the side of the heat sink and the substrate, whereby the encapsulated package 53 has a heat sink ( It can be used to later attach the electronics to the bottom 57 of 19) and can be encapsulated with a liquid capsule (Figure 9.) Damring 55 prevents the liquid capsule from spreading to unwanted areas before curing. As a result of molding the potting ring on the substrate, there is no need to handle the potting ring to separate it from the substrate Some advantages are as follows: Lower costs due to reduced raw material and material handling. There is no limit, you can make the appearance of the molding package better.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 대해서 사용되는 하부 플래턴은 이미 설명한 하부 플래턴들(23, 23′)과 약간 다르다. 도 6의 하부 플래턴(59)은 그 내부에 형성된 링 형상의 틀 공동(61)을 갖는다. 전형적으로, 틀 공동(61)은 기판의 윈도우(13) 형상과 일치하도록 정사각형 또는 직사각형 형상이다. 그러나, 틀 공동은 둥글거나 또는 임의의 다른 모양일 수 있다. 마찬가지로, 틀 공동의 단면은 거꾸로 뒤집히고 꼭대기가 잘려진 피라미드와 비슷하지만 그 단면은 임의의 형상일 수 있다. 하부 플래턴(59)과 상대적으로 큰 히트 싱크(19)는 기판의 중심에서의 편향을 방지하는 것처럼 이미 설명한 것과 같은 특별한 장점들을 갖는다.As mentioned above, the lower platens used for this embodiment are slightly different from the lower platens 23, 23 'already described. The lower platen 59 of FIG. 6 has a ring shaped frame cavity 61 formed therein. Typically, the frame cavity 61 is square or rectangular in shape to match the shape of the window 13 of the substrate. However, the frame cavity may be round or any other shape. Likewise, the cross section of the frame cavity is similar to a pyramid that is upside down and cut off, but the cross section may be of any shape. The lower platen 59 and the relatively large heat sink 19 have special advantages as previously described, such as preventing deflection at the center of the substrate.

기판(10′)의 통과수단(14)은 단축된 통로 또는 그루브(15′)이며 (이미 설명한 통로(15)와 형상 및 크기가 비슷함) 통로(15′)로부터 기판의 제2면(17)까지 기판(10′)을 통해 연장되는 개구(63)이다. 도 8은 기판의 모퉁이로부터 개구(63)까지 연장되는 통로(15′)를 나타내는 캡슐화되기 전의 기판(10′)의 평면도이다. 전처럼, 통로(15′)는 기판에서 임의의 방향으로부터 뻗을 수 있으며 기판의 모서리까지 줄곧 연장될 필요는 없다. 본 발명의 다른 실시예에 따라 하나 이상의 통과수단이 또한 있을 수 있다. 도 7은 기판의 밑면(17)을 통해 연장되는 기판(10′)의 저면도이다.The passage means 14 of the substrate 10 'is a shortened passage or groove 15' (similar in shape and size to the passage 15 already described) and the second surface 17 of the substrate from the passage 15 '. Is an opening 63 extending through the substrate 10 '. 8 is a plan view of the substrate 10 'before encapsulation showing a passage 15' extending from the corner of the substrate to the opening 63. FIG. As before, the passage 15 ′ may extend from any direction in the substrate and need not extend all the way to the edge of the substrate. According to another embodiment of the invention there may also be one or more passing means. 7 is a bottom view of the substrate 10 'extending through the bottom surface 17 of the substrate.

