KR19990015698A - 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스 - Google Patents

Abstract

케미컬(Chemical)이 수용되는 수위 이하의 배스(Bath) 양내측면을 중심부를 향해 돌출되게 형성하여서 케미컬의 소모량을 감소시키도록 개선시킨 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스에 관한 것이다.

본 발명은, 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스에 있어서, 케미컬 수위 이하의 배스의 양내측면이 돌출된 형상으로 이루어진다.

따라서, 본 발명에 의하면 배스의 형상을 케미컬 수위 이하의 배스의 양내측면이 돌출되도록 형성함으로써 케미컬의 소모량이 감소하여 생산원가가 절감되고, 케미컬 배출량이 감소하여 폐액처리 비용절감 및 환경오염이 개선되는 효과가 있다.

Description

반도체장치 식각공정용 케미컬 배스

본 발명은 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 케미컬이 수용되는 수위 이하의 배스 양내측면을 중심부를 향해 돌출되게 형성하여서 케미컬의 소모량을 감소시키도록 개선시킨 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스에 관한 것이다.

습식식각 및 세정공정은 반도체장치가 집적도가 높아짐에 따라 그 중요성이 부각되고 있다. 그리고 식각공정은 회로패턴의 미세화가 진행되고, 고밀도, 고집적화 되면서 파티클(Particle)이나 각종 오염물로 인해 제품수율이나 신뢰성에 미치는 영향이 크게 작용하였다.

종래의 식각공정에 사용되는 케미컬 배스(10)는 도1과 같은 직육면체의 형상으로 이루어져 있고, 내부에 케미컬이 수용되어서 웨이퍼를 식각처리하였다.

도2를 참조하면, 캐리어(12)에 적재되어 있는 웨이퍼(14)는 케미컬을 수용하는 직육면체 형상의 배스(10)에 소정 시간동안 잠긴 상태에서 케미컬 공급 및 순환장치(도시하지 않음)를 통해 케미컬이 공급되면서 순환되어 식각공정이 이루어졌다.

그러나, 배스(10)의 형상이 필요이상의 케미컬을 수용하는 구조로 이루어져서 케미컬이 과다하게 소모되었고, 과다한 양의 폐액이 방출되어 이를 처리하는 비용증가 및 환경오염을 부추기는 요인이 되는 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, 케미컬이 수용되는 배스의 형상을 케미컬 수위 이하의 배스의 양내측면이 돌출되도록 형성하여서 케미컬의 소모량을 절감하도록 개선시킨 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스를 제공하는 데 있다.

도1은 종래의 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스를 나타내는 사시도이다.

도2는 종래의 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스를 이용해서 식각이 이루어짐을 나타내는 도면이다.

도3은 본 발명에 따른 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스를 나타내는 사시도이다.

도4는 본 발명에 따른 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스를 이용해서 식각이 이루어짐을 나타내는 도면이다.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10, 20 : 배스(Bath) 12, 26 : 캐리어(Carrier)

14, 24 : 웨이퍼 22 : 내측면

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스는, 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스에 있어서, 케미컬 수위 이하의 배스의 양내측면이 돌출된 형상으로 이루어진다.

그리고, 상기 돌출된 형상은 양내측면이 대칭으로 이루어짐이 바람직하다.

그리고, 상기 돌출된 형상의 하단부의 폭은 캐리어가 삽입가능한 길이로 이루어진다.

또한, 상기 배스의 재질은 폴리염화비닐(PVC), 테프론(Teflon), 스테인리스 스틸(SUS), 또는 석영으로 이루어진다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도3에서 보는 바와 같이 실시예는, 케미컬 배스(20)의 형상은 배스(20) 하부의 양내측면(22)이 중심을 향해 돌출되어 형성되어 있다. 구체적인 실시예는 도4를 참조하면 더욱 쉽게 파악할 수 있다.

도4와 같이 돌출되어 있는 배스(20)의 양내측면(22) 사이에 웨이퍼(24)를 적재한 캐리어(26)가 놓이게 되고, 배스(20)에 충만되어 있는 케미컬에 의해 사진공정을 거친 웨이퍼가 화학반응을 통해서 식각이 이루어진다.

배스(20)의 하부의 폭(L)은 캐리어(26)가 삽입 및 이탈이 자유롭게 캐리어 폭보다 넓게 형성되어 있고, 배스(20)의 길이 또한 캐리어(26)를 포함하도록 형성되어 있다. 또한 하부에는 케미컬이 드레인(Drain) 및 순환되도록 배수관(도시하지 않음)이 연결되어 있다.

그리고 배스(20)의 재질은 케미컬의 화학작용 및 열에 강한 재질인 폴리염화비닐, 테프론, 스테인리스 스틸 또는 석영이 사용된다.

전술한 바와 같이 본 발명에 따른 실시예에 의하면 케미컬이 수용되는 체적이 감소하여 케미컬 소모량이 감소하게 되어 반도체장치 제조원가가 절감되는 이점이 있다.

따라서, 본 발명에 의하면 배스의 형상을 케미컬 수위 이하의 배스의 양내측면이 돌출되도록 형성함으로써 케미컬의 소모량이 감소하여 생산원가가 절감되고, 케미컬 배출량이 감소하여 폐액처리 비용절감 및 환경오염이 개선되는 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (6)

1. 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스에 있어서,

   케미컬 수위 이하의 배스의 양내측면이 돌출된 형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 돌출된 형상은 양내측면이 대칭으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 돌출된 형상의 하단부의 폭은 캐리어가 삽입가능한 길이를 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 배스의 재질은 폴리염화비닐로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 배스의 재질은 테프론으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 배스의 재질은 스테인리스 스틸로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 식각공정용 케미컬 배스.