통로(15′)는 개구(63)까지 히트 싱크(19) 아래를 위도상으로 가로지른다. 히트 싱크는 기판의 전체 윗면을 덮을 수 있고 따라서 통과수단(14)은 도 12에 도시된 바와 같이 기판의 측면까지 줄곧 연장된다. 도 12에 도시된 이동수단은 기판의 층(6)에 형성되거나 루트가 정해진다. 포팅링(55)은 통과영역 내부로 기판을 통해 개구를 통합함으로써 몰딩된다. 도 6은 몰딩 공정동안, 유체 몰딩 혼합물이 게이트(26)를 통해 상부 틀 공동(25) 내로 흐르는 것을 나타낸다. 상부 틀 공동(25)에서, 화살표들은 결과적인 몰딩 혼합물의 흐름을 나타낸다. 몰딩 혼합물은 패키지의 상단과 측면들을 캡슐화하기 위하여 기판(10)의 윗면 위를, 기판(10′)의 측면들(8) 주위를 그리고 히트 싱크(19) 주위를 흐른다. 몰딩 혼합물은 통로(15′) 내로 기판(10′)의 모서리들과 윗면 주위를 흐르며 개구(63)를 통해 틀 공동(61) 쪽을 향해 아래로 흐른다. 도 9는 몰딩 포팅링(55)을 구비한 완성된 캡슐화된 패키지(53)를 나타낸다. 솔더볼(solder ball) 그리드 어레이를 형성하기 위하여 솔더볼들의 형상인 전기적 콘택들(12)은 비아홀들(11)에 전기적으로 연결된다. 전기적 콘택들(12)은 핀들, 랜드들 등의 공지된 것일 수 있다.The passage 15 ′ traverses latitude below the heat sink 19 to the opening 63. The heat sink can cover the entire top surface of the substrate so that the passing means 14 extend all the way to the side of the substrate as shown in FIG. 12. The vehicle shown in FIG. 12 is formed or routed in the layer 6 of the substrate. The potting ring 55 is molded by integrating an opening through the substrate into the passage area. 6 shows that the fluid molding mixture flows through the gate 26 into the upper mold cavity 25 during the molding process. In the upper mold cavity 25, the arrows indicate the flow of the resulting molding mixture. The molding mixture flows over the top of the substrate 10, around the sides 8 of the substrate 10 ′ and around the heat sink 19 to encapsulate the top and sides of the package. The molding mixture flows around the edges and the top surface of the substrate 10 'into the passage 15' and down through the opening 63 toward the frame cavity 61. 9 shows a complete encapsulated package 53 with molding potting ring 55. Electrical contacts 12 in the form of solder balls are electrically connected to the via holes 11 to form a solder ball grid array. Electrical contacts 12 may be known, such as pins, lands, and the like.

도 13은 개구들(77과 79)이 기판의 상단과 하단에 만들어질 수 있고 통로(15″)와 결합하여 이동수단(14)으로 통합되는 본 발명의 실시예를 나타낸다. 통로(15″)는 기판의 층(6) 내에 형성되거나 루트가 정해진다. 그러나 통로(15″)는 임의의 층 또는 복수의 층들 내에 있을 수 있다는 것을 이해하여야 한다.FIG. 13 shows an embodiment of the invention in which openings 77 and 79 can be made at the top and bottom of the substrate and are integrated into the vehicle 14 in conjunction with the passage 15 ″. The passage 15 ″ is formed or routed in the layer 6 of the substrate. However, it should be understood that the passage 15 ″ may be in any layer or in multiple layers.

본 발명의 또 다른 실시예에서, 하부 플래턴(65)이 몰딩공정에 대하여 사용된다(도 10). 하부 플래턴(65)은 기판(10)의 하부 표면(17)에 대하여 압력을 가하는 플러그(67)를 포함하여, 몰딩 혼합물이 히트 싱크의 윗면 위로 흐르지 못하도록 히트 싱크(19)의 윗면은 상부 플래턴(75) 내의 상부 틀 공동(25)의 표면(47)과 접촉하게 하는 압력을 받는다. 플러그(67)는 하부 플래턴(65)의 공동(69) 내에 위치하는 바이어싱 수단(39)을 이용하여 바이어스된다. 바이어싱 수단(39)은 기판(10)의 표면(71)에 대하여 플러그(67)의 표면을 또한 누르기 때문에 몰딩 혼합물이 툴 공동(27)의 영역에서를 제외하고는 기판의 밑면을 가로질러 흐르지 못한다. 플러그(67)는 어느 한쪽 측면을 따라 대략 0.01 mm보다 작은 갭을 구비하는 공동(69) 내에 꼭 맞춰지기 위한 크기를 갖기 때문에 몰딩 혼합물은 몰딩공정 동안 공동(69) 내로 흐르지 않을 것이다. 본 실시예의 몰딩공정에서 상대적으로 큰 히트 싱크(19) (즉, 틀 공동의 폭보다 더큰 폭을 갖는)와 플러그를 사용하는 것은 상술한 것과 같은 장점들, 예를 들면 히트 싱크와 기판의 두께변화를 보상하고 기판의 중심에서 편향을 방지하는 것과 같은 장점들을 갖는다. 바이어스된 플러그(67)는 틀 공동(27) 대신에 포팅링을 형성하기 위한 공동(61)과 같은 틀 공동을 구비할 수 있다는 것을 주목하는 것이 중요하다. 마찬가지로, 플러그(67)는 핀들이나 도 5의 실시예를 참조하여 설명된 다른 전기적인 접촉들을 수용하기 위한 리세스들을 갖을 수 있다.In another embodiment of the present invention, a lower platen 65 is used for the molding process (FIG. 10). The lower platen 65 includes a plug 67 that presses against the lower surface 17 of the substrate 10 so that the top surface of the heat sink 19 has an upper platen to prevent the molding mixture from flowing over the top surface of the heat sink. The pressure is brought into contact with the surface 47 of the upper mold cavity 25 in the turn 75. The plug 67 is biased using biasing means 39 located in the cavity 69 of the lower platen 65. Since the biasing means 39 also press the surface of the plug 67 against the surface 71 of the substrate 10, the molding mixture does not flow across the bottom of the substrate except in the area of the tool cavity 27. can not do it. The molding mixture will not flow into the cavity 69 during the molding process because the plug 67 is sized to fit within the cavity 69 with a gap less than approximately 0.01 mm along either side. The use of a relatively large heat sink 19 (ie, having a width greater than the width of the frame cavity) and the plug in the molding process of this embodiment has the same advantages as described above, for example, variations in the thickness of the heat sink and substrate. Has advantages such as compensating for and preventing deflection at the center of the substrate. It is important to note that the biased plug 67 may have a mold cavity such as a cavity 61 for forming the potting ring instead of the mold cavity 27. Likewise, plug 67 may have recesses for receiving pins or other electrical contacts described with reference to the embodiment of FIG. 5.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예이다. 틀 플래턴들은 방금 설명한 것과 동일하다. 그러나, 본 실시예에서, 통과수단(14)은 히트 싱크(19′)의 밑면(57)에 절단된 슬롯(slot)이나 채널(channel)(73)이다. 그러나 통과수단은 홀, 그루브, 오리피스, 덕트, 노치 또는 유체 몰딩 혼합물(즉, 플라스틱)이 히트 싱크(19′) 아래를 위도상으로 흐르도록 하는 임의의 형상일 수 있지만 이에 한정되는 것이 아니라는 것을 주목하는 것이 중요하다. 트랜스퍼 몰딩 작업에서, 유체 (가열된) 몰딩 혼합물은 상부 플래턴(75)의 홀(24)로 밀려들어간다. 유체 몰딩 혼합물은 게이트(26)를 통해 상부 틀공동(25) 쪽으로 흐른다. 상부 틀 공동(25)에서, 화살표들은 결과적인 몰딩 혼합물의 흐름을 나타낸다. 몰딩 혼합물은 패키지의 상단과 측면들을 캡슐화하기 위하여 히트 싱크(19′) 주위를, 기판(10)의 윗면(16) 위를 그리고 기판의 측면들(8) 주위를 흐른다.11 is another embodiment of the present invention. The frame plates are the same as just described. However, in this embodiment, the passing means 14 are slots or channels 73 cut into the bottom surface 57 of the heat sink 19 '. Note, however, that the means of passage may be of any shape such that, but not limited to, holes, grooves, orifices, ducts, notches or fluid molding mixtures (i.e., plastics) flow latitude below the heat sink 19 '. It is important to do. In the transfer molding operation, the fluid (heated) molding mixture is pushed into the hole 24 of the upper platen 75. The fluid molding mixture flows through the gate 26 toward the upper mold cavity 25. In the upper mold cavity 25, the arrows indicate the flow of the resulting molding mixture. The molding mixture flows around the heat sink 19 ', over the top 16 of the substrate 10 and around the sides 8 of the substrate to encapsulate the top and sides of the package.

통과수단(14)은 전자소자(20), 본딩 배선들(21, 21A) 및 본드 핑거들(18, 18A)을 캡슐화하기 위하여 유체 몰딩 혼합물이 하부 틀 플래턴(23)의 하부 틀 공동(27)쪽으로 기판(10)을 통해 히트 싱크(19′) 밑을 위도상으로 또는 측면으로 이동하도록 한다. 이미 설명한 바와 같이, 히트 싱크 아래를 몰딩 혼합물이 위도상으로 이동하는 것은 커다란 히트 싱크가 더 큰 열전달을 위하여 패키지의 상단 위에 놓일 수 있다는 것을 의미한다. 실제로, 히트 싱크는 기판의 전체 윗면을 덮을 수 있기 때문에 통과수단(14)은 기판의 측면쪽으로 줄곧 연장된다. 마찬가지로, 통과수단은 기판과 몰딩 혼합물에 의해 요구되는 것과 같은 많은 다른 크기들과 형상들일 수 있다. 통로는 기판 내의 임의의 방향으로부터 이어질 수 있고 이하에서 더욱 상세히 설명되는 바와 같이 모서리나 윈도우로 줄곧 연장될 필요가 없다. 본 발명의 다른 실시예에 따라서 하나 이상의 통과수단이 있을 수 있다.Passing means 14 is the lower mold cavity 27 of the lower mold platen 23 in which the fluid molding mixture is encapsulated to encapsulate the electronic device 20, the bonding wires 21 and 21A and the bond fingers 18 and 18A. To the latitude or laterally through the substrate 10 under the heat sink 19 '. As already explained, moving the molding mixture latitude down the heat sink means that a large heat sink can be placed on top of the package for greater heat transfer. In practice, the passing means 14 extend all the way to the side of the substrate since the heat sink can cover the entire top surface of the substrate. Likewise, the passing means can be of many different sizes and shapes, such as those required by the substrate and molding mixture. The passageway may run from any direction within the substrate and need not extend all the way into the corner or window as described in more detail below. According to another embodiment of the present invention, there may be one or more passing means.

본 발명의 원리들, 바람직한 실시예들 및 동작 모드들을 전술하였다. 그러나, 본 발명은 상기 특정 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 따라서, 상기 실시예들은 제한적이라기보다는 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 그리고 다양한 변형들이 다음의 청구항들에 의해 정의되는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 당업자에 의해 이루어질 수 있다는 것이 인정되어야 한다.The principles, preferred embodiments and modes of operation of the present invention have been described above. However, the invention should not be construed as limited to the above specific embodiments. Accordingly, the above embodiments should be considered illustrative rather than restrictive. And it should be recognized that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the scope of the invention as defined by the following claims.

Claims (22)

제1면, 제2면 및 도금 비아들(vias)을 구비하되, 그 내부를 관통하는 윈도우와 상기 윈도우를 덮기 위해 상기 제1면에 부착되는 히트싱크를 구비하는 인쇄배선기판;A printed wiring board having a first surface, a second surface, and plated vias, the printed wiring board having a window penetrating therein and a heat sink attached to the first surface to cover the window; 유체 몰딩 혼합물이 상기 히트 싱크 아래를 위도상으로 이동할 수 있도록 하는 통과수단; 및Passing means for allowing fluid molding mixture to move latitude below the heat sink; And 상기 히트 싱크 주위로 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면을 최소한 덮되, 상기 통과수단을 통해 연장되며 상기 제1면 아래의 공동을 채우는 캡슐을 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.And a capsule at least covering said first surface of said printed wiring board around said heat sink, said capsule extending through said passing means and filling a cavity below said first surface. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통과수단은 상기 히트 싱크의 모서리의 바깥쪽 지점으로부터 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면 아래의 공동까지 연장되는 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a groove in said first surface of said printed wiring board that extends from an outer point of an edge of said heat sink to a cavity below said first surface of said printed wiring board. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 통과수단 아래의 공동을 통과한 후 상기 유체 몰딩 혼합물에 의해 상기 인쇄배선기판의 상기 제2면 상에 형성되는 포팅링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.And a potting ring formed on the second surface of the printed wiring board by the fluid molding mixture after passing through the cavity under the passage means. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 윈도우 내의 상기 히트 싱크에 부착되는 전자 소자; 및An electronic element attached to the heat sink in the window; And 상기 전자 소자를 상기 도금 비아들에 전기적으로 연결시키기 위한 수단을 더 구비하고,Means for electrically connecting the electronic device to the plating vias, 상기 제1면 아래의 상기 공동이 채워질 때 상기 전자 소자와 상기 연결들이 캡슐화 되는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Molded electronic package, characterized in that the electronic device and the connections are encapsulated when the cavity under the first surface is filled. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 윈도우 내의 상기 히트 싱크에 부착되는 전자 소자; 및An electronic element attached to the heat sink in the window; And 상기 전자 소자를 상기 도금 비아들에 전기적으로 연결시키기 위한 수단을 더 구비하고,Means for electrically connecting the electronic device to the plating vias, 상기 통과수단은 상기 히트 싱크의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면 아래의 공동까지 연장되어 상기 제1면 아래의 상기 공동이 채워질 때 상기 전자 소자들과 상기 연결들이 캡슐화되도록 하는 상기 히트 싱크의 하단 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.The passing means extends from the outer edge of the heat sink to the cavity below the first side of the printed wiring board such that the electronic elements and the connections are encapsulated when the cavity below the first side is filled. Molded electronic package, characterized in that it is a groove in the bottom of the heat sink. 제1면, 제2면 및 기판을 통해 연장되는 도금 비아들(vias)을 구비하되, 그 내부를 관통하는 윈도우와 상기 윈도우를 덮기 위해 상기 제1면에 부착되는 히트싱크, 상기 윈도우 내의 상기 히트 싱크에 부착되는 전자 소자 및 상기 전자소자를 상기 도금 비아들에 전기적으로 연결시키기 위한 수단을 구비하는 인쇄배선기판;A first surface, a second surface, and plating vias extending through the substrate, the window penetrating therein and a heat sink attached to the first surface to cover the window, the heat in the window A printed wiring board having an electronic element attached to the sink and means for electrically connecting the electronic element to the plating vias; 유체 몰딩 혼합물이 상기 히트 싱크 아래를 위도상으로 이동할 수 있도록 하는 통과수단; 및Passing means for allowing fluid molding mixture to move latitude below the heat sink; And 상기 히트 싱크 주위로 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면을 최소한 덮되, 상기 통과수단을 통해 연장되며 상기 전자 소자와 상기 연결들을 캡슐화하는 캡슐을 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.And a capsule at least covering said first surface of said printed wiring board around said heat sink, said capsule extending through said passing means and encapsulating said electronic element and said connections. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 통과수단은 상기 히트 싱크의 모서리의 바깥쪽 지점으로부터 상기 인쇄배선기판의 윈도우를 향하는 개구까지 연장되는 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a groove in said first surface of said printed wiring board extending from an outer point of an edge of said heat sink to an opening toward a window of said printed wiring board. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 통과수단은 상기 히트 싱크의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 윈도우를 향하는 개구까지 연장되는 상기 히트 싱크의 밑면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a groove in the underside of said heat sink that extends from an outer edge of said heat sink to an opening toward a window of said printed wiring board. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 통과수단은 상기 인쇄배선기판의 제1면 내의 그루브와 상기 히트 싱크의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 윈도우를 향하는 개구까지 연장되는 상기 히트 싱크의 밑면 내의 대응하는 그루브에 의해 형성되는 터널인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.The passing means is a tunnel formed by a groove in the first surface of the printed wiring board and a corresponding groove in the bottom surface of the heat sink extending from an outer edge of the heat sink to an opening facing the window of the printed wiring board. Molding electronic package, characterized in that. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통과수단은 상기 히트 싱크의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면 아래의 공동까지 연장되는 상기 히트 싱크의 밑면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a groove in a bottom surface of said heat sink that extends from an outer edge of said heat sink to a cavity below said first surface of said printed wiring board. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통과수단은 상기 인쇄배선기판의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면 아래의 공동까지 연장되는 상기 인쇄배선기판 내의 터널인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a tunnel in said printed wiring board extending from an outer edge of said printed wiring board to a cavity below said first surface of said printed wiring board. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통과수단을 통해 연장되는 캡슐에 의해 상기 인쇄배선기판의 상기 제2면 상에 형성되는 포팅링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.And a potting ring formed on the second surface of the printed wiring board by a capsule extending through the passage means. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통과수단은 상기 히트 싱크의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 윈도우를 향하는 개구까지 연장되는 상기 히트 싱크의 밑면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a groove in the underside of said heat sink that extends from an outer edge of said heat sink to an opening toward a window of said printed wiring board. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통과수단은 상기 인쇄배선기판의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 윈도우를 향하는 개구까지 연장되는 상기 인쇄배선기판 내의 터널인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a tunnel in said printed wiring board extending from an outer edge of said printed wiring board to an opening toward a window of said printed wiring board. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 통과수단은 상기 인쇄배선기판의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 윈도우를 향하는 개구까지 연장되는 상기 인쇄배선기판의 상기 제1면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a groove in said first surface of said printed wiring board extending from an outer edge of said printed wiring board to an opening toward a window of said printed wiring board. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 통과수단은 상기 인쇄배선기판의 바깥쪽 모서리로부터 상기 인쇄배선기판의 윈도우를 향하는 개구까지 연장되는 상기 인쇄배선기판 내의 터널인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a tunnel in said printed wiring board extending from an outer edge of said printed wiring board to an opening toward a window of said printed wiring board. 제1면, 제2면 및 도금 비아들을 구비하되, 그 내부를 관통하는 윈도우와 상기 윈도우를 덮기 위해 상기 제1면에 부착되는 히트싱크를 구비하는 기판;A substrate having a first surface, a second surface, and plated vias, the substrate having a window penetrating therein and a heat sink attached to the first surface to cover the window; 상기 히트 싱크 아래를 가로질러 연장되는 통로; 및A passage extending below the heat sink; And 상기 히트 싱크 주위로 상기 기판의 상기 제1면을 최소한 덮고 상기 통로를 통해 연장되는 캡슐을 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.And a capsule at least covering said first side of said substrate around said heat sink and extending through said passageway. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 통로는 상기 기판의 상기 제1면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passage is a groove in said first surface of said substrate. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 기판의 상기 제2면 상에 형성되는 포팅링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.And a potting ring formed on the second surface of the substrate. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 윈도우 내의 상기 히트 싱크에 부착되는 전자 소자; 및An electronic element attached to the heat sink in the window; And 상기 전자 소자를 도금 비아들에 전기적으로 연결시키기 위한 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.And means for electrically connecting said electronic device to plating vias. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 통과수단은 상기 히트 싱크의 밑면 내의 그루브인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a groove in a bottom surface of said heat sink. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 통과수단은 상기 기판 내의 터널인 것을 특징으로 하는 몰딩 전자 패키지.Wherein said passing means is a tunnel in said substrate.
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5854511A (en) * 1995-11-17 1998-12-29 Anam Semiconductor, Inc. Semiconductor package including heat sink with layered conductive plate and non-conductive tape bonding to leads
JP3345241B2 (en) * 1995-11-30 2002-11-18 三菱電機株式会社 Semiconductor device
US6043559A (en) 1996-09-09 2000-03-28 Intel Corporation Integrated circuit package which contains two in plane voltage busses and a wrap around conductive strip that connects a bond finger to one of the busses
TW406454B (en) 1996-10-10 2000-09-21 Berg Tech Inc High density connector and method of manufacture
US5808873A (en) * 1997-05-30 1998-09-15 Motorola, Inc. Electronic component assembly having an encapsulation material and method of forming the same
JP2004506309A (en) * 1997-12-31 2004-02-26 エルパック（ユーエスエー）、インコーポレイテッド Molded electronic package, manufacturing method and shielding method
US6160714A (en) * 1997-12-31 2000-12-12 Elpac (Usa), Inc. Molded electronic package and method of preparation
JP3481444B2 (en) * 1998-01-14 2003-12-22 シャープ株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
US5917703A (en) * 1998-04-17 1999-06-29 Advanced Interconnections Corporation Integrated circuit intercoupling component with heat sink
TW399309B (en) * 1998-09-30 2000-07-21 World Wiser Electronics Inc Cavity-down package structure with thermal via
KR100393093B1 (en) * 1999-06-07 2003-07-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 manufacturing method of semiconductor package
JP2000349178A (en) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW476147B (en) * 2001-02-13 2002-02-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd BGA semiconductor packaging with through ventilator heat dissipation structure
SG100635A1 (en) * 2001-03-09 2003-12-26 Micron Technology Inc Die support structure
US20020127771A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-12 Salman Akram Multiple die package
US6798055B2 (en) 2001-03-12 2004-09-28 Micron Technology Die support structure
SG95637A1 (en) 2001-03-15 2003-04-23 Micron Technology Inc Semiconductor/printed circuit board assembly, and computer system
US6441483B1 (en) * 2001-03-30 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Die stacking scheme
US7741566B2 (en) * 2003-05-07 2010-06-22 Merix Corporation Microelectronic substrates with thermally conductive pathways and methods of making same
US7217597B2 (en) 2004-06-22 2007-05-15 Micron Technology, Inc. Die stacking scheme
US7071556B2 (en) * 2004-09-10 2006-07-04 Jinghui Mu Tape ball grid array package with electromagnetic interference protection and method for fabricating the package
US20070099513A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Savage Dan J Plug-in device and method of making the same
US7323968B2 (en) * 2005-12-09 2008-01-29 Sony Corporation Cross-phase adapter for powerline communications (PLC) network
TWI296216B (en) * 2006-05-08 2008-05-01 Inventec Corp Method for fabricating heat sink
TWI342603B (en) * 2006-11-22 2011-05-21 Advanced Semiconductor Eng Package assembly whose spacer has through hole
US8273603B2 (en) * 2008-04-04 2012-09-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Interposers, electronic modules, and methods for forming the same
US8017451B2 (en) 2008-04-04 2011-09-13 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electronic modules and methods for forming the same
TWI405307B (en) * 2009-09-18 2013-08-11 Novatek Microelectronics Corp Chip package and process thereof
US9905491B1 (en) 2013-09-27 2018-02-27 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Interposer substrate designs for semiconductor packages
KR101677323B1 (en) * 2014-05-09 2016-11-17 주식회사 동부하이텍 Method of packaging semiconductor devices and apparatus for performing the same
KR101666711B1 (en) * 2014-05-09 2016-10-14 주식회사 동부하이텍 Method of packaging semiconductor devices and apparatus for performing the same
US9320139B2 (en) * 2014-06-09 2016-04-19 Boardtek Electronics Corporation Circuit board having interior space
US10729000B2 (en) * 2016-09-28 2020-07-28 Intel Corporation Thermal conductivity for integrated circuit packaging
US11540395B2 (en) * 2018-10-17 2022-12-27 Intel Corporation Stacked-component placement in multiple-damascene printed wiring boards for semiconductor package substrates
JP2023528210A (en) * 2020-05-29 2023-07-04 フォームファクター， インコーポレイテッド Three-dimensional electrical integration structure using connection of the edge of a component carrier to a two-dimensional contact array

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4043027A (en) * 1963-12-16 1977-08-23 Texas Instruments Incorporated Process for encapsulating electronic components in plastic
JPS5740965A (en) * 1980-08-26 1982-03-06 Nec Corp Hybrid integrated circuit device
US4396936A (en) * 1980-12-29 1983-08-02 Honeywell Information Systems, Inc. Integrated circuit chip package with improved cooling means
US4437141A (en) * 1981-09-14 1984-03-13 Texas Instruments Incorporated High terminal count integrated circuit device package
US4460537A (en) * 1982-07-26 1984-07-17 Motorola, Inc. Slot transfer molding apparatus and methods
US4975756A (en) * 1985-05-01 1990-12-04 Texas Instruments Incorporated SRAM with local interconnect
DE3675321D1 (en) * 1985-08-16 1990-12-06 Dai Ichi Seiko Co Ltd SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH PACK OF PIN PLUG TYPE.
JP2502511B2 (en) * 1986-02-06 1996-05-29 日立マクセル株式会社 Method for manufacturing semiconductor device
JPS62188249A (en) * 1986-02-13 1987-08-17 Shinko Electric Ind Co Ltd Pin grid array package
US4935581A (en) * 1986-04-17 1990-06-19 Citizen Watch Co., Ltd. Pin grid array package
US4778641A (en) * 1986-08-11 1988-10-18 National Semiconductor Corporation Method of molding a pin grid array package
US4688152A (en) * 1986-08-11 1987-08-18 National Semiconductor Corporation Molded pin grid array package GPT
JP2533511B2 (en) * 1987-01-19 1996-09-11 株式会社日立製作所 Electronic component connection structure and manufacturing method thereof
JPH0617458B2 (en) * 1987-03-16 1994-03-09 信越化学工業株式会社 Epoxy resin composition
US4861251A (en) * 1988-02-29 1989-08-29 Diehard Engineering, Inc. Apparatus for encapsulating selected portions of a printed circuit board
JPH079953B2 (en) * 1988-04-13 1995-02-01 株式会社東芝 Method for manufacturing semiconductor device
US4868349A (en) * 1988-05-09 1989-09-19 National Semiconductor Corporation Plastic molded pin-grid-array power package
US4972253A (en) * 1988-06-27 1990-11-20 Digital Equipment Corporation Programmable ceramic high performance custom package
EP0351581A1 (en) * 1988-07-22 1990-01-24 Oerlikon-Contraves AG High-density integrated circuit and method for its production
JPH02168662A (en) * 1988-09-07 1990-06-28 Hitachi Ltd Chip carrier
JPH02306639A (en) * 1989-05-22 1990-12-20 Toshiba Corp Resin encapsulating method for semiconductor device
US4954878A (en) * 1989-06-29 1990-09-04 Digital Equipment Corp. Method of packaging and powering integrated circuit chips and the chip assembly formed thereby
US5291060A (en) * 1989-10-16 1994-03-01 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and semiconductor device using same
US5019673A (en) * 1990-08-22 1991-05-28 Motorola, Inc. Flip-chip package for integrated circuits
US5132778A (en) * 1990-09-17 1992-07-21 Motorola, Inc. Transfer molding compound
IT1247649B (en) * 1990-10-31 1994-12-28 Sgs Thomson Microelectronics RESIN ENCAPSULATION PROCEDURE OF A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED ON A HEAT SINK REMOVING THE WIRES FROM THE HEAT SINK THROUGH THE ACTION OF THE COUNTER-MOLD WHEN THE MOLD IS CLOSED
US5136366A (en) * 1990-11-05 1992-08-04 Motorola, Inc. Overmolded semiconductor package with anchoring means
JP2732149B2 (en) * 1990-11-21 1998-03-25 イビデン株式会社 Substrate for mounting electronic components
US5216278A (en) * 1990-12-04 1993-06-01 Motorola, Inc. Semiconductor device having a pad array carrier package
US5241133A (en) * 1990-12-21 1993-08-31 Motorola, Inc. Leadless pad array chip carrier
US5254500A (en) * 1991-02-05 1993-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method for making an integrally molded semiconductor device heat sink
JPH04256342A (en) * 1991-02-08 1992-09-11 Toshiba Corp Semiconductor package
US5153385A (en) * 1991-03-18 1992-10-06 Motorola, Inc. Transfer molded semiconductor package with improved adhesion
US5218759A (en) * 1991-03-18 1993-06-15 Motorola, Inc. Method of making a transfer molded semiconductor device
US5210440A (en) * 1991-06-03 1993-05-11 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor chip cooling apparatus
KR0134902B1 (en) * 1991-07-08 1998-04-20 다니엘 케이. 니콜스 Moisture relief for chip carriers
US5102829A (en) * 1991-07-22 1992-04-07 At&T Bell Laboratories Plastic pin grid array package
US5328870A (en) * 1992-01-17 1994-07-12 Amkor Electronics, Inc. Method for forming plastic molded package with heat sink for integrated circuit devices
JPH05259216A (en) * 1992-03-13 1993-10-08 Nippon Steel Corp Manufacture of semiconductor device
JPH06295962A (en) * 1992-10-20 1994-10-21 Ibiden Co Ltd Electronic part mounting substrate and manufacture thereof as well as electronic part mounting device
US5355283A (en) * 1993-04-14 1994-10-11 Amkor Electronics, Inc. Ball grid array with via interconnection
US5679978A (en) * 1993-12-06 1997-10-21 Fujitsu Limited Semiconductor device having resin gate hole through substrate for resin encapsulation

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Publication number Publication date
ATE222025T1 (en) 2002-08-15
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US5652463A (en) 1997-07-29
JPH11505962A (en) 1999-05-25
EP0829097A1 (en) 1998-03-18
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TW310466B (en) 1997-07-11
DE69622861D1 (en) 2002-09-12

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